080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息

射频,微波器件与电路集成技术

2002-09--2005-07   中国科学院微电子研究所   工学硕士
1998-09--2002-07   西北大学   工学学士

   

2005-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 正高级工程师
2002-09~2005-07,中国科学院微电子研究所, 工学硕士
1998-09~2002-07,西北大学, 工学学士

2010-03-01-今,宇航用固态微波功率器件标准化专题工作组成员,

   

（1） 所长特别奖金, , 研究所（学校）, 2012
（2） 中国科学院十佳先进工作者, , 研究所（学校）, 2011

（ 1 ） 一种低噪声放大器和射频前端电路, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113067552A

（ 2 ） 一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法, 2021, 第 9 作者, 专利号: CN112906226A

（ 3 ） 薄势垒层的场板型肖特基二极管器件模型及参数提取方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112883676A

（ 4 ） 一种半导体器件及制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112599589A

（ 5 ） 一种无源微带电路板背金方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104868207A

（ 6 ） 一种微波功率分配器, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103956552A

（ 7 ） 一种数字移相器, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103944534A

（ 8 ） 场效应晶体管液体传感器及其制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103928525A

（ 9 ） 一种金属-介质-金属结构电容的制作方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103928301A

（ 10 ） 晶体管输出电阻频散特性的测量方法及系统, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103913690A

（ 11 ） 一种对晶圆表面进行处理的方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103311094A

（ 12 ） 基于钨金属的电子束对准标记的制作方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103311144A

（ 13 ） 一种测量FET沟道温度的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102313613B

（ 14 ） 一种测量GaN基器件热可靠性的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102955113A

（ 15 ） 氮化镓基液体传感器及其制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102830137A

（ 16 ） 高频内匹配功率器件的封装方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102832145A

（ 17 ） 多个子腔体的微带型微波开关, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101471467B

（ 18 ） 一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102623336A

（ 19 ） 高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102569390A

（ 20 ） 一种GaN HEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102565650A

（ 21 ） AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102542077A

（ 22 ） 一种基于AnsoftHFSS制备微波混合集成电路的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102542075A

（ 23 ） 砷化镓衬底改进的快速减薄方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102543665A

（ 24 ） 一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102479745A

（ 25 ） 一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102427034A

（ 26 ） 一种适用于高频功率器件的稳定网络, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102340290A

（ 27 ） 改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102339751A

（ 28 ） 一种测量FET沟道温度的装置及方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102313613A

（ 29 ） 一种去除高熔点黏附剂的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102310059A

（ 30 ） 一种高硬度微米研磨液及其配制方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102311717A

（ 31 ） 一种纳米级抛光液及其调配方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102311706A

（ 32 ） 一种芯片背面金属起镀层结构及其制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102237339A

（ 33 ） 与MMIC工艺结合的50欧姆TaN薄膜电阻的制作方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102237165A

（ 34 ） 一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102214555A

（ 35 ） 一种对碳化硅晶片进行减薄的方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102214565A

（ 36 ） 具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102118133A

（ 37 ） 适用于波导的功率合成及分配的波导结构, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102117947A

（ 38 ） 基于波导的功率合成器, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101826648A

（ 39 ） 应用于微带－波导转换的阶梯型脊波导结构, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101677145A

（ 40 ） 一种针对波导－探针－波导形式的双层腔体结构, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101667674A

（ 41 ） 一种适用于毫米波功率合成及分配的波导结构, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101667675A

（ 42 ） 一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101661921A

（ 43 ） 对Ku波段微带型开关电路印制电路板进行背金的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101662885A

（ 44 ） 针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101662263A

（ 45 ） 波导型耦合检波器, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101614768A

（ 46 ） 一种微带－波导转换探针与阻抗匹配的方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101442148A

（ 47 ） 提高金属－介质－金属结构电容性能的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1787171A

   

（1） AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模, RF Performance and Modeling of Recess-Free AlGaN/GaN Hybrid Anode Schottky Barrier Diode, 半导体技术, 2021, 第 6 作者
（2） 9~15 GHz GaAs MMIC宽带高效率功率放大器, 9~15 GHz GaAs MMIC wideband high efficiency power amplifier, 电子设计工程, 2021, 第 2 作者
（3） Interface charge engineering in down-scaled AlGaN (< 6nm)/GaN heterostructure for fabrication of GaN-based power HEMTs and MIS-HEMTs, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 第 9 作者
（4） Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 43.6% Power-Added-Efficiency at 40 GHz Fabricated by Atomic Layer Etching Gate Recess, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 第 8 作者
（5） 一种30 MHz~3 GHz宽带高增益功率放大器, A 30 MHz~3 GHz Broadband High Gain Power Amplifier, 微电子学, 2019, 第 3 作者
（6） 基于GaAs工艺的超宽带混合集成功率放大器, Ultra-High Bandwidth Hybrid Integrated Power Amplifier Based on GaAs Technology, 微电子学与计算机, 2018, 第 2 作者
（7） High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 第 7 作者
（8） 基于BCl3/Cl2/Ar气体的ICP刻蚀技术对于GaN HEMT器件肖特基性能的改进, 第二届全国宽禁带半导体学术会议, 2017, 第 6 作者
（9） 30~2 600 MHz超宽带GaN功率放大器的设计与实现, Design and Realization of a 30-2 600 MHz Ultra-Broadband GaN Power Amplifier, 半导体技术, 2015, 第 2 作者
（10） Design of an X-Band 6-Bit Phase Shifter, 2015 8TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPUTATIONAL INTELLIGENCE AND DESIGN (ISCID), VOL 2, 2015, 第 3 作者
（11） Electric Field Dependent Drain Current Drift of AlGaN/GaN HEMT, 2013 IEEE INTERNATIONAL INTEGRATED RELIABILITY WORKSHOP FINAL REPORT (IRW), 2013, 第 6 作者
（12） GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性, Reliability of SiN-based MIM capacitors in GaN MMIC, 物理学报, 2012, 第 4 作者
（13） GaN HEMT栅边缘电容用于缺陷的研究, Investigation on trap by the gate fringe capacitance in GaN HEMT, 物理学报, 2011, 第 3 作者
（14） 一种消除功率放大器低频振荡的方法, A Method for Eliminating Low-frequency Oscillaton in Power Amplfiers, 现代雷达, 2010, 第 5 作者
（15） A C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2010, 第 2 作者
（16） A Ku-band 3.4 W/mm power AlGaN/GaN HEMT on a sapphire substrate, A Ku-band 3.4 W/mm power AlGaN/GaN HEMT on a sapphire substrate, 半导体学报, 2010, 第 2 作者
（17） A Ku-band 3.4 W/mm power AlGaN/GaN HEMT on a sapphire substrate, A Ku-band 3.4 W/mm power AlGaN/GaN HEMT on a sapphire substrate, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2010, 第 2 作者
（18） Gate-structure optimization for high frequency power AlGaN/GaN HEMTs, Gate-structure optimization for high frequency power AlGaN/GaN HEMTs, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2010, 第 4 作者
（19） Ka波段16W脉冲功率放大器的研制, Ka Band 16 W Pulsed Power Amplifier Module, 半导体技术, 2010, 第 2 作者
（20） 一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路, 8 GHz High Efficiency Internally Matched AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier, 电子器件, 2009, 第 2 作者
（21） 8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计, An 8GHz Internally Matched AIGaN/GaN HEMT Power Amplifier with RC Stability Network, 半导体学报, 2008, 第11作者
（22） 4～12GHz三级宽带功率放大器, 半导体技术, 2008, 第 2 作者
（23） Ku波段脉冲功率放大器稳定性和效率研究, 半导体技术, 2008, 第 3 作者
（24） Ku波段开关固态功放模块的研制, 半导体技术, 2008, 第 2 作者
（25） 隔离度大于95dB的Ku波段微带型开关, A Microstrip Switch with Isolation Better than 95dB at Ku-Band, 半导体学报, 2008, 第 2 作者
（26） 基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计, X-Band Internally Matched AIGaN/GaN HEMT Power Amplifier, 电子器件, 2008, 第 2 作者
（27） Ku波段30W脉冲微波功率放大器模块, A Ku Band 30W Pulsed Microwave Power Amplifier Module, 半导体学报, 2008, 第 2 作者
（28） 8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计, An 8GHz Internally Matched AIGaN/GaN HEMT Power Amplifier with RC Stability Network, 半导体学报, 2008, 第 2 作者
（29） 掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究, A Study on Current Collapse Effect in Doped AlGaN/GaN HEMTs, 电子器件, 2007, 第 6 作者
（30） 掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究, A Study on Current Collapse Effect in Doped AlGaN/GaN HEMTs, 多媒体世界, 2007, 第 6 作者
（31） 基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制, AlGaN/GaN HEMT Based on Native SiC Epitaxy Material, 电子器件, 2007, 第 1 作者
（32） AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取, Extraction of the Small-Signal Equivalent Circuit Parameters of the AlGaN/GaN HEMT Device, 半导体学报, 2007, 第 2 作者
（33） 一个4-12GHz混合集成宽带功率放大器, A 4-12GHz Wideband Balanced MIC Power Amplifier, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
（34） GaN HEMT器件22元件小信号模型, A 22-Element Small-Signal Model of GaN HEMT Devices, 半导体学报, 2007, 
（35） 微波功率器件的扇形线测试电路, A Radial Stub Test Circuit for Microwave Power Devices, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
（36） AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系, Correlations Between an AlN Insert Layer and Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs, 半导体学报, 2006, 第 5 作者
（37） MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN／AlN／GaN HEMT结构, MOCVD-Grown AIGaN/AIN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC, 半导体学报, 2006, 第 8 作者
（38） MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN／AlN／GaN HEMT结构, MOCVD-Grown AIGaN/AIN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC, 半导体学报, 2006, 第 8 作者
（39） 高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
（40） 种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型, A New AlGaN/GaN HEMT Semiempirical DC Model, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
（41） 基于FC技术的AlGaN／GaN HEMT, 半导体学报, 2005, 第 1 作者
（42） C波段0．75mm AIGaN／GaN功率器件, 10×75μm×0. 8μm AIGaN/GaN Power Devices on Sapphire Substrate with Output Power Density of 2.4W/mm at 4GHz, 半导体学报, 2005, 第 1 作者
（43） 基于倒扣技术的C波段AlGaN/GaN功率器件研究, 2005, 第 1 作者
（44） 高性能1mm AlGaN／GaN功率HEMTs研制, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
（45） 采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN／GaN MOS-HFET器件, PECVD SiO2 Layers on AIGaN/GaN Mental Oxide Semiconductor Heterostructure Field-Effect Transistor, 电子器件, 2005, 第 1 作者

   

（ 1 ） 面向下一代移动通信的GaN基射频器件关键技术及系统应用, 参与, 国家任务, 2016-07--2020-12
（ 2 ） 氮化镓射频功率放大器开发及应用研究, 负责人, 地方任务, 2015-01--2016-12
（ 3 ） 5G基站宽带高频段功率放大器实验样片研发, 参与, 国家任务, 2016-06--2018-06

（1） GaN HEMT large-signal model research   Liu Dan   2010-09-06