基本信息
苏艳梅  女  硕导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: yanmeisu@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所1号楼406A
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
微结构激光器
特种红外及紫外探测技术

教育背景

2002-04--2006-03   中国科学院半导体研究所   博士
1999-09--2002-03   北京交通大学 光电子研究所   硕士
1995-09--1999-07   北京交通大学 物理系   学士

工作经历

   
工作简历
2018-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2009-01~2017-12,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2006-04~2008-12,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2002-04~2006-03,中国科学院半导体研究所, 博士
1999-09~2002-03,北京交通大学 光电子研究所, 硕士
1995-09~1999-07,北京交通大学 物理系, 学士

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410112197.8

( 2 ) 一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: 201310729555.5

( 3 ) 透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵, 2013, 第 3 作者, 专利号: 2011101842183

( 4 ) 紫外-红外双波段探测器及其制作方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: 2009100841576

( 5 ) GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 2008101160407

出版信息

   
发表论文
(1) Emitting direction tunable slotted laser array for Lidar applications, Optics Communications, 2020, 第 1 作者
(2) 283nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器, 《红外与激光工程》, 2013, 第 4 作者
(3) p-GaN/p-AlxGa1-xN异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响, 《物理学报》, 2012, 第 4 作者
(4) 128×128三电极中/长波双色量子阱红外探测器, 《红外与激光工程》, 2012, 第 1 作者
(5) 160×128元多量子阱长波红外焦平面探测器件研制, 《红外与激光工程》, 2007, 第 2 作者
(6) 双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制, 《红外与激光工程》, 2007, 第 3 作者
(7) 128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面阵列, 《半导体学报》, 2005, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 砷化镓刻蚀工艺对新型器件的适用性研究, 负责人, 企业委托, 2015-09--2016-09
( 2 ) 武汉永力科技股份有限公司-中国科学院半导体研究所特种探测技术联合实验室, 负责人, 企业委托, 2016-05--2019-05
( 3 ) 128×128中/长波双色量子阱红外探测器核心芯片初级产业化研究, 负责人, 企业委托, 2016-05--2019-05
( 4 ) 硅基单片集成红外/紫外双波段探测材料研究与器件验证, 负责人, 国家任务, 2019-08--2024-07