基本信息
俞文杰  男  博导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: casan@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号5号楼709室
邮政编码: 200050

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
先进SOI材料,SOI高迁移率器件,SOI抗辐照器件,集成电路材料基因组

教育背景

2009-09--2011-06   德国于利希研究中心(Forschungszentrum Juelich)   联合培养博士生
2005-09--2011-06   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   研究生/博士
2001-09--2005-06   复旦大学   本科/学士

工作经历

   
工作简历
2011-06~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员、副研究员、研究员
2011-06~2011-08,德国于利希研究中心(Forschungszentrum Juelich), 访问学者
2009-09~2011-06,德国于利希研究中心(Forschungszentrum Juelich), 联合培养博士生
2005-09~2011-06,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究生/博士
2001-09~2005-06,复旦大学, 本科/学士
~现在, 

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 基于图形化SOI衬底的抗辐照晶体管及其制作方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN109935628B

( 2 ) 改善自热效应的SOI器件及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111986996A

( 3 ) 具有纳米级空腔结构的SOI衬底及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111952240A

( 4 ) 具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111952183A

( 5 ) 具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111952238A

( 6 ) 减少侧边漏电的SOI场效应晶体管及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111952182A

( 7 ) 具有隔离层的场效应晶体管及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111952188A

( 8 ) 可降低对准难度的SOI器件及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111952185A

( 9 ) 具有隔离层的鳍式场效应晶体管及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111952181A

( 10 ) 具有漏电屏蔽结构的SOI场效应晶体管及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111952187A

( 11 ) 基于空腔包围结构的环形栅场效应晶体管及制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111952189A

( 12 ) 具有空腔结构的半导体衬底及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111952239A

( 13 ) 具有辅助支撑结构的半导体衬底及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111952241A

( 14 ) 基于空腔包围结构的场效应晶体管及制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111952186A

( 15 ) 基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111952184A

( 16 ) 高通量气相沉积设备及气相沉积方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110408910B

( 17 ) 利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属-半导体合金的方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN106711019B

( 18 ) 高通量薄膜沉积设备及薄膜沉积方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110306160A

( 19 ) 用于射频与CMOS电路共集成的绝缘体上硅衬底及制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN105810694B

( 20 ) 基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN105914445B

( 21 ) SiGeSn材料及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN106328502B

( 22 ) 一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN105895575B

( 23 ) 基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN105789189B

( 24 ) 场效应晶体管结构及其制备方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN107871780A

( 25 ) 基于绝缘体上硅衬底的射频电容元件及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105895507A

( 26 ) 一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105633002A

( 27 ) 一种绝缘体岛上硅衬底材料及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105633001A

( 28 ) 一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105633084A

( 29 ) 一种绝缘体岛上硅衬底材料及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105552019A

( 30 ) 一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105428358A

( 31 ) 一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105390495A

( 32 ) 基于sSi/SiGe/sSOI衬底的CMOS器件及其制作方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN105097846A

( 33 ) 基于Si/SiGe/Si量子阱MOSFET的生物传感器及其制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104730111A

( 34 ) 基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104730137A

( 35 ) 基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104713931A

( 36 ) 一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103558279A

( 37 ) 一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103558280A

( 38 ) 一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103560152A

( 39 ) 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103560153A

( 40 ) 一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103558254A

( 41 ) 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi 2 衬底材料及其制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103137546A

( 42 ) 一种绝缘体上Si/NiSi 2 衬底材料及其制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103137547A

( 43 ) 一种绝缘体上Si/CoSi 2 衬底材料及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103137539A

( 44 ) 一种图形化绝缘体上Si/NiSi 2 衬底材料及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103137538A

( 45 ) 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi 2 衬底材料及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103137537A

( 46 ) 一种图形化绝缘体上Si/CoSi 2 衬底材料及其制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103137565A

出版信息

   
发表论文
(1) Suspended MoS2 Photodetector Using Patterned Sapphire Substrate, SMALL, 2021, 第 8 作者
(2) High-Performance MoS2 Photodetectors Prepared Using a Patterned Gallium Nitride Substrate, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 第 6 作者
(3) Chlororespiration protects the photosynthetic apparatus against photoinhibition by alleviating inhibition of photodamaged-PSII repair in Haematococcus pluvialis at the green motile stage, ALGAL RESEARCH-BIOMASS BIOFUELS AND BIOPRODUCTS, 2021, 第 2 作者
(4) 基于杂质分凝技术的隧穿场效应晶体管电流镜, 半导体技术, 2021, 第 7 作者
(5) Gate-All-Around MOSFET Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 通讯作者
(6) DFT and Raman study of all-trans astaxanthin optical isomers, SPECTROCHIMICA ACTA PART A-MOLECULAR AND BIOMOLECULAR SPECTROSCOPY, 2021, 第 3 作者
(7) 2D III-Nitride Materials: Properties, Growth, and Applications, ADVANCED MATERIALS, 2021, 第 9 作者
(8) Dietary Haematococcus pluvialis powder supplementation affect carotenoid content, astaxanthin isomer, antioxidant capacity and immune-related gene expression in Pacific white shrimp, Litopenaeus vannamei, AQUACULTURE RESEARCH, 2021, 第 1 作者
(9) Exogenous sodium fumarate enhances astaxanthin accumulation in Haematococcus pluvialis by enhancing the respiratory metabolic pathway, BIORESOURCE TECHNOLOGY, 2021, 第 1 作者
(10) Reaction of titanium-modulated nickel with germanium-tin under microwave and rapid thermal annealing, ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 第 7 作者
(11) Astaxanthin isomers: Selective distribution and isomerization in aquatic animals, AQUACULTURE, 2020, 第 1 作者
(12) Comparison of effect of dietary supplementation with Haematococcus pluvialis powder and synthetic astaxanthin on carotenoid composition, concentration, esterification degree and astaxanthin isomers in ovaries, hepatopancreas, carapace, epithelium of adult female Chinese mitten crab (Eriocheir sinensis), AQUACULTURE, 2020, 第 2 作者
(13) Phase evolution of ultra-thin Ni silicide films on CF4 plasma immersion ion implanted Si, NANOTECHNOLOGY, 2020, 通讯作者
(14) Formation of uniform and homogeneous ternary NiSi2-xAlx on Si(001) by an Al interlayer mediation, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2020, 第 5 作者
(15) Strain enhancement for a MoS2-on-GaN photodetector with an Al2O3 stress liner grown by atomic layer deposition, Strain enhancement for a MoS2-on-GaN photodetector with an Al2O3 stress liner grown by atomic layer deposition, PHOTONICS RESEARCH, 2020, 第 5 作者
(16) Evidence for ferromagnetic order in the CoSb layer of LaCoSb2, PHYSICAL REVIEW B, 2020, 第 9 作者
(17) Artificial Carbon Graphdiyne: Status and Challenges in Nonlinear Photonic and Optoelectronic Applications, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 5 作者
(18) 基于铁电材料的人工突触器件的研究进展, Research progress of artificial synaptic devices based on ferroelectric materials, 功能材料与器件学报, 2020, 第 6 作者
(19) Monolithic integration of MoS2-based visible detectors and GaN-based UV detectors, PHOTONICS RESEARCH, 2019, 第 7 作者
(20) Realization of wafer-scale nanogratings with sub-50 nm period through vacancy epitaxy, Nature Communications, 2019, 其他(合作组作者)
(21) A T-Shaped SOI Tunneling Field-Effect Transistor With Novel Operation Modes, IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2019, 通讯作者
(22) Wafer-Scale Fabrication of 42 degrees Rotated Y-Cut LiTaO3-on-Insulator (LTOI) Substrate for a SAW Resonator, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 第 15 作者
(23) 基于FDSOI的TFET和MOSFET总剂量效应仿真, Simulation of Total Ionizing Dose Effect in Tunneling- FET and MOSFET Based on FDSOI, 半导体技术, 2019, 第 6 作者
(24) 3d local manipulation of the metal-insulator transition behavior in vo2 thin film by defect-induced lattice engineering, ADVANCED MATERIALS INTERFACES, 2018, 第 9 作者
(25) High-K substrate effect on thermal properties of 2D InSe few layer, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 第 8 作者
(26) Band alignment of In2O3/beta-Ga2O3 interface determined by X-ray photoelectron spectroscopy, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 第 8 作者
(27) Improvement of Nickel-Stanogermanide Contact Properties by Platinum Interlayer, Improvement of Nickel-Stanogermanide Contact Properties by Platinum Interlayer, 中国物理快报:英文版, 2018, 第 7 作者
(28) Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties, Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties, 纳米研究:英文版, 2018, 第 13 作者
(29) 杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响, Influence of Impurity Adsorption on Electrical Properties of Back-Gated MoS2 Field Effect Transistors, 电子器件, 2018, 第 6 作者
(30) 具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS_2 /SiO_2场效应晶体管, 86 mV/dec subthreshold swing of back-gated MoS_2 FET on SiO_2, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2017, 通讯作者
(31) Experimental I-V and C-V Analysis of Schottky-Barrier Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors with Epitaxial NiSi2 Contacts and Dopant Segregation, Experimental I-V and C-V Analysis of Schottky-Barrier Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors with Epitaxial NiSi2 Contacts and Dopant Segregation, 中国物理快报:英文版, 2017, 第 6 作者
(32) Monolayer WxMo1-xS2 Grown by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition: Bandgap Engineering and Field Effect Transistors, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2017, 第 3 作者
(33) Experimental I-V and C-V Analysis of Schottky Barrier MOSFETs with Epitaxial NiSi2 Contacts and Dopant Segregation, Chinese Physics Letters, 2017, 通讯作者
(34) Ion-sensitive field-effect transistor with ssi/si0.5ge0.5/ssoi quantum-well for high voltage sensitivity, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 通讯作者
(35) Investigation of coulomb scattering on ssi/si0.5ge0.5/ssoi quantum-well p-mosfets, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 通讯作者
(36) 700℃退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理, Mechanism of NiSi_(0.7)Ge_(0.3) epitaxial growth by Al interlayer mediation at 700 ℃, 物理学报, 2016, 第 5 作者
(37) Band alignment of atomic layer deposited high-k Al2O3/multilayer MoS2 interface determined by X-ray photoelectron spectroscopy, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 通讯作者
(38) Growth and fabrication of semi-polar InGaN/GaN multi-quantum well light-emitting diodes on microstructured Si (001) substrates, CHINESE PHYSICS B, 2015, 第 6 作者
(39) AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor with Polarized P(VDF-TrFE) Ferroelectric Polymer Gating, SCIENTIFIC REPORTS, 2015, 第 3 作者
(40) 高锡含量锗锡合金和镍反应的形貌研究, Morphology research of high Sn concentration GeSn alloy reacted with Nickel, 功能材料与器件学报, 2015, 第 5 作者
(41) Band alignment of HfO2/multilayer MoS2 interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy: Effect of CHF3 treatment, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 8 作者
(42) High performance strained Si0.5Ge0.5 quantum-well p-MOSFETs fabricated using a high-k/metal-gate last process, Superlattices and Microstructures, 2015, 通讯作者
(43) Experimental Investigation on Alloy Scattering in sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI Quantum-Well p-MOSFET, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2014, 第 1 作者
(44) Experimental Study on NBTI Degradation Behaviors in Si pMOSFETs Under Compressive and Tensile Strains, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 第 4 作者
(45) Equivalent Trap Energy Level Extraction for SiGe Using Gate-Induced-Drain-Leakage Current Analysis, Equivalent Trap Energy Level Extraction for SiGe Using Gate-Induced-Drain-Leakage Current Analysis, 中国物理快报:英文版, 2014, 第 2 作者
(46) Impact of Si cap, strain and temperature on the hole mobility of (s)Si/sSiGe/(s)SOI quantum-well p-MOSFETs, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2014, 
(47) 热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散, Ge Inter-diffusion in Si/SiGe/Si Hetero-structure during Thermal Processing, 功能材料与器件学报, 2014, 第 3 作者
(48) High Voltage AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors with RegrownIn0.14Ga0.86N Contact Using a Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Compatible Gold-Free Process, Applied Physics Express, 2014, 通讯作者
(49) Mobility Enhancement and Gate-Induced-Drain-Leakage Analysis of Strained-SiGe Channel p-MOSFETs with Higher-k LaLuO_3 Gate Dielectric, Chinese Physics Letters, 2014, 第 1 作者
(50) C~+离子注入SiGe衬底提高NiSiGe表面和界面特性研究, Improved NiSiGe Surface and Interface Morphologies on C Pre - implanted SiGe, 功能材料与器件学报, 2013, 第 2 作者
(51) Hole mobility of Si/Si0.5Ge0.5 quantum-well transistor on SOI and strained SOI, IEEE Electron Device Letters, 2012, 第 1 作者
(52) High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-κ/Metal-Gate, Solid State Electronics, 2011, 第 1 作者
(53) PDSOI MOS器件总剂量辐射效应和FDSOI高迁移率MOS器件研究, 2011, 第 1 作者
(54) 硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固, Total Dose Radiation Hardening Process for SIMOX material with Si Nanocrystals Formed by Si Ion Implantation, 功能材料与器件学报, 2011, 第 3 作者
(55) 浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展, Single event effect in floating gate memories, 功能材料与器件学报, 2010, 第 7 作者
(56) 用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力, 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集, 2009, 第 4 作者
(57) 浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展, 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集, 2009, 第 6 作者
(58) 注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响, 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集, 2009, 第 3 作者
(59) 应用于抗辐照SRAM的地址转换监控电路的设计, 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集, 2009, 第 4 作者
(60) SOI器件总剂量辐射效应研究进展, 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集, 2009, 第 1 作者
(61) Total dose radiation effects on SOI NMOS transistors with different layouts, Total dose radiation effects on SOI NMOS transistors with different layouts, 中国物理C:英文版, 2008, 第 4 作者
(62) Total dose radiation effects on SOINMOS transistors with different layouts, CHINESE PHYSICS C, 2008, 第 4 作者
(63) 部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系(英文), 高能物理与核物理, 2007, 第 1 作者
(64) 部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态, Worst- Case Bias during Total Dose Radiation of Partially Depleted SOI MOSFET, 功能材料与器件学报, 2007, 第 1 作者
(65) SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与^60Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对, Saturation of back - gate threshold voltage shift in SOI NMOS transistors at high total dose for X -ray and ^60Co irradiations, 功能材料与器件学报, 2007, 第 5 作者
(66) 利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能(英文), 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(2), 2007, 第 1 作者
(67) 部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系, Bias Dependence of Total Dose Effect of Partially Depleted SOI MOSFET, 高能物理与核物理, 2007, 第 1 作者
(68) 注硅对SIMOX材料性能影响的研究, 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集, 2007, 第 5 作者
(69) 部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态(英文), 功能材料与器件学报, 2007, 第 1 作者
(70) 总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布, 第六届中国功能材料及其应用学术会议, 2007, 第 3 作者
(71) 利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能, Improved SOI material by Si ion implantation for radiation protection, 功能材料, 2007, 第 1 作者
(72) 注硅对SIMOX材料性能影响的研究, A Study on the effect of silicon implantation on SIMOX SOI, 功能材料, 2007, 第 5 作者
(73) 总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布, Trapped charge buildup during total dose irradiation of SOI MOSFET, 功能材料, 2007, 第 3 作者
(74) SOI NMOSFET总剂量辐射效应偏置依赖关系的模拟, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 1 作者
发表著作
( 1 ) 集成电路材料基因组技术, 电子工业出版社, 2021-12, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 无背栅 SOI MOS 器件研制及其抗总剂量辐射效应机理研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2020-12
( 2 ) 纳米级全耗尽高迁移率应变硅锗量子阱沟道器件研究, 负责人, 地方任务, 2012-10--2015-09
( 3 ) 高迁移率Si/SiGe/SOI 量子阱MOS器件载流子散射机理研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
( 4 ) 中国科学院“青年创新促进会”项目, 负责人, 中国科学院计划, 2014-01--2017-12
( 5 ) 16/14nm基础技术研究 绝缘体上III-V族化合物衬底材料制备技术研究, 参与, 中国科学院计划, 2013-01--2014-12
( 6 ) 面向超灵敏探测的异质集成研究, 负责人, 中国科学院计划, 2016-07--2021-06
( 7 ) 集成电路材料基因组关键技术研究与应用示范, 负责人, 地方任务, 2020-08--2022-07
( 8 ) 略, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12
参与会议
(1)High Hole Mobility Si/SiGe/SOI Quantum-well Transistor   2015-10-24
(2)High Hole Mobility (s)Si/SiGe/(s)SOI Quantum Well p-MOSFETs   第八届中国功能材料及应用学术会议   2013-08-24
(3)Characteristics of higher-κ dielectric LaLuO3 with TiN as gate stack   2012-10-29
(4)Hole mobility enhancement of quantum-well p-MOSFETs on sSi/sSi0.5Ge0.5/sSOI heterostructure   2012-05-14
(5)High Mobility Si/Si0.5Ge0.5/strained SOI p-MOSFET with HfO2/TiN Gate Stack   2010-11-01