基本信息
解婧  女  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: xiejing@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
微纳材料与结构,MEMS,生化检测,集成电路装备

教育背景

2006-09--2011-07   中国科学院半导体研究所   博士学位
2002-09--2006-07   清华大学电子工程系   学士学位

工作经历

   
工作简历
2015-10~现在, 中国科学院大学, 岗位教授
2011-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2006-09~2011-07,中国科学院半导体研究所, 博士学位
2002-09~2006-07,清华大学电子工程系, 学士学位

教授课程

微电子工艺与装备技术
半导体工艺与制造技术
集成电路制造工艺与设备

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 中国科学院微电子研究所2019年度十佳先进工作者, 一等奖, 研究所(学校), 2019
(2) 中国科学院教育教学成果奖, 特等奖, 部委级, 2016
专利成果
( 1 ) 一种温压复合传感器, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN111397776B

( 2 ) 一种温压复合传感器的制作方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN111351607B

( 3 ) 一种纳米线压力传感器及传感器阵列, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112798156A

( 4 ) 一种纳米线压力传感器制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112798163A

( 5 ) 一种微纳金属三维结构的加工仪器, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112441554A

( 6 ) 一种微纳金属三维结构的制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112441555A

( 7 ) 一种SERS基底, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111855636A

( 8 ) 一种离子注入制作SERS基底的方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111850500A

( 9 ) 一种检测拉曼信号的方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111830004A

( 10 ) 一种芯片拉曼信号的检测方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111830005A

( 11 ) 一种细胞样品腔室, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN211652609U

( 12 ) 一种高精度微流道网络制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110963457A

( 13 ) 一种微流道网络芯片, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110961167A

( 14 ) 一种石墨烯选取刻蚀的方法及装置, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110548996A

( 15 ) 一种石墨烯薄膜材料的加工方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110550624A

( 16 ) 一种基于金属微观结构的精密模具, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110076940A

( 17 ) 一种微米级金属件三维成型方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110054147A

( 18 ) 一种微观零件批量精密加工仪器, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109940398A

( 19 ) 一种MOS器件原子层沉积原位制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108063089A

( 20 ) 一种石墨烯表面选区改性加工方法及装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106531613A

( 21 ) 一种原子层沉积系统原位实时检测方法及装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106525883A

( 22 ) 石墨烯晶片的制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN103204493B

( 23 ) 利用原子层沉积制备薄膜的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866285A

( 24 ) 一种氧化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866284A

( 25 ) 一种氮化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103866263A

( 26 ) 一种原位光学检测装置, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103868850A

( 27 ) 用于N-Zr共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103866267A

( 28 ) 基于氮的施主-受主共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103866268A

( 29 ) 一种P-N共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103866289A

( 30 ) 原子层沉积制备共掺的氧化锌薄膜的方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103866276A

( 31 ) 原子层沉积的共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103866275A

( 32 ) 用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103866270A

( 33 ) 一种原子层沉积制备施主-受主共掺氧化锌薄膜的方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103866280A

( 34 ) 一种原子层沉积制备双受主共掺氧化锌薄膜的方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103866277A

( 35 ) 用于提高氧化锌薄膜P型稳定性的方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103866272A

( 36 ) 基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103866265A

( 37 ) 一种磷掺杂氧化锌薄膜的制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103866264A

( 38 ) 一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103866266A

( 39 ) 一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103570001A

( 40 ) 石墨烯晶片的制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103204493A

( 41 ) 一种利用混合溶剂相剥离石墨制备石墨烯的方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103172053A

( 42 ) 一种晶圆级阳极键合方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103130180A

( 43 ) 一种多层石墨烯的减薄方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102931055A

( 44 ) 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101905858A

( 45 ) 大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101905857A

( 46 ) 采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101863447A

( 47 ) 一种超高真空多功能综合测试系统, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101846635A

( 48 ) 利用原子层沉积制备薄膜的方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1200135C

出版信息

   
发表论文
(1) Single Particle Hopping as an Indicator for Evaluating Electrocatalysts, NANO LETTERS, 2022, 第 3 作者
(2) Analyzation of the binding mechanism and the isoelectric point of glycated albumin with self-assembled, aptamer-conjugated films by using surface plasmon resonance, Colloids and Surfaces B-Biointerfaces, 2022, 第 2 作者
(3) Enhancement of electrochemical performance in lithium-ion battery via tantalum oxide coated nickel-rich cathode materials, Enhancement of electrochemical performance in lithium-ion battery via tantalum oxide coated nickel-rich cathode materials, CHINESE PHYSICS B, 2022, 第 8 作者
(4) The investigation on the specificity of glycated albumin aptamer, BASIC & CLINICAL PHARMACOLOGY & TOXICOLOGY, 2021, 第 2 作者
(5) In-situ plasmonic tracking oxygen evolution reveals multistage oxygen diffusion and accumulating inhibition, NATURE COMMUNICATIONS, 2021, 第 7 作者
(6) Preparation of ZnO films with variable electric field-assisted atomic layer deposition technique, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 第 6 作者
(7) Large area graphene produced via assistance of surface modification, Journal of Semiconductors, 2013, 通讯作者
(8) Research on anodic bonding using the hybrid electrode with two-step bonding process, Journal of Semiconductors, 2012, 第 1 作者
(9) An effective approach for restraining electrochemical corrosion of polycrystalline silicon caused by an HF-based solution and its application for mass production of MEMS devices, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2012, 第 2 作者
(10) Anodic bonding using a hybrid electrode with a two-step bonding process, Anodic bonding using a hybrid electrode with a two-step bonding process, 半导体学报, 2012, 第 2 作者
(11) High-precision thickness regulation of graphene layers with low energy helium plasma implantation, NANOTECHNOLOGY, 2012, 第 2 作者
(12) An Effective Approach for Restraining Galvanic Corrosion of Polycrystalline Silicon by Hydrofluoric-Acid-Based Solutions, JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, 2011, 第 2 作者
(13) A simple method to effectively restrain electrochemical corrosion of polycrystalline silicon layers by HF-based solutions, IEEE MEMS 2011:the 24th IEEE Conference on Micro Electro mechanicsal Systems, 2011, 
(14) Reliable low-cost fabrication and characterization methods for micromechanical disk resonators, Transducers’11:The 16th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems, 2011, 
(15) Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications, Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications, 半导体学报, 2009, 第 1 作者
(16) Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film, Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film, 半导体学报, 2009, 第 6 作者
(17) Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film, Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film, 半导体学报, 2009, 第 6 作者
(18) Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications, Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications, 半导体学报, 2009, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 微纳生化传感材料与器件, 负责人, 国家任务, 2017-07--2021-06
( 2 ) 双增益原子发射光谱分析仪研制, 负责人, 中国科学院计划, 2018-01--2019-12
( 3 ) 二维电子材料及纳米量子器件的研究和原位分析仪器, 参与, 国家任务, 2015-01--2019-12
( 4 ) 扫描探针显微术关键技术研发团队, 负责人, 中国科学院计划, 2017-05--2020-04
( 5 ) 电化学高强度金属微纳制造工艺研发, 负责人, 中国科学院计划, 2019-09--2024-08
( 6 ) 金属纳米线微网格阵列研发, 负责人, 国家任务, 2019-09--2020-12
( 7 ) 高强度金属三维MEMS制造技术研究, 负责人, 企业委托, 2021-05--2023-12