基本信息
仲莉 女 博导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： zhongli@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码：
电子邮件： zhongli@semi.ac.cn
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
080901-物理电子学
招生方向
大功率半导体激光器（列阵）及其组件
高亮度半导体激光器
高亮度半导体激光器
工作经历
社会兼职
2021-12-31-2025-12-31,《发光学报》青年编委, 青年编委
2021-05-21-2025-12-31,中国光学工程学会激光技术应用专家委员会, 委员
2021-05-21-2025-12-31,中国光学工程学会激光技术应用专家委员会, 委员
专利与奖励
奖励信息
（1） 《强激光与粒子束》期刊优秀力论文奖, 其他, 2020
（2） 青年科技进步奖, 研究所（学校）, 2019
（3） 优秀论文奖, 特等奖, 专项, 2019
（4） 激光器列阵, 二等奖, 部委级, 2018
（5） 大功率激光二极管及组件, 三等奖, 省级, 2012
（2） 青年科技进步奖, 研究所（学校）, 2019
（3） 优秀论文奖, 特等奖, 专项, 2019
（4） 激光器列阵, 二等奖, 部委级, 2018
（5） 大功率激光二极管及组件, 三等奖, 省级, 2012
专利成果
[1] 刘振武, 仲莉, 马骁宇, 刘素平. 采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法. 202210134222.7, 2022-02-14.
[2] 王振诺, 仲莉, 马骁宇, 刘素平. 一种半导体激光器. 202210083666.2, 2022-01-24.
[3] 马骁宇, 张薇, 刘素平, 仲莉. 一种半导体激光器的外延生长方法. 202210038635.5, 2022-01-13.
[4] 马骁宇, 何天将, 刘素平, 井红旗, 刘振武, 仲莉. 激光器的制备方法及激光器. 202111311772.3, 2021-11-08.
[5] 刘素平, 刘振武, 马骁宇, 何天将, 仲莉. 激光器的制备方法及激光器. 202111335963.3, 2021-11-01.
[6] 吕家纲, 李伟, 刘素平, 马骁宇, 仲莉, 熊聪. 一种去除外延片衬底的方法. CN: CN113764968A, 2021-12-07.
[7] 马骁宇, 常津源, 刘素平, 熊聪, 仲莉, 林楠. 一种具有电流阻挡层的激光器. CN: CN113206448A, 2021-08-03.
[8] 刘素平, 潘智鹏, 马骁宇, 李伟, 熊聪, 仲莉, 林楠. 一种主振荡功率放大激光器及制备方法. CN: CN113206441A, 2021-08-03.
[9] 张娜玲, 袁庆贺, 井红旗, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 锥形半导体激光器分离电极热沉. CN: CN113517628A, 2021-10-19.
[10] 曼玉选, 仲莉. 锥形半导体激光器及其制作方法. 2021110045443.2, 2021-01-13.
[11] 马骁宇, 赵碧瑶, 熊聪, 林楠, 刘素平, 仲莉. 一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法. CN: CN111404025B, 2021-04-06.
[12] 袁庆贺, 井红旗, 张秋月, 张俊杰, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 可快速装卸料管式炉. CN: CN108800930B, 2020-03-17.
[13] 袁庆贺, 井红旗, 张秋月, 张俊杰, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 可快速装卸料管式炉. CN: CN108800930A, 2018-11-13.
[14] 王海丽, 赵懿昊, 张奇, 王文知, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器. CN: CN106025795A, 2016-10-12.
[15] 王海丽, 赵懿昊, 张奇, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器. CN: CN106099637A, 2016-11-09.
[16] 孔金霞, 祁琼, 仲莉, 井红旗, 刘素平, 马骁宇. 用于单管芯激光二极管测试老化夹具及使用方法. CN: CN105628984A, 2016-06-01.
[17] 倪羽茜, 井红旗, 仲莉, 张俊杰, 马骁宇. 一种热沉、制备方法及其在半导体激光器中的应用. CN: CN107104359A, 2017-08-29.
[18] 祁琼, 孔金霞, 熊聪, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 一种半导体激光器列阵烧结装置和烧结方法. CN: CN105428995A, 2016-03-23.
[19] 井红旗, 仲莉, 倪羽茜, 张俊杰, 刘素平, 马骁宇. 冷却小通道热沉. CN: CN105048281A, 2015-11-11.
[20] 仲莉, 张俊杰, 罗泓, 井红旗, 祁琼, 刘素平, 马骁宇. 一种高功率密度半导体激光器热沉. CN: CN104682189A, 2015-06-03.
[21] 仲莉, 于远斌, 李全宁, 罗泓, 王翠鸾, 李伟, 刘素平, 马骁宇. 一种激光二极管测试老化夹具. CN: CN104166020A, 2014-11-26.
[22] 李全宁, 仲莉, 白一鸣, 马晓宇. 半导体激光器二极管封装夹具. CN: CN102361218A, 2012-02-22.
[23] 冯小明, 王翠鸾, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 固体激光器用YAG棒的固定方法. CN: CN102074879A, 2011-05-25.
[24] 冯小明, 王翠鸾, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 固体激光器用YAG棒的固定方法. CN: CN102074879B, 2012-03-28.
[25] 王俊, 白一鸣, 崇锋, 熊聪, 仲莉, 韩淋, 王翠鸾, 冯小明, 刘媛媛, 刘素平, 马骁宇. 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构. CN: CN101888056A, 2010-11-17.
[26] 仲莉, 马骁宇. 780nm～850nm无铝激光器外延片的生长方法. CN: CN101359805A, 2009-02-04.
[27] 王大拯, 王翠鸾, 仲 莉, 韩 淋, 崇 峰, 马骁宇, 王 冠, 胡理科, 刘素平, 马骁宇. 半导体激光器热沉管道. CN: CN201048240Y, 2008-04-16.
[28] 王翠鸾, 王勇刚, 林涛, 王俊, 郑凯, 冯小明, 仲莉, 马杰慧, 马骁宇. 半导体可饱和吸收镜及其制作方法. CN: CN1848561A, 2006-10-18.
[29] 刘振武, 仲莉, 马骁宇, 刘素平, 熊聪. 采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法. CN: CN114498281A, 2022-05-13.
[30] 刘振武, 仲莉, 马骁宇, 刘素平, 熊聪. 采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法. CN: CN114498281A, 2022-05-13.
[31] 刘振武, 仲莉, 马骁宇, 刘素平, 熊聪. 采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法. CN: CN114498281A, 2022-05-13.
[32] 刘振武, 仲莉, 马骁宇, 刘素平, 熊聪. 采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法. CN: CN114498281B, 2023-07-28.
[33] 王振诺, 仲莉, 马骁宇, 刘素平. 一种半导体激光器. CN: CN114498285A, 2022-05-13.
[34] 王振诺, 仲莉, 马骁宇, 刘素平. 一种半导体激光器. CN: CN114498285A, 2022-05-13.
[35] 王振诺, 仲莉, 马骁宇, 刘素平. 一种半导体激光器. CN: CN114498285A, 2022-05-13.
[36] 马骁宇, 张薇, 刘素平, 熊聪, 林楠, 仲莉. 一种半导体激光器的外延生长方法. CN: CN114389152A, 2022-04-22.
[37] 刘素平, 刘振武, 马骁宇, 何天将, 仲莉. 激光器的制备方法及激光器. CN: CN114122914A, 2022-03-01.
[38] 马骁宇, 何天将, 刘素平, 井红旗, 刘振武, 仲莉. 激光器的制备方法及激光器. CN: CN114038742A, 2022-02-11.
[39] 马骁宇, 常津源, 刘素平, 熊聪, 仲莉, 林楠. 一种具有电流阻挡层的激光器. CN: CN113206448B, 2023-04-07.
[40] 曼玉选, 仲莉, 马骁宇, 刘素平, 井红旗. 锥形半导体激光器及其制作方法. CN: CN114765341A, 2022-07-19.
[41] 仲莉, 马骁宇. 高均匀性(In)GaAsP/(AlGa) 0.5 In 0.5 P外延片的生长方法. CN: CN101358335A, 2009-02-04.
[42] 王大拯, 王翠鸾, 仲莉, 蓝永生, 刘素平, 马骁宇",null,null,null,"马骁宇. 半导体激光器热沉管道. CN: CN201048241Y, 2008-04-16.
[43] 仲莉. SESAM锁模全保偏皮秒脉冲光纤激光器输出特性研究. 202311417333X, 2023-11-03.
[44] 仲莉, 王帅坤. 半导体可饱和吸收镜及制备方法和皮秒光纤激光种子源. 202311417333X, 2024-01-30.
[45] 仲莉, 张德帅. 光纤耦合效率计算方法. CN202311267262.X, 2023-12-22.
[46] 吕家纲, 仲莉, 李伟. 一种去除外延片衬底的方法. 202111046426.7, 2021-09-07.
[2] 王振诺, 仲莉, 马骁宇, 刘素平. 一种半导体激光器. 202210083666.2, 2022-01-24.
[3] 马骁宇, 张薇, 刘素平, 仲莉. 一种半导体激光器的外延生长方法. 202210038635.5, 2022-01-13.
[4] 马骁宇, 何天将, 刘素平, 井红旗, 刘振武, 仲莉. 激光器的制备方法及激光器. 202111311772.3, 2021-11-08.
[5] 刘素平, 刘振武, 马骁宇, 何天将, 仲莉. 激光器的制备方法及激光器. 202111335963.3, 2021-11-01.
[6] 吕家纲, 李伟, 刘素平, 马骁宇, 仲莉, 熊聪. 一种去除外延片衬底的方法. CN: CN113764968A, 2021-12-07.
[7] 马骁宇, 常津源, 刘素平, 熊聪, 仲莉, 林楠. 一种具有电流阻挡层的激光器. CN: CN113206448A, 2021-08-03.
[8] 刘素平, 潘智鹏, 马骁宇, 李伟, 熊聪, 仲莉, 林楠. 一种主振荡功率放大激光器及制备方法. CN: CN113206441A, 2021-08-03.
[9] 张娜玲, 袁庆贺, 井红旗, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 锥形半导体激光器分离电极热沉. CN: CN113517628A, 2021-10-19.
[10] 曼玉选, 仲莉. 锥形半导体激光器及其制作方法. 2021110045443.2, 2021-01-13.
[11] 马骁宇, 赵碧瑶, 熊聪, 林楠, 刘素平, 仲莉. 一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法. CN: CN111404025B, 2021-04-06.
[12] 袁庆贺, 井红旗, 张秋月, 张俊杰, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 可快速装卸料管式炉. CN: CN108800930B, 2020-03-17.
[13] 袁庆贺, 井红旗, 张秋月, 张俊杰, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 可快速装卸料管式炉. CN: CN108800930A, 2018-11-13.
[14] 王海丽, 赵懿昊, 张奇, 王文知, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器. CN: CN106025795A, 2016-10-12.
[15] 王海丽, 赵懿昊, 张奇, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器. CN: CN106099637A, 2016-11-09.
[16] 孔金霞, 祁琼, 仲莉, 井红旗, 刘素平, 马骁宇. 用于单管芯激光二极管测试老化夹具及使用方法. CN: CN105628984A, 2016-06-01.
[17] 倪羽茜, 井红旗, 仲莉, 张俊杰, 马骁宇. 一种热沉、制备方法及其在半导体激光器中的应用. CN: CN107104359A, 2017-08-29.
[18] 祁琼, 孔金霞, 熊聪, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 一种半导体激光器列阵烧结装置和烧结方法. CN: CN105428995A, 2016-03-23.
[19] 井红旗, 仲莉, 倪羽茜, 张俊杰, 刘素平, 马骁宇. 冷却小通道热沉. CN: CN105048281A, 2015-11-11.
[20] 仲莉, 张俊杰, 罗泓, 井红旗, 祁琼, 刘素平, 马骁宇. 一种高功率密度半导体激光器热沉. CN: CN104682189A, 2015-06-03.
[21] 仲莉, 于远斌, 李全宁, 罗泓, 王翠鸾, 李伟, 刘素平, 马骁宇. 一种激光二极管测试老化夹具. CN: CN104166020A, 2014-11-26.
[22] 李全宁, 仲莉, 白一鸣, 马晓宇. 半导体激光器二极管封装夹具. CN: CN102361218A, 2012-02-22.
[23] 冯小明, 王翠鸾, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 固体激光器用YAG棒的固定方法. CN: CN102074879A, 2011-05-25.
[24] 冯小明, 王翠鸾, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 固体激光器用YAG棒的固定方法. CN: CN102074879B, 2012-03-28.
[25] 王俊, 白一鸣, 崇锋, 熊聪, 仲莉, 韩淋, 王翠鸾, 冯小明, 刘媛媛, 刘素平, 马骁宇. 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构. CN: CN101888056A, 2010-11-17.
[26] 仲莉, 马骁宇. 780nm～850nm无铝激光器外延片的生长方法. CN: CN101359805A, 2009-02-04.
[27] 王大拯, 王翠鸾, 仲 莉, 韩 淋, 崇 峰, 马骁宇, 王 冠, 胡理科, 刘素平, 马骁宇. 半导体激光器热沉管道. CN: CN201048240Y, 2008-04-16.
[28] 王翠鸾, 王勇刚, 林涛, 王俊, 郑凯, 冯小明, 仲莉, 马杰慧, 马骁宇. 半导体可饱和吸收镜及其制作方法. CN: CN1848561A, 2006-10-18.
[29] 刘振武, 仲莉, 马骁宇, 刘素平, 熊聪. 采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法. CN: CN114498281A, 2022-05-13.
[30] 刘振武, 仲莉, 马骁宇, 刘素平, 熊聪. 采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法. CN: CN114498281A, 2022-05-13.
[31] 刘振武, 仲莉, 马骁宇, 刘素平, 熊聪. 采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法. CN: CN114498281A, 2022-05-13.
[32] 刘振武, 仲莉, 马骁宇, 刘素平, 熊聪. 采用P型衬底的半导体激光器及其制备方法. CN: CN114498281B, 2023-07-28.
[33] 王振诺, 仲莉, 马骁宇, 刘素平. 一种半导体激光器. CN: CN114498285A, 2022-05-13.
[34] 王振诺, 仲莉, 马骁宇, 刘素平. 一种半导体激光器. CN: CN114498285A, 2022-05-13.
[35] 王振诺, 仲莉, 马骁宇, 刘素平. 一种半导体激光器. CN: CN114498285A, 2022-05-13.
[36] 马骁宇, 张薇, 刘素平, 熊聪, 林楠, 仲莉. 一种半导体激光器的外延生长方法. CN: CN114389152A, 2022-04-22.
[37] 刘素平, 刘振武, 马骁宇, 何天将, 仲莉. 激光器的制备方法及激光器. CN: CN114122914A, 2022-03-01.
[38] 马骁宇, 何天将, 刘素平, 井红旗, 刘振武, 仲莉. 激光器的制备方法及激光器. CN: CN114038742A, 2022-02-11.
[39] 马骁宇, 常津源, 刘素平, 熊聪, 仲莉, 林楠. 一种具有电流阻挡层的激光器. CN: CN113206448B, 2023-04-07.
[40] 曼玉选, 仲莉, 马骁宇, 刘素平, 井红旗. 锥形半导体激光器及其制作方法. CN: CN114765341A, 2022-07-19.
[41] 仲莉, 马骁宇. 高均匀性(In)GaAsP/(AlGa) 0.5 In 0.5 P外延片的生长方法. CN: CN101358335A, 2009-02-04.
[42] 王大拯, 王翠鸾, 仲莉, 蓝永生, 刘素平, 马骁宇",null,null,null,"马骁宇. 半导体激光器热沉管道. CN: CN201048241Y, 2008-04-16.
[43] 仲莉. SESAM锁模全保偏皮秒脉冲光纤激光器输出特性研究. 202311417333X, 2023-11-03.
[44] 仲莉, 王帅坤. 半导体可饱和吸收镜及制备方法和皮秒光纤激光种子源. 202311417333X, 2024-01-30.
[45] 仲莉, 张德帅. 光纤耦合效率计算方法. CN202311267262.X, 2023-12-22.
[46] 吕家纲, 仲莉, 李伟. 一种去除外延片衬底的方法. 202111046426.7, 2021-09-07.
出版信息
发表论文
[1] 王帅坤, 仲莉, 林楠, 刘素平, 马骁宇. SESAM锁模全保偏皮秒脉冲光纤激光器输出特性. 发光学报[J]. 2024, 第 2 作者 通讯作者 45(1): 149-156, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7111308315.
[2] 吕家纲, 李伟, 戚宇轩, 潘智鹏, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 可调谐垂直腔面发射激光器支撑结构优化设计. 光学学报[J]. 2023, 第 5 作者43(1): http://sciencechina.cn/gw.jsp?action=detail.jsp&internal_id=7401305&detailType=1.
[3] 潘智鹏, 李伟, 吕家纲, 常津源, 王振诺, 刘素平, 仲莉, 马骁宇. 940 nm VCSEL 中 DBR 的反射特性分析. 中国激光[J]. 2023, 第 7 作者
[4] 潘智鹏, 李伟, 吕家纲, 聂语葳, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 940 nm 垂直腔面发射激光器单管器件的设计与制备. 物理学报[J]. 2023, 第 5 作者
[5] 张薇, 仲莉, 张德帅, 吴霞, 倪羽茜, 刘素平, 马骁宇. 795 nm大功率外腔半导体激光器的研究. 光学学报[J]. 2023, 第 2 作者 通讯作者 43(10): 181-186, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7110026237.
[6] 张秋月, 林楠, 黄婷, 刘素平, 马骁宇, 熊聪, 仲莉, 张志刚. 1064 nm半导体可饱和吸收镜的特性. 光学学报[J]. 2023, 第 7 作者43(22): 208-215, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7111086006.
[7] zhenwu Liu, 仲莉. High-power narrow spectral width 975nm semiconductor laser with high process compatibility achieved by high-order gratings. Optics Letters[J]. 2023, 第 2 作者 通讯作者 48(23): 6283-6286,
[8] 张娜玲, 井红旗, 袁庆贺, 吕家纲, 王翠鸾, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 高功率1060 nm锥形激光器. 光学学报[J]. 2022, 第 6 作者42(5): 137-142, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7106963179.
[9] Tianjiang He, Suping Liu, Wei Li, Cong Xiong, Nan Lin, Li Zhong, Xiaoyu Ma. Research on quantum well intermixing of 680 nm AlGaInP/GaInP semiconductor lasers induced by composited Si-Si_(3)N_(4) dielectric layer. 半导体学报:英文版[J]. 2022, 第 6 作者43(8): 46-52, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107732995.
[10] 王予晓, 朱凌妮, 仲莉, 孔金霞, 刘素平, 马骁宇. Si杂质扩散诱导InGaAs/GaAs（P）量子阱混杂研究. 中国光学[J]. 2022, 第 3 作者 通讯作者 15(3): 426-432, https://d.wanfangdata.com.cn/periodical/zggxyyygxwz202203005.
[11] 潘智鹏, 李伟, 戚宇轩, 吕家纲, 刘素平, 仲莉, 马骁宇. 光子晶体垂直腔面发射激光器的设计分析. 光学学报[J]. 2022, 第 6 作者42(14): 123-129, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107864956.
[12] 林楠, 仲莉, 黎海明, 马骁宇, 熊聪, 刘素平, 张志刚. 应变补偿多量子阱结构半导体可饱和吸收镜. 中国激光[J]. 2022, 第 2 作者 通讯作者 49(11): 11-20, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107725640.
[13] 王予晓, 朱凌妮, 仲莉, 祁琼, 李伟, 刘素平, 马骁宇. 基于循环退火的Si诱导量子阱混杂研究（特邀）. 光子学报[J]. 2022, 第 3 作者 通讯作者 51(2): 103-109, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7106798235.
[14] 王予晓, 朱凌妮, 仲莉, 林楠, 刘素平, 马骁宇. Si_（x）N_（y）沉积参数对量子阱混杂效果的影响. 光学学报[J]. 2022, 第 3 作者 通讯作者 42(10): 265-269, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107420076.
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发表著作
（1） 光电子器件及应用, Optoelectronics－Devices and Applications, InTech, 2011-10, 第 1 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） 半导体激光芯片及模块, 参与, 国家任务, 2022-12--2025-12
（ 2 ） 波长稳定激光器列阵, 参与, 国家任务, 2022-12--2025-12
（ 3 ） 宽温区泵浦源, 参与, 国家任务, 2022-12--2025-11
（ 4 ） 高稳定性激光种子源, 负责人, 国家任务, 2022-10--2025-11
（ 5 ） 单片VCSEL激光器, 参与, 国家任务, 2021-12--2025-12
（ 6 ） 激光器基础, 参与, 国家任务, 2021-10--2024-10
（ 7 ） 青年人才推进计划, 负责人, 研究所自主部署, 2021-01--2024-12
（ 8 ） 高增益放大器, 参与, 国家任务, 2020-01--2024-12
（ 9 ） 半导体激光芯片基础问题研究, 参与, 国家任务, 2020-01--2023-12
（ 10 ） 高效率半导体激光器, 负责人, 国家任务, 2019-06--2020-12
（ 11 ） 高亮度半导体激光器, 负责人, 国家任务, 2017-01--2020-12
（ 12 ） 半导体激光器, 参与, 国家任务, 2015-01--2017-09
（ 13 ） 半导体激光光源, 负责人, 国家任务, 2013-01--2015-12
（ 14 ） 激光二极管, 负责人, 国家任务, 2012-05--2015-12
（ 15 ） 圆光斑半导体激光器, 负责人, 境内委托项目, 2009-01--2012-01
（ 2 ） 波长稳定激光器列阵, 参与, 国家任务, 2022-12--2025-12
（ 3 ） 宽温区泵浦源, 参与, 国家任务, 2022-12--2025-11
（ 4 ） 高稳定性激光种子源, 负责人, 国家任务, 2022-10--2025-11
（ 5 ） 单片VCSEL激光器, 参与, 国家任务, 2021-12--2025-12
（ 6 ） 激光器基础, 参与, 国家任务, 2021-10--2024-10
（ 7 ） 青年人才推进计划, 负责人, 研究所自主部署, 2021-01--2024-12
（ 8 ） 高增益放大器, 参与, 国家任务, 2020-01--2024-12
（ 9 ） 半导体激光芯片基础问题研究, 参与, 国家任务, 2020-01--2023-12
（ 10 ） 高效率半导体激光器, 负责人, 国家任务, 2019-06--2020-12
（ 11 ） 高亮度半导体激光器, 负责人, 国家任务, 2017-01--2020-12
（ 12 ） 半导体激光器, 参与, 国家任务, 2015-01--2017-09
（ 13 ） 半导体激光光源, 负责人, 国家任务, 2013-01--2015-12
（ 14 ） 激光二极管, 负责人, 国家任务, 2012-05--2015-12
（ 15 ） 圆光斑半导体激光器, 负责人, 境内委托项目, 2009-01--2012-01
参与会议
（1）半导体激光器研究 激光技术及产业发展大会 2021-05-22
指导学生
已指导学生
王予晓 博士研究生 080901-物理电子学
现指导学生
王继轩 硕士研究生 080901-物理电子学