基本信息
李俊杰  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: lijunjie@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
微纳电子器件及先导工艺

教育背景

2018-09--2021-06   中国科学院大学   工学博士
2004-09--2007-03   北京航空航天大学   工学硕士
2000-09--2004-06   武汉理工大学   工学学士

工作经历

   
工作简历
2018-09~2021-06,中国科学院大学, 工学博士
2013-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师
2007-04~2013-04,北方微电子公司(现北方华创), 产品经理
2004-09~2007-03,北京航空航天大学, 工学硕士
2000-09~2004-06,武汉理工大学, 工学学士

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 校优秀毕业生, 特等奖, 研究所(学校), 2021
(2) 三好学生标兵, 特等奖, 研究所(学校), 2021
(3) 院长奖特别奖, 特等奖, 院级, 2021
(4) 北京市优秀毕业生, 特等奖, 省级, 2021
(5) 三好学生标兵, 特等奖, 研究所(学校), 2021
(6) 王守武奖学金, 一等奖, 研究所(学校), 2020
(7) 三好学生标兵, 特等奖, 研究所(学校), 2020
(8) 荣誉奖学金特等奖, 特等奖, 研究所(学校), 2020
(9) 唐立新奖, 特等奖, 研究所(学校), 2020
(10) 国家奖学金, 特等奖, 部委级, 2020
(11) 荣誉奖学金特等奖, 特等奖, 研究所(学校), 2019
(12) 先进工作者(十佳), 特等奖, 研究所(学校), 2015
专利成果
( 1 ) 一种二维半导体场效应管及其制备工艺、一种半导体器件, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113206091A

( 2 ) 一种微电极结构及其制作方法及包括该器件的电子设备, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110174453B

( 3 ) 一种纳米网的制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113173553A

( 4 ) 一种垂直纳米线阵列的制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113173557A

( 5 ) 一种纳米线MIM阵列器件及制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113173555A

( 6 ) 一种半导体器件的制备方法及半导体器件, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113178488A

( 7 ) 一种半导体器件及其制造方法、集成电路、电子设备, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112652664A

( 8 ) 一种低噪声热电堆器件的制作方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112563403A

( 9 ) 一种悬桥结构热电堆器件的制作方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112563402A

( 10 ) 一种红外吸收薄膜及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110137308B

( 11 ) 一种纳米森林结构的制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112520688A

( 12 ) 半导体器件与其制作方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN108831926B

( 13 ) 内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110938434B

( 14 ) 包括纳米线的器件与其制作方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN108878422B

( 15 ) 堆叠纳米线环栅器件及其制作方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112151386A

( 16 ) 一种半导体器件及其制造方法、电子设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112071912A

( 17 ) 一种电容结构及其制备方法和半导体器件, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN112018090A

( 18 ) 一种多重图形化的方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112017950A

( 19 ) 高吸收热电堆及其制作方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111969098A

( 20 ) 高吸收纳米结构热电堆及其制作方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111964794A

( 21 ) 高光谱图像传感器的单片集成方法、高光谱图像传感器及成像设备, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111952326A

( 22 ) 闸阀控制电路、抽真空设备以及真空室, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111927748A

( 23 ) 一种具有高深宽比结构的半导体器件及其制造方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111900123A

( 24 ) 半导体结构及其制造方法、半导体器件、芯片, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111900145A

( 25 ) 半导体结构及制造方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111900201A

( 26 ) 晶圆转移机构、半导体制造设备以及晶圆转移方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111900118A

( 27 ) 半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111883532A

( 28 ) DRAM存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111883531A

( 29 ) 半导体器件的隔离的形成方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111863705A

( 30 ) 三维固态电容器的制造方法、三维固态电容器及电子设备, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110164851B

( 31 ) 一种半导体清洗设备及半导体清洗设备的紧急排水方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111799196A

( 32 ) 一种刻蚀方法及系统, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111710603A

( 33 ) 一种环栅半导体器件及制作方法、电子设备, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111710718A

( 34 ) 一种鳍式场效应晶体管及其制作方法、电子设备, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111710713A

( 35 ) 一种半导体器件及其制作方法、电子设备, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111710717A

( 36 ) 一种鳍状半导体器件及其制作方法、电子设备, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111710716A

( 37 ) 一种用于转移晶圆的机器臂, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111660309A

( 38 ) 厚度测量装置、系统及测量方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111649680A

( 39 ) 一种半导体机械卡盘的清洗干燥装置和方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111644414A

( 40 ) DRAM器件及其制造方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111653567A

( 41 ) 氧化钇薄膜的形成方法及系统, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111653477A

( 42 ) 射频电源的谐波监控系统以及监控方法、半导体设备系统, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111600307A

( 43 ) 半导体加工设备、沉积钝化层方法及PRAM制作方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111584411A

( 44 ) 一种反应腔室及半导体加工设备, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111584405A

( 45 ) 水平纳米通道阵列、微纳流控芯片及其制作方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111569963A

( 46 ) 反应腔室泄漏监测方法以及装置、半导体设备系统, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111579172A

( 47 ) 一种半导体工艺设备、隔离阀及控制方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111577913A

( 48 ) 一种隔离阀及半导体制造装置, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111577915A

( 49 ) 刻蚀沟槽的方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111584358A

( 50 ) 热电堆及其制作方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111540824A

( 51 ) 一种半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111463280A

( 52 ) 半导体器件及其制作方法、集成电路及电子设备, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111446297A

( 53 ) 一种热电堆及其制备方法、探测器, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111207828A

( 54 ) 半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111180520A

( 55 ) 一种半导体器件及其制备方法、集成电路及电子设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111180519A

( 56 ) 一种鳍状结构、半导体器件及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111146089A

( 57 ) 一种微纳通孔的制备方法及具有微纳通孔的结构, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111115561A

( 58 ) 一种STT-MRAM存储器单元及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111081867A

( 59 ) 一种钽掩模的制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111009462A

( 60 ) 一种半导体器件纳米线及其制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN110896027A

( 61 ) 一种高光谱图像传感器单片集成方法、传感器及成像设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110867461A

( 62 ) 纳米线结构的制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN107342312B

( 63 ) 一种金属纳米线或片的制作方法及纳米线或片, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110620033A

( 64 ) 一种高光谱图像传感器的单片集成方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110190078A

( 65 ) 纳米线、纳米线围栅器件以及纳米孔筛的制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110164762A

( 66 ) RRAM存储单元的制备方法及RRAM存储单元, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110165051A

( 67 ) 一种红外吸收薄膜结构及制作方法及其电子设备, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110137275A

( 68 ) 一种各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110137073A

( 69 ) 一种微电极及其形成方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110104609A

( 70 ) 半导体器件和制作方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110061060A

( 71 ) 选择性刻蚀方法及纳米针尖结构的制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110002393A

( 72 ) 一种神经电极结构及其制造方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN105963857B

( 73 ) 冷源结构MOS晶体管及其制作方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109920842A

( 74 ) 一种纳米线围栅器件及其制造方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109904234A

( 75 ) 纳米线器件的制作方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109830525A

( 76 ) MOS器件的制作方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109712892A

( 77 ) 环栅纳米线晶体管及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109599335A

( 78 ) 钒的氧化物各向异性刻蚀的方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN107154331B

( 79 ) MRAM及其制造方法及包括MRAM的电子设备, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109461756A

( 80 ) 一种ITO薄膜的图案化方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108520856A

( 81 ) 一种自对准接触孔刻蚀工艺方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN104465493B

( 82 ) 一种纳米线沟道制作方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108807149A

( 83 ) 半导体器件与其制作方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108807278A

( 84 ) 一种纳米线的制作方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108807170A

( 85 ) 环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108565218A

( 86 ) 环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108231584A

( 87 ) 一种刻蚀方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN105609415B

( 88 ) 一种硅深孔刻蚀方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN105584986B

( 89 ) 一种MEMS横向刻蚀工艺的监测方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105347296A

( 90 ) 一种平坦化的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105719964A

出版信息

   
发表论文
(1) Growth of high-quality epitaxy of GaAs on Si with engineered Ge buffer using MOCVD, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 第 9 作者
(2) Quantum Dot With a Diamond-Shaped Channel MOSFET on a Bulk Si Substrate, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 6 作者
(3) Fabrication and selective wet etching of Si0.2Ge0.8/Ge multilayer for Si0.2Ge0.8 channel gate-all-around MOSFETs, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 7 作者
(4) Optimization of Structure and Electrical Characteristics for Four-Layer Vertically-Stacked Horizontal Gate-All-Around Si Nanosheets Devices, NANOMATERIALS, 2021, 第 5 作者
(5) High Performance p-i-n Photodetectors on Ge-on-Insulator Platform, NANOMATERIALS, 2021, 第 8 作者
(6) The Effect of Doping on the Digital Etching of Silicon-Selective Silicon-Germanium Using Nitric Acids, NANOMATERIALS, 2021, 第 14 作者
(7) Optimization of zero-level interlayer dielectric materials for gate-all-around silicon nanowire channel fabrication in a replacement metal gate process, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 4 作者
(8) Influence of Applied Stress on the Ferroelectricity of Thin Zr-Doped HfO2 Films, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 第 7 作者
(9) Investigation of ferroelectric field-effect transistors using a replacement metal gate process, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 4 作者
(10) Cryogenic Transport Characteristics of P-Type Gate-All-Around Silicon Nanowire MOSFETs, NANOMATERIALS, 2021, 第 8 作者
(11) Study of selective isotropic etching Si1-xGex in process of nanowire transistors, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 1 作者
(12) Strained Si0.2Ge0.8/Ge multilayer Stacks Epitaxially Grown on a Low-/High-Temperature Ge Buffer Layer and Selective Wet-Etching of Germanium, NANOMATERIALS, 2020, 第 6 作者
(13) Selective Digital Etching of Silicon-Germanium Using Nitric and Hydrofluoric Acids, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 6 作者
(14) Fabrication of Low Cost and Low Temperature Poly-Silicon Nanowire Sensor Arrays for Monolithic Three-Dimensional Integrated Circuits Applications, NANOMATERIALS, 2020, 第 6 作者
(15) Investigation on the formation technique of SiGe Fin for the high mobility channel FinFET device, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 8 作者
(16) Study of Isotropic and Si-Selective Quasi Atomic Layer Etching of Si1-xGex, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 9 作者
(17) Experimental study of the ultrathin oxides on SiGe alloy formed by low-temperature ozone oxidation, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2020, 第 9 作者
(18) Study of Silicon Nitride Inner Spacer Formation in Process of Gate-all-around Nano-Transistors, NANOMATERIALS, 2020, 通讯作者
(19) Fabrication technique of the Si0.5Ge0.5 Fin for the high mobility channel FinFET device, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 5 作者
(20) A Novel Dry Selective Isotropic Atomic Layer Etching of SiGe for Manufacturing Vertical Nanowire Array with Diameter Less than 20 nm, MATERIALS, 2020, 通讯作者
(21) State of the Art and Future Perspectives in Advanced CMOS Technology, NANOMATERIALS, 2020, 第 10 作者
(22) High crystal quality strained Si0.5Ge0.5 layer with a thickness of up to 50 nm grown on the three-layer SiGe strain relaxed buffer, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 第 6 作者
(23) FinFET With Improved Subthreshold Swing and Drain Current Using 3-nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 第 5 作者
(24) Miniaturization of CMOS, MICROMACHINES, 2019, 第 9 作者
(25) Technical Support Services at the Institute of Physics, SCIENCE, 2018, 通讯作者
(26) 面向5 nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究, Release of Stacked Nanowires for 5 nm CMOS Node: An Experimental Study, 真空科学与技术学报, 2018, 第 6 作者
(27) Influence of the hard masks profiles on formation of nanometer Si scalloped fins arrays, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2018, 第 5 作者
(28) The Challenges of Advanced CMOS Process from 2D to 3D, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2017, 第 5 作者
(29) A Novel Nanofabrication Technique of Silicon-Based Nanostructures, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2016, 第 4 作者
(30) 单型掺杂柱电极的3D硅像素探测器的器件与制造工艺研究, 半导体光电, 2015, 第 4 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 环栅(GAA)纳米片器件干法释放功能开发, 负责人, 中国科学院计划, 2022-01--2023-12
( 2 ) 中国科学院支撑人才(工程类), 负责人, 中国科学院计划, 2022-01--2025-12