基本信息
孙兵  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: sunbing@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
射频微波器件与电路集成技术

教育背景

2005-09--2010-07   北京大学   硕博连读,博士
2001-09--2005-07   南京大学   本科,学士

工作经历

   
工作简历
2014-12~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2010-07~2014-11,中国科学院微电子研究所, 助理研究员

专利与奖励

   
专利成果
[1] 翟明龙, 常虎东, 孙兵, 刘洪刚. 一种电加热4D打印合件及打印方法. CN: CN112477140A, 2021-03-12.

[2] 孙兵, 王增权, 张真, 刘洪刚, 常虎东, 翟明龙. 用于构建CNTFET小信号模型的电路结构及参数提取方法. CN: CN112434482A, 2021-03-02.

[3] 常虎东, 翟明龙, 孙兵, 刘洪刚. 一种可变形天线及其制备方法. CN: CN112290198A, 2021-01-29.

[4] 孙兵, 刘建华, 刘洪刚, 常虎东, 翟明龙. 一种超导纳米线结构及其制备方法. CN: CN112117375A, 2020-12-22.

[5] 刘洪刚, 黄凯亮, 赵妙, 翟明龙, 孙兵. 具有铁电介质的二维材料双栅存算一体器件及制备方法. CN: CN112038406A, 2020-12-04.

[6] 常虎东, 孙兵, 杨枫, 丁武昌, 刘洪刚, 金智. 一种异构集成射频放大器结构. CN: CN110620556A, 2019-12-27.

[7] 常虎东, 孙兵, 杨枫, 丁武昌, 金智, 刘洪刚. 一种异构集成HEMT器件结构. CN: CN110600443A, 2019-12-20.

[8] 常虎东, 孙兵, 刘洪刚, 金智, 刘新宇. 一种GaAs衬底上的外延转移方法及制得的半导体器件. CN: CN110600417A, 2019-12-20.

[9] 常虎东, 孙兵, 苏永波, 丁芃, 刘洪刚, 金智, 刘新宇. 一种衬底上的InP外延转移方法及制得的半导体器件. CN: CN110600385A, 2019-12-20.

[10] 常虎东, 孙兵, 杨枫, 丁武昌, 刘洪刚, 金智. 硅基异构集成材料及其制备方法、半导体器件. CN: CN110600362A, 2019-12-20.

[11] 常虎东, 孙兵, 翟明龙, 苏永波, 丁芃, 刘洪刚, 金智, 刘新宇. 晶圆异构对准方法及装置. CN: CN110600414A, 2019-12-20.

[12] 常虎东, 孙兵, 苏永波, 丁芃, 刘洪刚, 金智, 刘新宇. 一种硅衬底上外延GaAs的方法及制得的半导体器件. CN: CN110534409A, 2019-12-03.

[13] 常虎东, 孙兵, 刘洪刚, 金智. 化合物半导体与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的异构集成方法及异构集成器件. CN: CN110534473A, 2019-12-03.

[14] 常虎东, 孙兵, 苏永波, 刘洪刚. 硅基半导体与化合物半导体异构集成方法及异构集成器件. CN: CN110534417A, 2019-12-03.

[15] 常虎东, 孙兵, 翟明龙, 苏永波, 丁芃, 刘洪刚, 金智, 刘新宇. 一种硅衬底上外延InP半导体的方法及制得的半导体器件. CN: CN110517948A, 2019-11-29.

[16] Wang, Shengkai, Liu, Honggang, Sun, Bing, Chang, Hudong. DUAL-GATE PMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH InGaAs CHANNEL. CN: US20190229182(A1), 2019-07-25.

[17] 孙兵, 刘洪刚, 赵威, 王盛凯, 常虎东. 一种氧化物介质的原子层沉积方法. CN: CN106756878B, 2019-04-02.

[18] 常虎东, 刘洪刚, 夏庆贞, 孙兵, 王盛凯. 硅基InGaAs沟道双栅CMOS器件. CN: CN106601740B, 2019-03-15.

[19] 赵妙, 刘洪刚, 张国斌, 吴宗刚, 孙兵, 常虎东. 石墨烯降低GaN基HEMT热阻的散热结构及制备方法. CN: CN109192710A, 2019-01-11.

[20] 赵妙, 刘洪刚, 张国斌, 吴宗刚, 常虎东, 孙兵. 石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构及方法. CN: CN108682663A, 2018-10-19.

[21] 赵妙, 刘洪刚, 张国斌, 吴宗刚, 孙兵, 黄凯亮. 具有石墨烯散热层的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法. CN: CN108389903A, 2018-08-10.

[22] 孙兵, 刘洪刚, 王盛凯, 常虎东, 苏玉玉. 一种氧化物介质的原子层沉积方法. CN: CN106756878A, 2017-05-31.

[23] 王盛凯, 黄凯亮, 刘洪刚, 孙兵. 一种控制砷化镓纳米微结构尺寸的方法. CN: CN106783578A, 2017-05-31.

[24] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 李跃, 常虎东, 王博. InP基MOSHEMT结构及其制备方法. CN: CN106711211A, 2017-05-24.

[25] 王盛凯, 徐杨, 刘洪刚, 孙兵. 一种硅基双栅器件的键合方法. CN: CN106711054A, 2017-05-24.

[26] 王盛凯, 李跃, 刘洪刚, 马磊, 孙兵, 常虎东, 王博. 一种环栅场效应晶体管及其制备方法. CN: CN106711194A, 2017-05-24.

[27] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵. 一种砷化镓表面形貌控制方法. CN: CN106653886A, 2017-05-10.

[28] 苏玉玉, 孙兵, 刘洪刚, 王盛凯. 一种砷化镓基MOSFET栅介质的制备方法. CN: CN106531622A, 2017-03-22.

[29] 孙兵, 刘洪刚, 王盛凯, 常虎东, 苏玉玉. 一种绝缘体上半导体材料衬底结构及其制备方法. CN: CN106531683A, 2017-03-22.

[30] 刘洪刚, 徐杨, 王盛凯, 常虎东, 孙兵, 龚著靖. 一种用于双栅器件的键合方法. CN: CN106449450A, 2017-02-22.

[31] 刘洪刚, 李跃, 王盛凯, 龚著靖, 常虎东, 孙兵. 一种类Fin结构III‑V族半导体场效应晶体管及其制备方法. CN: CN106328522A, 2017-01-11.

[32] 刘洪刚, 夏庆贞, 常虎东, 孙兵, 王盛凯. 共源共栅放大电路及功率放大器. CN: CN106330109A, 2017-01-11.

[33] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东. 一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管. CN: CN106298947A, 2017-01-04.

[34] 王盛凯, 李跃, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东, 龚著靖. 一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法. CN: CN106298886A, 2017-01-04.

[35] 孙兵, 刘洪刚, 王盛凯, 常虎东, 龚著靖. 一种双栅MOSFET结构及其制备方法. CN: CN106298878A, 2017-01-04.

[36] 刘洪刚, 杨旭, 王盛凯, 龚著靖, 孙兵, 常虎东, 赵威. 一种臭氧钝化高k/Ge界面同时改善高k栅介质的方法. CN: CN106158615A, 2016-11-23.

[37] 孙兵, 刘洪刚, 王盛凯, 常虎东, 龚著靖. 一种三维集成CMOS集成单元. CN: CN106098689A, 2016-11-09.

[38] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东. 应用于III-V族衬底的复合栅介质层及其制作方法. CN: CN105097901A, 2015-11-25.

[39] 孙兵, 刘洪刚, 赵威, 王盛凯, 常虎东. 在半导体衬底表面制备锌掺杂超浅结的方法. CN: CN104733285A, 2015-06-24.

[40] Kang, Jinfeng, Gao, Bin, Chen, Yuansha, Sun, Bing, Liu, Lifeng, Liu, Xiaoyan. Resistive random access memory device, method for manufacturing the same, and method for operating the same. US: US9047937(B2), 2015-06-02.

[41] Kang Jinfeng, Gao Bin, Chen Yuansha, Sun Bing, Liu Lifeng, Liu Xiaoyan. Resistive random access memory device, method for manufacturing the same, and method for operating the same. CN: US9047937B2, 2015-06-02.

[42] 赵威, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东. 一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法. CN: CN103903964A, 2014-07-02.

[43] 王盛凯, 刘桂明, 刘洪刚, 孙兵, 赵威, 韩乐. 一种控制锗表面形貌的方法. CN: CN103840031A, 2014-06-04.

[44] 刘洪刚, 李运, 王盛凯, 张雄, 郭浩, 孙兵, 常虎东, 赵威. 一种低温晶圆键合方法. CN: CN103832970A, 2014-06-04.

[45] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 赵威. 一种硅基绝缘体上硅衬底结构及其制备方法. CN: CN103839947A, 2014-06-04.

[46] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 赵威. 一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法. CN: CN103839976A, 2014-06-04.

[47] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东, 赵威. 一种锗硅纳米线叠层结构的制作方法. CN: CN103700578A, 2014-04-02.

[48] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东, 赵威. 一种锗纳米线叠层结构的制作方法. CN: CN103700582A, 2014-04-02.

[49] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东, 赵威. 一种锗纳米线结构的制作方法. CN: CN103693615A, 2014-04-02.

[50] 刘洪刚, 龚著靖, 王盛凯, 韩乐, 杨旭, 常虎东, 孙兵, 赵威, 刘桂明. 一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法. CN: CN103700581A, 2014-04-02.

[51] 刘洪刚, 龚著靖, 王盛凯, 韩乐, 杨旭, 常虎东, 孙兵, 赵威, 刘桂明. 一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法. CN: CN103700620A, 2014-04-02.

[52] 王盛凯, 杨旭, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东, 赵威. 一种对锗片进行清洗及表面钝化的方法. CN: CN103681245A, 2014-03-26.

[53] 刘洪刚, 韩乐, 王盛凯, 孙兵, 常虎东, 赵威. 一种采用原位臭氧氧化制备氧化锗界面修复层的方法. CN: CN103681289A, 2014-03-26.

[54] 孙兵, 刘洪刚. 一种高迁移率CMOS集成单元. CN: CN102544009B, 2014-03-26.

[55] 刘洪刚, 韩乐, 王盛凯, 孙兵, 常虎东, 赵威. 在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法. CN: CN103646865A, 2014-03-19.

[56] 孙兵, 刘洪刚, 赵威, 王盛凯, 常虎东. 一种纳米线衬底结构及其制备方法. CN: CN103633123A, 2014-03-12.

[57] 孙兵, 刘洪刚, 赵威, 王盛凯, 常虎东. 一种高介电常数氧化物的制备方法. CN: CN103628037A, 2014-03-12.

[58] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 赵威. 一种锗量子点结构的制备方法. CN: CN103594331A, 2014-02-19.

[59] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 赵威, 薛百清. 一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法. CN: CN103578934A, 2014-02-12.

[60] 赵威, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东. 一种生长高介电常数电介质叠层的方法. CN: CN103311120A, 2013-09-18.

[61] Kang, Jinfeng, Gao, Bin, Chen, Yuansha, Sun, Bing, Liu, Lifeng, Liu, Xiaoyan. RESISTIVE RADOM ACCESS MEMORY DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR OPERATING THE SAME. CN: US20130128653(A1), 2013-05-23.

[62] 孙兵, 刘洪刚. 一种硅基锗纳米结构衬底及其制备方法. CN: CN102956686A, 2013-03-06.

[63] 刘洪刚, 韩乐, 薛百清, 孙兵, 王盛凯. 一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法. CN: CN102938371A, 2013-02-20.

[64] 刘洪刚, 薛百清, 常虎东, 王盛凯, 孙兵, 赵威, 郭浩, 王虹, 韩乐, 刘桂明. 一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法. CN: CN102938380A, 2013-02-20.

[65] 孙兵, 刘洪刚, 王盛凯, 赵威. 一种高迁移率CMOS集成单元. CN: CN102931193A, 2013-02-13.

[66] 孙兵, 刘洪刚, 王盛凯, 赵威. 一种锗基MOSFET栅介质的制备方法. CN: CN102931068A, 2013-02-13.

[67] 刘洪刚, 卢力, 常虎东, 孙兵. MOS-HEMT器件及其制作方法. CN: CN102916043A, 2013-02-06.

[68] 孙兵, 刘洪刚. 一种硅基张应变衬底结构及其制备方法. CN: CN102779838A, 2012-11-14.

[69] 刘洪刚, 常虎东, 卢力, 薛百清, 王虹, 孙兵. 一种高驱动电流的III-V族金属氧化物半导体器件. CN: CN102610640A, 2012-07-25.

[70] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 薛百清, 常虎东, 赵威, 卢力, 王虹. 一种控制锗纳米微结构尺寸的方法. CN: CN102569027A, 2012-07-11.

[71] 刘洪刚, 常虎东, 卢力, 王虹, 薛百清, 孙兵. 源漏自对准的MOS器件及其制作方法. CN: CN102569399A, 2012-07-11.

[72] 孙兵, 刘洪刚. 一种高迁移率衬底结构及其制备方法. CN: CN102569364A, 2012-07-11.

[73] 刘洪刚, 王虹, 卢力, 常虎东, 孙兵. 一种III-V族半导体镍金属化制造方法. CN: CN102496567A, 2012-06-13.

[74] 刘洪刚, 薛百清, 常虎东, 孙兵, 王盛凯, 卢力, 王虹. 一种制作结晶态高K栅介质材料的方法. CN: CN102437042A, 2012-05-02.

[75] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 薛百清, 常虎东, 赵威, 卢力, 王虹. 一种绝缘体上锗衬底的减薄方法. CN: CN102420167A, 2012-04-18.

[76] 康晋锋, 高滨, 陈沅沙, 孙兵, 刘力锋, 刘晓彦, 韩汝琦. 阻变随机访问存储器件及制造方法. CN: CN102280465A, 2011-12-14.

[77] 康晋锋, 高滨, 陈沅沙, 孙兵, 刘力锋, 刘晓彦, 韩汝琦. 阻变随机访问存储器件及其制造和操作方法. CN: CN102270654A, 2011-12-07.

[78] 刘洪刚, 常虎东, 孙兵, 卢力. 一种III-V族半导体MOS界面结构. CN: CN102244094A, 2011-11-16.

[79] 康晋锋, 孙兵, 高滨, 刘力锋, 刘晓彦, 王漪. 阻变存储器存储单元及其制备方法. CN: CN102117822A, 2011-07-06.

[80] 康晋锋, 高滨, 余诗孟, 刘力锋, 孙兵, 刘晓彦, 韩汝琦. 一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺. CN: CN101872837A, 2010-10-27.

出版信息

   
发表论文
[1] Li, Dongze, Xia, Qingzhen, Huang, Jiawei, Li, Jinwei, Chang, Hudong, Sun, Bing, Liu, Honggang. A 24 GHz Direct Conversion Receiver for FMCW Ranging Radar Based on Low Flicker Noise Mixer. ELECTRONICS[J]. 2021, 10(6): https://doaj.org/article/efe2f1d41adb4d978961b6ff38f31fe1.
[2] Liu, JianHua, Luo, Kun, Huang, Kailiang, Sun, Bing, Zhang, Shengli, Wu, ZhenHua. Tunable conductance and spin filtering in twisted bilayer copper phthalocyanine molecular devices. NANOSCALE ADVANCES[J]. 2021, 3(12): 3497-3501, http://dx.doi.org/10.1039/d0na01079k.
[3] Huang, Kailiang, Zhao, Miao, Sun, Bing, Liu, Xueyuan, Chang, Hudong, Zeng, Yuping, Liu, Honggang, Liu, Jianhua. Transition from Hopping to Band-like Transport in Weakly Coupled Multilayer MoS2 Field Effect Transistors. ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS[J]. 2020, 2(4): 971-979, http://dx.doi.org/10.1021/acsaelm.0c00046.
[4] Zhai, Minglong, Sun, Bing, Huang, Kailiang, Chang, Hudong, Liu, Honggang. Effect of SiO2 capping layer on the ferroelectricity of Hf0.5Zr0.5O2 films. AIP ADVANCES[J]. 2020, 10(11): https://doaj.org/article/526c1a5a81fc4980aab078718b4681c5.
[5] Huang, Kailiang, Zhai, Minglong, Liu, Xueyuan, Sun, Bing, Chang, Hudong, Liu, Jianhua, Feng, Chao, Liu, Honggang. Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Embedded Dual-Gate MoS2 Field Effect Transistors for Memory Merged Logic Applications. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS[J]. 2020, 41(10): 1600-1603, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000573814300036.
[6] 夏庆贞, 李东泽, 常虎东, 孙兵, 刘洪刚. 基于90 nm SOI CMOS工艺的24 GHz信号发生器. 湖南大学学报:自然科学版[J]. 2020, 47(6): 96-102, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7102032487.
[7] Li, Dongze, Xia, Qingzhen, Huang, Jiawei, Li, Jinwei, Chang, Hudong, Sun, Bing, Liu, Honggang. A 4-mW Temperature-Stable 28 GHz LNA with Resistive Bias Circuit for 5G Applications. ELECTRONICS[J]. 2020, 9(8): https://doaj.org/article/ed441f0fb6c3488782c137d823de68ab.
[8] Zhang, Guobin, Zhao, Miao, Yan, Chunli, Sun, Bing, Wu, Zonggang, Chang, Hudong, Jin, Zhi, Sun, Jie, Liu, Honggang. Thermal Analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Graphene. JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY[J]. 2018, 18(11): 7578-7583, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000443946600045.
[9] Liu, LiFeng, Kang, JinFeng, Tang, Hao, Xu, Nuo, Sun, Xiao, Chen, Chen, Sun, Bing, Wang, Yi, Liu, XiaoYan, Zhang, Xing, Han, RuQi. Gd Doping Improved Resistive Switching Characteristics of TiO2-Based Resistive Memory Devices (vol 47, pg 2710, 2008). JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICSnull. 2017, 56(10): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000409540800001.
[10] Sun, Bing, Chang, Hudong, Wang, Shengkai, Niu, Jiebin, Liu, Honggang. ALD Al2O3 passivation of L-g=100 nm metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs with Si-doped Schottky layers on GaAs substrates. SOLID-STATE ELECTRONICS[J]. 2017, 138: 40-44, http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2017.10.005.
[11] 常虎东, 刘桂明, 孙兵, 赵威, 王文新, 刘洪刚. A High Performance In0.7Ga0.3As MOSFET with an InP Barrier Layer for Radio-Frequency Application. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2013, 30(3): 143-145, http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/56722.
[12] Wang Sheng Kai, Xue BaiQing, Sun Bing, Liang HuiLi, Mei ZengXia, Zhao Wei, Du XiaoLong, Liu HongGang, Tang TA, Jiang YL. Comprehensive study of interface passivation in Ge-MOSFETs -Control the interfacial layer for high performance devices. 2012 IEEE 11TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT-2012)null. 2012, 634-636, http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000319824700177.
[13] Chang HuDong, Sun Bing, Lu Li, Zhao Wei, Wang ShengKai, Wang WenXin, Liu HongGang. Study on high mobility In0.6Ga0.4As channel MOSHEMT and MOSFET. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2012, 61(21): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000316732100059.
[14] Chang HuDong, Sun Bing, Lu Li, Zhao Wei, Wang ShengKai, Wang WenXin, Liu HongGang. Study on high mobility In0.6Ga0.4As channel MOSHEMT and MOSFET. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2012, 61(21): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000316732100059.
[15] Zhang, Haowei, Gao, Bin, Sun, Bing, Chen, Guopeng, Zeng, Lang, Liu, Lifeng, Liu, Xiaoyan, Lu, Jing, Han, Ruqi, Kang, Jinfeng, Yu, Bin. Ionic doping effect in ZrO2 resistive switching memory. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2010, 96(12): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000276077200071.
[16] Gao, Bin, Sun, Bing, Zhang, Haowei, Liu, Lifeng, Liu, Xiaoyan, Han, Ruqi, Kang, Jinfeng, Yu, Bin. Unified Physical Model of Bipolar Oxide-Based Resistive Switching Memory. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS[J]. 2009, 30(12): 1326-1328, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000272044500026.
[17] Sun, Xiao, Sun, Bing, Liu, Lifeng, Xu, Nuo, Liu, Xiaoyan, Han, Ruqi, Kang, Jinfeng, Xiong, Guangcheng, Ma, T P. Resistive Switching in CeOx Films for Nonvolatile Memory Application. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS[J]. 2009, 30(4): 334-336, [18] Sun, Bing, Liu, Lifeng, Xu, Nuo, Gao, Bin, Wang, Yi, Han, Dedong, Liu, Xiaoyan, Han, Ruqi, Kang, Jinfeng. The Effect of Current Compliance on the Resistive Switching Behaviors in TiN/ZrO2/Pt Memory Device. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS[J]. 2009, 48(4): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000265652700062.
[19] Liu, LiFeng, Kang, JinFeng, Xu, Nuo, Sun, Xiao, Chen, Chen, Sun, Bing, Wang, Yi, Liu, XiaoYan, Zhang, Xing, Han, RuQi. Gd doping improved resistive switching characteristics of TiO2-based resistive memory devices. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS[J]. 2008, 47(4): 2701-2703, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000255449100080.
[20] Sun Bing, Liu LiFeng, Han DeDong, Wang Yi, Liu XiaoYan, Han RuQi, Kang JinFeng. Improved resistive switching characteristics of Ag-doped ZrO2 films fabricated by sol-gel process. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2008, 25(6): 2187-2189, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000256252600072.

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 碳基/硅基CMOS 电路的混合集成, 主持, 国家级, 2016-07--2021-06
参与会议
(1)100-nm Gate-Length GaAs mHEMTsUsing Si-doped InP/InAlAs Schottky Layers and Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivation with fmax of 388.2 GHz   2016-05-09

指导学生

现指导学生

张真  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学