0805Z2-半导体材料与器件
080901-物理电子学

光电子器件集成
新型光电子器件
光电子材料

2003-09--2006-06   中科院半导体所   博士
1999-09--2002-03   北京科技大学   硕士
1995-09--1999-06   北京科技大学   学士

   

2003-09~2006-06,中科院半导体所, 博士
1999-09~2002-03,北京科技大学, 硕士
1995-09~1999-06,北京科技大学, 学士

光子集成芯片基础
光子集成芯片材料与器件进展

   

（ 1 ） 单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: 201310019746

（ 2 ） 利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210319231

（ 3 ） 基于边入射光混频器的THz天线阵列, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210370216

（ 4 ） 双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010269026

（ 5 ） 电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910078863

（ 6 ） 采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910078864

（ 7 ） NPN异质结双极型晶体管激光器, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200810240353

（ 8 ）  宽光谱自组织量子点材料的生长方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200810240354.8

   

（1） Slotted surface gratings fabricated by selective area growth of the p-InP cladding layer for BH lasers, Optics Letters, 2024, 
（2） Single-mode InGaAsP/InP BH lasers based on high-order slotted surface gratings, Optics Letters, 2024, 
（3） Fabrication of high power 1.5 ��m wavelength InGaAsP/InP BH lasers having dilute waveguide structure, Optics Express, 2024, 
（4） Deep ridge InGaAlAs/InP MQW transistor lasers, IEEE Electron Device Letters, 2024, 
（5） High Speed Directly Modulated DFB Lasers Having MQW Based Passive Reflectors, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2023, 第 11 作者
（6） A Novel High Speed Directly Modulated Dual Wavelength 1.3 mu m DFB Laser for THz Communications, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2023, 第 11 作者
（7） A Novel High Speed Directly Modulated Dual Wavelength 1.3 mu m DFB Laser for THz Communications, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2023, 
（8） 1.3 mu m InGaAlAs/InP DFB Laser Integrated With SSC Having Reverse Mesa Ridge Waveguide, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2022, 第 11 作者
（9） Up to 50 Gb/s modulation of an EAM integrated widely tunable DBR laser, OPTICS EXPRESS, 2021, 第 11 作者
（10） 1.3 ��m InGaAlAs/InP laser integrated with laterally tapered SSC in a reverse mesa shape, Optics Express, 2021, 第 11 作者
（11） High Speed Waveguide Uni-Traveling Carrier InGaAs/InP Photodiodes Fabricated By Zn Diffusion Doping, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2021, 第 11 作者
（12） A10 Gb/s 1.5 mu m Widely Tunable Directly Modulated InGaAsP/InP DBR Laser*, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2020, 第 11 作者
（13） Dual-wavelength DBR laser integrated with high-speed EAM for THz communications, OPTICS EXPRESS, 2020, 第 11 作者
（14） 10 Gb/s NRZ and 20 Gb/s PAM4 Transmission Using an EAM-Integrated Widely Tunable DBR Laser, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2019, 第 11 作者
（15） Analysis and optimization of 1.5-��m InGaAsP/InP MQWs electroabsorption modulator, OPTIK, 2019, 第 2 作者
（16） 1.55-��m AlGaInAs/InP Sampled Grating Laser Diodes for Mode Locking at Terahertz Frequencies, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2018, 第 1 作者
（17） AlGaInAs EML having high extinction ratios fabricated by identical epitaxial layer technique, OPTICS COMMUNICATIONS, 2018, 第 11 作者
（18） Low Chirp EMLs Fabricated By Combining SAG and Double Stack Active Layer Techniques, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2018, 第 11 作者
（19） Zero-bias 32 Gb/s evanescently coupled InGaAs/InP UTC-PDs, OPTICS AND LASER TECHNOLOGY, 2018, 第 11 作者
（20） Data Transmission Using a Directly Modulated Widely Tunable DBR Laser With an Integrated Ti Thin Film Heater, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2018, 第 11 作者
（21） High-speed directly modulated widely tunable two-section InGaAlAs DBR lasers, OPTICS EXPRESS, 2017, 第 2 作者
（22） Fabrication of antenna integrated UTC-PDs as THz sources, Terahertz Science and Technology, 2017, 第 11 作者
（23） Evanescently Coupled Waveguide InGaAs UTC-PD having an over 21 GHz Bandwidth under Zero Bias, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2017, 第 11 作者
（24） Continuous-wave operation up to 20 oC of deep-ridge npn-InGaAsP/InP multiple quantum well transistor laser emitting at 1.5-��m wavelength, Optics Express, 2016, 第 11 作者
（25） DBR Laser With Over 20-nm Wavelength Tuning Range, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2016, 第 11 作者
（26） Transistor Laser With a Current Confinement Aperture in the Emitter Ridge, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 第 11 作者
（27） Fabrication and characterization of deep ridge InGaAsP/InP light emitting transistors, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 11 作者
（28） Multichannel DFB Laser Arrays Fabricated by Upper SCH Layer SAG Technique, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2014, 第 2 作者
（29） Optimization of selective area growth conditions for the fabrication of multi-wavelength DFB laser array, Optics communications, 2013, 第 11 作者
（30） Tunable DFB lasers integrated with Ti thin film heaters fabricated with a simple procedure, OPTICS & LASER TECHNOLOGY, 2013, 
（31） Multi-channel DFB laser array fabricated by SAG with optimized epitaxy conditions, CHINESE OPTICS LETTERS, 2013, 第 11 作者
（32） Ultrashort Pulse Generation at Quasi-40-GHz by Using a Two-Section Passively Mode-Locked InGaAsP-InP Tensile Strained Quantum-Well Laser, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者
（33） A modified SAG technique for the fabrication of DWDM DFB laser arrays with highly uniform wavelength spacings, OPTICS EXPRESS, 2012, 第 2 作者
（34） Temperature performance of the edge emitting transistor laser, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 11 作者
（35） Growth simulations of self-assembled nanowires on stepped substrates, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2011, 第 11 作者
（36） Inp-based deep-ridge npn transistor laser, OPTICS LETTERS, 2011, 
（37） All-optical clock recovery using a ridge width varied two-section partly gain-coupled DFB self-pulsation laser, OPTICS COMMUNICATIONS, 2010, 
（38） Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 
（39） Size distributions of quantum islands on stepped substrates, JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 2009, 
（40） A selective area growth double stack active layer electroabsorption modulator integrated with a distributed feedback laser, CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2009, 第 2 作者
（41） A ridge width varied two-section index-coupled DFB self-pulsation laser with a widely tunable frequency range, J. Phys. D: Appl. Phys., 2009, 第 11 作者

（ 1 ） 半导体材料研究进展（第一卷，第五章）, Research Progress of Semiconductor Materials（Volume 1，Chapter 5）, 高等教育出版社, 2012-01, 第 4 作者

   

（ 1 ） 宽带无时延InP基单片集成混沌激光器芯片, 负责人, 地方任务, 2023-01--2025-12
（ 2 ） 宽波长范围快速切换半导体激光器阵列光源, 负责人, 境内委托项目, 2022-01--2025-12
（ 3 ） 高功率低发散角激光器芯片, 负责人, 国家任务, 2019-08--2023-03
（ 4 ） 4×25GHz高线性度直接调制激光器及探测器阵列集成研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2021-12
（ 5 ） 基于PD的THz天线阵列研究, 负责人, 国家任务, 2015-01--2018-12
（ 6 ） InP基光子集成发射芯片研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2018-12
（ 7 ） 高性能InP基晶体管激光器研究, 负责人, 国家任务, 2013-01--2016-12
（ 8 ） 1×4阵列式波长可调谐40G激光器（子课题）, 负责人, 国家任务, 2013-01--2016-12
（ 9 ） 脊波导InP基光敏晶体管的研究（子课题）, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12
（ 10 ） 10×10Gb/s 并行光发射单片集成芯片设计与制备（子课题）, 负责人, 国家任务, 2011-01--2014-12