基本信息
罗卫军  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: luoweijun@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
射频、微波器件与电路集成技术

教育背景

2003-09--2008-06   中国科学院半导体研究所   博士研究生 博士
1999-09--2003-07   北京师范大学   本科 学士

工作经历

   
工作简历
2019-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2010-09~2019-04,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2008-07~2010-09,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2003-09~2008-06,中国科学院半导体研究所, 博士研究生 博士
1999-09~2003-07,北京师范大学, 本科 学士

教授课程

微波集成电路设计基础

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种N-path带通滤波器, 2022, 第 1 作者, 专利号: ZL202123421739.4

( 2 ) 低噪声放大器以及电子设备, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN215420205U

( 3 ) 一种宽带功分器和宽带功率放大器, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113437942A

( 4 ) 基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113271067A

( 5 ) 一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112906226A

( 6 ) 一种具有深回退区间的Doherty功率放大器, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112636697A

( 7 ) 开关功率放大器, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN107196610B

( 8 ) 开关功率放大器和数字发射机, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109245730A

( 9 ) HEMT与单刀双掷开关电路, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108717943A

( 10 ) 一种数字移相器, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107332538A

( 11 ) 数字移相器, 2017, 专利号: CN107306123A

( 12 ) 开关功率放大器, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107196610A

( 13 ) 一种数字移相器, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103944534A

( 14 ) 场效应晶体管液体传感器及其制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103928525A

( 15 ) 一种金属-介质-金属结构电容的制作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103928301A

( 16 ) 晶体管输出电阻频散特性的测量方法及系统, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103913690A

( 17 ) 基于钨金属的电子束对准标记的制作方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103311144A

( 18 ) 一种测量FET沟道温度的方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102313613B

( 19 ) 一种测量GaN基器件热可靠性的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102955113A

( 20 ) 氮化镓基液体传感器及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102830137A

( 21 ) 高频内匹配功率器件的封装方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102832145A

( 22 ) 一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102623336A

( 23 ) 高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102569390A

( 24 ) AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102542077A

( 25 ) 砷化镓衬底改进的快速减薄方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102543665A

( 26 ) 一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102479745A

( 27 ) 控制背孔剖面形状的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102456611A

( 28 ) 一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102427034A

( 29 ) 一种适用于高频功率器件的稳定网络, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102340290A

( 30 ) 改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102339751A

( 31 ) 一种测量FET沟道温度的装置及方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102313613A

( 32 ) 一种去除高熔点黏附剂的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102310059A

( 33 ) 一种高硬度微米研磨液及其配制方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102311717A

( 34 ) 一种纳米级抛光液及其调配方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102311706A

( 35 ) 一种芯片背面金属起镀层结构及其制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102237339A

( 36 ) 一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102214555A

( 37 ) 一种对碳化硅晶片进行减薄的方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102214565A

( 38 ) 具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102118133A

( 39 ) 一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101661921A

出版信息

   
发表论文
(1) A High Efficiency S-band Power Amplifier Based on GaN-on-Si with Bandwidth of 1 GHz, ", 2022 IEEE 16th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2022, 通讯作者
(2) A concurrent dual-band low noise amplifier with gain enhancement topology for 2.4/5.2 GHz applications, Informacije MIDEM, 2022, 通讯作者
(3) Active 4th-Order N-path Filter with Wide Tuning Bandwidth Range, 2022 IEEE 16th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2022, 通讯作者
(4) GaN数字功率放大器技术进展, Technical Progress of GaN Digital Power Amplifier, 微电子学, 2021, 第 3 作者
(5) Si基超薄势垒InAlN/GaN HEMT开关器件小信号模型, Small-Signal Model of the Si-Based Ultrathin Barrier InAlN/GaN HEMT Switching Device, 半导体技术, 2020, 第 7 作者
(6) Monolithic Integrated High Frequency GaN DC-DC Buck Converters with High Power Density Controlled by Current Mode Logic Level Signal, ELECTRONICS, 2020, 通讯作者
(7) Si基(111)超薄势垒InAlN/GaN HEMT开关起价小信号模型, 半导体器件, 2020, 通讯作者
(8) Trap-assisted tunneling current of ultrathin InAlN/GaN HEMTs on Si (1 1 1) substrate, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, 通讯作者
(9) A large-signal Pspice modeling of GaN-based MIS-HEMTs, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2019, 其他(合作组作者)
(10) 采用CMOS工艺的C波段5bit数字移相器设计, Design of C-band 5 bit digital phase shifter based on CMOS technology, 微电子学与计算机, 2019, 第 6 作者
(11) GaN HEMT开关器件小信号模型, Small-Signal Model of the GaN HEMT Switch Device, 半导体技术, 2018, 第 6 作者
(12) X波段GaN基小相位移相器设计, Design of X-Band GaN-Based Small Phase Shifters, 半导体技术, 2018, 第 4 作者
(13) High power 3-bit GaN high-pass/low-pass phase shifter for X-band applications, MICROELECTRONICS INTERNATIONAL, 2018, 通讯作者
(14) Analysis of reverse gate leakage mechanism of AlGaN/GaN HEMTs with N2 plasma surface treatment, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2018, 通讯作者
(15) An X-band 22.5°/45° digital phase shifter based on switched filter networks, 2017, 38(6): 065001, Journal of Semiconductors, 2017, 通讯作者
(16) X-band 5-bit MMIC phase shifter with GaN HEMT technology, 2017, 136: 18-23, Solid-State Electronics, 2017, 通讯作者
(17) X波段4bit MMIC数字移相器的设计与实现, 半导体集成电路, 2017, 第 3 作者
(18) An X-band 22.5°/45° digital phase shifter based on switched filter networks, Journal of semiconductors, 2017, 第 2 作者
(19) High-Power X -Band 5-b GaN Phase Shifter With Monolithic Integrated E/D HEMTs Control Logic, 2017, 64(9): 3627-3633, IEEE transactions on electron devices, 2017, 第 1 作者
(20) X 波段4 bit MMIC 数字移相器的设计与实现, 2017, 42(6):431-435, 半导体技术, 2017, 通讯作者
(21) 高性能X波段增强型凹栅Al_2O_3/AlGaN/GaN MIS-HEMT, High Performance Enhancement-Mode Gate-Recessed Al_2O_3/ AlGaN/GaN MIS-HEMTs for X-band Applications, 微电子学与计算机, 2017, 第 3 作者
(22) X-band 5-bit MMIC phase shifter with GaN HEMT technology, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017, 通讯作者
(23) High-Power X -Band 5-b GaN Phase Shifter With Monolithic Integrated E/D HEMTs Control Logic, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 通讯作者
(24) X 波段大相位高低通移相器MMIC 的设计与实现, Design and Implementation of X-Band Large Bit High-Low Pass Phase Shifter MMICs, 半导体技术, 2016, 第 6 作者
(25) Small-signal modeling of GaN HEMT switch with a new intrinsic elements extraction method, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 3 作者
(26) RobustSiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 第 8 作者
(27) X波段GaN五位数字移相器MMIC的设计, Design of an X-Band GaN 5 bit Digital Phase Shifter MMIC, 电子器件, 2014, 第 3 作者
(28) InP基/GaN基器件与电路在微波毫米波领域“大显身手”, 科学中国人, 2014, 第 4 作者
(29) AlGaN/GaN Based Diodes for Liquid Sensing, AlGaN/GaN Based Diodes for Liquid Sensing, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 通讯作者
(30) Ku-band high power internally matched GaN HEMTs with 1.5GHz bandwidth, MICROELECTRONICS INTERNATIONAL, 2013, 第 4 作者
(31) GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性, Reliability of SiN-based MIM capacitors in GaN MMIC, 物理学报, 2012, 第 6 作者
(32) Reliability of SiN-based MIM capacitors in GaN MMIC, ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 第 6 作者
(33) A Ku band internally matched high power GaN HEMT amplifier with over 30% of PAE, A Ku band internally matched high power GaN HEMT amplifier with over 30% of PAE, 半导体学报, 2012, 第 3 作者
(34) A Ku-band high power density AlGaN/GaN HEMT monolithic power amplifier, A Ku-band high power density AlGaN/GaN HEMT monolithic power amplifier, 半导体学报, 2011, 第 3 作者
(35) Investigation on trap by the gate fringe capacitance in GaN HEMT, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 第 5 作者
(36) Dispersion effect on the current voltage characteristic of AlGaN/GaN high electron mobility transistors, CHINESE PHYSICS B, 2011, 第 5 作者
(37) GaN HEMT栅边缘电容用于缺陷的研究, Investigation on trap by the gate fringe capacitance in GaN HEMT, 物理学报, 2011, 第 5 作者
(38) A Ku-band high power density AlGaN/GaN HEMT monolithic power amplifier, A Ku-band high power density AlGaN/GaN HEMT monolithic power amplifier, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2011, 第 3 作者
(39) A C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2010, 通讯作者
(40) Three-dimensional fluorescence spectral characteristics of dissolved organic carbon in cave drip waters and their responses to environment changes: Four cave systems as an example in Guizhou Province, China, CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2008, 第 4 作者
(41) 基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制, AlGaN/GaN HEMT Based on Native SiC Epitaxy Material, 电子器件, 2007, 第 4 作者
(42) AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取, Extraction of the Small-Signal Equivalent Circuit Parameters of the AlGaN/GaN HEMT Device, 半导体学报, 2007, 第 3 作者
(43) 微波功率器件的扇形线测试电路, A Radial Stub Test Circuit for Microwave Power Devices, 半导体学报, 2006, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) XX波段GaN功率器件及MMIC, 参与, 国家任务, 2010-01--2013-07
( 2 ) 氮化镓基新型液体传感器研究, 负责人, 国家任务, 2010-01--2013-12
( 3 ) XX GaN E/D移相器研究, 负责人, 国家任务, 2015-01--2018-12
( 4 ) XXX波段大功率开关器件研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2019-12
( 5 ) 5G通信基站功率放大器, 负责人, 国家任务, 2019-09--2020-12
( 6 ) 硅基氮化镓射频功率核心器件与产业化, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2022-12
( 7 ) GaN智能功率芯片, 负责人, 国家任务, 2019-12--2024-12