基本信息
马建华  男  硕导  中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: mjhling@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海市玉田路500号
邮政编码: 200083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
红外光电材料与器件

教育背景

2002-03--2005-03   中国科学院上海技术物理研究所   理学博士

工作经历

   
工作简历
2005-03~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 助研/副研/高工
2002-03~2005-03,中国科学院上海技术物理研究所, 理学博士

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 铁电薄膜微结构控制和特性研究, 一等奖, 省级, 2006
专利成果
( 1 ) 一种柔性宽波段非制冷红外探测器, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN214334040U

( 2 ) 一种响应波段可选的非制冷红外探测器, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN214334041U

( 3 ) 一种响应波段可选的非制冷红外探测器及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202110100732.8

( 4 ) 一种柔性宽波段非制冷红外探测器及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202110100806.8

( 5 ) 一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN210862939U

( 6 ) 一种气凝胶隔热结构宽波段红外探测器及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110793648A

( 7 ) 基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN209927303U

( 8 ) 一种敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器, 2020, 第 10 作者, 专利号: CN209927302U

( 9 ) 一种敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器及制备方法, 2019, 第 10 作者, 专利号: CN110160659A

( 10 ) 一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN110132426A

( 11 ) 硒气压可控的铜铟镓硒薄膜硒化装置, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN204680681U

( 12 ) 一种硒气压可控的铜铟镓硒薄膜硒化装置, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104934502A

( 13 ) 一种超声辅助制备CdS薄膜的方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104372340A

( 14 ) 一种用于空间的三结柔性叠层薄膜太阳能电池, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN100580958C

( 15 ) 一种用于空间的双结柔性叠层薄膜太阳能电池, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100559612C

( 16 ) 具有自极化效应的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法, 2008, 第 6 作者, 专利号: CN101170158A

( 17 ) 二氧化硅气凝胶薄膜材料的制备方法, 2005, 第 2 作者, 专利号: CN1212268C

出版信息

   
发表论文
(1) Epitaxial substitution of metal iodides for low-temperature growth of 2D metal chalcogenides, Nature Nanotechnology, 2023, 第 9 作者
(2) Double Resonant Cavity of Oxides/Metal/Nitrides for Long Wavelength Infrared Sensing, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 第 8 作者
(3) 铜含量变化对Cu(In,Ga)Se2薄膜微结构的影响, Influence of various Cu contents on the microstructure of Cu ( In, Ga) See thin films, 红外与毫米波学报, 2017, 第 2 作者
(4) Influence of various Cu contents on the microstructure of Cu( In, Ga)Se-2 thin films, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2017, 第 2 作者  通讯作者
(5) Copper content dependence of electrical properties and Raman spectra of Se-deficient Cu(In,Ga)Se-2 thin films for solar cells, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2016, 第 2 作者  通讯作者
(6) Preparation of CuInSe2 thin films by a chemical solution method, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2014, 第 2 作者  通讯作者
(7) Effects of post annealing on structural, electrical and optical properties of ZnO:Al thin films prepared by RF magnetron sputtering, EIGHTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 2013, 第 1 作者
(8) Effect of Na2S2O3 center dot 5H(2)O concentration on the properties of Cu-2 ZnSn(S, Se)(4) thin films fabricated by selenization of co-electroplated Cu-Zn-Sn-S precursors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2013, 第 7 作者
(9) Preparation of CuInSe2 thin films by spin-coating and selenization, EIGHTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 2013, 第 2 作者
(10) Ferroelectric Properties of BiFeO3 Thin Films Prepared via a Simple Chemical Solution Deposition, FERROELECTRICS, 2010, 第 4 作者
(11) Magnetic field induced ferroelectric and dielectric properties in Pb(Zr0.5Ti0.5)O3 films containing Fe3O4 nanoparticles, THIN SOLID FILMS, 2010, 第 5 作者
(12) Effect of oxygen to argon ratio on properties of (Ba,Sr)TiO3 thin films prepared on LaNiO3/Si substrates, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 第 4 作者
(13) Magnetoelectric, pinning and depinning properties in Pb(Zr0.5Ti0.5)O-3/Fe3O4 composite films, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2009, 第 6 作者
(14) Low-temperature crystallization of PbZr0.3Ti0.7O3 film induced by high-oxygen-pressure processing, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 第 5 作者
(15) 用SiO2气凝胶做隔热层的铁电薄膜红外探测器性能与铁电薄膜层厚度的关系, FERROELECTRIC FILM THICKNESS DEPENDENCE OF PROPERTIES OF INFRARED DETECTOR WITH AN SiO2 AEROGEL THERMAL INSULATION LAYER, 红外与毫米波学报, 2007, 第 4 作者
(16) Ferroelectric film thickness dependence of properties of infrared detector with an SiO2 aerogel thermal insulation layer, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2007, 第 4 作者
(17) 化学溶液法制备的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3薄膜的光学性能, Optical properties of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 thin films prepared by chemical solution deposition, ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 第 5 作者
(18) Infrared optical properties of Bi4-xNdyTi3O12 thin films prepared by a chemical solution method, CONFERENCE DIGEST OF THE 2006 JOINT 31ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED AND MILLIMETER WAVES AND 14TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON TERAHERTZ ELECTRONICS, 2006, 第 1 作者
(19) 锰掺杂对PbZr0.5Ti0.5O3铁电薄膜电学性能的影响, Effect of Mn doping on the electrical properties of PbZr0.5Ti0.5O3 ferroelectric thin film, 功能材料与器件学报, 2005, 第 4 作者
(20) Structural and electrical properties of SrTiO3 thin films as insulator of metal--ferroelectric--insulator--semiconductor (MFIS) structures, Structural and electrical properties of SrTiO3 thin films as insulator of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor (MFIS) structures, Chinese Physics B, 2005, 第 1 作者
(21) 化学溶液法制备的Bi3.25La0.75Ti3O12和 Bi3.25Nd0.75Ti3O12薄膜的光学特性, Optical properties of Bi3.25La0.75Ti3O12 and Bi3.25Nd0.75Ti3O12 thin films prepared by a chemical solution method, 物理学报, 2005, 第 1 作者
(22) MOD法制备的Bi3.25Nd0.75Ti3O12薄膜的铁电各向异性行为, 无机材料学报, 2005, 第 1 作者
(23) 热释电PZT的薄膜材料物理与器件物理, 红外, 2003, 第 1 作者