基本信息
仲莉  女  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: zhongli@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
招生方向
大功率半导体激光器(列阵)及其组件

工作经历

   
社会兼职
2022-01-01-2023-12-31,《发光学报》青年编委, 青年编委
2021-05-21-2025-12-31,中国光学工程学会激光技术应用专家委员会, 委员

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 青年科技进步奖, 研究所(学校), 2019
(2) 优秀论文奖, 特等奖, 专项, 2019
(3) 激光器列阵, 二等奖, 部委级, 2018
(4) 大功率激光二极管及组件, 三等奖, 省级, 2012
专利成果
( 1 ) 一种具有电流阻挡层的激光器, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113206448A

( 2 ) 一种主振荡功率放大激光器及制备方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113206441A

( 3 ) 一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN111404025B

( 4 ) 可快速装卸料管式炉, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108800930A

( 5 ) 一种热沉、制备方法及其在半导体激光器中的应用, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107104359A

( 6 ) 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN106099637A

( 7 ) 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN106025795A

( 8 ) 用于单管芯激光二极管测试老化夹具及使用方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105628984A

( 9 ) 一种半导体激光器列阵烧结装置和烧结方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105428995A

( 10 ) 冷却小通道热沉, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN105048281A

( 11 ) 一种高功率密度半导体激光器热沉, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104682189A

( 12 ) 一种激光二极管测试老化夹具, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN104166020A

( 13 ) 半导体激光器二极管封装夹具, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102361218A

( 14 ) 固体激光器用YAG棒的固定方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102074879A

( 15 ) 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101888056A

( 16 ) 半导体可饱和吸收镜及其制作方法, 2006, 第 7 作者, 专利号: CN1848561A

出版信息

   
发表论文
(1) 975 nm分离电极锥形半导体激光器特性分析, 中国激光, 2021, 
(2) 高功率高可靠性9XX nm激光二极管, High-Power and High-Reliability 9XX-nm Laser Diode, 中国激光, 2020, 第 3 作者
(3) Analysis of the time domain characteristics of tapered semiconductor lasers, Analysis of the time domain characteristics of tapered semiconductor lasers, 半导体学报:英文版, 2020, 第 2 作者
(4) High Performance 9xx nm High Power Semiconductor Laser, 发光学报, 2020, 第 1 作者
(5) 具有线性张角结构和非线性张角结构的锥形激光放大器的比较分析, 光学学报, 2020, 通讯作者
(6) 极低内部光学损耗975 nm半导体激光器, 975 nm Semiconductor Lasers with Ultra-Low Internal Optical Loss, 光学学报, 2020, 第 2 作者
(7) 高功率半导体激光泵浦源研究进展, Research progress of high power semiconductor laser pump source, 强激光与粒子束, 2020, 第 3 作者
(8) 半导体激光器边缘绝热封装改善慢轴光束质量, Improving Slow-Axis Laser Beam Quality of Semiconductor Laser with Edge Adiabatic Package, 中国激光, 2020, 第 3 作者
(9) 高功率高可靠性 9XXnm 激光二极管, 中国激光, 2019, 第 1 作者
(10) 808 nm宽条型激光器绝热封装改善慢轴光束质量, Improving Slow Axis Beam Quality of 808 nm Broad-area Laser Diodes with Adiabatic Package, 发光学报, 2019, 第 3 作者
(11) 管式炉中半导体激光器巴条Au80Sn20焊料封装研究, Study on Au80Sn20 Solder Package for Semiconductor Laser Bar in Tube Furnace, 发光学报, 2019, 第 4 作者
(12) 砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用, Development and Applications of GaAs-Based Near-Infrared High Power Semiconductor Lasers, 激光与光电子学进展, 2019, 第 4 作者
(13) 大功率半导体激光器封装热应力研究, Thermal Stressin High-Power Semiconductor Laser Packaging, 中国激光, 2019, 第 3 作者
(14) Thermal Stressin High-Power Semiconductor Laser Packaging, CHINESE JOURNAL OF LASERS-ZHONGGUO JIGUANG, 2019, 第 3 作者
(15) Performance of Semiconductor Laser Devices Packaged by Different AuSn Solder Composition, Chinese Journal of Luminescence, 2018, 第 1 作者
(16) AuSn焊料组分对半导体激光器件性能的影响, Performance of Semiconductor Laser Devices Packaged by Different AuSn Solder Composition, 发光学报, 2018, 第 4 作者
(17) 1.06 μm high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 1.06 μm high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 半导体学报:英文版, 2017, 第 2 作者
(18) 1.06 μm high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 1.06 μm high-power InGaAs/GaAsP quantum well lasers, 半导体学报:英文版, 2017, 第 2 作者
(19) 高功率密度激光二极管叠层散热结构的热分析, Thermal Analysis of High Power Density Laser Diode Stack Cooling Structure, 发光学报, 2016, 第 2 作者
(20) Effects of the substrate misorientation on the structural and optoelectronic characteristics of tensile GaInP quantum well laser diode wafer, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 第 4 作者
(21) 大功率半导体激光二极管阵列加速寿命试验方法, Accelerating Lifetime Test Method of the High Power Semiconductor Laser Diode Array, 半导体技术, 2016, 第 2 作者
(22) Life prediction of 808nm high power semiconductor laser by accelerated life test of constant current stress, Spie proceedings, 2016, 第 4 作者
(23) 半导体激光器光纤耦合输出光斑均匀性的研究, Study on Uniformity of Fiber Optical Spots of Semiconductor Lasers, 半导体光电, 2015, 第 7 作者
(24) Design and simulation of a novel high-efficiency cooling heat-sink structure using fluid-thermodynamics, Journal of Semiconductors, 2015, 第 2 作者
(25) Life Prediction of 808nm High Power Semiconductor Laser by Accelerated Life Test of Constant Current Stress, AOPC 2015: ADVANCES IN LASER TECHNOLOGY AND APPLICATIONS, 2015, 
(26) An exploration of slab-coupled semiconductor lasers, Journal of Semiconductors, 2014, 第 6 作者
(27) High power885 nm laser diodes with graded optical expand structures for small divergence angle, Hongwai yu jiguang gongcheng/infrared and laser engineering, 2011, 第 8 作者
(28) 808 nm GaAsP/GaInP Laser Diode Arrays Grown by MOCVD using AsH3 and TBP, IEEE International Nano-Optoelectronics, 2011, 第 1 作者
(29) 渐变光扩展结构减小885nm高功率激光二极管发散角, High power 885 nm laser diodes with graded optical expand structures for small divergence angle, 红外与激光工程, 2011, 第 8 作者
(30) 非对称波导结构提高980nm激光二极管电光效率的机理研究, Mechanisms of high efficiency for 980nm diode lasers with asymmetric waveguide structure, 强激光与粒子束, 2010, 第 8 作者
(31) 259W准连续无铝808nm激光二极管线列阵, 259W QCW Al-Free 808nm Linear Laser Diode Arrays, 半导体学报, 2008, 第 2 作者
(32) Photoluminescence properties of tensile-strained gaasp/gainp single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 通讯作者
(33) Advances in high power semiconductor diode lasers, SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS III, 2008, 
(34) 808nm大功率无铝有源区非对称波导结构激光器, 808 nm High-Power Lasers with Al-Free Active Region with Asymmetric Waveguide Structure, 中国激光, 2007, 第 1 作者
(35) GaAs absorber grown at low temperature used in passively Q-switched diode pumped solid state laser, OPTICA APPLICATA, 2006, 第 7 作者
(36) 实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制, Fabrication of Practical 1730nm Waveband Laser Diodes with Buried Heterojunction Structures, 半导体学报, 2006, 第 6 作者
发表著作
( 1 ) 光电子器件及应用, Optoelectronics-Devices and Applications, InTech, 2011-10, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 半导体激光光源, 负责人, 国家任务, 2013-01--2015-12
( 2 ) 激光二极管, 负责人, 国家任务, 2012-05--2015-12
( 3 ) 圆光斑半导体激光器, 负责人, 企业委托, 2009-01--2012-01
( 4 ) 半导体激光器, 参与, 国家任务, 2015-01--2017-09
( 5 ) 高亮度半导体激光器, 负责人, 国家任务, 2017-01--2020-12
( 6 ) 高效率半导体激光器, 负责人, 国家任务, 2019-06--2020-12
( 7 ) 高增益放大器, 参与, 国家任务, 2020-01--2024-12
( 8 ) 半导体激光芯片基础问题研究, 参与, 国家任务, 2020-01--2023-12
( 9 ) 激光器基础, 参与, 国家任务, 2021-10--2024-10
( 10 ) 青年人才推进计划, 负责人, 研究所自选, 2021-01--2023-12
参与会议
(1)半导体激光器研究   激光技术及产业发展大会   2021-05-22