基本信息
王文娟  女  博导  中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: wangwj@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海市玉田路500号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
070207-光学
招生方向
半导体器件与物理
微纳结构光学

教育背景

2002-07--2007-06   北京邮电大学   博士学位

工作经历

   
工作简历
2017-10~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 研究员
2012-12~2017-09,中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2012-04~2012-12,新加坡南洋理工大学, research fellow
2010-10~2012-04,中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2007-07~2010-09,中国科学院上海技术物理研究所, 助理研究员
2002-07~2007-06,北京邮电大学, 博士学位

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种基于超表面透镜的小像元红外焦平面探测器, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113013268A

( 2 ) 一种雪崩探测器过渡层结构及制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109473496A

( 3 ) 一种基于圆偏振态编码的全天时量子通信方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108667528A

( 4 ) 势垒级联量子阱红外探测器, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN205810833U

( 5 ) 一种用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面, 2016, 第 8 作者, 专利号: CN205039169U

( 6 ) 适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN105161564A

( 7 ) 一种亚波长等离激元微腔光耦合结构, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN204332979U

( 8 ) 提升光电探测器光响应的亚波长等离激元微腔光耦合结构, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN104332510A

( 9 ) 一种势垒级联量子阱红外探测器, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN104183658A

( 10 ) 等离激元微腔耦合结构的高线性偏振度量子阱红外探测器, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103762220A

( 11 ) 一种量子阱太赫兹探测器, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103107230A

( 12 ) APD红外探测器及其制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102881761A

( 13 ) 光激发微分电容法测定低背景载流子浓度的方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102175727A

( 14 ) 一种激光选择聚焦器件及其设计方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101846808A

( 15 ) 一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: CN101551294A

( 16 ) InGaAs/InP平面型光电探测器扩散结的检测方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: CN101545884A

( 17 ) 光伏型多量子阱红外探测器, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101170148A

出版信息

   
发表论文
(1) High performance InGaAs/InP avalanche photodiode integrated with metal-insulator-metal microcavity, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2021, 通讯作者
(2) InGaAsP/InP single photon avalanche diodes with ultra-high photon detection efficiency, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2020, 通讯作者
(3) 中红外波段雪崩光子探测器研究进展, The Research Progress of Mid-infrared Avalanche Photodiode Detectors, 红外技术, 2018, 第 5 作者
(4) Origin of large dark current increase in InGaAs/InP avalanche photodiode, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 
(5) Plasmonic optical convergence microcavity based on the metal-insulator-metal microstructure, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 
(6) Remarkable optical coupling enhancement with laser selective focusing devices, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2016, 第 6 作者
(7) 低维半导体异质结构光电探测材料及器件验证, Low dimensional semiconductor hetero-structure photoelectric detecting materials and devices, 红外与毫米波学报, 2016, 第 1 作者
(8) Light enhancement by metal-insulator-metal plasmonic focusing cavity, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2016, 
(9) 激光选择聚焦的响应增强型光电探测器(英文), 红外与激光工程, 2014, 第 1 作者
(10) Effect of surface charge on the dark current of InGaAs/InP avalanche photodiodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 
(11) 激光选择聚焦的响应增强型光电探测器, Laser selective focusing utilized for remarkably enhancing the responses of photodetectors, 红外与激光工程, 2014, 第 1 作者
(12) 激光选择聚焦的响应增强型光电探测器, Laser selective focusing utilized for remarkably enhancing the responses of photodetectors, 红外与激光工程, 2014, 第 1 作者
(13) Numerical Analysis of Multiplicat- ion Layer on Dark Current for InGaAs/InP Single Photon Avalan-che Diodes, Opt Quant Electron, 2013, 通讯作者
(14) Laser selective focusing utilized for remarkably enhancing the responses of photodetectors, 红外与激光工程, 2013, 第 1 作者
(15) Tunable photodetector based on GaAs/InP wafer bonding, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2006, 通讯作者
(16) Dependence of dark current on carrier lifetime for InGaAs/InP avalanche photodiodes, 

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 核心量子通信器件, 参与, 中国科学院计划, 2012-09--2017-08
( 2 ) 表面等离激元光学微腔型InGaAs/InP单光子探测器的光学传输和光电耦合机理研究, 负责人, 国家任务, 2015-01--2017-12
( 3 ) 光电联合调控的量子探测材料与器件研究, 参与, 地方任务, 2016-07--2019-06
( 4 ) 低维半导体异质结构光电探测材料及器件验证研究, 参与, 国家任务, 2016-07--2020-12
( 5 ) 半导体单光子探测器件, 负责人, 地方任务, 2019-07--2022-05
( 6 ) 盖革模式InP基雪崩焦平面阵列的超表面光场调控和光电耦合机理研究, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
参与会议
(1)High performance InP based single photon avalanche diodes integrated with Metal-Insulator-Metal plasmonic microcavities   2016-09-25
(2)Light enhancement by Metal-Insulator-Metal Plasmonic Focusing Cavity   2015-09-07
(3)Nμmerical Analysis of Multipli-cation Layer for InGaAs/InP Single Photon Avalanche Diodes   2013-08-19
(4)InGaAs-InP Single Photon Avalanche Diodes with Low Tunneling Current   2013-06-25
(5)Numerical Analysis of Single Photon Avalanche Photodiodes With Improved Structure   W. J. Wang, L. Lin, T. X. Li, N. Li, W. D. Hu, W. Lu, X. S. Chen   2010-09-07
(6) High differential gain single photon avalanche photodiode with improved structure   W. J. Wang, L. Lin, T. X. Li, N. Li, W. D. Hu, W. Lu, X. S. Chen   2010-09-05