[1] 李垌帅, 卜建辉, 王成成, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种半导体器件建模方法及装置. CN: CN112883675A, 2021-06-01.

[2] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种存储器数据通路版图的构建方法、装置及存储介质. CN: CN112685989A, 2021-04-20.

[3] 吴飞彤, 蔡小五, 刘海南, 赵海涛, 卜建辉, 赵发展. 一种瞬时响应线性稳压器. CN: CN112860002A, 2021-05-28.

[4] 高马利, 蔡小五, 郝宁, 刘海南, 罗家俊. 一种过流保护装置. CN: CN112398080A, 2021-02-23.

[5] 智玉欣, 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 曾传滨, 罗家俊. 一种基于张弛振荡器的时钟产生电路. CN: CN112104361A, 2020-12-18.

[6] 卜建辉, 王可为, 李多力, 李博, 李彬鸿, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及装置. CN: CN112052636A, 2020-12-08.

[7] 卜建辉, 王可为, 李多力, 李博, 李彬鸿, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置. CN: CN112052637A, 2020-12-08.

[8] 高林春, 曾传滨, 李晓静, 闫薇薇, 倪涛, 李多力, 卜建辉, 张颢译, 王可, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置. CN: CN112053968A, 2020-12-08.

[9] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 曾传滨, 韩郑生, 罗家俊. 一种半导体器件模型的建模方法及装置. CN: CN111680465A, 2020-09-18.

[10] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊. 一种用于对集成电路器件进行仿真的方法及装置. CN: CN111680466A, 2020-09-18.

[11] 王大成, 蔡小五, 刘海南, 罗家俊. 一种SOI FinFET器件及其制作方法. CN: CN111554679A, 2020-08-18.

[12] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 用于SOI智能功率集成电路的双向低触发电压的ESD保护结构. CN: CN111129006A, 2020-05-08.

[13] 陆航, 蔡小五, 韩郑生, 刘海南, 罗家俊. 高阶温度补偿电路以及低温漂电压基准电路. CN: CN111176364A, 2020-05-19.

[14] 蔡小五, 高悦欣, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 夏瑞瑞, 罗家俊. 一种双向触发的ESD保护器件. CN: CN111199971A, 2020-05-26.

[15] 许婷, 闫珍珍, 郭燕萍, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种时序特性获取方法、装置及电子设备. CN: CN110263417A, 2019-09-20.

[16] 许婷, 闫珍珍, 郭燕萍, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种基于Hspice的数据处理方法、装置及电子设备. CN: CN110263399A, 2019-09-20.

[17] 许婷, 闫珍珍, 郭燕萍, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种生成手册数据的方法及装置. CN: CN110196934A, 2019-09-03.

[18] 王林飞, 韩郑生, 罗家俊, 刘海南, 邢劼思. 存储器验证电路以及验证方法. CN: CN110111833A, 2019-08-09.

[19] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109935582A, 2019-06-25.

[20] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 陆江. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962099A, 2019-07-02.

[21] 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊, 曾传滨, 卜建辉, 罗家俊. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109935581B, 2021-04-13.

[22] 闫珍珍, 刘海南, 杨婉婉, 卜建辉, 刘梦新, 罗家俊, 韩郑生. 一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法. CN: CN109948186A, 2019-06-28.

[23] 闫珍珍, 刘海南, 郭燕萍, 许婷, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 异步复位触发器验证电路以及集成电路验证装置. CN: CN109884516A, 2019-06-14.

[24] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 罗家俊. 一种SOI功率开关的ESD保护器件. CN: CN109786374A, 2019-05-21.

[25] 蔡小五, 曾传滨, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 罗家俊. 一种SOI功率开关的ESD保护器件. CN: CN109742071A, 2019-05-10.

[26] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 一种片上测试单元及结构. CN: CN109752645A, 2019-05-14.

[27] 彭锐, 蔡小五, 刘海南, 罗家俊, 汤红菊, 许东升. 一种高压侧栅极驱动电路及集成电路. CN: CN109728798A, 2019-05-07.

[28] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108270429B, 2021-10-15.

[29] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗瞬态效应的选通器. CN: CN108233904A, 2018-06-29.

[30] 刘梦新, 刘海南, 赵发展, 卜建辉, 罗家俊, 韩郑生. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108055032A, 2018-05-18.

[31] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件. CN: CN108122990A, 2018-06-05.

[32] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件. CN: CN207993870U, 2018-10-19.

[33] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 张国欢, 罗家俊. 一种霍尔基片结构及霍尔传感器. CN: CN207624732U, 2018-07-17.

[34] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. 中国: CN207624704U, 2018-07-17.

[35] 陆江, 刘海南, 卜建辉, 蔡小五, 罗家俊. 一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管. CN: CN108155229A, 2018-06-12.

[36] 徐子轩, 李博, 刘海南, 罗家俊. 带隙基准电压产生装置. CN: CN107870648A, 2018-04-03.

[37] 徐子轩, 李博, 赵博华, 刘海南, 罗家俊. 一种抗辐射带隙基准电路的加固方法. CN: CN108037789A, 2018-05-15.

[38] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 陆江, 曾传滨, 卜建辉, 赵海涛. 一种ESD钳位电路及集成电路. CN: CN107863339A, 2018-03-30.

[39] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039362A, 2018-05-15.

[40] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039365A, 2018-05-15.

[41] 蔡小五, 罗家俊, 刘海南, 曾传滨, 卜建辉, 陆江, 赵海涛. 一种晶体管、钳位电路及集成电路. CN: CN108039364A, 2018-05-15.

[42] 郝宁, 罗家俊, 韩郑生, 刘海南. 一种闪存单元器件及闪存. CN: CN107170744A, 2017-09-15.

[43] 宿晓慧, 罗家俊, 韩郑生, 刘海南, 郝乐, 李欣欣. 一种应用在静态随机存储器中的读信号控制电路. CN: CN106875972A, 2017-06-20.

[44] 宿晓慧, 罗家俊, 韩郑生, 刘海南, 郝乐, 李欣欣. 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备. CN: CN106569042A, 2017-04-19.

[45] 宿晓慧, 罗家俊, 韩郑生, 刘海南, 郝乐. 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备. CN: CN106569040B, 2019-07-26.

[46] 宿晓慧, 罗家俊, 韩郑生, 刘海南, 郝乐, 李欣欣. 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备. CN: CN106569040A, 2017-04-19.

[47] 王林飞, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生, 张宏远. 一种集成芯片的制作方法. CN: CN106407556A, 2017-02-15.

[48] 王林飞, 罗家俊, 韩郑生, 刘海南, 陈丽坤, 张宏远, 周月琳. 一种电路仿真方法及装置. CN: CN106126815A, 2016-11-16.

[49] 赵建中, 曹成成, 蒋见花, 刘海南, 周玉梅. 一种多点低压差分信号发送器. CN: CN105207661A, 2015-12-30.

[50] 赵建中, 李智, 刘海南. 一种用于多点低压差分信号接收器的共模搬移电路. CN: CN105302758A, 2016-02-03.

[51] 赵建中, 曹成成, 蒋见花, 刘海南, 周玉梅. 一种差模反馈电路. CN: CN105207660A, 2015-12-30.

[52] 宿晓慧, 罗家俊, 韩郑生, 刘海南, 郝乐, 李欣欣. 一种SRAM灵敏放大器电路. CN: CN104795099A, 2015-07-22.

[53] 宿晓慧, 罗家俊, 韩郑生, 刘海南, 郝乐, 李欣欣. 一种SRAM灵敏放大器电路设计. CN: CN104795090A, 2015-07-22.

[54] 宿晓慧, 罗家俊, 韩郑生, 刘海南, 郝乐, 李欣欣. 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路. CN: CN104808073A, 2015-07-29.

[55] 宿晓慧, 罗家俊, 韩郑生, 刘海南, 郝乐, 李欣欣. 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路. CN: CN104678188A, 2015-06-03.

[56] 李博, 毕津顺, 刘海南, 韩郑生, 罗家俊, 刘刚. 用于开关电源数字控制器的数字脉冲宽度调制装置. CN: CN104485933A, 2015-04-01.

[57] 李博, 毕津顺, 刘海南, 韩郑生, 罗家俊, 刘刚. 降压直流-直流转换器的控制方法. CN: CN104362850A, 2015-02-18.

[58] 宿晓慧, 罗家俊, 韩郑生, 刘海南, 郝乐, 李欣欣. 一种放大器电路. CN: CN103780208A, 2014-05-07.

[59] 杨献, 谢朝辉, 刘海南, 蒋见花, 黑勇, 周玉梅. 一种基于字线分割的存储器多位翻转的检测方法. CN: CN103280240A, 2013-09-04.

[60] 杨献, 刘海南, 王雷, 蒋见花, 黑勇, 周玉梅. 一种基于非字线分割的存储器多位翻转的检测方法. CN: CN103345943A, 2013-10-09.

[61] 陈铖颖, 黑勇, 范军, 胡晓宇, 刘海南. 一种用于传感器的读出电路. CN: CN103308183A, 2013-09-18.

[62] 张小琴, 曾传滨, 蔡小五, 赵海涛, 刘海南, 罗家俊. 一种低温漂欠压锁定电路. CN: CN103309390A, 2013-09-18.

[63] 赵建中, 卜山, 刘海南, 黑勇, 周玉梅. 一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构. CN: CN103166628A, 2013-06-19.

[64] 赵建中, 赵撼坤, 刘海南, 黑勇, 周玉梅. 具有自动调整输出电压的全CMOS带隙电压基准电路. CN: CN103218008A, 2013-07-24.

[65] 赵建中, 赵撼坤, 谢振博, 刘海南, 黑勇, 周玉梅. 一种带有共模反馈的低电压差分信号驱动器. CN: CN103166627A, 2013-06-19.

[66] 周玉梅, 王雷, 戴睿, 刘海南, 蒋见花. 一种存储器检错纠错码生成方法. CN: CN103151078A, 2013-06-12.

[67] 赵明琦, 谢朝辉, 王德坤, 刘海南, 黑勇, 周玉梅. 一种供电监控系统和方法. CN: CN103092246A, 2013-05-08.

[68] 赵明琦, 谢朝辉, 王德坤, 刘海南, 黑勇, 周玉梅. 一种数字集成电路测试总线接口. CN: CN103048495A, 2013-04-17.

[69] 谢朝辉, 刘海南, 周玉梅, 黑勇, 王德坤, 赵明琦. 一种单粒子辐射效应检测方法. CN: CN103033524A, 2013-04-10.

[70] 谢朝辉, 刘海南, 周玉梅, 黑勇, 王德坤, 赵明琦. 一种辐射效应测试方法、装置及系统. CN: CN103076524A, 2013-05-01.

[71] 王德坤, 谢朝辉, 赵明琦, 刘海南, 周玉梅, 黑勇. 一种单粒子效应测试装置及系统. CN: CN103063961A, 2013-04-24.

[72] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN103378140A, 2013-10-30.

[73] 杨献, 闫珍珍, 蒋见花, 刘海南, 黑勇, 周玉梅. 一种对容错存储单元的晶体管进行布局的方法. CN: CN102314538A, 2012-01-11.

[74] 杨献, 王雷, 刘海南, 蒋见花, 黑勇, 周玉梅. 基于汉明码对静态随机存储器多位翻转进行容错的方法. CN: CN102385936A, 2012-03-21.

[75] 杨献, 王雷, 蒋见花, 刘海南, 黑勇, 周玉梅. 一种基于双端口SRAM的故障注入方法. CN: CN102446559A, 2012-05-09.

[76] 谢朝辉, 赵明琦, 王德坤, 刘海南, 黑勇, 周玉梅. 集成电路的测试装置. JP: CN101943741B, 2013-03-27.

[77] 高雷声, 刘海南, 周玉梅. 一种基于电荷恢复的单相功率时钟触发器. CN: CN101471642A, 2009-07-01.

[78] 刘海南, 周玉梅, 吴斌, 蒋见花, 霍津哲. 基于IC－封装－PCB协同设计的PI解决方法. CN: CN101071449A, 2007-11-14.

[79] 蒋见花, 刘海南, 周玉梅, 叶青. 基于功耗分布的电源网络设计方法. CN: CN1987872A, 2007-06-27.

[80] 蒋见花, 刘海南, 周玉梅. 超大规模集成电路设计中保持时间快速收敛的方法. CN: CN100394579C, 2008-06-11.

[81] 赵晨阳, 刘海南, 李多力, 王锦任, 赵发展, 马全刚, 李博. 一种efuse存储电路. CN: CN116453570A, 2023-07-18.

[82] 许婷, 闫珍珍, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 郭燕萍, 高立博, 王成成. 一种集成电路延时确定方法、装置及设备. CN: CN115146569A, 2022-10-04.

[83] 李逸帆, 罗家俊, 韩郑生, 倪涛, 王娟娟, 曾传滨, 高林春, 李晓静, 孙佳星, 刘海南. 一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统. CN: CN115236475A, 2022-10-25.

[84] 许婷, 闫珍珍, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 郭燕萍, 高立博, 王成成. 一种电路分析方法、装置、设备及存储介质. CN: CN115081365A, 2022-09-20.

[85] 许婷, 韩郑生, 闫珍珍, 郭燕萍, 高立博, 王成成, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊. 一种行译码电路的设计方法及相关设备. CN: CN114595658A, 2022-06-07.

[86] 许婷, 韩郑生, 闫珍珍, 郭燕萍, 王成成, 高立博, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊. 一种译码电路的生成方法及相关设备. CN: CN114595659A, 2022-06-07.

[87] 闫珍珍, 韩郑生, 刘海南, 杨婉婉, 卜建辉, 许婷, 郭燕萍, 王成成, 赵发展, 罗家俊. 一种新型单粒子加固触发器电路. CN: CN114531145A, 2022-05-24.

[88] 闫珍珍, 韩郑生, 刘海南, 杨婉婉, 卜建辉, 许婷, 郭燕萍, 高立博, 赵发展, 罗家俊. 一种改进结构抗单粒子翻转触发器电路及触发器. CN: CN114520646A, 2022-05-20.

[89] 刘海南, 韩郑生, 闫珍珍, 杨婉婉, 卜建辉, 李多力, 郭燕萍, 许婷, 赵发展, 罗家俊. 一种单粒子加固触发器电路. CN: CN114531138A, 2022-05-24.

[90] 刘海南, 韩郑生, 闫珍珍, 杨婉婉, 卜建辉, 郭燕萍, 许婷, 王成成, 赵发展, 罗家俊. 一种新型抗单粒子翻转触发器电路. CN: CN114531146A, 2022-05-24.

[91] 闫珍珍, 韩郑生, 刘海南, 杨婉婉, 卜建辉, 李多力, 郭燕萍, 许婷, 赵发展, 罗家俊. 一种抗单粒子翻转触发器电路及触发器. CN: CN114520645A, 2022-05-20.

[92] 刘海南, 韩郑生, 闫珍珍, 杨婉婉, 卜建辉, 郭燕萍, 许婷, 高立博, 王成成, 赵发展. 一种抗单粒子翻转锁存器电路. CN: CN114531144A, 2022-05-24.

[93] 闫珍珍, 韩郑生, 刘海南, 卜建辉, 李多力, 许婷, 郭燕萍, 王成成, 高立博, 赵发展. 一种单粒子翻转加固锁存器电路. CN: CN114531147A, 2022-05-24.

[94] 刘海南, 韩郑生, 闫珍珍, 卜建辉, 李多力, 许婷, 郭燕萍, 高立博, 赵发展, 罗家俊. 一种新式单粒子加固触发器电路. CN: CN114520644A, 2022-05-20.

[95] 郭燕萍, 韩郑生, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 王成成, 高立博, 赵发展, 罗家俊. 一种存储器的仿真验证方法和装置. CN: CN114356736A, 2022-04-15.

[96] 杨晨, 卜建辉, 刘艺璇, 刘海南, 赵发展. 基于VS的CNTFET模型参数方法及相关方法和设备. CN: CN116415388A, 2023-07-11.

[97] 夏瑞瑞, 蔡小五, 赵发展, 刘海南, 卜建辉, 丁利强, 高悦欣, 高马利. 一种高边功率开关以及电子设备. CN: CN115513928A, 2022-12-23.

[98] 丁利强, 蔡小五, 郝宁, 高悦欣, 高马利, 夏瑞瑞, 刘海南, 赵发展. 一种欠压保护装置. CN: CN115411697A, 2022-11-29.

[99] 陆芃, 任洪宇",null,"刘凡宇, 李多力, 卜建辉, 刘海南, 赵发展. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN113224167A, 2021-08-06.

[100] 赵文欣, 许婷, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生, 赵发展. 基于NMOS温度补偿特性基准电压产生电路及设计方法和装置. CN: CN115220518A, 2022-10-21.

[101] 赵文欣, 丁一男, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生, 赵发展. 一种电压基准电路、元器件及设备. CN: CN115220516A, 2022-10-21.

[102] 赵文欣, 丁一男, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生, 赵发展. 一种电压基准电路、元器件及设备. CN: CN115220515A, 2022-10-21.

[103] 赵文欣, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生, 赵发展. 一种电压基准源、芯片及电子设备. CN: CN115220514A, 2022-10-21.

[104] 丁利强, 蔡小五, 郝宁, 夏瑞瑞, 高马利, 高悦欣, 吴飞彤, 刘海南, 赵发展. 一种过温保护电路、控制方法、元器件及设备. CN: CN115189332A, 2022-10-14.

[105] 詹强华, 岂飞涛, 李博, 罗家俊, 曾传滨, 高林春, 刘海南, 滕瑞, 赵发展. 辐射效应测试方法及系统. CN: CN115112966A, 2022-09-27.

[106] 刘凡宇, 张军军, 李博, 滕瑞, 刘海南, 赵发展. 单粒子翻转截面测试方法、装置、电子设备及存储介质. CN: CN114912334A, 2022-08-16.

[107] 李博, 赵泓达, 王磊, 王然, 张紫辰, 张昆鹏, 滕瑞, 刘海南, 赵发展. 一种二次谐波测量方法及测量仪器. CN: CN114839168A, 2022-08-02.

[108] 赵泓达, 李博, 王磊, 王然, 张紫辰, 张昆鹏, 滕瑞, 刘海南, 赵发展. 一种二次谐波测量方法及测量仪器. CN: CN114813662A, 2022-07-29.

[109] 刘凡宇, 张军军, 李博, 滕瑞, 刘海南, 赵发展. 一种单片三维集成器件和单片三维集成电路. CN: CN114823715A, 2022-07-29.

[110] 王磊, 单小婷, 李博, 张学文, 高见头, 韩郑生, 滕瑞, 刘海南, 赵发展. 一种单片异质集成结构及制备方法. CN: CN114823714A, 2022-07-29.

[111] 王磊, 赵泓达, 李博, 郑中山, 张学文, 韩郑生, 高见头, 滕瑞, 刘海南, 赵发展. 一种Si基SiC晶圆及其制备方法. CN: CN114823479A, 2022-07-29.

[112] 李博, 王磊, 谷睿, 单小婷, 张学文, 高见头, 宿晓慧, 韩郑生, 滕瑞, 刘海南, 赵发展. 一种半导体功率器件及其制备方法. CN: CN114823890A, 2022-07-29.

[113] 刘凡宇, 张军军, 李博, 滕瑞, 刘海南, 赵发展. 一种三维单片集成电路单粒子效应的仿真方法及装置. CN: CN114818581A, 2022-07-29.

[114] 刘凡宇, 张军军, 李博, 滕瑞, 刘海南, 赵发展. 一种寄生双极晶体管放大系数的测量方法及装置. CN: CN114814507A, 2022-07-29.

[115] 王磊, 李博, 单小婷, 谷睿, 宿晓慧, 韩郑生, 滕瑞, 刘海南, 赵发展. 一种半导体功率器件及其制备方法. CN: CN114823889A, 2022-07-29.

[116] 刘凡宇, 张军军, 李博, 滕瑞, 刘海南, 赵发展. 一种层间孔建模方法、抗单粒子效应分析方法及装置. CN: CN114818237A, 2022-07-29.

[117] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种SRAM的版图布局方法及装置. CN: CN112765926A, 2021-05-07.

[118] 吴飞彤, 蔡小五, 刘海南, 赵海涛, 卜建辉, 赵发展. 一种无片外电容线性稳压电路. CN: CN213934662U, 2021-08-10.

[119] 王大成, 蔡小五, 刘海南, 罗家俊. 一种SOI FinFET器件及其制作方法. CN: CN111554679B, 2023-03-31.

[120] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备. CN: CN111341770A, 2020-06-26.

[121] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备. CN: CN111370401A, 2020-07-03.

[122] 夏瑞瑞, 蔡小五, 刘海南, 曾传滨, 赵海涛, 卜建辉, 高悦欣, 罗家俊. 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备. CN: CN111370401B, 2023-01-17.

[123] 赵海涛, 蔡小五, 刘海南, 罗家俊. 电平移位电路. CN: CN109818607A, 2019-05-28.

[124] 彭锐, 蔡小五, 刘海南, 罗家俊, 汤红菊, 许东升. 一种高压侧栅极驱动电路及集成电路. CN: CN109728798B, 2023-08-01.

[125] 刘梦新, 刘海南, 赵发展",null,"罗家俊. 一种抗双节点翻转的锁存器. CN: CN108055032A, 2018-05-18.

[126] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN108122964A, 2018-06-05.

[127] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN207624704U, 2018-07-17.

[128] 陆江, 刘海南, 蔡小五, 卜建辉, 罗家俊. 一种绝缘栅双极晶体管. CN: CN108122964B, 2020-06-16.

[129] 宿晓慧, 罗家俊",null,"刘海南. 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路. CN: CN104678188B, 2017-12-12.

[130] 谢朝辉, 赵明琦",null,"刘海南. 集成电路的测试装置. CN: CN103064006A, 2013-04-24.

[131] 刘海南, 李金科, 刘婷婷, 闫珍珍, 马全刚, 朱蓓丽, 王磊, 李博. 一种CAN总线控制器芯片的验证系统、方法及介质. CN: CN118228647A, 2024-06-21.

[132] 王林飞, 李倩, 张杰, 崔鹏宇, 廖翌如, 刘海南, 李博. 一种SRAM存储单元. CN: CN117476072A, 2024-01-30.

[133] 李多力, 王锦任, 王家佳, 赵晨阳, 刘海南, 李博. 一种一次性可编程存储器及其制备方法. CN: CN117241580A, 2023-12-15.

[134] 卜建辉, 刘艺璇, 杨晨, 刘海南, 赵发展, 李博. 一种碳纳米管场效应晶体管建模方法及装置. CN: CN117829058A, 2024-04-05.

[135] 赵文欣, 许婷, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生, 赵发展. 基于NMOS温度补偿特性基准电压产生电路及设计方法和装置. CN: CN115220518B, 2024-03-12.

[136] 赵文欣, 许婷, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生, 赵发展. 基于PMOS温度补偿特性基准电压产生电路及设计方法和装置. CN: CN115220517B, 2024-01-16.

[137] 李垌帅, 卜建辉, 王成成, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种半导体器件建模方法及装置. CN: CN112883675B, 2024-05-14.

[138] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种SRAM的版图布局方法及装置. CN: CN112765926B, 2024-07-09.

[139] 郭燕萍, 闫珍珍, 许婷, 卜建辉, 刘海南, 赵发展, 罗家俊, 韩郑生. 一种存储器数据通路版图的构建方法、装置及存储介质. CN: CN112685989B, 2024-05-14.

[140] 卜建辉, 王可为, 李多力, 李博, 李彬鸿, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生. 基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及装置. CN: CN112052636B, 2024-11-22.

[141] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 赵发展, 韩郑生, 罗家俊. 一种用于对集成电路器件进行仿真的方法及装置. CN: CN111680466B, 2025-01-03.

[142] 卜建辉, 王成成, 李垌帅, 刘海南, 曾传滨, 韩郑生, 罗家俊. 一种半导体器件模型的建模方法及装置. CN: CN111680465B, 2024-12-17.

[143] 刘海南, 邹守彬, 赵文欣, 马全刚, 闫珍珍, 朱蓓丽, 刘婷婷, 王磊, 李博. 一种PIN结构光电探测器响应度优化方法、装置及设备. CN: CN118228646A, 2024-06-21.

[144] 赵文欣, 许婷, 刘海南, 罗家俊, 韩郑生, 赵发展. 基于PMOS温度补偿特性基准电压产生电路及设计方法和装置. CN: CN115220517A, 2022-10-21.

[145] 蔡小五, 罗家俊, 赵海涛, 刘海南, 卜建辉, 陆江, 罗家俊. 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构. CN: CN109962098A, 2019-07-02.

[146] 赵海涛, 蔡小五, 刘海南, 罗家俊. 电平移位电路. 中国: CN109818607A, 2019-05-28.

[147] 杨献, 谢朝辉, 刘海南, 蒋见花, 黑勇, 周玉梅. 一种基于字线分割的存储器多位翻转的显示方法. CN: CN103280243A, 2013-09-04.

[148] 杨献, 刘海南, 王雷, 蒋见花, 黑勇, 周玉梅. 一种基于非字线分割的存储器多位翻转的显示方法. CN: CN103345933A, 2013-10-09.

[149] 王德坤, 谢朝辉, 赵明琦, 刘海南, 周玉梅, 黑勇. 一种旋转装置和基于该旋转装置的单粒子测试系统. CN: CN103095200A, 2013-05-08.

[150] 陈铖颖, 黑勇, 胡晓宇, 刘海南. 一种电流型信号检测模拟前端电路. CN: CN102645451A, 2012-08-22.