080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息

计算光刻，计算测量

2009-09--2014-07   中国科学院半导体研究所   硕博连读/博士学位

   

2018-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2014-07~2018-03,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2009-09~2014-07,中国科学院半导体研究所, 硕博连读/博士学位

   

（1） 科研新星, 一等奖, 研究所（学校）, 2017

（ 1 ） 一种基板及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN110752180B

（ 2 ） 一种掩模参数优化方法及装置, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114137792A

（ 3 ） 一种基于光源添加辅助图形的方法和装置, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114089595A

（ 4 ） 一种半导体器件的制造方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN113990742A

（ 5 ） 一种确定光刻工艺节点禁止周期的方法及仿真方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN111025856B

（ 6 ） 一种环形图案的光学邻近效应校正方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112859536A

（ 7 ） 用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112817212A

（ 8 ） 光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法、工艺窗口形成方法以及光刻方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112327575A

（ 9 ） 一种版图获取方法及装置, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112257701A

（ 10 ） 一种套刻标识图像处理方法及装置, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112258468A

（ 11 ） 亚分辨率辅助图形添加方法及装置、计算机可读存储介质, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112099319A

（ 12 ） 套刻偏差值的修正方法、电子设备及计算机可读存储介质, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112015056A

（ 13 ） 自对准金属层的制造方法、半导体器件及电子设备, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112017970A

（ 14 ） 一种确定光刻光源模型的训练方法及装置, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111999992A

（ 15 ） 一种修正模型的建立方法及装置、掩模优化方法及装置, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111443569A

（ 16 ） 一种工艺检测方法及装置, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111430261A

（ 17 ） 一种层图案化方法和半导体器件、集成电路和电子设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111341658A

（ 18 ） 一种获取套刻误差量测数据的方法及装置, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111123662A

（ 19 ） 提高版图光刻性能的方法、修正后的版图及仿真方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN110989289A

（ 20 ） 一种光学临近效应的修正方法、修正装置及掩模, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110716386A

（ 21 ） 一种三维器件的套刻误差补偿方法及系统, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110620057A

（ 22 ） 一种三维重建方法及装置, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110415335A

（ 23 ） 辅助图形的添加方法、添加装置、存储介质和处理器, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110221516A

（ 24 ） 一种根据规则添加SRAF的方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110187600A

（ 25 ） 孔型结构工艺质量的检测方法、检测装置、存储介质和处理器, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110189300A

（ 26 ） 半导体结构与其制作方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109904060A

（ 27 ） 一种光源掩模协同优化初始光源的确定方法及装置, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109683447A

（ 28 ） 一种半导体器件的制造方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN106252229B

（ 29 ） 确定光刻光源的方法、装置及模型训练方法、装置, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109143796A

（ 30 ） 一种定位工艺缺陷的方法及装置, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108335990A

（ 31 ） 测试图形的选取方法和装置、构建光刻模型的方法和装置, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108153995A

（ 32 ） 一种电子显微图像线条宽度和粗糙度的测量方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107144210A

（ 33 ） 一种线条粗糙度的测量方法及系统, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106352820A

（ 34 ） 一种光刻工艺窗口的测量方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106325005A

（ 35 ） 一种半导体器件的制造方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN106252229A

（ 36 ） 一种自对准双重图形成像方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN106200272A

（ 37 ） 五级衍射光栅结构及其制备方法、晶圆光刻对准方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105607435A

（ 38 ） 一种扫描电子显微图像的三维重构方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105590338A

（ 39 ） 七级衍射光栅结构及其制备方法、晶圆光刻对准方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105549138A

   

（1） Aberration analysis and compensate method of a BP neural network and sparrow search algorithm in deep ultraviolet lithography, APPLIED OPTICS, 2022, 第 2 作者
（2） Zernike model for overlay control and tool monitor for lithography and etch process, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2022, 通讯作者
（3） Analysis of diffraction-based wafer alignment rejection for thick aluminum process, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2022, 通讯作者
（4） Overlay control solution for high aspect ratio etch process induced overlay error, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2022, 通讯作者
（5） A self-aligned lithography method based on Fabry-Perot resonator effect, OPTIK, 2022, 通讯作者
（6） The Phase Aggregation Behavior of the Blend Materials Block Copolymer Polystyrene-b-Polycarbonate (PS-b-PC) and Homopolymer Polystyrene (PS), MACROMOLECULAR CHEMISTRY AND PHYSICS, 2021, 通讯作者
（7） Aberration analysis and compensate method of fully connected neural network in deep ultraviolet lithography, OPTICAL ENGINEERING, 2021, 第 2 作者
（8） Projection-based high coverage fast layout decomposing algorithm of metal layer for accelerating lithography friendly design at full chip level, JOURNAL OF MICRO-NANOPATTERNING MATERIALS AND METROLOGY-JM3, 2021, 第 8 作者
（9） Via Optimization Methodology for Enhancing Robustness of Design at 14/12nm Technology Node, DESIGN-PROCESS-TECHNOLOGY CO-OPTIMIZATION FOR MANUFACTURABILITY XIV, 2021, 第 2 作者
（10） Critical pattern selection method for full-chip source and mask optimization, OPTICS EXPRESS, 2020, 第 4 作者
（11） Recognition and Visualization of Lithography Defects based on Transfer Learning, Recognition and Visualization of Lithography Defects based on Transfer Learning, 微电子制造学报, 2020, 第 3 作者
（12） 化学外延方式的嵌段共聚物定向自组装, Block Co-Polymer Directed Self-Assembly Based on Chemo-Epitaxy, 微纳电子技术, 2020, 第 5 作者
（13） Critical Pattern Selection Based on Diffraction Spectrum Analysis for Full-Chip Source Mask Optimization, ACTA OPTICA SINICA, 2020, 第 4 作者
（14） 先进工艺下的版图邻近效应研究进展, Research Progress of Layout Proximity Effect in Recent CMOS Nodes, 微电子学, 2020, 第 6 作者
（15） Model-based image quality optimization for submicron direct laser writing, AIP ADVANCES, 2020, 第 2 作者
（16） 针对更精确电迁移预测应用的热耦合模型建模, Thermal Coupling Modeling for More Accurate Electromigration Prediction, 微电子学, 2020, 第 7 作者
（17） An Improved Dimensional Measurement Method of Staircase Patterns With Higher Precision in 3D NAND, IEEE ACCESS, 2020, 第 6 作者
（18） 基于衍射谱分析的全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选, Critical Pattern Selection Based on Diffraction Spectrum Analysis for Full-Chip Source Mask Optimization, 光学学报, 2020, 第 4 作者
（19） DESIGN DRIVEN TEST PATTERNS FOR SMO OPC AND SPA, 2019 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE (CSTIC), 2019, 第 4 作者
（20） Study of the perpendicular self-assembly of a novel high-chi block copolymer without any neutral layer on a silicon substrate, RSC ADVANCES, 2019, 第 5 作者
（21） Probability prediction model for bridging defects induced by combined influences from lithography and etch variations, JOURNAL OF MICRO-NANOLITHOGRAPHY MEMS AND MOEMS, 2019, 第 6 作者
（22） Pattern quality and defect evaluation based on cross correlation and power spectral density methods, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2018, 第 1 作者
（23） The Method of Optimizing Mask Parameters Suitable for Lithography Process, OPTICAL MICROLITHOGRAPHY XXXI, 2018, 第 3 作者
（24） Optimization of the focus monitor mark in immersion lithography according to illumination type, JOURNAL OF MICRO-NANOLITHOGRAPHY MEMS AND MOEMS, 2017, 第 2 作者
（25） Optimization of the focus monitor mark in immersion lithography according to illumination type, J. MICRO/NANOLITH. MEMS MOEMS, 2017, 第 4 作者
（26） Optimization of the focus monitor mark in immersion lithography according to illumination type, JOURNAL OF MICRO-NANOLITHOGRAPHY MEMS AND MOEMS, 2017, 第 2 作者
（27） New alignment mark design structures for higher diffraction order wafer quality enhancement, 2017, 第 2 作者
（28） New alignment mark designs in single patterning and self-aligned double patterning, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2017, 第 1 作者
（29） Characteristic study of image-based alignment for increasing accuracy in lithography application, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2017, 第 1 作者
（30） An off-line roughness evaluation software and its application in quantitative calculation of wiggling based on low frequency power spectrum density method, 2017, 第 2 作者
（31） Optimization of resist parameters to improve the profile and process window of the contact pattern in advanced node, JOURNAL OF MICRO-NANOLITHOGRAPHY MEMS AND MOEMS, 2016, 第 2 作者

（ 1 ） 计算光刻与版图优化, 电子工业出版社, 2021-01, 第 4 作者

   

（ 1 ） 纳米结构扫描电子显微俯视图像的三维重建基本模型及算法研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2019-12
（ 2 ） 国产计算光刻系统性能评估, 参与, 国家任务, 2017-01--2022-06
（ 3 ） 下一技术节点三维存储器的光刻方案研究, 参与, 企业委托, 2018-01--2020-12
（ 4 ） X射线衍射光谱与成像纳米器件集成制造, 参与, 国家任务, 2017-07--2022-06

（1）Method to improve the overlay image contrast and optimize the sub-segmentation mark   Libin Zhang, Cong Lu, Yaobin Feng, Yayi Wei   2021-02-22
（2）Overlay mark sub structure design to improve the contrast   国际先进光刻技术研讨会   Libin Zhang, et al   2020-11-05