基本信息
薛忠营  男  硕导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: simsnow@mail.sim.ac.cn
通信地址: 长宁路865号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
SOI材料及器件
300mm单晶硅生长与缺陷表征

教育背景

2008-04--2011-06   中科院上海微系统与信息技术研究所   博士研究生
1999-09--2002-06   山东大学   硕士研究生
1995-09--1999-06   山东大学   本科

工作经历

   
工作简历
2022-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
2014-01~2021-12,中科院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2011-07~2013-12,中科院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员
2008-04~2011-06,中科院上海微系统与信息技术研究所, 博士研究生
2002-07~2008-03,积成电子股份有限公司, 工程师
1999-09~2002-06,山东大学, 硕士研究生
1995-09~1999-06,山东大学, 本科

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种用于单晶生产炉的热屏结构及单晶生产炉, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111763985B

( 2 ) 一种用于单晶生产炉的热屏装置、控制方法及单晶生产炉, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111926380B

( 3 ) 一种用于单晶硅生长炉的复合隔热结构及单晶硅生长炉, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN111893561B

( 4 ) 一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片及单晶硅生长炉, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN111893558B

( 5 ) 多晶硅薄膜衬底的制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113161229A

( 6 ) 晶体缺陷的监控方法及晶棒生长方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113138195A

( 7 ) 硅片导电类型的判定方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113109625A

( 8 ) 一种表征硅晶体中缺陷的方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113109363A

( 9 ) 一种介电材料的制备方法及半导体结构, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113078044A

( 10 ) 一种顶栅结构的制备方法及半导体结构, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113078053A

( 11 ) 一种电极层的制备方法及半导体结构, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113078054A

( 12 ) TMDs二维材料薄膜、器件及制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113072099A

( 13 ) 一种石墨烯纳米带器件阵列及其制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN111129113B

( 14 ) 一种绝缘体上硅结构及其方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112582332A

( 15 ) 一种光电探测器的制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112331744A

( 16 ) 一种热屏障装置及熔炼炉, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111926379A

( 17 ) 一种用于隔绝热量的热屏障装置及熔炼炉, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111893557A

( 18 ) 一种用于单晶硅生长炉的热屏及单晶硅生长炉, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111876822A

( 19 ) 一种二维材料层制备后转移方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111763923A

( 20 ) 在绝缘衬底上直接制备石墨烯量子点阵列的方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN109055895B

( 21 ) 基于硅-石墨烯的光电探测器的制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN108933183B

( 22 ) 一种CMOS器件及其制作方法, 2020, 专利号: CN107464783B

( 23 ) 一种二维材料层及制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110117780A

( 24 ) 具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110065271A

( 25 ) 具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110065939A

( 26 ) 二维材料生长的定位观测方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109883950A

( 27 ) 石墨烯纳米带的转移方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109850877A

( 28 ) 晶圆级石墨烯薄膜的转移方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109824032A

( 29 ) 低势垒高度肖特基二极管及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109509705A

( 30 ) 具有石墨烯的器件及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109473507A

( 31 ) 高敏感度中红外光电探测器及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109473506A

( 32 ) 三维硅纳米线阵列场效应晶体管、生物传感器及制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109427908A

( 33 ) 高密度锗纳米线的制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109280903A

( 34 ) 一种转移石墨烯的方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108793146A

( 35 ) 一种晶体管结构及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108649029A

( 36 ) 一种绝缘体上石墨烯的制备方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN107887319A

( 37 ) 场效应晶体管结构及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107871780A

( 38 ) 一种转移石墨烯的方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN105088179B

( 39 ) 一种在绝缘衬底上直接制备层数可控石墨烯的方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106927459A

( 40 ) 一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106904600A

( 41 ) 一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106904599A

( 42 ) 一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106276873A

( 43 ) 一种对医用钛材料表面进行改性的方法, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN105983132A

( 44 ) 一种应变量子点的制备方法及应变量子点, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105977145A

( 45 ) 一种去除石墨烯上光刻胶的方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105895522A

( 46 ) 掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN105655242A

( 47 ) 吸附剥离制备绝缘体上材料的方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105428300A

( 48 ) 利用低温剥离技术制备绝缘体上材料的方法, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN105428302A

( 49 ) 利用微波退火技术低温制备GOI的方法, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN105428301A

( 50 ) 纳米线与石墨烯的复合材料及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN105174268A

( 51 ) 一种绝缘体上石墨烯的制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN105129785A

( 52 ) 一种绝缘体上材料的制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN105140171A

( 53 ) 一种制备无褶皱的石墨烯的方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN105110324A

( 54 ) 一种褶皱状石墨烯的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN105060286A

( 55 ) 一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104752308A

( 56 ) 剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104752309A

( 57 ) 一种利用离子注入技术制备绝缘体上半导体材料的方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104517883A

( 58 ) 一种低剂量注入制备绝缘体上半导体材料的方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104425341A

( 59 ) 一种厚度可控的绝缘体上半导体材料的制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104425342A

( 60 ) 一种多沟道全包围栅极的半导体器件结构的制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN104157579A

( 61 ) 具有特定形状且排列整齐的石墨烯单晶畴的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN104152991A

( 62 ) 一种超薄绝缘体上材料的制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103972148A

( 63 ) 基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103943547A

( 64 ) GOI结构的制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103646909A

( 65 ) 一种SGOI结构的制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103646910A

( 66 ) 利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103633010A

( 67 ) 利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103632930A

( 68 ) 一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103474386A

( 69 ) 具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103219275A

( 70 ) 基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103219274A

( 71 ) 一种嵌入超晶格制备应变Si的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103165408A

( 72 ) 一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103165420A

( 73 ) 一种嵌入超晶格层组制备应变Si的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103165409A

( 74 ) 一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103065932A

( 75 ) 一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103065933A

( 76 ) 一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103065931A

( 77 ) 微结构保角性转移方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103021818A

( 78 ) 一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103014847A

( 79 ) 混合共平面衬底结构及其制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103021815A

( 80 ) 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103021927A

( 81 ) 一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103021848A

( 82 ) 硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102842495A

( 83 ) 硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102842496A

( 84 ) 一种基于键合工艺的高K介质埋层的SOI材料制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102820251A

( 85 ) 一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102820252A

( 86 ) 一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102820253A

( 87 ) 一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102820209A

( 88 ) 一种降低Si表面粗糙度的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102751184A

( 89 ) 一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102737963A

( 90 ) 一种GOI晶片结构的制备方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102738060A

( 91 ) 一种绝缘体上半导体及其制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102683178A

( 92 ) 一种晶向旋转键合晶片的制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102651306A

( 93 ) 锗悬浮膜式二维光子晶体微腔及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102590936A

( 94 ) 锗悬臂梁式二维光子晶体微腔及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102590935A

( 95 ) 一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102468123A

( 96 ) 一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102468124A

( 97 ) 锗衬底的生长方法以及锗衬底, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102383192A

( 98 ) 锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102386068A

( 99 ) 一种薄GOI晶片及其制备方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102290369A

( 100 ) 用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102104048A

( 101 ) 一种混晶材料的制备方法及用该材料制备的半导体器件, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102064097A

( 102 ) 利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101958271A

( 103 ) 一种制备悬空应变材料的方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101958238A

( 104 ) 一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101958270A

( 105 ) 一种绝缘体上应变硅制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101916741A

( 106 ) 一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101866875A

( 107 ) 一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101866874A

( 108 ) 一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101740463A

( 109 ) 混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101719498A

( 110 ) 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101719499A

( 111 ) 混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101719501A

( 112 ) 混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101719500A

( 113 ) 一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上锗材料的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101710576A

( 114 ) 混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101710584A

( 115 ) 混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101710585A

出版信息

   
发表论文
(1) Centimeter-Scale Ge-Assisted Grown Graphene Directly on SiO2/Si for NO2 Gas Sensors, IEEE SENSORS JOURNAL, 2021, 通讯作者
(2) Investigation on surface smoothing of silicon-on-insulator with gas phase hydrogen chloride etching, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 5 作者
(3) Characterization of grown-in defects in Si wafers by gas decoration, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 5 作者
(4) Reaction of titanium-modulated nickel with germanium-tin under microwave and rapid thermal annealing, ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 第 4 作者
(5) Enhanced Peltier Effect in Wrinkled Graphene Constriction by Nano-Bubble Engineering, SMALL, 2020, 第 5 作者
(6) Direct Growth of Unidirectional Graphene Nanoribbons on Vicinal Ge(001), PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2020, 通讯作者
(7) Interface Engineering-Assisted 3D-Graphene/Germanium Heterojunction for High-Performance Photodetect, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2020, 第 1 作者
(8) Fabrication of silicon-on-insulator with high uniform top Si for silicon photonics applications, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2020, 第 4 作者
(9) Formation of uniform and homogeneous ternary NiSi2-xAlx on Si(001) by an Al interlayer mediation, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2020, 第 6 作者
(10) Ferroelectric Enhanced Performance of a GeSn/Ge Dual-Nanowire Photodetector, NANO LETTERS, 2020, 第 6 作者
(11) Graphene Quantum Dot-Decorated Vertically Oriented Graphene/Germanium Heterojunctions for Near-Infrared Photodetectors, ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2020, 第 2 作者
(12) 采用低剂量H~+注入技术制备绝缘体上锗材料, Preparation of GOI by Low Dose H~+ Implantation Technology, 半导体技术, 2020, 第 2 作者
(13) High-Performance Broadband Tungsten Disulfifide Photodetector Decorated with Indium Arsenide Nanoislands, Phys. Status Solidi A, 2020, 通讯作者
(14) Perfect near-infrared absorption of graphene with hybrid dielectric nanostructures, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 6 作者
(15) Wafer-scale fabrication of single-crystal graphene on Ge(1 1 0) substrate by optimized CH4/H2 ratio, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 第 6 作者
(16) Ge field-effect transistor with asymmetric metal source/drain fabricated on Ge-on-Insulator: Schottky tunneling source mode operation and conventional mode operation, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 5 作者
(17) Fermi level depinning in Ti/n-type Ge Schottky junction by the insertion of fluorinated graphene, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 通讯作者
(18) Biaxially strained germanium micro-dot array by hydrogen ion implantation, SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, 2019, 通讯作者
(19) Corrigendum to "Probing built-in stress effect on the defect density of stretched monolayer graphene membranes" Carbon 152 (2019) 233–240, Carbon, 2019, 第 2 作者
(20) Probing built-in stress effect on the defect density of stretched monolayer graphene membranes, CARBON, 2019, 第 2 作者
(21) Improvement of Nickel-Stanogermanide Contact Properties by Platinum Interlayer, Improvement of Nickel-Stanogermanide Contact Properties by Platinum Interlayer, 中国物理快报:英文版, 2018, 第 6 作者
(22) Double quantum criticality in superconducting tin arrays-graphene hybrid. Nature Communications, Nature Communications, 2018, 第 1 作者
(23) Enhanced cracking in Si/B-doped Si0.70Ge0.30/Si heterostructures via hydrogen trapping effect, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2018, 第 2 作者
(24) Fabrication of radiation hardened SOI with embedded Si nanocrystal by ion-cut technique, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2017, 第 5 作者
(25) Germanium-Assisted Direct Growth of Graphene on Arbitrary Dielectric Substrates for Heating Devices, SMALL, 2017, 第 2 作者
(26) Investigation of coulomb scattering on ssi/si0.5ge0.5/ssoi quantum-well p-mosfets, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 6 作者
(27) Ion-sensitive field-effect transistor with ssi/si0.5ge0.5/ssoi quantum-well for high voltage sensitivity, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 第 6 作者
(28) Influence of hydrogen fluence on surface blistering of H and He co-implanted Ge, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, 2016, 第 2 作者
(29) 700℃退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理, Mechanism of NiSi_(0.7)Ge_(0.3) epitaxial growth by Al interlayer mediation at 700 ℃, 物理学报, 2016, 第 6 作者
(30) The reduction of critical H implantation dose for ion cut by incorporating B-doped SiGe/Si superlattice into Si substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 通讯作者
(31) High quality extremely thin SOI fabricated by facilitated ion-cut with H-trapping effect, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 第 2 作者
(32) Catalyst-free approach for growth of graphene sheets on high-density silica nanowires by cvd, MATERIALS LETTERS, 2016, 通讯作者
(33) Uniaxial and tensile strained germanium nanomembranes in rolled-up geometry by polarized Raman scattering spectroscopy, AIP ADVANCES, 2015, 第 3 作者
(34) Deterministic Assembly of Flexible Si/Ge Nanoribbons via Edge-Cutting Transfer and Printing for van der Waals Heterojunctions, SMALL, 2015, 第 3 作者
(35) 高锡含量锗锡合金和镍反应的形貌研究, Morphology research of high Sn concentration GeSn alloy reacted with Nickel, 功能材料与器件学报, 2015, 第 6 作者
(36) Manipulation of strain state in silicon nanoribbons by top-down approach, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 3 作者
(37) Ge-on-insulator wafer with ultralow defect density fabricated by direct condensation of SiGe-on-insulator structure, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 
(38) Strain analysis of free-standing strained silicon-on-insulator nanomembrane, CHINESE PHYSICS B, 2015, 第 3 作者
(39) Ultrasmooth epitaxial Ge grown on (001) Si utilizing a thin B-doped SiGe buffer layer, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2014, 第 3 作者
(40) Equivalent Trap Energy Level Extraction for SiGe Using Gate-Induced-Drain-Leakage Current Analysis, Equivalent Trap Energy Level Extraction for SiGe Using Gate-Induced-Drain-Leakage Current Analysis, 中国物理快报:英文版, 2014, 第 4 作者
(41) Ultrathin low temperature Si0.75Ge0.25/Si buffer layer for the growth of high quality Ge epilayer on Si (100) by RPCVD, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 第 3 作者
(42) 热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散, Ge Inter-diffusion in Si/SiGe/Si Hetero-structure during Thermal Processing, 功能材料与器件学报, 2014, 第 5 作者
(43) 离子注入剥离法制备绝缘体上应变硅及其表征, Fabrication of Strained Silicon on the Insulator by the Ion Implantation Cut Process and Its Characterization, 半导体技术, 2014, 第 3 作者
(44) Mobility Enhancement and Gate-Induced-Drain-Leakage Analysis of Strained-SiGe Channel p-MOSFETs with Higher-k LaLuO_3 Gate Dielectric, Chinese Physics Letters, 2014, 第 4 作者
(45) C~+离子注入SiGe衬底提高NiSiGe表面和界面特性研究, Improved NiSiGe Surface and Interface Morphologies on C Pre - implanted SiGe, 功能材料与器件学报, 2013, 第 3 作者
(46) 选择性腐蚀Si_(1-x)Ge_x与Si制备绝缘体上超薄应变硅, Fabrication of Ultra-Thin Strained Silicon on the Insulator by Selective Etching of Si_(1-x)Ge_x and Si, 半导体技术, 2013, 第 2 作者
(47) SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究, Research on the Loading Effects and Performance of SiGe Film Growth by RPCVD, 材料导报, 2012, 第 3 作者
(48) Fabrication of Direct Silicon Bonded Hybrid Orientation Substrate by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer and Oxide Dissolution Annealing, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2011, 第 2 作者
(49) Epitaxial growth of fully relaxed Si 0.75Ge 0.25 on SOI substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 第 1 作者
(50) Etch characteristics of Si1-xGex films in HNO3:H2O:HF, SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2011, 第 1 作者
(51) 体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料, Growth of ultrathin Si1-xGex Films on Si Substrate for Fabricating SGOI, 功能材料与器件学报, 2011, 第 1 作者
(52) 体硅及绝缘体上应变硅、应变锗硅制备技术研究, 2011, 第 1 作者
(53) 两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究, 科学通报, 2010, 第 2 作者
(54) 图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究, Fabrication of GaN on patterned silicon-on-insulator by epitaxial lateral overgrowth, 功能材料, 2010, 第 5 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 原子级平滑表面剥离技术、机理研究及GOI材料制备, 负责人, 国家任务, 2018-01--2021-12
( 2 ) 层转移超薄SOI材料技术开发, 参与, 国家任务, 2016-01--2018-12
( 3 ) 绝缘体上单晶石墨烯晶圆(sGrOI)制造表征及应用研究, 参与, 地方任务, 2016-01--2018-12
( 4 ) 825, 参与, 中国科学院计划, 2021-01--2023-12