基本信息
郑英奎  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件： zhengyingkui@ime.ac.cn
通信地址： 朝阳区北土城西路三号
邮政编码： 100029

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
射频、微波器件与电路集成技术

教育背景

1993-09--1997-07   华南理工大学   本科/工学学士

工作经历

   
工作简历
1997-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师
1993-09~1997-07,华南理工大学, 本科/工学学士

专利与奖励

   
奖励信息
（1） 北京市科学技术奖, 一等奖, 省级, 2004
专利成果
（ 1 ） 薄势垒层的场板型肖特基二极管器件模型及参数提取方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: 202110280691.5

（ 2 ） 一种功率器件模块及其制作方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: 202110150061.6

出版信息

   
发表论文
（1） AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模研究, Research on RF Performance and Modeling of Recess-Free AlGaN/GaN Hybrid Anode Schottky Diode, 半导体技术, 2021, 第 2 作者
（2） 8GHz和48V偏压下功率密度14.2W/mm的AlGaN/GaN HEMT内匹配功率器件, 14.2W/mm(35.5W) Internally Matched AlGaN/GaN HEMTs at 8GHz and 48 V Drain Bias, 2011 World Congress on Engineering and Technology (CET2011), 2011, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
（ 1 ） GaN二极管机理研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2021-06
（ 2 ） PIN二极管关键工艺研究, 负责人, 国家任务, 2019-01--2021-06
（ 3 ） 5G小基站功率放大器, 参与, 中国科学院计划, 2019-09--2021-09