080903-微电子学与固体电子学

高可靠性器件与集成技术，高可靠集成电路设计技术

2001-09--2004-07   中国科学院微电子研究所   硕士

   

2022-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师(正研级)
2018-05~2022-04,中国科学院微电子研究所, 副主任、高级工程师(正研级)
2015-10~2018-05,中国科学院微电子研究所, 副主任
2004-07~2015-09,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2001-09~2004-07,中国科学院微电子研究所, 硕士

2019-09-01-2023-12-31,厦门理工学院, 硕士研究生指导老师

   

（1） 高技术技术进步奖, 二等奖, 部委级, 2023

（ 1 ） 一种高压侧栅极驱动电路及集成电路, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN109728798B

（ 2 ） 一种efuse存储电路, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN116453570A

（ 3 ） 基于VS的CNTFET模型参数方法及相关方法和设备, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN116415388A

（ 4 ） 一种SOI FinFET器件及其制作方法, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN111554679B

（ 5 ） 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN111370401B

（ 6 ） 一种高边功率开关以及电子设备, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115513928A

（ 7 ） 一种欠压保护装置, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN115411697A

（ 8 ） 一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统, 2022, 第 10 作者, 专利号: CN115236475A

（ 9 ） 基于PMOS温度补偿特性基准电压产生电路及设计方法和装置, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115220517A

（ 10 ） 基于NMOS温度补偿特性基准电压产生电路及设计方法和装置, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115220518A

（ 11 ） 一种电压基准电路、元器件及设备, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115220516A

（ 12 ） 一种电压基准电路、元器件及设备, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115220515A

（ 13 ） 一种电压基准源、芯片及电子设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115220514A

（ 14 ） 一种过温保护电路、控制方法、元器件及设备, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN115189332A

（ 15 ） 一种集成电路延时确定方法、装置及设备, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115146569A

（ 16 ） 辐射效应测试方法及系统, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN115112966A

（ 17 ） 一种电路分析方法、装置、设备及存储介质, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115081365A

（ 18 ） 单粒子翻转截面测试方法、装置、电子设备及存储介质, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114912334A

（ 19 ） 一种二次谐波测量方法及测量仪器, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114839168A

（ 20 ） 一种二次谐波测量方法及测量仪器, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114813662A

（ 21 ） 一种单片三维集成器件和单片三维集成电路, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114823715A

（ 22 ） 一种单片异质集成结构及制备方法, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114823714A

（ 23 ） 一种Si基SiC晶圆及其制备方法, 2022, 第 9 作者, 专利号: CN114823479A

（ 24 ） 一种半导体功率器件及其制备方法, 2022, 第 10 作者, 专利号: CN114823890A

（ 25 ） 一种三维单片集成电路单粒子效应的仿真方法及装置, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114818581A

（ 26 ） 一种寄生双极晶体管放大系数的测量方法及装置, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114814507A

（ 27 ） 一种半导体功率器件及其制备方法, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114823889A

（ 28 ） 一种层间孔建模方法、抗单粒子效应分析方法及装置, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114818237A

（ 29 ） 一种行译码电路的设计方法及相关设备, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114595658A

（ 30 ） 一种译码电路的生成方法及相关设备, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN114595659A

（ 31 ） 一种新型单粒子加固触发器电路, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114531145A

（ 32 ） 一种单粒子加固触发器电路, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114531138A

（ 33 ） 一种新型抗单粒子翻转触发器电路, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114531146A

（ 34 ） 一种抗单粒子翻转锁存器电路, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114531144A

（ 35 ） 一种单粒子翻转加固锁存器电路, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114531147A

（ 36 ） 一种改进结构抗单粒子翻转触发器电路及触发器, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114520646A

（ 37 ） 一种抗单粒子翻转触发器电路及触发器, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114520645A

（ 38 ） 一种新式单粒子加固触发器电路, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114520644A

（ 39 ） 一种存储器的仿真验证方法和装置, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN114356736A

（ 40 ） 一种抗双节点翻转的锁存器, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN108270429B

（ 41 ） 一种无片外电容线性稳压电路, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN213934662U

（ 42 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113224167A

（ 43 ） 一种半导体器件建模方法及装置, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112883675A

（ 44 ） 一种瞬时响应线性稳压器, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112860002A

（ 45 ） 一种SRAM的版图布局方法及装置, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112765926A

（ 46 ） 一种存储器数据通路版图的构建方法、装置及存储介质, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112685989A

（ 47 ） 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN109935581B

（ 48 ） 一种过流保护装置, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112398080A

（ 49 ） 一种基于张弛振荡器的时钟产生电路, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN112104361A

（ 50 ） 基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及装置, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN112052636A

（ 51 ） 基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN112052637A

（ 52 ） 一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置, 2020, 第 10 作者, 专利号: CN112053968A

（ 53 ） 一种半导体器件模型的建模方法及装置, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111680465A

（ 54 ） 一种用于对集成电路器件进行仿真的方法及装置, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111680466A

（ 55 ） 一种SOI FinFET器件及其制作方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111554679A

（ 56 ） 一种ESD保护结构、集成电路及电子设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111370401A

（ 57 ） 一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111341770A

（ 58 ） 一种绝缘栅双极晶体管, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN108122964B

（ 59 ） 一种双向触发的ESD保护器件, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111199971A

（ 60 ） 高阶温度补偿电路以及低温漂电压基准电路, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111176364A

（ 61 ） 用于SOI智能功率集成电路的双向低触发电压的ESD保护结构, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111129006A

（ 62 ） 一种时序特性获取方法、装置及电子设备, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110263417A

（ 63 ） 一种基于Hspice的数据处理方法、装置及电子设备, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110263399A

（ 64 ） 一种生成手册数据的方法及装置, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110196934A

（ 65 ） 存储器验证电路以及验证方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110111833A

（ 66 ） 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN106569040B

（ 67 ） 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109962098A

（ 68 ） 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109962099A

（ 69 ） 一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109948186A

（ 70 ） 双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109935582A

（ 71 ） 异步复位触发器验证电路以及集成电路验证装置, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109884516A

（ 72 ） 电平移位电路, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109818607A

（ 73 ） 电平移位电路, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109818607A

（ 74 ） 一种SOI功率开关的ESD保护器件, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109786374A

（ 75 ） 一种片上测试单元及结构, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109752645A

（ 76 ） 一种SOI功率开关的ESD保护器件, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109742071A

（ 77 ） 一种高压侧栅极驱动电路及集成电路, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109728798A

（ 78 ） 一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN207993870U

（ 79 ） 一种霍尔基片结构及霍尔传感器, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN207624732U

（ 80 ） 一种绝缘栅双极晶体管, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN207624704U

（ 81 ） 一种绝缘栅双极晶体管, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN207624704U

（ 82 ） 一种抗瞬态效应的选通器, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108233904A

（ 83 ） 一种栅极部分变窄的绝缘栅双极晶体管, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108155229A

（ 84 ） 一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108122990A

（ 85 ） 一种绝缘栅双极晶体管, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108122964A

（ 86 ） 一种抗双节点翻转的锁存器, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108055032A

（ 87 ） 一种抗双节点翻转的锁存器, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108055032A

（ 88 ） 一种抗辐射带隙基准电路的加固方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108037789A

（ 89 ） 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108039362A

（ 90 ） 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108039365A

（ 91 ） 一种晶体管、钳位电路及集成电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108039364A

（ 92 ） 带隙基准电压产生装置, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107870648A

（ 93 ） 一种ESD钳位电路及集成电路, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107863339A

（ 94 ） 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN104678188B

（ 95 ） 一种闪存单元器件及闪存, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107170744A

（ 96 ） 一种应用在静态随机存储器中的读信号控制电路, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106875972A

（ 97 ） 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106569042A

（ 98 ） 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106569040A

（ 99 ） 一种集成芯片的制作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106407556A

（ 100 ） 一种电路仿真方法及装置, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN106126815A

（ 101 ） 一种用于多点低压差分信号接收器的共模搬移电路, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105302758A

（ 102 ） 一种多点低压差分信号发送器, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN105207661A

（ 103 ） 一种差模反馈电路, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN105207660A

（ 104 ） 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104808073A

（ 105 ） 一种SRAM灵敏放大器电路, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104795099A

（ 106 ） 一种SRAM灵敏放大器电路设计, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104795090A

（ 107 ） 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104678188A

（ 108 ） 用于开关电源数字控制器的数字脉冲宽度调制装置, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104485933A

（ 109 ） 降压直流-直流转换器的控制方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104362850A

（ 110 ） 一种放大器电路, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103780208A

（ 111 ） 一种绝缘栅双极晶体管, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103378140A

（ 112 ） 一种基于非字线分割的存储器多位翻转的检测方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103345943A

（ 113 ） 一种基于非字线分割的存储器多位翻转的显示方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103345933A

（ 114 ） 一种用于传感器的读出电路, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103308183A

（ 115 ） 一种低温漂欠压锁定电路, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103309390A

（ 116 ） 一种基于字线分割的存储器多位翻转的检测方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103280240A

（ 117 ） 一种基于字线分割的存储器多位翻转的显示方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103280243A

（ 118 ） 具有自动调整输出电压的全CMOS带隙电压基准电路, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103218008A

（ 119 ） 一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103166628A

（ 120 ） 一种带有共模反馈的低电压差分信号驱动器, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103166627A

（ 121 ） 一种存储器检错纠错码生成方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103151078A

（ 122 ） 一种供电监控系统和方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103092246A

（ 123 ） 一种旋转装置和基于该旋转装置的单粒子测试系统, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103095200A

（ 124 ） 一种辐射效应测试方法、装置及系统, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103076524A

（ 125 ） 一种单粒子效应测试装置及系统, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103063961A

（ 126 ） 集成电路的测试装置, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103064006A

（ 127 ） 一种数字集成电路测试总线接口, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103048495A

（ 128 ） 一种单粒子辐射效应检测方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103033524A

（ 129 ） 集成电路的测试装置, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN101943741B

（ 130 ） 一种电流型信号检测模拟前端电路, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102645451A

（ 131 ） 一种基于双端口SRAM的故障注入方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102446559A

（ 132 ） 基于汉明码对静态随机存储器多位翻转进行容错的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102385936A

（ 133 ） 一种对容错存储单元的晶体管进行布局的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102314538A

（ 134 ） 一种基于电荷恢复的单相功率时钟触发器, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101471642A

（ 135 ） 超大规模集成电路设计中保持时间快速收敛的方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100394579C

（ 136 ） 基于IC－封装－PCB协同设计的PI解决方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN101071449A

（ 137 ） 基于功耗分布的电源网络设计方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1987872A

   

（1） The Effects of Total Ionizing Dose on the SEU Cross-Section of SOI SRAMs, ELECTRONICS, 2022, 第 3 作者
（2） Effect of Heavy Ion Irradiation on SiC MOSFET Dynamic Parameter, RADECS 2022, 2022, 第 5 作者  通讯作者
（3） 一种智能多通路自适应调控寄生供电系统, An Intelligent Multi-channel Adaptive Control Parasitic Power Supply System, 半导体光电, 2021, 第 4 作者
（4） 一种基于浮地结构的高边驱动电路, High-side driving circuit based on floating structure, 微电子学与计算机, 2021, 第 5 作者
（5） 一种基于V58300平台的集成电路功能测试系统设计, Design of an integrated circuit function test system based on V58300 platform, 太赫兹科学与电子信息学报, 2021, 第 6 作者
（6） 集成电路的通用单粒子效应测试系统设计, Design of a general test system for integrated circuit Single Event Effect, 太赫兹科学与电子信息学报, 2021, 第 2 作者
（7） 一种用于智能高边功率IC的负载开路检测电路, An on-state open load detection circuit for intelligent high side power IC, 微电子学与计算机, 2020, 第 6 作者
（8） 一种宽电源带有高阶温度补偿的电压基准电路, A wide power voltage reference with high-order curvature compensation, 微电子学与计算机, 2020, 第 4 作者
（9） Design and Characterizations of the Radiation-Hardened XCR4C ASIC for X-Ray CCDs for Space Astronomical Applications, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 第 8 作者
（10） 一种宽电源电压输入多通道振荡器的电路设计, Circuit design of wide supply voltage input and multi-channel oscillator, 微电子学与计算机, 2020, 第 5 作者
（11） A comparison study on electromagnetic susceptibility of current reference circuits with scaling-down technologies and schemes, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 第 6 作者
（12） An SET Generation Circuit with Tunable Pulse Width, 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019, 第 3 作者
（13） SEL-Oriented Rad-Hard Strategy and Characterization of the XCR4C ASIC for X-ray CCD Applications, 2019 IEEE NUCLEAR SCIENCE SYMPOSIUM AND MEDICAL IMAGING CONFERENCE (NSS/MIC), 2019, 第 8 作者
（14） A probabilistic analysis technique for single event transient sensitivity evaluation of phase-lock-loops, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 第 10 作者
（15） A novel area efficient ESD power clamp with feedback technology, 2018 14TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2018, 第 4 作者
（16） XCR4C: A rad-hard full-function CDS ASIC for X-ray CCD Applications, 2018 IEEE NUCLEAR SCIENCE SYMPOSIUM AND MEDICAL IMAGING CONFERENCE PROCEEDINGS (NSS/MIC), 2018, 第 5 作者
（17） 一种用于磁隔离驱动器的定时电路, A Timer Circuit Applied in Magnetic Isolation Driver, 微电子学, 2018, 第 4 作者
（18） Single-event burnout hardening of planar power MOSFET with partially widened trench source, Single-event burnout hardening of planar power MOSFET with partially widened trench source, 半导体学报英文版, 2018, 第 2 作者
（19） Single-event burnout hardening of planar power MOSFET with partially widened trench source, Single-event burnout hardening of planar power MOSFET with partially widened trench source, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2018, 第 2 作者
（20） Noise Immunity Improvement in High Voltage Gate Driver IC, 2018 14TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2018, 第 3 作者
（21） 一种用于磁隔离驱动电路的编解码方案设计, Design of An Codec Scheme for Magnetic Isolation Drive Circuit, 微电子学与计算机, 2018, 第 3 作者
（22） SOI工艺抗辐照SRAM型FPGA设计与实现, A Radiation Hardened SRAM-based FPGA Implemented in SOI Process, 宇航学报, 2018, 第 3 作者
（23） Design of Power Clamp Circuit with Diode String and Feedback Enhanced Triggering in advanced SOI BCD Process, 2018 14TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2018, 第 4 作者
（24） Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 3 作者
（25） Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance, CHIN. PHYS. B, 2017, 第 3 作者
（26） Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performace, Chinese Physics B, 2017, 第 1 作者
（27） Comparison Study of Bulk and SOI CMOS Technologies based Rad-hard ADCs in Space, 2016, 第 3 作者
（28） Improved Single-Event Hardness of Trench Power MOSFET with a Widened Split Gate, 2016, 第 2 作者
（29） 一种用于FPGA的可配置存储器设计, A Design of Configurable RAM for FPGA, 固体电子学研究与进展, 2016, 第 3 作者
（30） Improved Single-Event Hardness of Trench Power MOSFET with a Widened Split Gate, 2016 16TH EUROPEAN CONFERENCE ON RADIATION AND ITS EFFECTS ON COMPONENTS AND SYSTEMS (RADECS), 2016, 第 2 作者
（31） Study Of RBSOA Reliability Of Nanoscale Partially Narrow Mesa IGBT (PNM-IGBT), 2016, 第 2 作者
（32） Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM, 2016, 第 2 作者
（33） 锁相环敏感模块的单粒子效应与设计加固, 半导体技术, 2015, 第 6 作者
（34） 单粒子瞬态脉冲的片上测量, On Chip Self-Test for Single Event Transient, 微电子学, 2015, 第 3 作者
（35） 一种应用于数字高速接口电路全MOSFET结构基准源设计, 科技视界, 2014, 第 3 作者
（36） 基于SOI CMOS工艺的LVDS驱动器设计, Design of the LVDS Driver Based on the SOI CMOS Process, 半导体技术, 2014, 第 4 作者
（37） A low-power high-performance configurable auto-gain control loop for a digital hearing aid SoC, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 2 作者
（38） 基于模拟的故障注入技术在高可靠处理器的应用, The Application of Simulation-Based Fault Injection on High Reliable Processor, 微电子学与计算机, 2012, 第 2 作者
（39） 脉冲激光背照射单粒子效应实验研究, Backside Pluse Laser Testing for Single Event Effect, 原子能科学技术, 2011, 第 3 作者
（40） 基于能量恢复的单相功率时钟触发器及其应用, True Single-Phase Energy Recovery Flip-Flop for Low-Power Application, 半导体技术, 2010, 第 3 作者
（41） 适用于谐振时钟的CMOS触发器研究, Study on CMOS Flip-Flop for Sinusoidal-Clock, 微电子学, 2010, 第 2 作者
（42） 一种CMOS单片LDO线性稳压器的设计, Design and Fabrication of a Full on-Chip CMOS Low-Dropout Linear Regulator, 半导体技术, 2010, 第 3 作者
（43） 能量回收技术在D触发器上的应用, Application of Energy Recovery on D Flip-Flop, 半导体技术, 2010, 第 2 作者
（44） CMOS射频集成电路ESD保护的挑战, Emerging Challenges in ESD Protection for RF ICs in CMOS, 半导体学报, 2008, 第 4 作者
（45） CMOS射频集成电路ESD保护的挑战, Emerging Challenges in ESD Protection for RF ICs in CMOS, 半导体学报, 2008, 第 4 作者
（46） 一种RFID标签数字电路的ASIC设计与实现, 电子器件, 2006, 第 4 作者
（47） 可控占空比的数字PWM发生电路, 集成电路应用, 2004, 第 1 作者
（48） 超大规模集成电路的低功耗设计与分析, 2004, 第 1 作者
（49） 基于DVS的动态电压转换器设计, 电子器件, 2004, 第 1 作者

   

（ 1 ） 高温SOI集成电路技术, 负责人, 国家任务, 2024-01--2030-12
（ 2 ） 面向航空发动机和深地油气勘探的高温SOI系列芯片, 负责人, 研究所自主部署, 2023-11--2025-10
（ 3 ） 快速非易失存储器, 负责人, 其他国际合作项目, 2021-12--2024-12
（ 4 ） 中国科学院关键技术人才, 负责人, 中国科学院计划, 2021-01--2023-12
（ 5 ） 碳基集成电路关键科学与技术问题研究, 负责人, 其他国际合作项目, 2020-10--2026-09
（ 6 ） 高可靠20M SRAM存储器, 负责人, 其他国际合作项目, 2014-10--2019-12