基本信息

刘海南 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件: liuhainan@ime.ac.cn
通信地址: 北京朝阳区北土城西路3号
邮政编码:
电子邮件: liuhainan@ime.ac.cn
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
高可靠性器件与集成技术,高可靠集成电路设计技术
教育背景
2001-09--2004-07 中国科学院微电子研究所 硕士
工作经历
工作简历
2022-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师(正研级)2018-05~2022-04,中国科学院微电子研究所, 副主任、高级工程师(正研级)2015-10~2018-05,中国科学院微电子研究所, 副主任2004-07~2015-09,中国科学院微电子研究所, 副研究员2001-09~2004-07,中国科学院微电子研究所, 硕士
社会兼职
2019-09-01-2023-12-31,厦门理工学院, 硕士研究生指导老师
专利与奖励
奖励信息
(1) 高技术技术进步奖, 二等奖, 部委级, 2023
专利成果
( 1 ) 一种高压侧栅极驱动电路及集成电路, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN109728798B( 2 ) 一种efuse存储电路, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN116453570A( 3 ) 基于VS的CNTFET模型参数方法及相关方法和设备, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN116415388A( 4 ) 一种SOI FinFET器件及其制作方法, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN111554679B( 5 ) 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN111370401B( 6 ) 一种高边功率开关以及电子设备, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115513928A( 7 ) 一种欠压保护装置, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN115411697A( 8 ) 一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统, 2022, 第 10 作者, 专利号: CN115236475A( 9 ) 基于PMOS温度补偿特性基准电压产生电路及设计方法和装置, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115220517A( 10 ) 基于NMOS温度补偿特性基准电压产生电路及设计方法和装置, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115220518A( 11 ) 一种电压基准电路、元器件及设备, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115220516A( 12 ) 一种电压基准电路、元器件及设备, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115220515A( 13 ) 一种电压基准源、芯片及电子设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115220514A( 14 ) 一种过温保护电路、控制方法、元器件及设备, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN115189332A( 15 ) 一种集成电路延时确定方法、装置及设备, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115146569A( 16 ) 辐射效应测试方法及系统, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN115112966A( 17 ) 一种电路分析方法、装置、设备及存储介质, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115081365A( 18 ) 单粒子翻转截面测试方法、装置、电子设备及存储介质, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114912334A( 19 ) 一种二次谐波测量方法及测量仪器, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114839168A( 20 ) 一种二次谐波测量方法及测量仪器, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114813662A( 21 ) 一种单片三维集成器件和单片三维集成电路, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114823715A( 22 ) 一种单片异质集成结构及制备方法, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114823714A( 23 ) 一种Si基SiC晶圆及其制备方法, 2022, 第 9 作者, 专利号: CN114823479A( 24 ) 一种半导体功率器件及其制备方法, 2022, 第 10 作者, 专利号: CN114823890A( 25 ) 一种三维单片集成电路单粒子效应的仿真方法及装置, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114818581A( 26 ) 一种寄生双极晶体管放大系数的测量方法及装置, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114814507A( 27 ) 一种半导体功率器件及其制备方法, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114823889A( 28 ) 一种层间孔建模方法、抗单粒子效应分析方法及装置, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114818237A( 29 ) 一种行译码电路的设计方法及相关设备, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114595658A( 30 ) 一种译码电路的生成方法及相关设备, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114595659A( 31 ) 一种新型单粒子加固触发器电路, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114531145A( 32 ) 一种单粒子加固触发器电路, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114531138A( 33 ) 一种新型抗单粒子翻转触发器电路, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114531146A( 34 ) 一种抗单粒子翻转锁存器电路, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114531144A( 35 ) 一种单粒子翻转加固锁存器电路, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114531147A( 36 ) 一种改进结构抗单粒子翻转触发器电路及触发器, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114520646A( 37 ) 一种抗单粒子翻转触发器电路及触发器, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114520645A( 38 ) 一种新式单粒子加固触发器电路, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114520644A( 39 ) 一种存储器的仿真验证方法和装置, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114356736A( 40 ) 一种抗双节点翻转的锁存器, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN108270429B( 41 ) 一种无片外电容线性稳压电路, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN213934662U( 42 ) 一种半导体器件及其制造方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113224167A( 43 ) 一种半导体器件建模方法及装置, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112883675A( 44 ) 一种瞬时响应线性稳压器, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112860002A( 45 ) 一种SRAM的版图布局方法及装置, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112765926A( 46 ) 一种存储器数据通路版图的构建方法、装置及存储介质, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112685989A( 47 ) 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN109935581B( 48 ) 一种过流保护装置, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112398080A( 49 ) 一种基于张弛振荡器的时钟产生电路, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN112104361A( 50 ) 基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及装置, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN112052636A( 51 ) 基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN112052637A( 52 ) 一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置, 2020, 第 10 作者, 专利号: CN112053968A( 53 ) 一种半导体器件模型的建模方法及装置, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111680465A( 54 ) 一种用于对集成电路器件进行仿真的方法及装置, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111680466A( 55 ) 一种SOI FinFET器件及其制作方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111554679A( 56 ) 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111370401A( 57 ) 一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111341770A( 58 ) 一种绝缘栅双极晶体管, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN108122964B( 59 ) 一种双向触发的ESD保护器件, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111199971A( 60 ) 高阶温度补偿电路以及低温漂电压基准电路, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111176364A( 61 ) 用于SOI智能功率集成电路的双向低触发电压的ESD保护结构, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111129006A( 62 ) 一种时序特性获取方法、装置及电子设备, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110263417A( 63 ) 一种基于Hspice的数据处理方法、装置及电子设备, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110263399A( 64 ) 一种生成手册数据的方法及装置, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110196934A( 65 ) 存储器验证电路以及验证方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110111833A( 66 ) 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN106569040B( 67 ) 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109962098A( 68 ) 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109962099A( 69 ) 一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109948186A( 70 ) 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109935582A( 71 ) 异步复位触发器验证电路以及集成电路验证装置, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109884516A( 72 ) 电平移位电路, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109818607A( 73 ) 电平移位电路, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109818607A( 74 ) 一种SOI功率开关的ESD保护器件, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109786374A( 75 ) 一种片上测试单元及结构, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109752645A( 76 ) 一种SOI功率开关的ESD保护器件, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109742071A( 77 ) 一种高压侧栅极驱动电路及集成电路, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109728798A( 78 ) 一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN207993870U( 79 ) 一种霍尔基片结构及霍尔传感器, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN207624732U( 80 ) 一种绝缘栅双极晶体管, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN207624704U( 81 ) 一种绝缘栅双极晶体管, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN207624704U( 82 ) 一种抗瞬态效应的选通器, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108233904A( 83 ) 一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108155229A( 84 ) 一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108122990A( 85 ) 一种绝缘栅双极晶体管, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108122964A( 86 ) 一种抗双节点翻转的锁存器, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108055032A( 87 ) 一种抗双节点翻转的锁存器, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108055032A( 88 ) 一种抗辐射带隙基准电路的加固方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108037789A( 89 ) 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108039362A( 90 ) 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108039365A( 91 ) 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108039364A( 92 ) 带隙基准电压产生装置, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107870648A( 93 ) 一种ESD钳位电路及集成电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107863339A( 94 ) 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN104678188B( 95 ) 一种闪存单元器件及闪存, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107170744A( 96 ) 一种应用在静态随机存储器中的读信号控制电路, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106875972A( 97 ) 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106569042A( 98 ) 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106569040A( 99 ) 一种集成芯片的制作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106407556A( 100 ) 一种电路仿真方法及装置, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN106126815A( 101 ) 一种用于多点低压差分信号接收器的共模搬移电路, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105302758A( 102 ) 一种多点低压差分信号发送器, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN105207661A( 103 ) 一种差模反馈电路, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN105207660A( 104 ) 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104808073A( 105 ) 一种SRAM灵敏放大器电路, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104795099A( 106 ) 一种SRAM灵敏放大器电路设计, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104795090A( 107 ) 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104678188A( 108 ) 用于开关电源数字控制器的数字脉冲宽度调制装置, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104485933A( 109 ) 降压直流-直流转换器的控制方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104362850A( 110 ) 一种放大器电路, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103780208A( 111 ) 一种绝缘栅双极晶体管, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103378140A( 112 ) 一种基于非字线分割的存储器多位翻转的检测方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103345943A( 113 ) 一种基于非字线分割的存储器多位翻转的显示方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103345933A( 114 ) 一种用于传感器的读出电路, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103308183A( 115 ) 一种低温漂欠压锁定电路, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103309390A( 116 ) 一种基于字线分割的存储器多位翻转的检测方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103280240A( 117 ) 一种基于字线分割的存储器多位翻转的显示方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103280243A( 118 ) 具有自动调整输出电压的全CMOS带隙电压基准电路, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103218008A( 119 ) 一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103166628A( 120 ) 一种带有共模反馈的低电压差分信号驱动器, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103166627A( 121 ) 一种存储器检错纠错码生成方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103151078A( 122 ) 一种供电监控系统和方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103092246A( 123 ) 一种旋转装置和基于该旋转装置的单粒子测试系统, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103095200A( 124 ) 一种辐射效应测试方法、装置及系统, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103076524A( 125 ) 一种单粒子效应测试装置及系统, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103063961A( 126 ) 集成电路的测试装置, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103064006A( 127 ) 一种数字集成电路测试总线接口, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103048495A( 128 ) 一种单粒子辐射效应检测方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103033524A( 129 ) 集成电路的测试装置, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN101943741B( 130 ) 一种电流型信号检测模拟前端电路, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102645451A( 131 ) 一种基于双端口SRAM的故障注入方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102446559A( 132 ) 基于汉明码对静态随机存储器多位翻转进行容错的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102385936A( 133 ) 一种对容错存储单元的晶体管进行布局的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102314538A( 134 ) 一种基于电荷恢复的单相功率时钟触发器, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101471642A( 135 ) 超大规模集成电路设计中保持时间快速收敛的方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100394579C( 136 ) 基于IC-封装-PCB协同设计的PI解决方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN101071449A( 137 ) 基于功耗分布的电源网络设计方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1987872A
出版信息
发表论文
(1) The Effects of Total Ionizing Dose on the SEU Cross-Section of SOI SRAMs, ELECTRONICS, 2022, 第 3 作者(2) Effect of Heavy Ion Irradiation on SiC MOSFET Dynamic Parameter, RADECS 2022, 2022, 第 5 作者 通讯作者(3) 一种智能多通路自适应调控寄生供电系统, An Intelligent Multi-channel Adaptive Control Parasitic Power Supply System, 半导体光电, 2021, 第 4 作者(4) 一种基于浮地结构的高边驱动电路, High-side driving circuit based on floating structure, 微电子学与计算机, 2021, 第 5 作者(5) 一种基于V58300平台的集成电路功能测试系统设计, Design of an integrated circuit function test system based on V58300 platform, 太赫兹科学与电子信息学报, 2021, 第 6 作者(6) 集成电路的通用单粒子效应测试系统设计, Design of a general test system for integrated circuit Single Event Effect, 太赫兹科学与电子信息学报, 2021, 第 2 作者(7) 一种用于智能高边功率IC的负载开路检测电路, An on-state open load detection circuit for intelligent high side power IC, 微电子学与计算机, 2020, 第 6 作者(8) 一种宽电源带有高阶温度补偿的电压基准电路, A wide power voltage reference with high-order curvature compensation, 微电子学与计算机, 2020, 第 4 作者(9) Design and Characterizations of the Radiation-Hardened XCR4C ASIC for X-Ray CCDs for Space Astronomical Applications, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 第 8 作者(10) 一种宽电源电压输入多通道振荡器的电路设计, Circuit design of wide supply voltage input and multi-channel oscillator, 微电子学与计算机, 2020, 第 5 作者(11) A comparison study on electromagnetic susceptibility of current reference circuits with scaling-down technologies and schemes, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 第 6 作者(12) An SET Generation Circuit with Tunable Pulse Width, 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019, 第 3 作者(13) SEL-Oriented Rad-Hard Strategy and Characterization of the XCR4C ASIC for X-ray CCD Applications, 2019 IEEE NUCLEAR SCIENCE SYMPOSIUM AND MEDICAL IMAGING CONFERENCE (NSS/MIC), 2019, 第 8 作者(14) A probabilistic analysis technique for single event transient sensitivity evaluation of phase-lock-loops, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 第 10 作者(15) A novel area efficient ESD power clamp with feedback technology, 2018 14TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2018, 第 4 作者(16) XCR4C: A rad-hard full-function CDS ASIC for X-ray CCD Applications, 2018 IEEE NUCLEAR SCIENCE SYMPOSIUM AND MEDICAL IMAGING CONFERENCE PROCEEDINGS (NSS/MIC), 2018, 第 5 作者(17) 一种用于磁隔离驱动器的定时电路, A Timer Circuit Applied in Magnetic Isolation Driver, 微电子学, 2018, 第 4 作者(18) Single-event burnout hardening of planar power MOSFET with partially widened trench source, Single-event burnout hardening of planar power MOSFET with partially widened trench source, 半导体学报英文版, 2018, 第 2 作者(19) Single-event burnout hardening of planar power MOSFET with partially widened trench source, Single-event burnout hardening of planar power MOSFET with partially widened trench source, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2018, 第 2 作者(20) Noise Immunity Improvement in High Voltage Gate Driver IC, 2018 14TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2018, 第 3 作者(21) 一种用于磁隔离驱动电路的编解码方案设计, Design of An Codec Scheme for Magnetic Isolation Drive Circuit, 微电子学与计算机, 2018, 第 3 作者(22) SOI工艺抗辐照SRAM型FPGA设计与实现, A Radiation Hardened SRAM-based FPGA Implemented in SOI Process, 宇航学报, 2018, 第 3 作者(23) Design of Power Clamp Circuit with Diode String and Feedback Enhanced Triggering in advanced SOI BCD Process, 2018 14TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2018, 第 4 作者(24) Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 3 作者(25) Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance, CHIN. PHYS. 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科研活动
科研项目
( 1 ) 高温SOI集成电路技术, 负责人, 国家任务, 2024-01--2030-12( 2 ) 面向航空发动机和深地油气勘探的高温SOI系列芯片, 负责人, 研究所自主部署, 2023-11--2025-10( 3 ) 快速非易失存储器, 负责人, 其他国际合作项目, 2021-12--2024-12( 4 ) 中国科学院关键技术人才, 负责人, 中国科学院计划, 2021-01--2023-12( 5 ) 碳基集成电路关键科学与技术问题研究, 负责人, 其他国际合作项目, 2020-10--2026-09( 6 ) 高可靠20M SRAM存储器, 负责人, 其他国际合作项目, 2014-10--2019-12