基本信息
郭云龙 男 博导 中国科学院化学研究所
电子邮件: guoyunlong@iccas.ac.cn
通信地址: 海淀区中关村北一街2号
邮政编码: 100190
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招生信息
招生专业
070304-物理化学
招生方向
有机聚合物半导体材料与器件;有机-无机杂化材料与器件有机-无机杂化材料与器件
教育背景
2005-09--2010-07 中国科学院化学研究所 博士研究生
工作经历
工作简历
2016-10~现在, 中国科学院化学研究所, 研究员2016-04~2016-10,日本东京大学, 特任副教授2013-10~2016-03,日本东京大学, 博士后2013-07~2013-10,中国科学院化学研究所, 副研究员2010-07~2013-07,中国科学院化学研究所, 助理研究员2005-09~2010-07,中国科学院化学研究所, 博士研究生
专利与奖励
专利成果
( 1 ) 基于全层异质结的低压高性能有机发光晶体管, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116490022A( 2 ) 一种实现高性能可拉伸电致发光聚合物半导体薄膜的掺杂结构及其应用, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116456796A( 3 ) 一种调控聚合物半导体溶液聚集态的方法及其在光电器件制备中的应用, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115386106A( 4 ) 基于钙钛矿量子点薄膜的可拉伸高能量光探测器, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115377236A( 5 ) 不对称异靛蓝受体及聚合物及其制备方法与应用, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN112442169B( 6 ) 不对称异靛蓝受体及聚合物及其制备方法与应用, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN112442169B( 7 ) 双吡啶并三唑半导体聚合物及其制备与应用, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114456355A( 8 ) 双吡啶并三唑半导体聚合物及其制备与应用, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114456355A( 9 ) 新型噻唑桥联异靛蓝类受体及聚合物以及它们的制备方法与应用, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114437315A( 10 ) 新型噻唑桥联异靛蓝类受体及聚合物以及它们的制备方法与应用, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114437315A( 11 ) 具有定位效应的三氮唑并吡啶类受体、其聚合物以及它们的应用, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114409682A( 12 ) 一种高精度图案化聚合物半导体的方法及其在光电器件制作中的应用, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114388694A( 13 ) 非卤溶剂制备的聚合物薄膜晶体管驱动OLED器件及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113972216A( 14 ) 一种本征可拉伸有机平行异质结光晶体管及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113707808A( 15 ) 吡啶并三氮唑类新型受体及其发光聚合物的合成与应用, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113501939A( 16 ) 环化靛蓝受体及聚合物的制备与应用, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN113493559A( 17 ) 基于电极/半导体界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112951998A( 18 ) 三氟甲基噻吩乙烯噻吩给体及其聚合物与应用, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111285842B( 19 ) 新型甲氧基靛吩咛类受体及聚合物以及它们的制备方法与应用, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112708111A( 20 ) 不对称异靛蓝受体及聚合物及其制备方法与应用, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN112442169A( 21 ) 环化靛蓝受体及聚合物及其制备方法与应用, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN110872376A( 22 ) 二氟异靛青类三元聚合物及其制备方法与应用, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN107189042A( 23 ) 连三吡咯并吡咯二酮聚合物及其合成方法与应用, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106750193A( 24 ) 二氟连二噻吩类聚合物及其制备方法与其在场效应晶体管中的应用, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106589326A( 25 ) 一种双极性聚合物场效应晶体管及其制备方法与应用, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105679940A( 26 ) 一种含氟石墨烯修饰层有机场效应晶体管的制备方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103855305A( 27 ) 基于乙烯-DPP的大π共聚物及其制备方法与应用, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103304780A( 28 ) N,N’-二烷基-14H-苯并4,5异喹啉并2,1-a萘嵌间二氮杂苯-14-酮-3,4,10,11-二酰亚胺化合物及其制备方法与应用, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103130804A( 29 ) 菲并1,10,9,8-cdefg咔唑基共聚物及其制备方法与应用, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103113557A( 30 ) 一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法, 2013, 第 8 作者, 专利号: CN103060907A( 31 ) 乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103012755A( 32 ) 一种有机电子器件, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102637824A( 33 ) 制备石墨烯的方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102491315A( 34 ) 材料的图案化方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102320752A( 35 ) 一种溶液态石墨烯图案化排布方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101648182B( 36 ) 一种单层、有序排布的等角六边形石墨烯的制备方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102229426A( 37 ) 一种石墨烯纳米球及其制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102120573A( 38 ) 一种高性能有机场效应晶体管及其制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102110776A( 39 ) 一种碳纳米卷及其制备方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102020265A( 40 ) 一种在铁基衬底上制备大面积高质量石墨烯的方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102011100A( 41 ) 卤化石墨与卤化石墨烯及其制备方法, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101920954A( 42 ) 有机胺溶剂热法制备石墨烯的方法, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101746754A( 43 ) 一种聚合物薄膜热贴合方法及其在顶栅有机场效应晶体管中的应用, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101710607A( 44 ) 一种溶液态石墨烯图案化排布的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101648182A( 45 ) 一种光传感有机场效应晶体管及其制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101645487A( 46 ) 一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: CN101442105A( 47 ) 取代的蒽苯并噻吩化合物及其制备方法与应用, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101391992A( 48 ) 一种有机场效应晶体管及其制备方法与应用, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101295765A
出版信息
发表论文
(1) A detachable interface for stable low-voltage stretchable transistor arrays and high-resolution X-ray imaging, A detachable interface for stable low-voltage stretchable transistor arrays and high-resolution X-ray imaging, Nat. Commun., 2024, (2) Strain-insensitive Viscoelastic Perovskite Film for Intrinsically Stretchable Neuromorphic Vision-Adaptive Transistors, Strain-insensitive Viscoelastic Perovskite Film for Intrinsically Stretchable Neuromorphic Vision-Adaptive Transistors, Nat. Commun., 2024, (3) Molecular Design of Multifunctional Integrated Polymer Semiconductors with Intrinsic Stretchability, High Mobility, and Intense Luminescence, Molecular Design of Multifunctional Integrated Polymer Semiconductors with Intrinsic Stretchability, High Mobility, and Intense Luminescence, Adv. Mater., 2024, (4) Photoinduced Nonvolatile Memory Transistor Based on Lead-Free Perovskite Incorporating Fused π-Conjugated Organic Ligands, Photoinduced Nonvolatile Memory Transistor Based on Lead-Free Perovskite Incorporating Fused ��-Conjugated Organic Ligands, Adv. Mater., 2024, (5) Low-Voltage Intrinsically Stretchable Organic Transistor Amplifiers for Ultrasensitive Electrophysiological Signal Detection, Low-Voltage Intrinsically Stretchable Organic Transistor Amplifiers for Ultrasensitive Electrophysiological Signal Detection, Adv. Mater., 2023,
科研活动
科研项目
( 1 ) 可拉伸高迁移率半导体, 负责人, 中国科学院计划, 2023-09--2028-08( 2 ) 感算显触智能融合的低温制程OTFT驱动传感器件及集成基础研究, 参与, 国家任务, 2023-01--2026-12( 3 ) 化学合成的极限, 参与, 中国科学院计划, 2022-07--2027-06( 4 ) 微纳墨滴沉积与异质结构表/界面调控, 负责人, 国家任务, 2019-09--2024-08
参与会议
(1)Intrinsically Stretchable Polymeric Materials and Photodetectors The 14th Japan-China Joint Symposium on Conduction and Photoconduction in Organic Solids and Related Phenomena 2023-12-07(2)Flexible organic semiconductors and optoelectronics ChinaNano 2023 2023-08-26(3)Flexible photosensors based on organic transistors 16th International Thin-Film Transistor Conference, Shanghai 2021-10-20