基本信息
孙静  女  硕导  中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件: sunjing@ms.xjb.ac.cn
通信地址: 乌鲁木齐市北京南路40-1号
邮政编码: 830011

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体器件辐射效应与机理
空间辐射环境探测技术

教育背景

2011-09--2017-06   中科院院大学   博士学位
2006-10--2008-05   中国科学院新疆理化技术研究所   联合培养 硕士
2005-09--2008-06   新疆大学   硕士
2001-09--2005-06   新疆大学   学士

工作经历

   
工作简历
2021-10~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 研究员
2015-10~2021-09,中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员
2011-09~2017-06,中科院院大学, 博士学位
2008-07~2015-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员
2006-10~2008-05,中国科学院新疆理化技术研究所, 联合培养 硕士
2005-09~2008-06,新疆大学, 硕士
2001-09~2005-06,新疆大学, 学士
社会兼职
2016-10-20-今,新疆核学会, 秘书长

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 纳米集成电路辐射效应评估关键技术及应用, 一等奖, 省级, 2021
(2) 星用双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究, 一等奖, 省级, 2015
(3) 星用器件电子书辐照效应模拟试验平台及其应用, 一等奖, 省级, 2014
专利成果
( 1 ) 一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201611177450.3

出版信息

   
发表论文
(1) Characteristics of p-i-n diodes basing on displacement damage detector, Radiation Physics and Chemistry, 2017, 第 1 作者
(2) 辐照温度对双极线性稳压器的辐射效应影响, 核技术, 2016, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 环境温度、剂量率对PMOS剂量计辐射响应特性的影响机制, 负责人, 国家任务, 2017-01--2019-12
( 2 ) 超低剂量率辐射环境中双极晶体管的辐射损伤效应研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2019-12
( 3 ) 低剂量率辐照损伤效应研究, 负责人, 企业委托, 2016-01--2020-12
( 4 ) PMOS剂量计的辐照效应特性研究, 负责人, 地方任务, 2017-11--2020-12
( 5 ) 基于半导体辐射效应的空间环境剂量在轨探测新技术研究, 负责人, 中国科学院计划, 2017-09--2022-09
( 6 ) 先进浮栅辐射剂量计研制过程中的关键科学技术问题研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2023-12