080903-微电子学与固体电子学
070207-光学
070205-凝聚态物理

红外光电材料与器件，半导体低维结构与量子器件，专用集成电路技术
光子器件、超材料光子学，微纳光子学，信息光学中的物理问题
半导体材料、器件与物理，量子材料与量子调控，低维结构材料与物理

2002-07--2007-06   北京邮电大学   博士学位

   

2017-10~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 研究员
2012-12~2017-09,中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2012-04~2012-12,新加坡南洋理工大学, research fellow
2010-10~2012-04,中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2007-07~2010-09,中国科学院上海技术物理研究所, 助理研究员
2002-07~2007-06,北京邮电大学, 博士学位

2024-05-01-2029-04-30,合肥国家实验室双聘,

   

（ 1 ） 一种对非理想刻蚀工艺制备的介质超表面的补偿设计方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202210123406.3

（ 2 ） 一种基于超表面透镜的小像元红外焦平面探测器, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113013268A

（ 3 ） 一种雪崩探测器过渡层结构及制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109473496A

（ 4 ） 一种基于圆偏振态编码的全天时量子通信方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108667528A

（ 5 ） 一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN205039169U

（ 6 ） 适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN105161564A

（ 7 ） 一种亚波长等离激元微腔光耦合结构, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN204332979U

（ 8 ） 势垒级联量子阱红外探测器, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN204230260U

（ 9 ） 提升光电探测器光响应的亚波长等离激元微腔光耦合结构, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN104332510A

（ 10 ） 一种势垒级联量子阱红外探测器, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN104183658A

（ 11 ） 等离激元微腔耦合结构的高线性偏振度量子阱红外探测器, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103762220A

（ 12 ） 一种量子阱太赫兹探测器, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103107230A

（ 13 ） APD红外探测器及其制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102881761A

（ 14 ） 光激发微分电容法测定低背景载流子浓度的方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102175727A

（ 15 ） 一种激光选择聚焦器件及其设计方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101846808A

（ 16 ） 一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: CN101551294A

（ 17 ） InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: CN101545884A

（ 18 ） 光伏型多量子阱红外探测器, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101170148A

   

（1） Effects of Gamma irradiation on performance of InGaAsP/InP single-photon avalanche diodes, J. Infrared Millim. Waves, 2024, 
（2） Correlation between MBE deoxidation conditions and InGaAs/InP APD performance, J. Infrared Millim. Waves, 2024, 
（3） High detection efficiency InGaAsP/InP single-photon avalanche diode at room temperature, J. Infrared Millim. Waves, 2024, 
（4） The study and optimization of ICP deep etching at a low-temperature for InP solid-immersion metalens fabrication, Materials Science in Semiconductor Processing, 2023, 
（5） Material Defects and Dark Currents in InGaAs/InP Avalanche Photodiode Devices, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 第 11 作者
（6） The Impact of Manufacturing Imperfections on the Performance of Metalenses and a Manufacturing-Tolerant Design Method, MICROMACHINES, 2022, 第 11 作者
（7） Direct mapping and characterization of the surface local field in InGaAs/InP avalanche photodetectors, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2022, 第 11 作者
（8） High performance InGaAs/InP avalanche photodiode integrated with metal-insulator-metal microcavity, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2021, 第 11 作者
（9） InGaAsP/InP single photon avalanche diodes with ultra-high photon detection efficiency, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2020, 第 11 作者
（10） Mid-infrared polarization-controlled broadband achromatic metadevice, SCIENCE ADVANCES, 2020, 第 4 作者
（11） Tunable phase change polaritonic perfect absorber in the mid-infrared region, OPTICS EXPRESS, 2020, 第 5 作者
（12） Selectively thermal radiation control in long-wavelength infrared with broadband all-dielectric absorber, OPTICS EXPRESS, 2019, 第 6 作者
（13） Room-Temperature Single-Photon Detector Based on Single Nanowire, NANO LETTERS, 2018, 第 8 作者
（14） 中红外波段雪崩光子探测器研究进展, The Research Progress of Mid-infrared Avalanche Photodiode Detectors, 红外技术, 2018, 第 5 作者
（15） Origin of large dark current increase in InGaAs/InP avalanche photodiode, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 
（16） Plasmonic optical convergence microcavity based on the metal-insulator-metal microstructure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 
（17） Remarkable optical coupling enhancement with laser selective focusing devices, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2016, 第 6 作者
（18） 低维半导体异质结构光电探测材料及器件验证, Low dimensional semiconductor hetero-structure photoelectric detecting materials and devices, 红外与毫米波学报, 2016, 第 1 作者
（19） Light enhancement by metal-insulator-metal plasmonic focusing cavity, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2016, 
（20） Dependence of dark current on carrier lifetime for InGaAs/InP avalanche photodiodes, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2015, 
（21） Numerical analysis of multiplication layer on dark current for InGaAs/InP single photon avalanche diodes, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2014, 
（22） Effect of surface charge on the dark current of InGaAs/InP avalanche photodiodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 
（23） 激光选择聚焦的响应增强型光电探测器, Laser selective focusing utilized for remarkably enhancing the responses of photodetectors, 红外与激光工程, 2014, 第 1 作者
（24） Tunable photodetector based on GaAs/InP wafer bonding, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2006, 第 11 作者

   

（ 1 ） 高灵敏少光子探测**, 负责人, 其他, 2022-11--2024-11
（ 2 ） 单光子焦平面阵列和超表面极窄线宽光场调控方法研究, 负责人, 地方任务, 2022-07--2025-06
（ 3 ） 暗计数产生*****, 负责人, 其他, 2022-06--2025-12
（ 4 ） 盖革模式InP基雪崩焦平面阵列的超表面光场调控和光电耦合机理研究, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
（ 5 ） 微纳结构光电耦合原理与验证, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
（ 6 ） 半导体单光子探测器件, 负责人, 地方任务, 2019-07--2024-06
（ 7 ） 光电联合调控的量子探测材料与器件研究, 参与, 地方任务, 2016-07--2019-06
（ 8 ） 低维半导体异质结构光电探测材料及器件验证研究, 参与, 国家任务, 2016-07--2020-12
（ 9 ） 表面等离激元光学微腔型InGaAs/InP单光子探测器的光学传输和光电耦合机理研究, 负责人, 国家任务, 2015-01--2017-12
（ 10 ） 核心量子通信器件, 参与, 中国科学院计划, 2012-09--2017-08

（1）InP-Based Single Photon Avalanche Diode and Its Applications in Space Quantum Experiments   2023-11-24
（2）High performance InP based single photon avalanche diodes integrated with Metal-Insulator-Metal plasmonic microcavities   2016-09-25
（3）Light enhancement by Metal-Insulator-Metal Plasmonic Focusing Cavity   2015-09-07
（4）Nμmerical Analysis of Multipli-cation Layer for InGaAs/InP Single Photon Avalanche Diodes   2013-08-19
（5）InGaAs-InP Single Photon Avalanche Diodes with Low Tunneling Current   2013-06-25
（6）Numerical Analysis of Single Photon Avalanche Photodiodes With Improved Structure   W. J. Wang, L. Lin, T. X. Li, N. Li, W. D. Hu, W. Lu, X. S. Chen   2010-09-07
（7） High differential gain single photon avalanche photodiode with improved structure   W. J. Wang, L. Lin, T. X. Li, N. Li, W. D. Hu, W. Lu, X. S. Chen   2010-09-05