（1） 八面体基元理论指导发现新型相变材料与其在128Mb存储芯片中应用, 一等奖, 其他, 2019

（ 1 ） 一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: 202011156695.4

（ 2 ） 一种预测不同写操作下的相变存储器单元热稳定性的方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: 202010651804.3

（ 3 ） 一种数据的多级存储方法、系统、电子设备及存储介质, 2019, 第 2 作者, 专利号: cn201911178667.X

（ 4 ） 一种阶梯脉冲确定方法、系统及存储介质, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN201910743318.1

（ 5 ） 一种阶梯脉冲的确认方法、装置、电子设备和存储介质, 2019, 第 2 作者, 专利号: cn201910699840.4

（ 6 ） 相变储存器控制装置、相变储存器控制方法、电子装置及存储介质, 2019, 第 1 作者, 专利号: cn201910196702.4

（ 7 ） 电压电流测试 自动切换电路、相变单元测试系统及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN201710749389.3

（ 8 ） 一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107068198

（ 9 ） 一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107886993A

（ 10 ） 一种具有保持力测试功能的相变存储器, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610349687.9

（ 11 ） 相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: cn2016101785963

（ 12 ） 一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610140946.7

（ 13 ） 一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610118179X

   

（ 1 ） 复合载荷下相变存储器保持力特性及其机理研究, 负责人, 国家任务, 2019-01--2022-12