080903-微电子学与固体电子学

半导体器件辐射效应与机理
空间辐射环境探测技术

2011-09--2017-06   中科院院大学   博士学位
2006-10--2008-05   中国科学院新疆理化技术研究所   联合培养 硕士
2005-09--2008-06   新疆大学   硕士
2001-09--2005-06   新疆大学   学士

   

2021-10~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 研究员
2015-10~2021-09,中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员
2011-09~2017-06,中科院院大学, 博士学位
2008-07~2015-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员
2006-10~2008-05,中国科学院新疆理化技术研究所, 联合培养 硕士
2005-09~2008-06,新疆大学, 硕士
2001-09~2005-06,新疆大学, 学士

2020-01-01-今,辐射研究与辐射工艺学报, 编委

   

（1） 纳米集成电路辐射效应评估关键技术及应用, 一等奖, 省级, 2021
（2） 星用双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究, 一等奖, 省级, 2015
（3） 星用器件电子书辐照效应模拟试验平台及其应用, 一等奖, 省级, 2014

（ 1 ） 一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115113012A

（ 2 ） 一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113568028A

（ 3 ） 一种PMOS剂量计零温度系数测量及抑制方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113484902A

（ 4 ） 一种基于脉冲激光的模拟电路单粒子瞬态等效方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113156301A

（ 5 ） 一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113156302A

（ 6 ） 一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111008506A

（ 7 ） 一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110910946A

（ 8 ） 一种基于PMOS剂量计的多点测量方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110221336A

（ 9 ） 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108037438A

（ 10 ） 一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106802427A

（ 11 ） 一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统, 2015, 第 10 作者, 专利号: CN104853117A

（ 12 ） 基于p-i-n结构的位移损伤剂量探测方法, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104459372A

（ 13 ） 一种电子加速器及实现电子束低注量环境的方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103983874A

（ 14 ） 一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103971752A

（ 15 ） 一种用于横向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103926519A

（ 16 ） 基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法, 2014, 第 9 作者, 专利号: CN103645430A

   

（1） Total ionizing dose effects of 60Co-γ ray radiation on SiC MOSFETs with different gate oxide thickness, Total ionizing dose effects of 60Co-�� ray radiation on SiC MOSFETs with different gate oxide thickness, Radiation Effects and Defects in Solids, 2023, 第 3 作者
（2） 浮栅晶体管的辐照响应及退火特性研究, 固体电子学研究与进展, 2023, 第 2 作者
（3） Total ionizing dose effects of 60Co-γ ray radiation on SiC MOSFETs with different gate oxide thickness, Total ionizing dose effects of 60Co-�� ray radiation on SiC MOSFETs with different gate oxide thickness, Radiation Effects and Defects in Solids, 2023, 第 3 作者
（4） 质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究, 核技术, 2022, 第 2 作者
（5） PMOS剂量计对^（60）Co和10 keV光子的剂量响应差异, Difference of dose response of PMOS dosimeter to photons of ^(60)Co and 10 keV photons, 太赫兹科学与电子信息学报, 2022, 第 3 作者
（6） 碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较, Static and Dynamic Radiation Damage of Silicon Carbide VDMOS and Their Comparison, 原子能科学技术, 2022, 第 6 作者
（7） P型金属氧化物半导体（PMOS）剂量计探头的差分工作电路技术, 辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 第 2 作者
（8） 高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究, 原子能科学技术, 2021, 第 2 作者  通讯作者
（9） 双极运算放大器LM158电离总剂量与重离子协同辐射效应研究, Synergistic effect of total ionization dose and single event transient in bipolar operational amplifier LM158, 核技术, 2021, 第 8 作者
（10） 模拟数字转换器AD574总剂量和单粒子翻转的协合效应, Synergistic effect of total ionizing dose and single-event upset in the analog/digital converterAD 574, 辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 第 8 作者
（11） 平衡材料对双极器件电离总剂量效应的影响, The Impact of Equilibrium Material on the Total Ionization Dose Effect of Bipolar Devices, 电子学报, 2020, 第 7 作者
（12） Study of the influence of gamma irradiation on long-term reliability of SiC MOSFET, RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 第 6 作者
（13） 双极电压比较器LM311电离总剂量与单粒子瞬态协同效应研究, Synergistic Effect of Ionization Total Dose and Single Particle Transient in Bipolar Voltage Comparator LM311, 电子学报, 2020, 第 8 作者
（14） Synergistic effect of enhanced low-dose-rate sensitivity and single event transient in bipolar voltage comparator LM139, JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 7 作者
（15） 基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究, Radiation response characteristics of an embeddable SOI radiation sensor, 核技术, 2019, 第 1 作者
（16） Using a Temperature-Switching Approach to Evaluate Low-Dose-Rate Ionizing Radiation Effects on SET in Linear Bipolar Circuits, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 第 9 作者
（17） Estimation of low-dose-rate degradation on bipolar linear circuits using different accelerated evaluation methods, ACTAPHYSICASINICA, 2018, 第 6 作者
（18） Estimation of enhanced low dose rate sensitivity mechanisms using temperature switching irradiation on gate-controlled lateral PNP transistor, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 6 作者
（19） Simulation of Synergism Effect Using Temperature Switching Irradiation on Bipolar Comparator, Simulation of Synergism Effect Using Temperature Switching Irradiation on Bipolar Comparator, 中国物理快报(英文版), 2018, 第 5 作者
（20） Simulation of Synergism Effect Using Temperature Switching Irradiation on Bipolar Comparator, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 第 5 作者
（21） 发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响, Dependence of emitter size on dose rate effect of double polysilicon self-aligned bipolar transistors, 核技术, 2018, 第 7 作者
（22） 国产双极晶体管不同温度辐照下界面陷阱演化机制, Evolution Mechanism of Interface Traps of Domestic Bipolar Transistors at Different Temperatures Irradiation, 环境技术, 2018, 第 7 作者
（23） 辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真, 现代应用物理, 2017, 第 5 作者
（24） Characteristics of p-i-n diodes basing on displacement damage detector, RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2017, 第 1 作者
（25） 辐照温度对双极线性稳压器的辐射效应影响, 核技术, 2016, 第 1 作者
（26） 高能56Fe离子入射屏蔽材料的次级粒子模拟分析, 核技术, 2016, 第 5 作者
（27） 深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应, 微电子学, 2015, 第 4 作者
（28） 电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应, Total Ionizing Dose Effects Induced by Electron in Deep Submicron MOS Devices, 微电子学, 2015, 第 4 作者
（29） 0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应, 发光学报, 2015, 第 6 作者
（30） CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应, 强激光与粒子束, 2015, 第 5 作者
（31） 60Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究, 物理学报, 2014, 第 7 作者
（32） Research on dark signal degradation in Co-60 gamma-ray-irradiated CMOS active pixel sensor, ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 第 7 作者
（33） Online and offline test method of total dose radiation damage on static random access memory, ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 第 6 作者
（34） 双极电压比较器低剂量率辐照损伤增强效应的变温辐照加速评估方法, Accelerated Evaluation Method of Temperature Switching Irradiation for ELDRS of Bipolar Voltage Comparator, 原子能科学技术, 2014, 第 1 作者
（35） 大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法, Non-destructive screening method for radiation hardened performance of large scale integration, 强激光与粒子束, 2013, 第 6 作者
（36） PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究, Research on Enhanced Low Dose Rate Sensitivity Effect for PMOSFET Used in Space Dosimeter, 原子能科学技术, 2013, 第 7 作者
（37） 氧化层厚度对NPN双极管辐射损伤的影响, Effect of oxides thickness on radiation damage to NPN bipolar transistors, 核技术, 2012, 第 7 作者
（38） Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array, Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array, 半导体学报, 2012, 第 5 作者
（39） 中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷, Use the subthreshold-current technique to separate radiation induced defects in gate controlled lateral pnp bipolar transistors, 物理学报, 2012, 第 7 作者
（40） Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array, Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array, 半导体学报, 2012, 第 5 作者
（41） 栅控横向PNP双极晶体管电离辐射效应, NUCLEAR TECHNIQUES, 2012, 第 7 作者
（42） 氧化层厚度对NPN双极晶体管辐射损伤的影响, 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议, 2011, 第 7 作者
（43） Total ionizing dose effects and annealing behavior for domestic VDMOS devices, Total ionizing dose effects and annealing behavior for domestic VDMOS devices, 半导体学报, 2010, 第 6 作者
（44） Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应, Total-dose irradiation damage and annealing behavior of Altera SRAM-based FPGA, 强激光与粒子束, 2010, 第 6 作者
（45） Dose-rate effects of p-channel metal oxide semiconductor field-effect transistors at various biasing conditions, Dose-rate effects of p-channel metal oxide semiconductor field-effect transistors at various biasing conditions, 半导体学报, 2010, 第 3 作者
（46） 不同型号PMOSFETS的剂量率效应研究, Dose-rate effects on PMOSFETs of various types, 核技术, 2010, 第 3 作者
（47） Total ionizing dose effects and annealing behavior for domestic VDMOS devices, Total ionizing dose effects and annealing behavior for domestic VDMOS devices, 半导体学报, 2010, 第 6 作者
（48） 电子元器件屏蔽封装材料的屏蔽效果, Effectiveness of Electronic Device Shielded Packages, 新疆大学学报：自然科学版, 2008, 第 5 作者

   

（ 1 ） 高灵敏、宽量程的新型空间辐射剂量计研制, 负责人, 地方任务, 2024-03--2027-03
（ 2 ） 探测系统在轨性能保证关键技术, 参与, 中国科学院计划, 2024-01--2025-12
（ 3 ） 浮栅结构辐射剂量计的测量技术, 负责人, 中国科学院计划, 2021-09--2025-08
（ 4 ） 先进浮栅辐射剂量计研制过程中的关键科学技术问题研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2023-12
（ 5 ） PMOS剂量计的辐照效应特性研究, 负责人, 地方任务, 2017-11--2020-12
（ 6 ） 基于半导体辐射效应的空间环境剂量在轨探测新技术研究, 负责人, 中国科学院计划, 2017-09--2022-09
（ 7 ） 环境温度、剂量率对PMOS剂量计辐射响应特性的影响机制, 负责人, 国家任务, 2017-01--2019-12
（ 8 ） 超低剂量率辐射环境中双极晶体管的辐射损伤效应研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2019-12
（ 9 ） 低剂量率辐照损伤效应研究, 负责人, 境内委托项目, 2016-01--2020-12