基本信息
张丽平 女 博导 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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专利与奖励
专利成果
[1] 张丽平, 刘文柱, 刘正新, 李振飞, 杜俊霖. 一种光调制化学气相沉积装置以及利用其调制薄膜生长温度的方法. 202211234154.8, 2022-10-10.[2] 杜俊霖, 韩安军, 刘正新, 孟凡英, 张丽平, 石建华. 表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法. CN: CN113327999A, 2021-08-31.[3] 张丽平, 姚宇波, 刘正新, 刘文柱, 石建华. 一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池及其制备方法. CN: CN113140640A, 2021-07-20.[4] 刘文柱, 张丽平, 刘正新, 黄圣磊, 李晓东. 一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔PECVD沉积工艺. CN: CN112267105A, 2021-01-26.[5] 刘文柱, 刘正新, 张丽平, 李振飞, 黄圣磊, 李晓东, 伍小琼. 一种硅异质结太阳电池及其制备方法. CN: CN111952381A, 2020-11-17.[6] 张丽平, 姚宇波, 刘正新, 孟凡英, 石建华, 刘文柱. 一种高效率双面受光柔性硅异质结太阳电池的制备方法. CN: CN111640815A, 2020-09-08.[7] 石建华, 孟凡英, 张丽平, 韩安军, 杜俊霖, 刘正新. 一种太阳电池的制备方法以及由此得到的太阳电池. CN: CN111403554A, 2020-07-10.[8] 张丽平, 李振飞, 刘正新, 孟凡英, 石建华, 韩安军, 杜俊霖. 一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法和由此得到的薄膜及其应用. CN111312859, 2020-06-19.[9] 刘正新, 陈仁芳, 张丽平, 吴卓鹏, 李振飞. 非晶薄膜后氢化处理方法及硅异质结太阳电池制备方法. CN: CN109449257A, 2019-03-08.[10] 张丽平, 刘正新, 陈仁芳, 吴卓鹏. 不连续结晶硅基薄膜、异质结晶体硅太阳电池及制备方法. CN: CN107424915A, 2017-12-01.[11] 刘正新, 孟凡英, 张丽平, 石建华, 俞健, 刘金宁, 刘毓成. 双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池. CN: CN207282509U, 2018-04-27.[12] 刘文柱, 陈仁芳, 吴卓鹏, 张丽平, 孟凡英, 刘正新. 基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置. CN: CN106282963A, 2017-01-04.[13] 俞健, 卞剑涛, 张丽平, 刘毓成, 孟凡英, 刘正新. 具有叠层减反特性的晶体硅异质太阳电池及其制备方法. CN: CN105895746A, 2016-08-24.[14] 张丽平, 孟凡英, 刘正新. 掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法. CN: CN104393121A, 2015-03-04.[15] 张丽平, 周一诺, 刘文柱, 李振飞, 杜俊霖, 刘正新. 一种硅异质结太阳电池及其制备方法. CN117855294A, 2024-04-09.[16] 刘正新, 刘文柱, 石建华, 杜俊霖, 韩安军, 孟凡英, 张丽平. 一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法. CN: CN116435403A, 2023-07-14.[17] 张丽平, 刘文柱, 刘正新, 李振飞, 杜俊霖. 一种光调制化学气相沉积装置以及利用其调制薄膜生长温度的方法. CN: CN115466939A, 2022-12-13.[18] 刘正新, 孟凡英, 刘文柱, 张丽平, 赵文婕. 一种空间用低成本高环境耐受性硅异质结太阳电池及其制备方法. CN: CN117525197A, 2024-02-06.[19] 刘正新, 孟凡英, 刘文柱, 张丽平, 赵文婕. 一种空间用低成本高环境耐受性硅异质结太阳电池及其制备方法. CN: CN117525197B, 2024-03-08.[20] 刘文柱, 刘正新, 张丽平, 李振飞, 黄圣磊, 李晓东, 伍小琼. 一种硅异质结太阳电池及其制备方法. CN: CN111952381B, 2024-02-09.[21] 张丽平, 姚宇波, 刘正新, 孟凡英, 石建华, 刘文柱. 一种高效率双面受光柔性硅异质结太阳电池的制备方法. CN: CN111640815B, 2024-03-01.[22] 张丽平, 李振飞, 刘正新, 孟凡英, 石建华, 韩安军, 杜俊霖. 一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法和由此得到的薄膜及其应用. CN: CN111312859B, 2024-07-05.