080903-微电子学与固体电子学
140100-集成电路科学与工程

高可靠集成电路
高可靠封装测试技术

2020-09--2023-06   中国科学院大学   博士
2012-12--2016-01   中国科学院大学   硕士
1999-09--2003-07   中国矿业大学（北京）   学士

   

2020-09~2023-06,中国科学院大学, 博士
2012-12~2016-01,中国科学院大学, 硕士
2010-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 任职
2003-09~2010-07,中国科学院半导体研究所, 任职
1999-09~2003-07,中国矿业大学（北京）, 学士

   

（1） 跨技术代SOI器件工艺的多物理量准确测量关键技术及芯片开发, 二等奖, 省级, 2023

（ 1 ） 功率器件的封装结构及封装方法, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN116666336A

（ 2 ） 一种功率器件的辐照测试电路及系统, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN116559551A

（ 3 ） 引线框架和半导体器件, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN217719585U

（ 4 ） 一种单片异质集成结构及制备方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114823714A

（ 5 ） 一种Si基SiC晶圆及其制备方法, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114823479A

（ 6 ） 一种半导体功率器件及其制备方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114823890A

（ 7 ） 一种处理半导体激光器的方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114724937A

（ 8 ） 一种引线框架以及半导体器件, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN216902922U

（ 9 ） 单光子源器件及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114695613A

（ 10 ） 拉应力施加装置和材料性能检测装置, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN216847233U

（ 11 ） 弯曲力施加装置和材料性能检测装置, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN216847176U

（ 12 ） 引线框架和半导体器件, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN216389351U

（ 13 ） 引线框架和半导体器件, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN216389352U

（ 14 ） 芯片封装结构和半导体器件, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN215496677U

（ 15 ） 一种MOS器件剂量率模型的建模方法和装置, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111291480A

（ 16 ） SOI器件及其制作方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109742145A

（ 17 ） SOI器件及其制作方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109742085A

（ 18 ） 一种功率VDMOS器件远程测试系统, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN208547692U

（ 19 ） 一种环形振荡器, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN206517390U

（ 20 ） 一种电子元器件测试恒温系统, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN206161182U

（ 21 ） 一种抗单粒子翻转的Latch型灵敏放大器, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103166576A

（ 22 ） 具有负载检测电路及动态零点补偿电路的线性稳压器, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103105883A

   

（1） 背栅对双SOI 4k位SRAM SEU 表征的影响, Back gate impact on SEU characterization of a Double SOI 4k-bit SRAM, Microelectronics Reliability, 2022, 第 1 作者
（2） 碳离子对SOI SRAM 单粒子效应的影响, Impacts of Carbon Ions on SEU in SOI SRAM, Microelectronics Reliability, 2021, 第 1 作者
（3） Radiation hardness and abnormal photoresponse dynamics of the CH3NH3PbI3 perovskite photodetector, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2021, 第 9 作者
（4） A transient ionizing radiation SPICE model for PDSOI MOSFET, MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 2021, 第 8 作者
（5） 集成电路的通用单粒子效应测试系统设计, Design of a general test system for integrated circuit Single Event Effect, 太赫兹科学与电子信息学报, 2021, 第 3 作者
（6） 体Si和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应, Temperature effect on electromagnetic sensitivity of SRAM chips in bulk Si and SOI technologies, 电波科学学报, 2021, 第 6 作者
（7） 瞬时剂量率效应激光模拟测试技术, Testing technology of laser simulation of transient dose rate effects, 太赫兹科学与电子信息学报, 2020, 第 6 作者
（8） Design and Characterizations of the Radiation-Hardened XCR4C ASIC for X-Ray CCDs for Space Astronomical Applications, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 第 6 作者
（9） Mechanism Analysis of Proton Irradiation-Induced Increase of 3-dB Bandwidth of GaN-Based Microlight-Emitting Diodes for Space Light Communication, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 第 16 作者
（10） 传导电磁干扰对绝缘衬底上硅工艺器件的影响研究, Study on the Influence of Conducted Electromagnetic Interference on Devices of Silicon on Insulated Process, 固体电子学研究与进展, 2020, 第 7 作者
（11） Comparison of X-Ray and Proton Irradiation Effects on the Characteristics of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Light-Emitting Diodes, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 第 13 作者
（12） Design of a High-Performance Low-Cost Radiation-Hardened Phase-Locked Loop for Space Application, IEEE TRANSACTIONS ON AEROSPACE AND ELECTRONIC SYSTEMS, 2020, 第 6 作者
（13） 双极线性稳压器中子辐射位移效应研究, Study of neutron irradiation effects on bipolar linear regulator, 核技术, 2020, 第 3 作者
（14） Single-event induced failure mode of PWM in DC/DC converter, Microelectronics Reliability, 2020, 第 1 作者
（15） SEL-Oriented Rad-Hard Strategy and Characterization of the XCR4C ASIC for X-ray CCD Applications, 2019 IEEE NUCLEAR SCIENCE SYMPOSIUM AND MEDICAL IMAGING CONFERENCE (NSS/MIC), 2019, 第 6 作者
（16） Comparison of the Total Dose Responses of Fully Depleted SOI nMOSFETs With Different Geometries for the Worst Case Bias Conditions, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 第 4 作者
（17） An Effective Method to Compensate Total Ionizing Dose-Induced Degradation on Double-SOI Structure, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 第 5 作者
（18） SOI工艺抗辐照SRAM型FPGA设计与实现, A Radiation Hardened SRAM-based FPGA Implemented in SOI Process, 宇航学报, 2018, 第 8 作者
（19） An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure, 2017, 第 7 作者
（20） Impact of DSOI back-gate biasing on circuit conducted emission, International Workshop on Electromagnetic compatibility of Integrated Circuits, 2017, 第 2 作者
（21） DSOI���a novel structure enabling adjust circuit dynamically, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 4 作者
（22） Comparison Study of Bulk and SOI CMOS Technologies based Rad-hard ADCs in Space, 2016, 第 7 作者
（23） Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM, 2016, 第 6 作者
（24） Total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator pMOSFETs, CHINESE PHYSICS C, 2015, 第 4 作者

（ 1 ） 半导体材料及器件的辐射效应, Radiation effect in semiconductor material and devices, 国防工业出版社, 2020-06, 第 2 作者

   

（ 1 ） 高温封装与测试评价技术, 负责人, 国家任务, 2024-01--2030-12
（ 2 ） 总剂量效应与单粒子效应协同机理研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12
（ 3 ） 空间高低温交变环境下深亚微米集成电路老化失效机理与模型研究, 参与, 国家任务, 2023-01--2026-12

（1）Back gate impact on SEU Characterization of a Double SOI 4k-bit SRAM   2018-07-16