基本信息
郝宁  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: haoning@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路三号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
高可靠大规模集成技术
高可靠电源管理技术

教育背景

2013-09--2019-06   中国科学院大学   工程博士

工作经历

   
工作简历
2013-09~2019-06,中国科学院大学, 工程博士
2008-07~2020-07,中国科学院微电子研究所, 任职

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种具有快速瞬态响应和低负载调整率的线性稳压器, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN114200993B

( 2 ) 一种欠压保护装置, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115411697A

( 3 ) 一种低压差线性稳压器, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115268554A

( 4 ) 一种过温保护电路、控制方法、元器件及设备, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115189332A

( 5 ) 一种栅压自举开关, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN115149934A

( 6 ) 一种基准电流产生电路及模拟集成电路系统, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114690841A

( 7 ) 一种具有快速瞬态响应和低负载调整率的线性稳压器, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114200993A

( 8 ) 一种低侧功率开关集成模组和驱动芯片, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113054975A

( 9 ) 一种过流保护装置, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112398080A

( 10 ) 一种闪存单元器件及闪存, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107170744A

( 11 ) 一种可校准电阻器件及集成电路, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN106024800A

( 12 ) 闪存单元及闪存装置, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104409460A

出版信息

   
发表论文
(1) 体Si和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应, Temperature effect on electromagnetic sensitivity of SRAM chips in bulk Si and SOI technologies, 电波科学学报, 2021, 第 5 作者
(2) 传导电磁干扰对绝缘衬底上硅工艺器件的影响研究, Study on the Influence of Conducted Electromagnetic Interference on Devices of Silicon on Insulated Process, 固体电子学研究与进展, 2020, 第 6 作者
(3) SOI工艺抗辐照SRAM型FPGA设计与实现, A Radiation Hardened SRAM-based FPGA Implemented in SOI Process, 宇航学报, 2018, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 高温集成电路与元器件, 参与, 国家任务, 2024-04--2030-12
( 2 ) 极端环境关键核心芯片及X射线辐照模拟测试技术研究, 参与, 研究所自主部署, 2023-11--2025-10
( 3 ) 核工业用高温抗辐照电源转换器关键技术及应用研究, 负责人, 其他, 2023-01--2025-12
( 4 ) 八通道开关阵列-MC33298DW, 负责人, 国家任务, 2020-01--2024-12
( 5 ) 高可靠CAN总线控制器, 负责人, 研究所自主部署, 2018-06--2021-12