基本信息
冯燕  女  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: fengyan@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
集成电路设计与验证;
集成电路硬件安全

教育背景

2014-09--2019-07   中国科学院大学   获工程博士学位
2003-09--2006-07   兰州大学物理科学与技术学院   获工学硕士学位
1999-09--2003-07   兰州大学物理科学与技术学院   获理学学士学位

工作经历

   
工作简历
2017-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 任高级工程师
2014-09~2019-07,中国科学院大学, 获工程博士学位
2008-07~2017-04,中国科学院微电子研究所, 任助理研究员
2006-07~2008-07,芯晟(北京)科技有限公司, 任验证/DFT工程师
2003-09~2006-07,兰州大学物理科学与技术学院, 获工学硕士学位
1999-09~2003-07,兰州大学物理科学与技术学院, 获理学学士学位

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 中国标准创新贡献奖, 三等奖, 国家级, 2018
专利成果
( 1 ) 测试图形翻译方法及芯核测试壳装置, 2020, 第 1 作者, 专利号: ZL 201610652013.6

( 2 ) 一种基于测试壳的IP核测试方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: ZL 201610289946.3

( 3 ) 测试壳设计方法及装置, 2020, 第 1 作者, 专利号: ZL 201610289656.9

( 4 ) 液滴的传输方法及装置、液滴运输路径的清洗方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 201910974486.1

( 5 ) 一种扫描测试执行方法、装置及系统, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910222950.0

( 6 ) 内建自测试方法、装置及片上系统, 2019, 第 1 作者, 专利号: ZL 201510062392.9

( 7 ) 一种脉冲展宽电路及脉冲展宽方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: ZL 201610957975.2

( 8 ) 片上系统中ADC内建自测试电路及测试方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: ZL 201610065972.8

( 9 ) 一种嵌入式芯核测试壳装置及其设计方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: ZL 201510729220.2

( 10 ) 基于存储器的片内△∑模拟激励生成方法中比特流的选择方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: ZL 201410799882.2

出版信息

   
发表论文
(1) 一种基于40nm CMOS工艺的电流舵DAC IP核设计, 微电子学与计算机, 2017, 第 3 作者
(2) 基于IEEE802.3标准的MAC在不同视角的事务级建模研究, 微电子学与计算机, 2017, 第 3 作者
(3) 基于IEEE1500标准的IP核测试壳的设计与验证, 微电子学与计算机, 2016, 第 1 作者
(4) 军用IP核标准体系关键共性技术分析, 电子技术应用, 2016, 第 3 作者
(5) 基于sigma-delta调制技术的片内正弦激励生成方法, 微电子学与计算机, 2015, 第 3 作者
(6) 基于混合原型平台的UART IP核设计与验证, 电子技术应用, 2015, 第 3 作者
(7) 用于SoC集成的IP核质量评测方法研究, 微电子学, 2014, 第 3 作者
发表著作
( 1 ) 军用集成电路IP核通用要求, 总装备部军标出版发行部, 2012-11, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 物理侧信道攻击与防御技术, 负责人, 国家任务, 2020-10--2023-12