基本信息
崔江维  女  博导  中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件: cuijw@ms.xjb.ac.cn
通信地址: 新疆乌鲁木齐市北京南路40-1号
邮政编码: 830011

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体器件辐射效应及可靠性
微电子器件辐射损伤机理与加固

教育背景

2007-09--2012-06   中国科学院研究生院,中国科学院新疆理化技术研究所   博士
2002-09--2006-06   西安理工大学   学士

工作经历

   
工作简历
2019-11~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 研究员
2012-10~2019-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员
2012-07~2012-09,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员
2007-09~2012-06,中国科学院研究生院,中国科学院新疆理化技术研究所, 博士
2002-09~2006-06,西安理工大学, 学士

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 纳米集成电路辐射效应评估关键技术及应用, 一等奖, 省级, 2021
(2) 双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究, 一等奖, 省级, 2015
专利成果
( 1 ) 一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112379240A

( 2 ) 一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112214952A

( 3 ) 一种电路级总剂量辐射效应仿真方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112214953A

( 4 ) 一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111008506A

( 5 ) 一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110910946A

( 6 ) 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108037438A

( 7 ) 基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN104133974A

( 8 ) 基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103645430A

出版信息

   
发表论文
(1) Measurement and Evaluation of the Within-Wafer TID Response Variability on BOX Layer of SOI Technology, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 第 2 作者
(2) Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 第 2 作者
(3) The influence of channel width on total ionizing dose responses of the 130 nm H-gate partially depleted SOI NMOSFETs, RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 第 4 作者
(4) Study of the influence of gamma irradiation on long-term reliability of SiC MOSFET, RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 第 2 作者
(5) 22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究, Investigations on Hot Carrier Injection and Total Ionizing Dose Effect of 22 nm Bulk FinFET, 固体电子学研究与进展, 2020, 第 2 作者
(6) The influence of total ionizing dose on the hot carrier injection of 22 nm bulk nFinFET, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2020, 通讯作者
(7) Modeling of TID-induced leakage current in ultra-deep submicron SOI NMOSFETs, MICROELECTRONICS JOURNAL, 2020, 通讯作者
(8) Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 第 2 作者
(9) 体效应对超深亚微米 SOI器件总剂量效应的影响, The Impact of Body Effect on TID of Ultra Deep Sub Micron SOI Devices, 电子学报, 2019, 第 4 作者
(10) 基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究, Radiation response characteristics of an embeddable SOI radiation sensor, 核技术, 2019, 第 4 作者
(11) Comprehensive study on hot carrier reliability of radiation hardened H-gate PD SOI NMOSFET after gamma radiation, RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2019, 第 3 作者
(12) Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 第 2 作者
(13) Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 通讯作者
(14) The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 第 2 作者
(15) 沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究, Effect of Channel Width on NBTI in 65nm PMOSFET, 电子学报, 2018, 第 1 作者
(16) Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 第 2 作者
(17) Hot-Carrier Effect on TID Irradiated Short-Channel UTTB FD-SOI n-MOSFETs, IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC), 2018, 第 1 作者
(18) Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 通讯作者
(19) 伽马射线辐照后的90nm和65nm P型场效应晶体管的负偏置温度不稳定性研究, Conference on Radiation Effects on Components and Systems (RADECS), 2017, 第 1 作者
(20) An Increase in TDDB Lifetime of Partially Depleted SOI Devices Induced by Proton Irradiation, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017, 第 3 作者
(21) Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Upset Sensitivity of 130-nm PD SOI SRAMs, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2017, 第 2 作者
(22) 质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响, 现代应用物理, 2017, 第 2 作者
(23) 辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真, 现代应用物理, 2017, 第 2 作者
(24) 纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法, 固体电子学研究与进展, 2017, 第 1 作者
(25) Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 2 作者
(26) 总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应, 物理学报, 2016, 第 3 作者
(27) Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process, ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 通讯作者
(28) 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应, 物理学报, 2016, 第 2 作者
(29) Hot-Carrier Effects on Total Dose Irradiated 65 nm n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2016, 第 2 作者
(30) Simulation and sesign of single event effect radiation hardening for SiGe heterojunction bipolar transistor, ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 第 5 作者
(31) 深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应, 微电子学, 2015, 第 6 作者
(32) 电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究, 物理学报, 2015, 第 2 作者
(33) 电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应, Total Ionizing Dose Effects Induced by Electron in Deep Submicron MOS Devices, 微电子学, 2015, 第 6 作者
(34) Single-event response of the SiGe HBT in TCAD simulations and laser microbeam experiment, CHINESE PHYSICS B, 2015, 第 7 作者
(35) Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micron SRAM induced by total dose irradiation, CHINESE PHYSICS B, 2015, 通讯作者
(36) 深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究, 物理学报, 2014, 第 5 作者
(37) Radiation effect of deep-submicron metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and parasitic transistor, ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 第 5 作者
(38) Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiation, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 3 作者
(39) Enhanced Total Ionizing Dose Hardness of Deep Sub-Micron Partially Depleted Silicon-on-Insulator n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors by Applying Larger Back-Gate Voltage Stress, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 第 2 作者
(40) Hot-carrier effects on irradiated deep submicron NMOSFET, Journal of Semiconductors, 2014, 第 1 作者
(41) Online and offline test method of total dose radiation damage on static random access memory, ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 第 3 作者
(42) 总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究, 物理学报, 2013, 第 3 作者
(43) 3d simulation of heavy ion induced charge collection of single event effects in sige heteroj unction bipolar transistor, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 5 作者
(44) Total ionizing dose effects on 12-bit CBCMOS digital-to-analog converters, Journal of Semiconductors, 2013, 第 7 作者
(45) 12位LC~2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应, Total Ionizing Dose Effect on 12-bit LC2MOS Digital-to-analog Converter, 原子能科学技术, 2013, 第 7 作者
(46) 串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性, 物理学报, 2013, 第 6 作者
(47) 锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟, Influencing factors of SiGe heterojunction bipolar transistor single-event effect in laser microbeam simulation test, 强激光与粒子束, 2013, 第 5 作者
(48) Research on sram functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 3 作者
(49) 不同规模SRAM辐射损伤效应的研究, 微电子学, 2013, 第 4 作者
(50) Serial ferroelectric memory ionizing radiation effects and annealing characteristics, ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 第 6 作者
(51) Degradation of the front and back channels in a deep submicron partially depleted SOI NMOSFET under off-state stress, Journal of Semiconductors, 2013, 第 3 作者
(52) Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array, Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array, 半导体学报, 2012, 第 6 作者
(53) Research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory, ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 第 5 作者
(54) 部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究, Research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory, 物理学报, 2012, 第 5 作者
(55) Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array, Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array, 半导体学报, 2012, 第 6 作者
(56) Total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs, Total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs, 半导体学报, 2012, 第 1 作者
(57) 超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应, 第十届全国博士生学术年会, 2012, 第 3 作者
(58) 静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究, Research on Total Dose Irradiation and Annealing Effect of Static Random Access Memory, 原子能科学技术, 2012, 第 6 作者
(59) Total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs, Total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs, 半导体学报, 2012, 第 1 作者
(60) 沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响, The influence of channel size on total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFET, 物理学报, 2012, 第 1 作者
(61) 星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究, 2012, 第 1 作者
(62) 不同偏置下CMOSSRAM辐射损伤效应, Total dose irradiation effects of CMOS SRAM under different bias conditions, 核技术, 2012, 第 5 作者
(63) RELATIONSHIP BETWEEN SILICON-ON-INSULATOR KINK AND RADIATION EFFECTS, INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS E, 2011, 通讯作者
(64) Double humps and radiation effects of SOI NMOSFET, Double humps and radiation effects of SOI NMOSFET, 半导体学报, 2011, 第 7 作者
(65) PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究, Research on total dose irradiation and annealing effects of PDSOI CMOS SRAM, 核技术, 2011, 第 5 作者
(66) 静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究, Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array, 物理学报, 2011, 第 5 作者
(67) 不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应, Radiation Response of NPN Bipolar Transistors at Various Emitter Junction Biases, 原子能科学技术, 2011, 第11作者
(68) 新型PAGAT聚合物凝胶剂量计的磁共振成像研究, Magnetic Resonance Imaging Study of New PAGAT Polymer Gel Dosimeter, 原子能科学技术, 2011, 第 7 作者
(69) 不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应, Total Dose Irradiation Effects of CMOS SRAM Under Different Bias Conditions, 微电子学, 2011, 第 7 作者
(70) 星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究, Total Ionizing Dose Effects of DC-DC Power Converter Used in Satellite, 原子能科学技术, 2011, 第 6 作者
(71) Double humps and radiation effects of SOI NMOSFET, Double humps and radiation effects of SOI NMOSFET, 半导体学报, 2011, 第 1 作者
(72) Radiation response of npn bipolar transistors at various emitter junction biases, Yuanzineng Kexue Jishu/Atomic Energy Science and Technology, 2011, 第11作者
(73) Theorical model of enhanced low dose rate sensitivity observed in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 第 4 作者
(74) 深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究, 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议, 2011, 第 1 作者
(75) p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究, 物理学报, 2011, 第 4 作者
(76) Magnetic Resonance Imaging Study of New PAGAT Polymer Gel Dosimeter, Atomic Energy Science and Technology, 2011, 第 7 作者
(77) SOI晶体管翘曲效应和总剂量效应的关联研究, International Journal of Modern Physics E, 2011, 第 1 作者
(78) 变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用, Application of Accelerated Simulation Method on NPN Bipolar Transistors of Different Technology, 原子能科学技术, 2010, 第 9 作者
(79) Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应, Total-dose irradiation damage and annealing behavior of Altera SRAM-based FPGA, 强激光与粒子束, 2010, 第 8 作者
(80) Total ionizing dose effects and annealing behavior for domestic VDMOS devices, Total ionizing dose effects and annealing behavior for domestic VDMOS devices, 半导体学报, 2010, 第 7 作者
(81) 不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响, The low dose rate radiation response of NPN bipolar transistors under different bias, 核技术, 2010, 第11作者
(82) 不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应, Radiation Effects of 10-bit CMOS Analog to Digital Converters Under Different Bias Conditions, 原子能科学技术, 2010, 第 9 作者
(83) Dose-rate effects of p-channel metal oxide semiconductor field-effect transistors at various biasing conditions, Dose-rate effects of p-channel metal oxide semiconductor field-effect transistors at various biasing conditions, 半导体学报, 2010, 第 4 作者
(84) 不同型号PMOSFETS的剂量率效应研究, Dose-rate effects on PMOSFETs of various types, 核技术, 2010, 第 4 作者
(85) PAGAT型聚合物凝胶剂量计的高熔点优化, An Improvement for Polymer Gel Dosimeter of Type PAGAT, 核电子学与探测技术, 2010, 第 6 作者
(86) CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究, Research on the Total Dose Irradiation and Annealing Effects of CMOS SRAM, 核电子学与探测技术, 2010, 第 6 作者
(87) Ionizing radiation effect on 10-bit bipolar A/D converter, NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2010, 第 9 作者
(88) 国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性, Total Dose Irradiation Effect and Reliability of Domestic Partially-Depleted SOI MOSFET, 原子能科学技术, 2010, 第 1 作者
(89) 国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究, Total Dose Irradiation and Annealing Effects of Domestic Partially-Depleted SOI PMOSFET, 原子能科学技术, 2010, 第 1 作者
(90) Total ionizing dose effects and annealing behavior for domestic VDMOS devices, Total ionizing dose effects and annealing behavior for domestic VDMOS devices, 半导体学报, 2010, 第 7 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 浅槽隔离氧化物陷阱电荷剂量率效应机制, 负责人, 国家任务, 2016-01--2018-12
( 2 ) 重离子辐照后栅介质可靠性研究, 负责人, 中国科学院计划, 2016-06--2018-05
( 3 ) 青年创新促进会项目, 负责人, 中国科学院计划, 2018-01--2021-12
( 4 ) 器件研制过程的总剂量效应评估, 参与, 中国科学院计划, 2016-08--2018-06
( 5 ) 微纳器件在空间不同效应作用下的损伤机制研究, 参与, 国家任务, 2015-01--2018-12
( 6 ) 电离总剂量辐射效应模拟试验研究, 参与, 国家任务, 2016-01--2020-12
( 7 ) 纳米SOI器件总剂量效应与可靠性研究, 参与, 中国科学院计划, 2015-09--2019-06
( 8 ) 材料评估技术, 负责人, 中国科学院计划, 2019-01--2020-12
( 9 ) 先进器件总剂量效应, 负责人, 中国科学院计划, 2019-09--2023-08
( 10 ) 标准单元库总剂量效应建模技术, 负责人, 国家任务, 2020-01--2021-12
( 11 ) 商用电子元器件抗辐射能力预估技术, 负责人, 国家任务, 2021-11--2023-10