先进工艺ESD防护技术研究及先进纳米器件可靠性研究

140100-集成电路科学与工程

先进工艺器件、电路及可靠性研究

2011-07--2016-06   中国科学院大学   博士
2007-07--2011-06   北京化工大学   学士

​

   

2021-08~2024-05,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2016-07~2021-07,中国科学院微电子研究所, 助理研究员

   

（ 1 ） 一种用于碳基集成电路的静电防护方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115172337A

（ 2 ） 一种超快脉冲测试系统、测试方法及装置, 发明专利, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN115166464A

（ 3 ） 一种超快脉冲测试系统, 实用新型, 2023, 第 7 作者, 专利号: CN218331828U

（ 4 ） 一种自加热效应的多脉冲测试方法及系统, 发明专利, 2022, 第 8 作者, 专利号: CN115236475A

（ 5 ） 一种抑制集成电路发生静电损伤的方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN113990861A

（ 6 ） 一种集成电路的静电防护方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN113990863A

（ 7 ） 一种新型静电防护方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN113990862A

（ 8 ） 一种低成本静电防护方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN113990860A

（ 9 ） 半导体功率器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113644055A

（ 10 ） 静电防护器件的仿真装置及仿真方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115248966A

（ 11 ） 一种测量高能粒子离化电荷粒径的方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112817036A

（ 12 ） 一种基于SOI工艺抗辐照多晶材料电阻, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN214378423U

（ 13 ） 一种抗单粒子效应加固电路及加固反相器, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN214378450U

（ 14 ） 一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112466950A

（ 15 ） 一种BTS型MOSFET结构及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112466949A

（ 16 ） 一种MOS器件及避免MOS器件寄生晶体管开启的方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112466951A

（ 17 ） 一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112466953A

（ 18 ） 一种基于静电放电保护结构的场效应管, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466947A

（ 19 ） 一种维持电压可调的SOI工艺可控硅静电放电保护结构, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466937A

（ 20 ） 一种可控硅器件, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466940A

（ 21 ） 一种具有静电放电保护功能的可控硅器件, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112466939A

（ 22 ） 一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112466938A

（ 23 ） 一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112491021A

（ 24 ） 一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN112491021B

（ 25 ） 一种静电放电防护钳位电路, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112491020A

（ 26 ） 一种降低半导体器件高温关态漏电的方法及装置, 发明专利, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112053968A

（ 27 ） 一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN112054061A

（ 28 ） 高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109884414A

（ 29 ） 单个高能粒子离化电荷测试电路, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109917269A

（ 30 ） 一种低漏电连接器, 发明专利, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108037325A

   

[1] IEEE Transactions on Electron Devices. 2024,   通讯作者  
[2] IEEE Transactions on Electron Devices. 2024,   通讯作者  
[3] IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. 2023,   通讯作者  
[4] YiFanLi, TaoNi, XiaoJingLi, JuanJuanWang, LinChunGao, JianHuiBu, DuoLiLi, XiaoWuCai, LiDaXu, XueQinLi, RunJianWang, ChuanBinZeng, BoLi, FaZhanZhao, JiaJunLuo, ZhengShengHan. Analytical workload dependence of self-heating effect for SOI MOSFETs considering two-stage heating process. Chinese Physics B[J]. 2023, 第 3 作者32(9): 098501, https://cpb.iphy.ac.cn/EN/10.1088/1674-1056/acc8c0.
[5] 张静, 李梦达, 朱慧平, 王磊, 彭松昂, 陆芃, 李晓静, 王艳蓉, 李博, 闫江. 碳纳米管薄膜场效应晶体管低温电学特性. 现代应用物理. 2023, 第 7 作者14(3): 217-221, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7110666538.
[6] Shiping Wang, Xiaowu Cai, Xiaojing Li, Duoli Li, Chuanbin Zeng, Meichen Jin, Jiajia Wang, Jiangjiang Li, Fazhan Zhao, Bo Li. Single-event burnout of LDMOS with polygon P+ structure. MICROELECTRONICS RELIABILITY[J]. 2022, 第 3 作者  通讯作者  138: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114715.
[7] Li Xiaojing, Ni Tao, Zeng Chuanbin. Effect of Total Ionizing Dose on Silicon-Controlled Rectifier with Adjustable Holding Voltage for ESD Protection of SOI CMOS ICs Operating under1.8V. RADECS. 2022, 第 1 作者
[8] 李明珠, 蔡小五, 曾传滨, 李晓静, 李多力, 倪涛, 王娟娟, 韩郑生, 赵发展. 高温对MOSFET ESD防护器件维持特性的影响. 物理学报[J]. 2022, 第 4 作者71(12): 489-496, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107488772.
[9] Ceng Chuanbin. Study on the trigger mechanism of PDSOI NMOS devices for ESD protection operating under elevated temperatures. Chinese Physics B. 2021, 
[10] 王加鑫, 李晓静, 赵发展, 曾传滨, 李博, 韩郑生, 罗家俊. 用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性. 半导体技术[J]. 2021, 第 2 作者46(3): 210-215, https://kns.cnki.net/KCMS/detail/detail.aspx?dbcode=CJFQ&dbname=CJFDLAST2021&filename=BDTJ202103008&v=MzE1MzZyV00xRnJDVVI3dWZZZWRtRmlyaFdyN0JKeW5mWkxHNEhORE1ySTlGYklSOGVYMUx1eFlTN0RoMVQzcVQ=.
[11] 王娟娟, 曾传滨, 李江江, 倪涛, 李晓静, 李多力, 罗家俊. SOI MOSFET自加热效应测试方法. 半导体技术[J]. 2021, 第 5 作者46(2): 164-168, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7104194462.
[12] 张颢译, 曾传滨, 李晓静, 高林春, 罗家俊, 韩郑生. 28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究. 微电子学[J]. 2021, 第 3 作者51(4): 577-581, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7105717846.
[13] 张颢译, 曾传滨, 李晓静, 闫薇薇, 倪涛, 高林春, 罗家俊, 赵发展, 韩郑生. 28nm超薄体FD-SOI高温输出电流特性研究. 微电子学与计算机[J]. 2021, 第 3 作者38(12): 75-79, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7106280404.
[14] Li, Yangyang, Zeng, Chuanbin, Li, Xiaojing, Gao, Linchun, Yan, Weiwei, Li, Duoli, Zhang, Yi, Han, Zhengsheng, Luo, Jiajun. Applications of Direct-Current Current-Voltage Method to Total Ionizing Dose Radiation Characterization in SOI NMOSFETs with Different Process Conditions. ELECTRONICS[J]. 2021, 第 3 作者  通讯作者  10(7): https://doaj.org/article/688191f8c1304c60a8c81f932ba0cf68.
[15] Li, Yangyang, Li, Xiaojing, Li, Bo, Gao, Linchun, Yan, Weiwei, Wang, Fangfang, Li, Duoli, Zeng, Chuanbin, Luo, Jiajun, Han, Zhengsheng. Effect of Radiation on Interface Traps of SOI NMOSFETs by the Direct-Current Current-Voltage Technique. IEEE ACCESS[J]. 2019, 第 2 作者  通讯作者  7: 115989-115996, https://doaj.org/article/7b5b4e9de4a24c5abd06e3116124ac73.
[16] 张念华, 万先进, 李远, 许爱春, 潘杰, 左明光, 胡凯, 詹侃, 宋锐, 毛格, 彭浩, 李晓静, 闫薇薇, 曾传滨. 氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充. 微纳电子技术[J]. 2019, 第 12 作者56(11): 925-932,938, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7100225586.
[17] 王芳芳, 曾传滨, 李晓静, 高林春, 罗家俊, 韩郑生. DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅界面态密度. 微电子学与计算机[J]. 2018, 第 3 作者35(7): 92-96, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675546157.
[18] Li, Xiaojing, Zeng, Chuanbin, Wang, Ruiheng, Gao, Linchun, Yan, Weiwei, Luo, Jiajun, Han, Zhengsheng. Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler-Nordheim tunneling stress using the DCIV method. APPLIEDPHYSICSAMATERIALSSCIENCEPROCESSING[J]. 2018, 第 1 作者  通讯作者  124(9): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000441326300001.
[19] WeiWeiYan, LinChunGao, XiaoJingLi, FaZhanZhao, ChuanBinZeng, JiaJunLuo, ZhengShengHan. Experimental and simulation studies of single-event transient in partially depleted SOI MOSFET. Chinese Physics B[J]. 2017, 第 3 作者26(9): 98505-098505, https://cpb.iphy.ac.cn/EN/10.1088/1674-1056/26/9/098505.

   

（ 1 ） 堆叠纳米片全环绕栅极晶体管的ESD损伤机理及鲁棒性增强模型研究, 负责人, 国家任务, 2024-01--2027-12
（ 2 ） 碳基集成电路ESD防护技术研究, 负责人, 其他, 2021-10--2024-10
（ 3 ） 高能粒子诱发的碳纳米管损伤机理研究, 参与, 研究所自主部署, 2023-07--2025-12
（ 4 ） 极端环境关键核心芯片及X射线辐照模拟测试技术研究, 参与, 研究所自主部署, 2023-11--2025-10