基本信息
彭松昂  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: pengsongang@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
新型微纳电子器件及电路研究
低维材料(石墨烯,二硫化钼,碳纳米管)电子器件及电路
化合物半导体器件及集成技术研究

教育背景

2010-09--2015-06   中国科学院大学研究生院   博士
2006-09--2010-06   河南大学   学士

工作经历

   
工作简历
2018-03~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2015-07~2018-03,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2010-09~2015-06,中国科学院大学研究生院, 博士
2006-09~2010-06,河南大学, 学士

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种基于自对准工艺的石墨烯场效应晶体管制造方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN107256888B

( 2 ) 一种避免光刻胶沾污的二维材料器件制造方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN107275218B

( 3 ) 一种石墨烯器件的制造方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN107275219B

( 4 ) 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN105895704B

( 5 ) 吸波材料及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN105860496B

( 6 ) 吸波材料及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN105860496B

( 7 ) 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN105762194B

( 8 ) 石墨烯场效应管的制备方法及形成的石墨烯场效应管, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN105914148B

( 9 ) 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN105789032B

( 10 ) 金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN105914158B

( 11 ) 基于石墨烯的超级电容电极材料的制备方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN105702477B

( 12 ) 图形化石墨烯及其制备方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN105948023B

( 13 ) 吸波材料制备方法及形成的吸波材料, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN105907367B

( 14 ) 基于石墨烯的超级电容电极材料的制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN105702478B

( 15 ) 一种石墨烯图形化生长方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107311159A

( 16 ) 一种悬浮石墨烯‑硅异质结晶体管结构及其制造方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN107275398A

( 17 ) 一种基于双层光刻胶工艺的二维材料场效应管制造方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107134407A

( 18 ) 减小金属与石墨烯接触电阻的方法及石墨烯FET器件, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105957807A

( 19 ) 减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105789039A

( 20 ) 一种对机械剥离石墨烯表面进行原子级清洁处理的方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104495812A

( 21 ) 可控清除石墨烯-金属接触区域残留光学光刻胶的方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104465328A

( 22 ) 无残留光学光刻胶石墨烯FET的制备及原位表征方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104465400A

( 23 ) 一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103456604A

( 24 ) 一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103456607A

( 25 ) 一种可调控碳基半导体器件载流子浓度的表面处理方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103441223A

( 26 ) 一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103346088A

( 27 ) 一种碳基场效应晶体管及其制备方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103325837A

( 28 ) 一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103325836A

( 29 ) 一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103311276A

( 30 ) 一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103296065A

( 31 ) 一种制备金属与石墨烯欧姆接触的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102623310A

( 32 ) 一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102593006A

出版信息

   
发表论文
(1) Electric-Field Induced Doping Polarity Conversion in Top-Gated Transistor Based on Chemical Vapor Deposition of Graphene, CRYSTALS, 2022, 第 1 作者
(2) The Effect of Metal Contact Doping on the Scaled Graphene Field Effect Transistor, ADVANCED ENGINEERING MATERIALS, 2022, 第 1 作者
(3) Stable p-type chemical doping of graphene with reduced contact resistance by single-layer perfluorinated polymeric sulfonic acid, NANOTECHNOLOGY, 2021, 第 3 作者
(4) Conversion of the stacking orientation of bilayer graphene through high-pressure treatment, CARBON, 2021, 第 8 作者
(5) Layer thickness influenced irradiation effects of proton beam on MoS2 field effect transistors, NANOTECHNOLOGY, 2021, 第 4 作者
(6) Reducing metal/graphene contact resistance via N, N-dimethylacetamide-assisted clean fabrication process, NANOTECHNOLOGY, 2021, 第 2 作者
(7) Effects of Charge Trapping at the MoS2-SiO(2)Interface on the Stability of Subthreshold Swing of MoS(2)Field Effect Transistors, MATERIALS, 2020, 第 3 作者
(8) Stability of Graphene Growth on CuNi Thin Films in a High-Temperature Hydrogen/Oxygen Atmosphere, CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2020, 第 9 作者
(9) A composite with a gradient distribution of graphene and its anisotropic electromagnetic reflection, RSC ADVANCES, 2020, 第 4 作者
(10) Facile and rigorous route to distinguish the boundary structure of monolayer MoS2 domains by oxygen etching, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 第 10 作者
(11) A de-embedding method with matrix rectification and influences of residual errors on model parameters extraction of InP HEMTs, INTERNATIONAL JOURNAL OF RF AND MICROWAVE COMPUTER-AIDED ENGINEERING, 2020, 第 7 作者
(12) Chemical vapor deposition growth and characterization of graphite-like film, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2020, 第11作者
(13) Aligned monolayer MoS2 ribbons growth on sapphire substrate via NaOH-assisted chemical vapor deposition, SCIENCE CHINA-MATERIALS, 2020, 第 13 作者
(14) Controllable p-to-n Type Conductance Transition in Top-Gated Graphene Field Effect Transistor by Interface Trap Engineering, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 第 1 作者
(15) Detecting the Repair of Sulfur Vacancies in CVD-Grown MoS2 Domains via Hydrogen Etching, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 第 10 作者
(16) Metal-Contact-Induced Transition of Electrical Transport in Monolayer MoS2: From Thermally Activated to Variable-Range Hopping, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 第 1 作者
(17) Reconfigurable Artificial Synapses between Excitatory and Inhibitory Modes Based on Single-Gate Graphene Transistors, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 第 3 作者
(18) A uniform stable P-type graphene doping method with a gold etching process, NANOTECHNOLOGY, 2019, 第 2 作者
(19) Growth promotion of vertical graphene on SiO2/Si by Ar plasma process in plasma-enhanced chemical vapor deposition, RSC ADVANCES, 2018, 第 9 作者
(20) Extracting Small-Signal Model Parameters of Graphene-Based Field-Effect Transistors, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2018, 第 3 作者
(21) Effects of carbon-based impurities on graphene growth, PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2018, 第 8 作者
(22) A new surface-potential-based compact model for the MoS2 field effect transistors in active matrix display applications, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 2 作者
(23) How Do Contact and Channel Contribute to the Dirac Points in Graphene Field-Effect Transistors?, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 第 1 作者
(24) Evidence of electric field-tunable tunneling probability in graphene and metal contact, NANOSCALE, 2017, 第 1 作者
(25) Carrier-Number-Fluctuation Induced Ultralow 1/f Noise Level in Top-Gated Graphene Field Effect Transistor, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017, 第 1 作者
(26) Abnormal Dirac point shift in graphene field-effect transistrors, Materials Research Express, 2016, 第 3 作者
(27) The two timescales in the charge trapping mechanism for the hysteresis behavior in graphene field effect transistors, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2016, 第 3 作者
(28) Intrinsic carrier mobility extraction based on a new quasi-analytical model for graphene field-effect transistors, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 第 4 作者
(29) Characterization of the quality of metal-graphene contact with contact end resistance measurement, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 第 4 作者
(30) Depositing aluminum as sacrificial metal to reduce metal–graphene contact resistance, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 6 作者
(31) Intrinsic carrier mobility extraction based on a new quasi-analytical model for graphene field-effect transistor, Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 第 3 作者
(32) Abnormal Dirac point shift in graphene field-effect transistors, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2016, 第 4 作者
(33) Towards a cleaner graphene surface in graphene field effect transistor via N,N-Dimethylacetamide, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2016, 第 2 作者
(34) Characterization of the quality of metal–graphene contact with contact end resistance measurement, Applied Physic A, 2016, 第 4 作者
(35) Surface-potential-based physical compact model for graphene field effect transistor, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 第 2 作者
(36) The sheet resistance of graphene under contact and its effect on the derived specific contact resistivity, CARBON, 2015, 第 1 作者
(37) The electrochemical transfer of CVD-graphene using agarose gel as solid electrolyte and mechanical support layer, CHEMICAL COMMUNICATIONS, 2015, 第 5 作者
(38) Effect of source-gate spacing on direct current and radio frequency characteristic of graphene field effect transistor, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 1 作者
(39) Hydroxyl-free buffered dielectric for graphene field-effect transistors, CARBON, 2015, 第 4 作者
(40) A more reliable measurement method for metal/graphene contact resistance, NANOTECHNOLOGY, 2015, 第 4 作者
(41) 石墨烯场效应晶体管研究, 2015, 第 1 作者
(42) The Anistropy of Field Effect Mobility of CVD Graphene Grown on Copper Foil, SMALL, 2014, 第 5 作者
(43) Heavily p-type doped chemical vapor deposition graphene field-effect transistor with current saturation, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 1 作者
(44) Heavily p-type doped chemical vapor deposition graphene field-effect transistor with current saturations, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 1 作者
(45) Heavily p-type doped chemical vapor deposition graphene field-effect transistor with current saturation, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 1 作者
(46) Depressed scattering across grain boundaries in single crystal graphene, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 7 作者
(47) Depressed scattering across grain boundaries in single crystal graphene, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 7 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 石墨烯场效应晶体管载流子输运参数表征方法和标准研究, 负责人, 其他任务, 2020-08--2023-08
( 2 ) 中国科学院青年创新促进会人才项目, 负责人, 中国科学院计划, 2019-01--2023-01
( 3 ) 基于二维材料器件的存算一体神经形态芯片研究, 负责人, 国家任务, 2022-06--2027-06