基本信息
孙晓娟  女  博导  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
电子邮件: sunxj@ciomp.ac.cn
通信地址: 吉林省长春市东南湖大路3888号,中科院长春光机所
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
宽禁带半导体光电材料与器件

教育背景

2009-09--2012-07   中国科学院大学/中科院长春光机所   博士学位
2004-09--2007-07   大连理工大学   硕士研究生
2000-09--2004-07   大连理工大学   学士

工作经历

   
工作简历
2019-09~现在, 中科院长春光机所, 研究员
2017-10~2017-12,日本三重大学(Mie University), 交流访问
2015-08~2016-08,美国佐治亚州立大学(Georgia State University)), 访问学者
2014-09~2018-06,中科院长春光机所, 副研究员
2009-09~2014-09,中科院长春光机所, 助理研究员
2009-09~2012-07,中国科学院大学/中科院长春光机所, 博士学位
2007-07~2009-09,中科院长春光机所, 研究实习员
2004-09~2007-07,大连理工大学, 硕士研究生
2000-09~2004-07,大连理工大学, 学士
社会兼职
2020-01-01-今,半导体学报青年编委,
2020-01-01-今,发光学报青年编委,

教授课程

半导体材料与光电子学

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 吉林省自然科学一等奖, 一等奖, 省级, 2020
(2) 吉林省自然科学学术成果奖一等奖, , 省级, 2013
专利成果
( 1 ) 日盲紫外光电探测器及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114171634A

( 2 ) 一种探测芯片及其制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113140652A

( 3 ) 一种紫外/红外双色探测器及其制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112670357A

( 4 ) AlGaN基同质集成光电子芯片及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN110993737B

( 5 ) 一种中子辐射探测器, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112599620A

( 6 ) 一种原位生长Al等离激元纳米结构的方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN109830568B

( 7 ) 一种低欧姆接触电阻的深紫外发光二极管及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112563381A

( 8 ) 一种AlGaN单极载流子日盲紫外探测器及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112038448B

( 9 ) 具有梯度深度P型区域的结势垒肖特基二极管及制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112531007A

( 10 ) 一种半导体辐射电池, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112489848A

( 11 ) 一种喷淋头清洁装置, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112317196A

( 12 ) 应力调控氮化镓基红外-紫外双色光探测器及制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN110797429B

( 13 ) 一种基于氮化硼的紫外/红外双色探测器, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN110649108B

( 14 ) 一种GaN基垂直集成光电子芯片及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN109904276B

( 15 ) 一种基于石墨烯电极的垂直结构深紫外LED及其制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112242469A

( 16 ) 基于微图案化石墨烯的Micro-LED阵列及其制备方法、显示装置, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112103305A

( 17 ) 一种多色柔性光电探测器及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112086529A

( 18 ) 一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112086343A

( 19 ) 一种基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112071965A

( 20 ) 石墨烯透明电极双台面碳化硅辐射探测器及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN109309131B

( 21 ) 一种AlGaN单极载流子日盲紫外探测器及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112038448A

( 22 ) 一种垂直量子阱结构AlGaN深紫外LED及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111987194A

( 23 ) AlGaN基深紫外发光二极管及其AlGaN外延片和制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111987197A

( 24 ) 一种具有石墨烯插入层的AlGaN基紫外探测器及其制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111370509B

( 25 ) 一种光伏型紫外红外双色探测器及处理方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111952382A

( 26 ) 基于范德华外延的GaN基单片集成白光LED及其制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111816741A

( 27 ) 一种超薄量子阱结构AlGaN日盲紫外探测器及其制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111785797A

( 28 ) SBD器件结构及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111785785A

( 29 ) 一种图形化衬底及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111681948A

( 30 ) 一种360度超大广角紫外探测器, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111668336A

( 31 ) 基于主动淬灭主动恢复电路的单光子探测系统, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN109443555B

( 32 ) 一种用于半导体材料外延生长设备中的托盘, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111455353A

( 33 ) 一种实现位错缺陷微区光电性能测评的方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111223788A

( 34 ) 基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110963484A

( 35 ) 单片双波段集成式传感器及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110797430A

( 36 ) 一种新型结构的底部沟槽栅极GaN-MOSFET器件及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110767752A

( 37 ) 新型GaN结势垒肖特基二极管及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110752260A

( 38 ) 一种制备同质集成光通信芯片的方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110600582A

( 39 ) 基于喷墨打印技术的分波段柔性光探测器及打印方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110581187A

( 40 ) 一种具有浮动场环终端结构的结势垒肖特基二极管及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110364575A

( 41 ) 一种实现氮化物可控成核的二维材料复合衬底制备系统, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110349840A

( 42 ) 电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109888612A

( 43 ) 一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109713091A

( 44 ) 一种原位生长Al等离激元提高AlGaN基PIN型探测器性能的方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109713083A

( 45 ) 一种场致电子束泵浦紫外光源, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN109546527A

( 46 ) 一种实现低电压下AlGaN探测器雪崩倍增的方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109378361A

( 47 ) 一种集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109360798A

( 48 ) 一种高迁移率高空穴浓度P型AlGaN材料及其生长方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109300980A

( 49 ) 一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN108091657A

( 50 ) 一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107808819A

( 51 ) 一种获得高质量AlN模板的方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107768234A

( 52 ) 一种大面积玻璃衬底上倒梯形截面光刻胶掩膜的制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107703718A

( 53 ) 一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN107681017A

( 54 ) 一种集成热处理工艺的多腔室氮化物材料外延系统, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107587189A

( 55 ) 一种近红外探测器, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN107093642A

( 56 ) 一种III族氮化物半导体材料螺位错的标定方法, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN106971954A

( 57 ) 一种近红外探测器及其制备方法, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN105895728A

( 58 ) 具有可重复的双极阻抗开关特性的Ⅲ族氮化物忆阻器, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105720193A

( 59 ) PBN型InGaAs红外探测器, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN105185846A

( 60 ) 一种制备高质量氮化物的方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104328488A

( 61 ) PNIN型InGaAs红外探测器, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104319307A

( 62 ) 光电探测成像系统及其成像方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103969693A

( 63 ) 石墨烯增强型InGaAs红外探测器, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103383976A

( 64 ) 宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103383977A

( 65 ) 增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103247709A

( 66 ) 一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102280370A

( 67 ) 采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102263166A

( 68 ) 一种生长高铟组分铟镓砷的方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102140695A

( 69 ) 宽探测波段的InGaAs红外探测器, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102130200A

( 70 ) 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102005173A

( 71 ) 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101887214A

( 72 ) 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101881927A

( 73 ) 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101882548A

( 74 ) 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101866797A

( 75 ) 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101866796A

出版信息

   
发表论文
(1) The van der Waals Epitaxy of High-Quality N-Polar Gallium Nitride for High-Response Ultraviolet Photodetectors with Polarization Electric Field Modulation, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 通讯作者
(2) Quantum engineering of non-equilibrium efficient p-doping in ultra-wide band-gap nitrides, Quantum engineering of non-equilibrium efficient p-doping in ultra-wide band-gap nitrides, LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS, 2021, 第 2 作者
(3) Origination and evolution of point defects in AlN film annealed at high temperature, JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2021, 第 9 作者
(4) Cation Vacancy in Wide Bandgap III-Nitrides as Single-Photon Emitter: A First-Principles Investigation, ADVANCED SCIENCE, 2021, 第 2 作者
(5) AlInGaAs Multiple Quantum Well-Integrated Device with Multifunction Light Emission/Detection and Electro-Optic Modulation in the Near-Infrared Range, ACS OMEGA, 2021, 第 8 作者
(6) Improved performance of SiC radiation detector based on metal–insulator–semiconductor structures, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 第 3 作者
(7) 2D III-Nitride Materials: Properties, Growth, and Applications, ADVANCED MATERIALS, 2021, 通讯作者
(8) Polarization assisted self-powered GaN-based UV photodetector with high responsivity, PHOTONICS RESEARCH, 2021, 第 9 作者
(9) Improved performance of SiC radiation detectors due to optimized ohmic contact electrode by graphene insertion, DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 2021, 第 2 作者
(10) 2 Gbps free-space ultraviolet-C communication based on a high-bandwidth micro-LED achieved with pre-equalization, OPTICS LETTERS, 2021, 第 7 作者
(11) Growth of high-quality wafer-scale graphene on dielectric substrate for high-response ultraviolet photodetector, CARBON, 2021, 通讯作者
(12) Multiple-quantum-well-induced unipolar carrier transport multiplication in AlGaN solar-blind ultraviolet photodiode, PHOTONICS RESEARCH, 2021, 第 3 作者
(13) A high-response ultraviolet photodetector by integrating GaN nanoparticles with graphene, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 通讯作者
(14) Characterization of carrier transport behavior of specific type dislocations in GaN by light assisted KPFM, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 通讯作者
(15) Back-Reflected Performance-Enhanced Flexible Perovskite Photodetectors through Substrate Texturing with Femtosecond Laser, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 8 作者
(16) Van der Waals Epitaxy: A new way for growth of III-nitrides, SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2020, 第 4 作者
(17) Elimination of the internal electrostatic field in two-dimensional GaN-based semiconductors, NPJ 2D MATERIALS AND APPLICATIONS, 2020, 第 10 作者
(18) Suppressing the luminescence of Vcation-related point-defect in AlGaN grown by MOCVD on HVPE-AlN, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 通讯作者
(19) AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征, Characterization of phase separation on AlGaN surfaces by in-situ photoluminescence spectroscopy and high spatially resolved surface potential images, 物理学报, 2020, 第 4 作者
(20) AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件, AlGaN Based Wide Bandgap Photoelectric Materials and Devices, 人工晶体学报, 2020, 第 2 作者
(21) Polarization-enhanced AlGaN solar-blind ultraviolet detectors, Polarization-enhanced AlGaN solar-blind ultraviolet detectors, PHOTONICS RESEARCH, 2020, 通讯作者
(22) The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 第 4 作者
(23) Characterization of phase separation on AlGaN surfaces by in-situ photoluminescence spectroscopy and high spatially resolved surface potential images, ACTA PHYSICA SINICA, 2020, 第 4 作者
(24) In situ fabrication of Al surface plasmon nanoparticles by metal-organic chemical vapor deposition for enhanced performance of AlGaN deep ultraviolet detectors, NANOSCALE ADVANCES, 2020, 通讯作者
(25) Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 通讯作者
(26) Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy (vol 117, 051601, 2020), APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 通讯作者
(27) Monolithic integration of MoS2-based visible detectors and GaN-based UV detectors, PHOTONICS RESEARCH, 2019, 第 8 作者
(28) Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characterized by ultraviolet light-assisted Kelvin probe force microscopy, SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2019, 通讯作者
(29) Nearly lattice-matched molybdenum disulfide/gallium nitride heterostructure enabling high-performance phototransistors, PHOTONICS RESEARCH, 2019, 通讯作者
(30) Vertical GaN-on-GaN PIN diodes fabricated on free-standing GaN wafer using an ammonothermal method, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 第 8 作者
(31) Uncovering the Mechanism Behind the Improved Stability of 2D Organic-Inorganic Hybrid Perovskites, SMALL, 2019, 第 3 作者
(32) Enhancing thermal properties of few-layer boron nitride by high-k Al2O3 capping layer, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 第 5 作者
(33) Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characterized by ultraviolet light-assisted Kelvin probe force microscopy, Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characterized by ultraviolet light-assisted Kelvin probe force microscopy, 中国科学:物理学、力学、天文学英文版, 2019, 通讯作者
(34) 286 nm monolithic multicomponent system, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 6 作者
(35) Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles, SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2019, 第 2 作者
(36) 量子随机数高斯噪声信号发生器, Quantum random number Gaussian noise signal generator, 光学精密工程, 2019, 第 2 作者
(37) Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps, CRYSTENGCOMM, 2019, 通讯作者
(38) Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanoscale Strain Field, Nanoscale Research Letters, 2019, 通讯作者
(39) Porous Carbon Networks Derived From Graphitic Carbon Nitride for Efficient Oxygen Reduction Reaction, Nanoscale Research Letters, 2019, 第 3 作者
(40) Modified band alignment at multilayer MoS2/Al2O3 heterojunctions by nitridation treatment, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 第 3 作者
(41) Combined photoanodes of TiO2 nanoparticles and {001}-faceted TiO2 nanosheets for quantum dot-sensitized solar cells, NEW JOURNAL OF CHEMISTRY, 2019, 第 2 作者
(42) A review of improved spectral response of ultraviolet photodetectors by surface plasmon, Chinese Physics B, 2018, 通讯作者
(43) AlGaN photonics: recent advances in materials and ultraviolet devices, ADVANCES IN OPTICS AND PHOTONICS, 2018, 第 3 作者
(44) Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN/sapphire substrates by thermal annealing, CRYSTENGCOMM, 2018, 通讯作者
(45) PbCrO4 yellow-pigment nanorods: A efficient and stable visible-light-active photocatalyst for O2 evolution and photodegradation, SCIENCE CHINA Materials. ., 2018, 通讯作者
(46) 铬酸铅纳米棒: 一种高效、稳定的可见光产氧和光降解催化剂, PbCrO_4 yellow-pigment nanorods: An efficient and stable visible-light-active photocatalyst for O_2 evolution and photodegradation, SCIENCE CHINA-MATERIALS, 2018, 通讯作者
(47) Review of improved spectral response of ultraviolet photodetectors by surface plasmon, CHINESE PHYSICS B, 2018, 通讯作者
(48) Room-temperature electrically pumped ingan-based microdisk laser grown on si, OPTICS EXPRESS, 2018, 第11作者
(49) Effect of V-Pits on the Property of GaN Epilayer Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 通讯作者
(50) Plasmon-induced hot carrier transfer to the surface of three-dimensional topological insulators, PHYSICAL REVIEW B, 2018, 第 3 作者
(51) The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition, CRYSTENGCOMM, 2018, 通讯作者
(52) Room-Temperature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si, ACS PHOTONICS, 2018, 第 6 作者
(53) Modulating the Surface State of SiC to Control Carrier Transport in Graphene/SiC, SMALL, 2018, 通讯作者
(54) Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si, LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS, 2018, 第 10 作者
(55) Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent system, LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS, 2018, 第 8 作者
(56) Experimental Evaluation of the Average Energy for Impact Ionization by Holes in Al0.4Ga0.6N Alloy, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2017, 第 8 作者
(57) Direct observation of localized surface plasmon field enhancement by Kelvin probe force microscopy, LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS, 2017, 通讯作者
(58) High in content InGaAs near-infrared detectors: growth, structural design and photovoltaic properties, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2017, 第 8 作者
(59) Dependence of dark current and photoresponse on polarization charges for AlGaN-based heterojunction p-i-n photodetectors, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2017, 第 8 作者
(60) Relationship between dislocations and misfit strain relaxation in InGaAs/GaAs heterostructures, CRYSTENGCOMM, 2017, 第 9 作者
(61) Plasma-induced, nitrogen-doped graphene-based aerogels for high-performance supercapacitors, LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS, 2016, 第 3 作者
(62) High spectral response of self-driven GaN-based detectors by controlling the contact barrier height, SCIENTIFIC REPORTS, 2015, 第 1 作者
(63) Tunable Dipole Surface Plasmon Resonances of Silver Nanoparticles by Cladding Dielectric Layers, SCIENTIFIC REPORTS, 2015, 第 3 作者
(64) Enhanced spectral response of an AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetector with Al nanoparticles, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 3 作者
(65) Influence of the growth temperature of AlN nucleation layer on AlN template grown by high-temperature MOCVD, MATERIALS LETTERS, 2014, 第 4 作者
(66) Stress-induced in situ epitaxial lateral overgrowth of high-quality GaN, CRYSTENGCOMM, 2014, 第 3 作者
(67) Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 6 作者
(68) In situ observation of two-step growth of AlN on sapphire using high-temperature metal-organic chemical vapour deposition, CRYSTENGCOMM, 2013, 通讯作者
(69) 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响, Effect of Trimethyl-aluminum Preflow on The Structure and Strain Properties of AlN Films, 发光学报, 2012, 第 3 作者
(70) Short-wavelength light beam in situ monitoring growth of InGaN/GaN green LEDs by MOCVD, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2012, 第 1 作者
(71) 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文), 发光学报, 2012, 第 8 作者
(72) Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 4 作者
(73) 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文), 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文), 发光学报, 2012, 第 3 作者
(74) 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜(英文), Deposition of AlN Films on Nitrided Sapphire Substrates by Reactive DC Magnetron Sputtering, 发光学报, 2012, 第 7 作者
(75) Short-wavelength light beam in situ monitoring growth of InGaN, Nanoscale Research Letters, 2012, 第 1 作者
(76) AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文), Effect of AlN Interlayer on a-plane AlGaN Grown by MOCVD, 发光学报, 2012, 第 3 作者
(77) 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响, Effect of Initial Growth Conditions on The Strain in a-plane GaN, 发光学报, 2012, 第 3 作者
(78) SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响, Effect of SiO2 Nanoparticles on Properties of a-AIGaN MSM UV Photodetectors, 发光学报, 2012, 第 3 作者
(79) GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文), Effect of GaN Buffer Layers on Deposition of AlN Films by DC Reactive Magnetron Sputtering, 发光学报, 2012, 第 8 作者
(80) Realization of a High-Performance GaN UV Detector by Nanoplasmonic Enhancement, ADVANCED MATERIALS, 2012, 第 2 作者
(81) AlN插入层对a-AlGaN的外延生长的影响(英文), Effect of AlN Interlayer on a-plane AlGaN Grown by MOCVD, 发光学报, 2012, 第 3 作者
(82) GaN紫外探测器材料的MOCVD生长及器件研究, 2012, 第 1 作者
(83) 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文), 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文), 发光学报, 2012, 第 3 作者
(84) 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究, Study of AlN Films Doped by Si Thermal Diffusion, 发光学报, 2012, 第 8 作者
(85) GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性, Electrical and Optoelectronics Characteristics of GaN Based MIS Photo-detectors, 发光学报, 2012, 第 8 作者
(86) Improved field emission performance of carbon nanotube by introducing copper metallic particles, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2011, 第 6 作者
(87) Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 通讯作者
(88) Influence of thermal annealing duration of buffer layer on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As grown on InP substrate by LP-MOCVD, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 第 7 作者
(89) Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4InP grown by LP-MOCVD, SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2011, 第 6 作者
(90) Effect of asymmetric schottky barrier on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet detector, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 2 作者
(91) Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2011, 第 7 作者
(92) Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 2 作者
(93) Growth and optical properties of catalyst-free InP nanowires on Si (100) substrates, PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2010, 第 9 作者
(94) Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质, The Crystal Structure and Optical Properties of InP Nanowires Grown on Si Substrate, 发光学报, 2010, 第 7 作者
(95) 多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性, Quantum Dots Accumulation Phenomenon in The Growth of Muitilayer GaSb(QDs)/GaAs and Their Luminescence Property, 发光学报, 2010, 第 6 作者
(96) Aloetic-Shaped SiC Nanowires: Synthesis and Field Electron Emission Properties, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2010, 第 8 作者
(97) Selective wet etching of Al0.7Ga0.3As layer in concentrated HCl solution for peeling off GaAs microtips, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2009, 通讯作者
(98) Investigation on growth related aspects of catalyst-free InP nanowires grown by metal organic chemical vapor deposition, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2009, 第 9 作者
(99) GaAs微尖阵列的制备与场发射性能, Fabrication and Field Emission Property of GaAs Microtips Array by Selective Liquid Phase Epitaxy, 发光学报, 2008, 第 1 作者
(100) In situ growth of high-quality wafer-scale graphene on dielectric substrate for high-responsivity ultraviolet photodetector, Carbon, 第 10 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 高Al组分AlGaN中点缺陷的形成机理及调控研究, 负责人, 国家任务, 2016-01--2019-12
( 2 ) 第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术, 负责人, 国家任务, 2016-07--2021-07
( 3 ) 硅衬底AlGaN基紫外LED, 负责人, 中国科学院计划, 2017-01--2018-12
( 4 ) 中国科学院青年创新促进会人才项目, 负责人, 中国科学院计划, 2015-01--2019-12
( 5 ) 第三代半导体的衬底制备及同质外延, 负责人, 国家任务, 2017-07--2020-12
( 6 ) 宽禁带半导体雪崩光电探测器物理与新结构器件, 负责人, 国家任务, 2016-07--2021-06
( 7 ) 基于AlN同质外延的高性能探测器研究, 负责人, 地方任务, 2018-01--2020-12
( 8 ) GaN基紫外光电子器件与材料, 参与, 国家任务, 2018-01--2022-12
( 9 ) 点缺陷可调控的AlGaN材料外延设备研制, 参与, 中国科学院计划, 2018-01--2019-12
( 10 ) 基于飞秒激光加工技术的高效率紫外固态光源研究, 参与, 中国科学院计划, 2017-01--2019-12
( 11 ) 基于二维材料复合柔性衬底上AlN的生长研究, 负责人, 国家任务, 2019-01--2022-12
( 12 ) GaN基紫外光电子材料与器件, 负责人, 国家任务, 2020-01--2022-12
( 13 ) 青促会优秀会员, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2022-12
( 14 ) 绿色光子器件研究, 参与, 国家任务, 2022-01--2026-12
( 15 ) 面向半导体集成的铁电调控新功能器件, 参与, 国家任务, 2021-12--2026-11
参与会议
(1)AlGaN材料中的缺陷研究   第十五届全国MOCVD 学术会议   2018-08-21
(2)高质量AlN/Sapphire模板生长研究   第18届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议   2017-12-18
(3)AlGaN-Based Deep Ultraviolet Detectors   2017-10-19
(4)Direct Observation of Localized SP Field Enhancement of Ag nanoparticles on GaN by KPFM   2017-09-24
(5)AlGaN-based Deep Ultraviolet Detectors   2017-09-18
(6)高Al组分AlGaN材料生长及掺杂研究   第二届全国宽禁带半导体学术会议   2017-08-10