080903-微电子学与固体电子学

射频微波器件与电路集成技术

2005-09--2010-07   北京大学   硕博连读，博士
2001-09--2005-07   南京大学   本科，学士

   

2014-12~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2010-07~2014-11,中国科学院微电子研究所, 助理研究员

   

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[27] 王盛凯, 李跃, 刘洪刚, 马磊, 孙兵, 常虎东, 王博. 一种环栅场效应晶体管及其制备方法. CN: CN106711194A, 2017-05-24.

[28] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵. 一种砷化镓表面形貌控制方法. CN: CN106653886A, 2017-05-10.

[29] 常虎东, 刘洪刚, 夏庆贞, 孙兵, 王盛凯. 硅基InGaAs沟道双栅COMS器件. CN: CN106601740A, 2017-04-26.

[30] 苏玉玉, 孙兵, 刘洪刚, 王盛凯. 一种砷化镓基MOSFET栅介质的制备方法. CN: CN106531622A, 2017-03-22.

[31] 孙兵, 刘洪刚, 王盛凯, 常虎东, 苏玉玉. 一种绝缘体上半导体材料衬底结构及其制备方法. CN: CN106531683A, 2017-03-22.

[32] 刘洪刚, 徐杨, 王盛凯, 常虎东, 孙兵, 龚著靖. 一种用于双栅器件的键合方法. CN: CN106449450A, 2017-02-22.

[33] 刘洪刚, 李跃, 王盛凯, 龚著靖, 常虎东, 孙兵. 一种类Fin结构III‑V族半导体场效应晶体管及其制备方法. CN: CN106328522A, 2017-01-11.

[34] 刘洪刚, 夏庆贞, 常虎东, 孙兵, 王盛凯. 共源共栅放大电路及功率放大器. CN: CN106330109A, 2017-01-11.

[35] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东. 一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管. CN: CN106298947A, 2017-01-04.

[36] 王盛凯, 李跃, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东, 龚著靖. 一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法. CN: CN106298886A, 2017-01-04.

[37] 孙兵, 刘洪刚, 王盛凯, 常虎东, 龚著靖. 一种双栅MOSFET结构及其制备方法. CN: CN106298878A, 2017-01-04.

[38] 刘洪刚, 杨旭, 王盛凯, 龚著靖, 孙兵, 常虎东, 赵威. 一种臭氧钝化高k/Ge界面同时改善高k栅介质的方法. CN: CN106158615A, 2016-11-23.

[39] 孙兵, 刘洪刚, 王盛凯, 常虎东, 龚著靖. 一种三维集成CMOS集成单元. CN: CN106098689A, 2016-11-09.

[40] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东. 应用于III-V族衬底的复合栅介质层及其制作方法. CN: CN105097901A, 2015-11-25.

[41] 孙兵, 刘洪刚, 赵威, 王盛凯, 常虎东. 在半导体衬底表面制备锌掺杂超浅结的方法. CN: CN104733285A, 2015-06-24.

[42] Kang Jinfeng, Gao Bin, Chen Yuansha, Sun Bing, Liu Lifeng, Liu Xiaoyan. Resistive random access memory device, method for manufacturing the same, and method for operating the same. CN: US9047937B2, 2015-06-02.

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[44] 赵威, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东. 一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法. CN: CN103903964A, 2014-07-02.

[45] 王盛凯, 刘桂明, 刘洪刚, 孙兵, 赵威, 韩乐. 一种控制锗表面形貌的方法. CN: CN103840031A, 2014-06-04.

[46] 刘洪刚, 李运, 王盛凯, 张雄, 郭浩, 孙兵, 常虎东, 赵威. 一种低温晶圆键合方法. CN: CN103832970A, 2014-06-04.

[47] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 赵威. 一种硅基绝缘体上硅衬底结构及其制备方法. CN: CN103839947A, 2014-06-04.

[48] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 赵威. 一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法. CN: CN103839976A, 2014-06-04.

[49] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东, 赵威. 一种锗纳米线叠层结构的制作方法. CN: CN103700582A, 2014-04-02.

[50] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东, 赵威. 一种锗硅纳米线叠层结构的制作方法. CN: CN103700578A, 2014-04-02.

[51] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东, 赵威. 一种锗纳米线结构的制作方法. CN: CN103693615A, 2014-04-02.

[52] 刘洪刚, 龚著靖, 王盛凯, 韩乐, 杨旭, 常虎东, 孙兵, 赵威, 刘桂明. 一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法. CN: CN103700581A, 2014-04-02.

[53] 刘洪刚, 龚著靖, 王盛凯, 韩乐, 杨旭, 常虎东, 孙兵, 赵威, 刘桂明. 一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法. CN: CN103700620A, 2014-04-02.

[54] 孙兵, 刘洪刚. 一种高迁移率CMOS集成单元. CN: CN102544009B, 2014-03-26.

[55] 王盛凯, 杨旭, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东, 赵威. 一种对锗片进行清洗及表面钝化的方法. CN: CN103681245A, 2014-03-26.

[56] 刘洪刚, 韩乐, 王盛凯, 孙兵, 常虎东, 赵威. 一种采用原位臭氧氧化制备氧化锗界面修复层的方法. CN: CN103681289A, 2014-03-26.

[57] 刘洪刚, 韩乐, 王盛凯, 孙兵, 常虎东, 赵威. 在Ge衬底制备超薄氧化锗界面修复层的方法. CN: CN103646865A, 2014-03-19.

[58] 孙兵, 刘洪刚, 赵威, 王盛凯, 常虎东. 一种纳米线衬底结构及其制备方法. CN: CN103633123A, 2014-03-12.

[59] 孙兵, 刘洪刚, 赵威, 王盛凯, 常虎东. 一种高介电常数氧化物的制备方法. CN: CN103628037A, 2014-03-12.

[60] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 赵威. 一种锗量子点结构的制备方法. CN: CN103594331A, 2014-02-19.

[61] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 赵威, 薛百清. 一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法. CN: CN103578934A, 2014-02-12.

[62] 赵威, 刘洪刚, 孙兵, 常虎东. 一种生长高介电常数电介质叠层的方法. CN: CN103311120A, 2013-09-18.

[63] Kang, Jinfeng, Gao, Bin, Chen, Yuansha, Sun, Bing, Liu, Lifeng, Liu, Xiaoyan. RESISTIVE RADOM ACCESS MEMORY DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR OPERATING THE SAME. CN: US20130128653(A1), 2013-05-23.

[64] 孙兵, 刘洪刚. 一种硅基锗纳米结构衬底及其制备方法. CN: CN102956686A, 2013-03-06.

[65] 刘洪刚, 薛百清, 常虎东, 王盛凯, 孙兵, 赵威, 郭浩, 王虹, 韩乐, 刘桂明. 一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法. CN: CN102938380A, 2013-02-20.

[66] 刘洪刚, 韩乐, 薛百清, 孙兵, 王盛凯. 一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法. CN: CN102938371A, 2013-02-20.

[67] 孙兵, 刘洪刚, 王盛凯, 赵威. 一种高迁移率CMOS集成单元. CN: CN102931193A, 2013-02-13.

[68] 孙兵, 刘洪刚, 王盛凯, 赵威. 一种锗基MOSFET栅介质的制备方法. CN: CN102931068A, 2013-02-13.

[69] 刘洪刚, 卢力, 常虎东, 孙兵. MOS-HEMT器件及其制作方法. CN: CN102916043A, 2013-02-06.

[70] 孙兵, 刘洪刚. 一种硅基张应变衬底结构及其制备方法. CN: CN102779838A, 2012-11-14.

[71] 刘洪刚, 常虎东, 卢力, 薛百清, 王虹, 孙兵. 一种高驱动电流的III-V族金属氧化物半导体器件. CN: CN102610640A, 2012-07-25.

[72] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 薛百清, 常虎东, 赵威, 卢力, 王虹. 一种控制锗纳米微结构尺寸的方法. CN: CN102569027A, 2012-07-11.

[73] 刘洪刚, 常虎东, 卢力, 王虹, 薛百清, 孙兵. 源漏自对准的MOS器件及其制作方法. CN: CN102569399A, 2012-07-11.

[74] 孙兵, 刘洪刚. 一种高迁移率衬底结构及其制备方法. CN: CN102569364A, 2012-07-11.

[75] 刘洪刚, 王虹, 卢力, 常虎东, 孙兵. 一种III-V族半导体镍金属化制造方法. CN: CN102496567A, 2012-06-13.

[76] 刘洪刚, 薛百清, 常虎东, 孙兵, 王盛凯, 卢力, 王虹. 一种制作结晶态高K栅介质材料的方法. CN: CN102437042A, 2012-05-02.

[77] 王盛凯, 刘洪刚, 孙兵, 薛百清, 常虎东, 赵威, 卢力, 王虹. 一种绝缘体上锗衬底的减薄方法. CN: CN102420167A, 2012-04-18.

[78] 康晋锋, 高滨, 陈沅沙, 孙兵, 刘力锋, 刘晓彦, 韩汝琦. 阻变随机访问存储器件及制造方法. CN: CN102280465A, 2011-12-14.

[79] 康晋锋, 高滨, 陈沅沙, 孙兵, 刘力锋, 刘晓彦, 韩汝琦. 阻变随机访问存储器件及其制造和操作方法. CN: CN102270654A, 2011-12-07.

[80] 刘洪刚, 常虎东, 孙兵, 卢力. 一种III-V族半导体MOS界面结构. CN: CN102244094A, 2011-11-16.

[81] 康晋锋, 孙兵, 高滨, 刘力锋, 刘晓彦, 王漪. 阻变存储器存储单元及其制备方法. CN: CN102117822A, 2011-07-06.

[82] 康晋锋, 高滨, 余诗孟, 刘力锋, 孙兵, 刘晓彦, 韩汝琦. 一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺. CN: CN101872837A, 2010-10-27.

   

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[17] Sun, Xiao, Sun, Bing, Liu, Lifeng, Xu, Nuo, Liu, Xiaoyan, Han, Ruqi, Kang, Jinfeng, Xiong, Guangcheng, Ma, T P. Resistive Switching in CeOx Films for Nonvolatile Memory Application. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS[J]. 2009, 30(4): 334-336, [18] Sun, Bing, Liu, Lifeng, Xu, Nuo, Gao, Bin, Wang, Yi, Han, Dedong, Liu, Xiaoyan, Han, Ruqi, Kang, Jinfeng. The Effect of Current Compliance on the Resistive Switching Behaviors in TiN/ZrO2/Pt Memory Device. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS[J]. 2009, 48(4): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000265652700062.
[19] Liu, LiFeng, Kang, JinFeng, Xu, Nuo, Sun, Xiao, Chen, Chen, Sun, Bing, Wang, Yi, Liu, XiaoYan, Zhang, Xing, Han, RuQi. Gd doping improved resistive switching characteristics of TiO2-based resistive memory devices. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS[J]. 2008, 47(4): 2701-2703, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000255449100080.
[20] Sun Bing, Liu LiFeng, Han DeDong, Wang Yi, Liu XiaoYan, Han RuQi, Kang JinFeng. Improved resistive switching characteristics of Ag-doped ZrO2 films fabricated by sol-gel process. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2008, 25(6): 2187-2189, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000256252600072.

   

（ 1 ） 碳基/硅基CMOS 电路的混合集成, 主持, 国家级, 2016-07--2021-06

（1）100-nm Gate-Length GaAs mHEMTsUsing Si-doped InP/InAlAs Schottky Layers and Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivation with fmax of 388.2 GHz   2016-05-09

现指导学生

张真  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学