140100-集成电路科学与工程

功率器件与集成电路

2004-09--中国科学院上海技术物理研究所   博士
2001-09--河北师范大学   硕士
1996-09--河北师范大学   学位

   

2020-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2010-10~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研
2009-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 助研
2007-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 博士后
2004-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 博士
2001-09~现在, 河北师范大学, 硕士
1996-09~现在, 河北师范大学, 学位

   

（1） 高电流密度SiC电力电子器件关键技术及应用, 二等奖, 省级, 2019
（2） SiC电力电子器件关键技术及应用, 三等奖, 省级, 2018

（ 1 ） 半导体器件及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN109216436B

（ 2 ） SiC氧化中SiC-SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN109540969B

（ 3 ） 一种SiC功率MOSFET器件, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN112103345A

（ 4 ） N沟道SiC IGBT器件的制作方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111508837A

（ 5 ） 一种沟槽型MOSFET结构及其制作方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111403486A

（ 6 ） 抗闩锁绝缘栅双极晶体管器件, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111223922A

（ 7 ） 一种碳化硅绝缘栅双极晶体管及其制作方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111048580A

（ 8 ） 微波等离子体装置及等离子体激发方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110049614A

（ 9 ） 原子态等离子体的形成及维持方法及半导体材料的等离子体处理方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109922590A

（ 10 ） 原子态等离子体形成装置及其应用, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109905955A

（ 11 ） 一种双沟槽SS-SiC MOSFET结构, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109768091A

（ 12 ） 一种4H-SiC MOSFET功率器件及其制造方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109616523A

（ 13 ） 一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109545699A

（ 14 ） 一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109545855A

（ 15 ） 基于交流电压下微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件制造方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109545687A

（ 16 ） SiC氧化中SiC-SiO 2 界面碳杂质类型与位置分布的测定方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109540969A

（ 17 ） 基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109494147A

（ 18 ） 一种环形温度传感器, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109341880A

（ 19 ） 紫外探测器及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109301007A

（ 20 ） 紫外探测器及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109301007A

（ 21 ） SiC氧化中SiC-SiO 2 界面碳残留浓度的测定方法及其应用, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109283298A

（ 22 ） 一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109244127A

（ 23 ） 具有微孔微纳结构双耦合谐振腔的微波等离子体发生装置, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108770174A

（ 24 ） 基于两步微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108766887A

（ 25 ） 用于微波等离子体发生装置的微孔微纳结构双耦合谐振腔, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108770175A

（ 26 ） 基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108735607A

（ 27 ） 基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108735607A

（ 28 ） 用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108735570A

（ 29 ） 基于两步微波等离子体氧化的碳化硅氧化方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108666206A

（ 30 ） RC-IGBT器件及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108649068A

（ 31 ） 基于微波等离子体的碳化硅氧化方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108584963A

（ 32 ） 具有CSL输运层的SiC沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108346688A

（ 33 ） 超级结肖特基二极管与其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108336129A

（ 34 ） SiC衬底的图形化方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108063088A

（ 35 ） 一种碳化硅功率器件终端结构及其制作方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN107731905A

（ 36 ） 一种碳化硅器件及其制作方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107658215A

（ 37 ） 一种碳化硅功率器件终端及其制作方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN107658213A

（ 38 ） 一种碳化硅器件终端及其制作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107507859A

（ 39 ） 一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107331616A

（ 40 ） 碳化硅功率器件终端及其制作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107293599A

（ 41 ） 一种基于台面多区复合JTE终端结构的器件及其制作方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN107275382A

（ 42 ） 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN104409501B

（ 43 ） 碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN106206323A

（ 44 ） 一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN106158985A

（ 45 ） 一种碳化硅双极结型晶体管, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105977287A

（ 46 ） 一种碳化硅双极结型晶体管, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105957886A

（ 47 ） 一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105225943A

（ 48 ） 一种沟道自对准的碳化硅MOSFET结构及其制造方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN105185831A

（ 49 ） 碳化硅MOSFET器件及其制作方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN105161539A

（ 50 ） 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN105070663A

（ 51 ） 一种场限环结终端结构的优化设计方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104409477A

（ 52 ） 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104409501A

（ 53 ） 一种插入层复合结构及其制作方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104393031A

（ 54 ） 一种SiC金属氧化物半导体晶体管及其制作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN104241338A

（ 55 ） 一种宽禁带功率器件场板的制造方法, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103606515A

（ 56 ） 一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103578960A

（ 57 ） 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103579375A

（ 58 ） 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103578942A

（ 59 ） 一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103560078A

（ 60 ） 双极晶体管及其制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103022108A

（ 61 ） 防止钝化层过刻蚀的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103021840A

（ 62 ） 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103000697A

（ 63 ） 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103000698A

（ 64 ） 一种测量高Al组分AlGaN材料刻蚀诱生界面态参数的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102944588A

（ 65 ） 一种具有增益的紫外探测器结构及其制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102931272A

（ 66 ） 一种实现P型SiC材料低温欧姆合金退火的方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102931054A

（ 67 ） 用于P-SiC欧姆接触的界面过渡层复合结构及其制备方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102931224A

（ 68 ） 一种TiO 2 光催化消解装置及其制备方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102824902A

（ 69 ） 一种TiO 2 光催化消解装置及其制备方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102824902A

（ 70 ） 一种在SiC材料上生长SiO 2 钝化层的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102810465A

（ 71 ） 一种在SiC材料上生长SiO 2 钝化层的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102810465A

（ 72 ） 一种三层复合离子注入阻挡层及其制备、去除方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102496559A

（ 73 ） 多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102446721A

（ 74 ） SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102437201A

（ 75 ） SiC肖特基二极管及其制作方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102376779A

（ 76 ） 一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101645471A

（ 77 ） 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101640227A

   

（1） Gate Oxide Instability of 4H-SiC p-Channel MOSFET Induced by AC Stress at 200 degrees C, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, 第 11 作者
（2） Impact of Post-Trench Process Treatment on Electron Scattering Mechanisms in 4H-SiC Trench MOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, 第 11 作者
（3） Study on single-pulse UIS capability of SiC MOSFET with different P-base morphology, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023, 第 11 作者
（4） Bias Temperature Instability of 4H-SiC p- and n-Channel MOSFETs Induced by Negative Stress at 200 degrees C, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 第 11 作者
（5） Schottky Barrier Characteristic Analysis on 4H-SiC Schottky Barrier Diodes With Heavy Ion-Induced Degradation, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 第 11 作者
（6） Analysis of Transient Surge Current Mechanism in SiC MPS Diode With the Transition Region, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 11 作者
（7） 6.5 kV SiC光控晶闸管的研制, Investigation on 6.5 kV SiC Light-Triggered Thyristor, 半导体技术, 2021, 第 4 作者
（8） Oxidation kinetics of SiC in microwave oxygen plasma, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2021, 第 3 作者
（9） A Novel 4H-SiC Trench MOSFET Integrated With Mesa-Sidewall SBD, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 11 作者
（10） Analysis of Mobility for 4H-SiC N/P-Channel MOSFETs Up To 300 degrees C, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 11 作者
（11） Improved electrical properties of NO-nitrided SiC/SiO2 interface after electron irradiation, Improved electrical properties of NO-nitrided SiC/SiO(2)interface after electron irradiation*, CHINESE PHYSICS B, 2020, 第 11 作者
（12） A novel 4H-SiC MOSFET for low switching loss and high-reliability applications, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 11 作者
（13） Microwave plasma oxidation kinetics of SiC based on fast oxygen exchange, VACUUM, 2020, 第 4 作者
（14） Reliability enhanced SiC MOSFET with partially widened retrograde P-well structure, ELECTRONICS LETTERS, 2020, 第 5 作者
（15） High-mobility SiC MOSFET with low density of interface traps using high pressure microwave plasma oxidation, High-mobility SiC MOSFET with low density of interface traps using high pressure microwave plasma oxidation, CHINESE PHYSICS B, 2020, 第 4 作者
（16） A trench/planar SiC MOSFET integrated with SBD (TPSBD) for low reverse recovery charge and low switching loss, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 11 作者
（17） 平面栅SiC MOSFET设计研究, Investigation on Design of SiC Planar Gate MOSFET, 电源学报, 2020, 第 2 作者
（18） High-pressure microwave plasma oxidation of 4H-SiC with low interface trap density, AIP ADVANCES, 2019, 第 4 作者
（19） Defects and electrical properties in Al-implanted 4H-SiC after activation annealing, CHINESE PHYSICS B, 2019, 第 4 作者
（20） Degradation in electrothermal characteristics of 4H-SiC junction barrier Schottky diodes under high temperature power cycling stress, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 第 4 作者
（21） 基于1200V 4H-SiC CIMOSFET结构的优化研究, Optimization research based on structure of 1200V 4H-SiC CIMOSFET, 电工电能新技术, 2018, 第 2 作者
（22） Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures, Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures, 中国物理B：英文版, 2018, 第 11 作者
（23） 1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制, Development of 1 200 V/100 A High Temperature High Current 4H-SiC JBS Diodes, 半导体技术, 2018, 第 4 作者
（24） Investigation on Current Crowding Effect in IGBTs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 第 4 作者
（25） Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 11 作者
（26） 不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析, Analysis of Interface Properities of Mo/4H-SiC Schottky Contacts at Different Annealing Temperatures, 半导体技术, 2018, 第 2 作者
（27） High temperature 1 MHz capacitance-voltage method for evaluation of border traps in 4H-SiC MOS system, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 3 作者
（28） 4H-SiC沟槽结势垒二极管研制, Development of 4H-SiC trench junction barrier Schottky diodes, 电工电能新技术, 2018, 第 5 作者
（29） 不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀及XRD分析, Analysis of the Inhomogeneous Barrier and XRD of Mo/4H-SiC Schottky Contacts Formed at Different Annealing Temperatures, 微纳电子技术, 2018, 第 2 作者
（30） 1200V SiC超结VDMOS研究, VDMOS super junction 1200V SiC research, 电工电能新技术, 2018, 第 2 作者
（31） Design and Simulation of 4H-SiC MESFET Ultraviolet Photodetector with Gain, MATERIALS SCIENCE FORUM, 2017, 第 1 作者
（32） Structural Optimization of 4H-SiC BJT for Ultraviolet Detection with High Optical Gain, MATERIALS SCIENCE FORUM, 2016, 第 1 作者
（33） Design and Optimization of AlGaN Solar-Blind Double Heterojunction Ultraviolet Phototransistor, MATERIALS SCIENCE FORUM, 2016, 第 1 作者
（34） Effect of Annealing on the Characteristics of Pd/Au Contacts to p-Type GaN/Al0.45Ga0.55N, JOURNALOFELECTRONICMATERIALS, 2012, 
（35） 焦平面阵列BP神经网络非均匀性校正及其算法改进, BP Neural Network Nonuniformity Correction Technique for FPA and Improved Algorithm, 红外技术, 2010, 第 3 作者
（36） Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 
（37） Ni／Au、Pd／Au与P—AlGaN材料的接触特性, Ni/Au and Pd/Au contacts to p -AlGaN, 功能材料与器件学报, 2010, 第 1 作者

   

（ 1 ） SiC 功率MOSFET辐射机理研究, 负责人, 国家任务, 2024-01--2027-12
（ 2 ） 第三代半导体车用芯片设计, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12
（ 3 ） xxSiC电力电子器件研制, 负责人, 其他国际合作项目, 2021-12--2024-11
（ 4 ） xxSiC器件和电路可靠性研究, 负责人, 其他国际合作项目, 2021-11--2026-10
（ 5 ） 碳化硅xx器件xx关键技术研究, 负责人, 其他国际合作项目, 2020-01--2021-12
（ 6 ） 高质量碳化硅xx工艺技术研究, 负责人, 其他国际合作项目, 2020-01--2022-12
（ 7 ） 1700V/30ASiC MOSFET 器件研制, 负责人, 地方任务, 2017-01--2018-12
（ 8 ） 化合物基车用芯片材料技术研究, 负责人, 境内委托项目, 2017-01--2018-12
（ 9 ） 高温SiC芯片研究, 负责人, 国家任务, 2016-07--2021-06
（ 10 ） 高增益碳化硅紫外光电晶体管基础问题研究, 负责人, 国家任务, 2013-01--2016-12
（ 11 ） 高增益AlGaN日盲紫外异质结光电晶体管基础问题研究, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12