基本信息
张波  男  硕导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: bozhang@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号5号楼十楼
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体材料与器件

教育背景

2009-09--2011-08   德国Juelich研究中心   合作研究
2007-09--2011-05   中科院上海微系统所   攻读博士学位
2004-09--2007-03   华中科技大学   攻读硕士学位

工作经历

   
工作简历
2013-12~现在, 中科院上海微系统所, 副研究员
2011-09~2013-12,中科院上海微系统所, 助理研究员
2009-09~2011-08,德国Juelich研究中心, 合作研究
2007-09~2011-05,中科院上海微系统所, 攻读博士学位
2004-09~2007-03,华中科技大学, 攻读硕士学位

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN 102820253

出版信息

   
发表论文
(1) 微波退火和快速热退火下钛调制镍与锗锡反应的研究, 物理学报, 2021, 通讯作者
(2) 700◦C退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理, 物理学报, 2016, 通讯作者
(3) Impact of an ultra-thin Ti interlayer on the formation of NiSiGe/SiGe, Microelectronic Engineering, 2015, 第 1 作者
(4) Effect of Sn implantation on thermal stability improvement of NiSiGe, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2015, 第 1 作者
(5) Improvementof NiSiGe/SiGe Interface Morphology by Ti Incorporation, 2014 IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2014, 通讯作者
(6) Effect of Ti interlayer on the formation of epitaxial NiSiGe on strained Si0.8Ge0.2, 14th International Workshop on Junction Technology, 2014, 通讯作者
(7) Formation of High-oriented Epitaxial Ni(SiGe) on Strained SiGe/Si(100) via Adding a Thin Ti Interlayer, ECS Transactions, 2014, 通讯作者
(8) Effects of C ion implantation on electrical properties of NiSiGe/SiGe contacts, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, 2013, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 铝调制外延生长单晶镍硅锗化物及形成机理的研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
( 2 ) 高迁移率全耗尽绝缘体上SiGe材料研究, 负责人, 中国科学院计划, 2014-01--2016-12
( 3 ) 情报分析可持续服务能力建设, 负责人, 中国科学院计划, 2015-01--2016-12
( 4 ) 中科院上海微系统所双创示范基地“超越摩尔”支撑平台建设, 负责人, 国家任务, 2019-01--2020-12
( 5 ) 中科院上海微系统所技术转移服务机构示范, 负责人, 地方任务, 2019-06--2020-06
( 6 ) 中科院高端硅基材料工程实验室, 参与, 中国科学院计划, 2020-07--2023-06