基本信息
程新红  女  硕导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: xh_cheng@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
功率器件
集成电路

工作经历

   
工作简历
2011-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT 器件, 2016, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2016/075635

( 2 ) 基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN201510772384.3

( 3 ) 基于Metal/Insulator/AlGaN/GaN叠层MIS结构的负微分电阻器件及制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN201510072456.3

出版信息

   
发表论文
(1) A Self-Adaptive Measurement System for IGBT Collector Current using Package Parasitics, IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2020, 通讯作者
(2) IEEE Transactions on Power Electronics, An Indirect IGBT Over-current Detection Technique via Gate Voltage Monitoring and Analyzing, 2019, 通讯作者
(3) Negative differential resistance in the I-V curves of Al2O3/AlGaN/GaN MIS structures, RSC Advances, 2016, 通讯作者
(4) Reversible n-Type Doping of Graphene by H2O-Based Atomic-Layer Deposition and Its Doping Mechanism, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2015, 通讯作者
(5) Controlled direct growth of Al2O3-doped HfO2 films on graphene by H2O-based atomic layer deposition, Phys. Chem. Chem. Phys, 2015, 通讯作者
(6) Passivation effect of graphene on AlGaN/GaN Schottky diode, RSC Adv., 2015, 通讯作者
(7) 水基ALD方法在石墨烯上生长Al2O3, mprovement of Al2O3 Films on Graphene Grown by Atomic Layer Deposition with Pre-H2O Treatment, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2014, 通讯作者
(8) ON-Resistance Degradation Induced by Hot-Carrier Injection in SOI SJ-LDMOS,  IEEE Transaction on Electron Devices, 2013, 通讯作者
(9) Inp 衬底上Al2O3/NbAlO/Al2O3 栅介质生长,  sandwich gate dielectric film on InP, Applied Physics Letters, 2010, 第 1 作者
(10) Ti盖帽层保护退火的HfAl2O5栅介质特性研究, Interfacial structures and electrical properties of gate dielectric film annealed with a Ti capping layer, Applied Physics Letters, 2007, 第 1 作者
(11) Si0.8Ge0.2 衬底上EBV方法制备的HfxSiyO薄膜特性研究, Characteristics of HfxSiyO films grown on layer by electron beam evaporation,  Applied Physics Letters, 2006, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) Ⅲ-Ⅴ族半导体衬底上铪基高k栅介质界面特性研究, 负责人, 国家任务, 2012-01--2015-12
( 2 ) 预先研究项目(61501050301D), 负责人, 国家任务, 2011-01--2015-12
( 3 ) 8 位MCU、CAN、LIN 设计开发(2012ZX02503003), 负责人, 国家任务, 2012-01--2016-07
( 4 ) 新能源汽车用SiC功率器件关键技术研发, 负责人, 地方任务, 2015-07--2017-06
( 5 ) 车用IGBT栅驱动芯片设计, 参与, 国家任务, 2016-01--2020-12
( 6 ) 高纯SiC衬底制备与离子束剥离研究, 参与, 地方任务, 2017-07--2020-06
( 7 ) SiC MOSFET 栅极驱动芯片研发, 负责人, 地方任务, 2018-07--2020-06
( 8 ) 高真空快速自匹配PEALD设备研制, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2021-12
( 9 ) 4-6英寸SiC晶圆上SiC MOSFETs 制造技术开发, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2021-12