基本信息
陈一仁  男  博导  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
电子邮件: chenyr@ciomp.ac.cn
通信地址: 吉林省长春市东南湖大路3888号东配楼
邮政编码: 130033

研究领域

III族氮化物半导体材料MOCVD外延生长及其光电子器件研究

招生信息

招收有志于从事第三代半导体——III族氮化物半导体材料与光电器件研究,光电器件应用开发研究,具有物理、电子和微电子背景的学生。

招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
宽禁带半导体光电子材料与器件

教育背景

   
工作学习经历

2015/09-至今,中科院长春光机所, 副研究员
2011/09-2014/07,中国科学院大学/中科院长春光机所,博士
2009/09-2015/09,中科院长春光机所, 助理研究员
2007/07-2009/09,中科院长春光机所, 研究实习员
2004/09-2007/07,福州大学, 硕士
2000/09-2004/07,福州大学, 学士


专利与奖励

专利成果
[1] 陈一仁, 张志伟, 周星宇, 孙晓娟, 黎大兵, 缪国庆, 蒋红, 宋航. 日盲紫外光电探测器及其制备方法. CN114171634A, 2022-03-11.
[2] 陈一仁, 周星宇, 张志伟, 宋航, 缪国庆, 蒋红, 李志明. 一种氮化物半导体材料的外延生长方法. CN112820626A, 2021-05-18.
[3] 宋航, 陈一仁, 张志伟, 蒋红, 缪国庆, 李志明. 一种日盲紫外焦平面成像探测器及其制作方法. CN: CN112086436A, 2020-12-15.
[4] 陈一仁, 张志伟, 宋航, 缪国庆, 蒋红, 李志明. 一种导电氧化物等离激元纳米光学天线及其制备方法. CN: CN111807315A, 2020-10-23.
[5] 陈一仁, 宋航, 张志伟, 蒋红, 缪国庆, 李志明. 单片集成日盲紫外及近红外双色光电探测器及其制作方法. CN: CN111584674A, 2020-08-25.
[6] 宋航, 陈一仁, 张志伟, 蒋红, 李志明, 缪国庆. 一种背照射紫外红外双色光电探测器及其制备方法. CN: CN111081792A, 2020-04-28.
[7] 陈一仁, 宋航, 张志伟, 缪国庆, 蒋红, 李志明, 孙晓娟, 黎大兵. 一种场致电子束泵浦紫外光源. CN: CN109546527A, 2019-03-29.
[8] 陈一仁, 宋航, 张志伟, 缪国庆, 李志明, 蒋红. 一种AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器及其制作方法. CN: CN109494275A, 2019-03-19.
[9] 张志伟, 宋航, 陈一仁, 缪国庆, 蒋红, 李志明. 一种AlGaN基紫外探测器极其制作方法. CN: CN109346551A, 2019-02-15.
[10] 张志伟, 陈一仁, 李志明, 谬国庆, 蒋红, 宋航. 紫外红外双色探测器及其制作方法. CN: CN108417660A, 2018-08-17.
[11] 陈一仁, 宋航, 黎大兵, 蒋红, 缪国庆, 李志明, 孙晓娟, 张志伟. 一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器. CN: CN108091657A, 2018-05-29.
[12] 孙晓娟, 黎大兵, 贾玉萍, 刘贺男, 宋航, 李志明, 陈一仁, 缪国庆, 蒋红, 张志伟. 一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法. 中国: CN107808819A, 2018-03-16.
[13] 黎大兵, 贲建伟, 孙晓娟, 贾玉萍, 刘贺男, 宋航, 陈一仁, 蒋红. 一种获得高质量AlN模板的方法. 中国: CN107768234A, 2018-03-06.
[14] 孙晓娟, 黎大兵, 贾玉萍, 刘贺男, 宋航, 李志明, 陈一仁, 缪国庆, 蒋红, 张志伟. 一种大面积玻璃衬底上倒梯形截面光刻胶掩膜的制备方法. 中国: CN107703718A, 2018-02-16.
[15] 黎大兵, 孙晓娟, 贾玉萍, 刘贺男, 宋航, 李志明, 陈一仁, 蒋红, 张志伟. 一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法. CN: CN107681017A, 2018-02-09.
[16] 黎大兵, 贲建伟, 孙晓娟, 贾玉萍, 刘贺男, 宋航, 陈一仁, 缪国庆. 一种集成热处理工艺的多腔室氮化物材料外延系统. 中国: CN107587189A, 2018-01-16.
[17] 张志伟, 缪国庆, 宋航, 蒋红, 李志明, 陈一仁, 孙晓娟, 黎大兵. 一种近红外探测器. 中国: CN107093642A, 2017-08-25.
[18] 陈一仁, 宋航, 黎大兵, 缪国庆, 蒋红, 李志明, 孙晓娟, 张志伟. 一种III族氮化物半导体材料螺位错的标定方法. CN: CN106971954A, 2017-07-21.
[19] 张志伟, 繆国庆, 宋航, 黎大兵, 蒋红, 李志明, 陈一仁, 孙晓娟. 一种近红外探测器及其制备方法. 中国: CN105895728A, 2016-08-24.
[20] 陈一仁, 宋航, 黎大兵, 蒋红, 李志明, 孙晓娟, 缪国庆, 张志伟. 具有可重复的双极阻抗开关特性的Ⅲ族氮化物忆阻器. 中国: CN105720193A, 2016-06-29.
[21] 张志伟, 缪国庆, 宋航, 蒋红, 李志明, 黎大兵, 孙晓娟, 陈一仁. PBN型InGaAs红外探测器. 中国: CN105185846A, 2015-12-23.
[22] 黎大兵, 孙晓娟, 宋航, 蒋红, 李志明, 陈一仁, 缪国庆, 张志伟. 一种制备高质量氮化物的方法. 中国: CN104328488A, 2015-02-04.
[23] 张志伟, 缪国庆, 宋航, 蒋红, 黎大兵, 孙晓娟, 陈一仁, 李志明. PNIN型InGaAs红外探测器. 中国: CN104319307A, 2015-01-28.
[24] 陈一仁, 宋航, 黎大兵, 蒋红, 孙晓娟, 李志明, 缪国庆, 张志伟. 光电探测成像系统及其成像方法. 中国: CN103969693A, 2014-08-06.
[25] 张志伟, 缪国庆, 宋航, 蒋红, 黎大兵, 孙晓娟, 陈一仁, 李志明. 石墨烯增强型InGaAs红外探测器. 中国: CN103383976A, 2013-11-06.
[26] 张志伟, 缪国庆, 宋航, 蒋红, 黎大兵, 孙晓娟, 陈一仁, 李志明. 宽探测波段的InGaAs/GaAs红外探测器. 中国: CN103383977A, 2013-11-06.
[27] 黎大兵, 孙晓娟, 宋航, 蒋红, 李志明, 陈一仁, 缪国庆. 增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法. 中国: CN103247709A, 2013-08-14.
[28] 黎大兵, 孙晓娟, 宋航, 李志明, 陈一仁, 缪国庆, 蒋红. 一种在硅衬底上生长非极性面AlN模板的方法. 中国: CN102280370A, 2011.12.14.
[29] 黎大兵, 孙晓娟, 宋航, 李志明, 陈一仁, 缪国庆, 蒋红. 采用纳米粒子提高AlGaN基探测器性能的方法. 中国: CN102263166A, 2011-11-30.
[30] 缪国庆, 金亿鑫, 宋航, 蒋红, 黎大兵, 李志明, 孙晓娟, 陈一仁. 一种生长高铟组分铟镓砷的方法. 中国: CN102140695A, 2011-08-03.
[31] 缪国庆, 金亿鑫, 宋航, 蒋红, 黎大兵, 李志明, 孙晓娟, 陈一仁. 宽探测波段的InGaAs红外探测器. 中国: CN102130200A, 2011-07-20.
[32] 陈一仁, 宋航, 蒋红, 缪国庆, 李志明, 黎大兵, 孙晓娟. 一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路. 中国: CN102005173A, 2011-04-06.
[33] 李志明, 孙晓娟, 宋航, 黎大兵, 陈一仁, 缪国庆, 蒋红. 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法. 中国: CN101887214A, 2010-11-17.
[34] 孙晓娟, 李志明, 黎大兵, 宋航, 陈一仁, 缪国庆, 蒋红. 一种制备倒梯形光刻胶截面的方法. 中国: CN101881927A, 2010-11-10.
[35] 李志明, 孙晓娟, 宋航, 黎大兵, 陈一仁, 缪国庆, 蒋红. 正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法. 中国: CN101882548A, 2010-11-10.
[36] 李志明, 孙晓娟, 宋航, 黎大兵, 陈一仁, 缪国庆, 蒋红. 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法. 中国: CN101866797A, 2010-10-20.
[37] 李志明, 孙晓娟, 宋航, 黎大兵, 陈一仁, 缪国庆, 蒋红. 一种碳纳米管场发射平板背景光源的制备方法. 中国: CN101866796A, 2010-10-20.

指导学生

已指导学生

韩五月  硕士研究生  070205-凝聚态物理  

周星宇  硕士研究生  070205-凝聚态物理  

现指导学生

范欣野  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

出版信息

1. A comparative study of front- and back-illuminated planar InGaAs/InP avalanche photodiodes, Mater. Lett., 2022, 第1作者

2. The effect of dislocation-related V-shaped pits preparation on the strain of AlN templates, Thin Solid Films, 2021, 通讯作者

3. Dual-band solar-blind UV photodetectors based on AlGaN/AlN superlattices, Mater. Lett., 2021, 第1作者

4. Epitaxial growth of polarization-graded AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors on pre-grown AlN templates, Mater. Lett., 2020, 第1作者

5. AlGaN-based UV-C distributed Bragg reflector with a λ-cavity designed for an external cavity structure electron-beam-pumped VCSEL, J. Alloy. Compd., 2020, 第1作者

6. Realization of an efficient electron source by ultraviolet-light-assisted field emission from a one-dimensional ZnO nanorods/n-GaN heterostructure photoconductive detector, Nanoscale, 2019, 第1作者

7. Improved performance of a back-illuminated GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector by in-situ modification of one-dimensional ZnO nanorods on its screw dislocations, J. Alloy. Compd., 2019, 通讯作者

8. The optimized growth of AlN templates for back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors by MOCVD, Journal of Materials Chemistry C, 2018, 第1作者

9. Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti/Si3N4/n-GaN MIS device, J. Alloy. Compd., 2018, 第1作者

10. The influence of n-AlGaN inserted layer on the performance of back-illuminated AlGaN-based p-i-n ultraviolet photodetectors, Physica Status Solidi A, 2018, 第1作者

11. High performance back-illuminated MIS structure AlGaN solar-blind ultraviolet photodiodes, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2018, 通讯作者

12. Experimental evaluation of the average energy for impact ionization by holes in Al0.4Ga0.6N alloy, IEEE Photonics Journal, 2017, 通讯作者

13. Dependence of dark current and photoresponse on polarization charges for AlGaN-based heterojunction p-i-n photodetectors, Physica Status Solidi A, 2017, 通讯作者

14. Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism, Appl. Phys. Lett., 2014, 第1作者

15. Optimized performances of tetrapod-like ZnO nanostructures for a triode structure field emission planar light source, Nanoscale, 2014, 第1作者

16. Influence of the growth temperature of AlN nucleation layer on AlN template grown by high-temperature MOCVD, Mater. Lett., 2014, 第1作者

17. Improved field emission performance of carbon nanotube by introducing copper metallic particles, Nanoscale Res. Lett., 2011, 第1作者

18. GaN-based MSM photovoltaic ultraviolet detector structure modeling and its simulation, J. Semicond., 2011, 第1作者