基本信息
杨富华  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: fhyang@semi.ac.cn
通信地址: 北京912信箱
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
招生方向
MEMS
纳米结构光电子物理与器件
纳米结构光电子物理和器件

教育背景

1993-10--1998-07   法国Paul Sabatier大学   硕士和博士学位
1979-09--1983-07   南开大学   大学/学士

工作经历

   
工作简历
1993-10~1998-07,法国Paul Sabatier大学, 硕士和博士学位
1983-09~2016-08,中国科学半导体研究所, 助理研究员、副研究员、研究员
1979-09~1983-07,南开大学, 大学/学士

教授课程

半导体量子电子器件物理
半导体器件物理
科学前沿进展名家系列讲座III

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 政府特殊津贴专家, , 国家级, 2011
专利成果
( 1 ) 基于铁电多栅硅基的杂质原子晶体管及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN115312602A

( 2 ) 等离激元激光器微腔及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114069383A

( 3 ) 用于半导体衬底样片的划片装置, 2022, 第 2 作者, 专利号: 202210002723.X

( 4 ) 一种微机械谐振器的制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113872544A

( 5 ) 一种MEMS谐振器制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113872545A

( 6 ) 镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113504394A

( 7 ) 基于体声波振动模态耦合的RF-MEMS谐振器, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN110661506B

( 8 ) 一种基于声子晶体的MEMS热电器件制备方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN113363375A

( 9 ) 环形结构酒杯模态射频微机电谐振器, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113271080A

( 10 ) 硒化亚铜薄膜的制备方法和表征方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113270533A

( 11 ) 面内拉伸模态射频微机电谐振器, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113114149A

( 12 ) 基于压阻检测的谐振器单元及系统, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113114106A

( 13 ) 微纳射频器件及其制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113086943A

( 14 ) 谐振式MEMS差压压力传感器及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111579147B

( 15 ) 圆片级纳米针尖及其制作方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112986622A

( 16 ) 一种多梁耦合的微机电谐振器, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112953433A

( 17 ) 基于模态重分布的MEMS谐振器及其调节方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN112865740A

( 18 ) 基于周期性弹性波反射结构的静电式谐振器, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN112838841A

( 19 ) 侧栅晶体管太赫兹探测器及其制备方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN112670371A

( 20 ) 基于相变材料存储栅的无结硅纳米线晶体管及制备方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN112614865A

( 21 ) 一种基于热压键合的TSV垂直电学互连器件的制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112420604A

( 22 ) 一种基于TSV的MEMS传感器垂直电学互连结构的制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112420603A

( 23 ) 多梁结构组合的射频微机电系统谐振器及应用, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN112422097A

( 24 ) 混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111399117B

( 25 ) 三维空间束缚单杂质原子晶体管及其制备方法, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN111223923B

( 26 ) 谐振结构及其制作方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111865249A

( 27 ) 阵列化的分布式兰姆模态射频微机电谐振器, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111490740A

( 28 ) 阵列化的平面剪切模态射频微机电谐振器, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111490741A

( 29 ) 高雪崩耐量的碳化硅JBS结构及制备方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111477689A

( 30 ) 适用于高能激光的连续衰光装置, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111474703A

( 31 ) 基于场效应晶体管的太赫兹波探测器的天线设计方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111400848A

( 32 ) 纳米针尖结构、复合结构及其制备方法, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111362225A

( 33 ) 基于电化学腐蚀的MEMS谐振器频率修调方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111355459A

( 34 ) GaN基常关型高电子迁移率晶体管及制备方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111243954A

( 35 ) 基于谐振式传感器的生化检测系统及检测方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111190022A

( 36 ) 电容式微纳超声换能器及其制备方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110773408A

( 37 ) 一种基于共振隧穿的纳米线晶体管及其制备方法, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN110491940A

( 38 ) 谐振式陀螺仪光波导芯片及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110186447A

( 39 ) 基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110190511A

( 40 ) 基于硅纳米晶粒束缚的杂质原子晶体管及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110148622A

( 41 ) 杂质原子阵列晶体管及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110085673A

( 42 ) 硅晶面依赖的纳米结构晶体管及制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109962107A

( 43 ) 无掩膜按需掺杂的离子注入设备及方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109920713A

( 44 ) 基于纳米锥团簇结构的太阳电池减反射膜及其制备方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109860313A

( 45 ) 一种微流控芯片及其制备方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109847817A

( 46 ) 基于法诺谐振效应的谐振式光学陀螺, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109781089A

( 47 ) 气体传感器及其制备方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109709069A

( 48 ) 侧栅场效应晶体管太赫兹探测器及其制备方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN109686810A

( 49 ) 压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN109682364A

( 50 ) 激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN109659220A

( 51 ) 盖板结构及其制作方法、电容式传感器, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109626318A

( 52 ) 一种CMOS-MEMS集成芯片的规模化制造方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109573941A

( 53 ) 用于降低能量损耗的RF-MEMS谐振器支撑结构, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109546986A

( 54 ) 集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109283236A

( 55 ) 一种硅硅玻璃硅四层结构谐振式MEMS压力传感器制备方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108254106A

( 56 ) 基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108217579A

( 57 ) 基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108190829A

( 58 ) 浓硼掺杂硅纳米线压阻式MEMS压力传感器的制备方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108147361A

( 59 ) 基于浓硼掺杂硅的可动微纳结构的制备方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108117041A

( 60 ) 自激励自检测探针及其制作方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108120858A

( 61 ) 一种GaN基异质结二极管及其制备方法, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN107978642A

( 62 ) 基于二维电子气的MEMS高温压力传感器及其制备方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN107957304A

( 63 ) 一种实现指向控制功能的无线人机交互设备和方法, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN107688348A

( 64 ) 一种H 2 微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法, 2018, 第 10 作者, 专利号: CN104538290B

( 65 ) III‑V族化合物横向纳米线结构,纳米线晶体管及其制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106898641A

( 66 ) 太赫兹波探测器, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN104596641B

( 67 ) 用于谐振式微纳生化器件的集成系统, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106370725A

( 68 ) 一种激光对铝化物基板金属化的方法及铝化物基板, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106312300A

( 69 ) 一种封装结构及其应用, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105858588A

( 70 ) 用于高灵敏生化检测的微型双端固支梁传感器的制作方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105858593A

( 71 ) 双自由度MEMS压电梁结构, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105823904A

( 72 ) 压电执行梁结构, 2016, 第 5 作者, 专利号: CN105810813A

( 73 ) 一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法, 2016, 第 11 作者, 专利号: CN105529246A

( 74 ) 垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105489755A

( 75 ) 基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105489756A

( 76 ) 基于锥形衬底的相变存储器的制备方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105390612A

( 77 ) 高频谐振子的谐振频率及品质因子快速测量, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105258786A

( 78 ) 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法, 2015, 第 9 作者, 专利号: CN105197881A

( 79 ) 一种围栅无结纳米线晶体管的制备方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN105185823A

( 80 ) 晶圆级光刻机键合方法, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN105174209A

( 81 ) 一种基于洛伦兹力的双向串联MEMS执行器, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN105129719A

( 82 ) SOI叉指结构衬底Ⅲ-Ⅴ族材料沟道薄膜晶体管及制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN105070763A

( 83 ) 基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN105070827A

( 84 ) 基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管及制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104992972A

( 85 ) 集成超声换能器的AFM探针阵列, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104965105A

( 86 ) 一种基于微机电技术的M×N光交换阵列, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104950396A

( 87 ) 基于SOI衬底的Ⅲ-V族纳米线平面晶体管及制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104934479A

( 88 ) 银铜扩散焊接方法及焊接装置, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104874932A

( 89 ) 材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法, 2015, 第 10 作者, 专利号: CN104876180A

( 90 ) 基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管及制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104867834A

( 91 ) 一种扫描探针及其制作方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104749400A

( 92 ) 将薄膜太阳电池器件粘附在其他衬底上的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104659155A

( 93 ) 频率可调的MEMS滤波器, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104617360A

( 94 ) 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法, 2015, 第 10 作者, 专利号: CN104599952A

( 95 ) 太赫兹波探测器, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104596641A

( 96 ) 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法, 2015, 第 16 作者, 专利号: CN104538294A

( 97 ) 一种H 2 微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法, 2015, 第 10 作者, 专利号: CN104538290A

( 98 ) 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN104538450A

( 99 ) 应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104482930A

( 100 ) 在衬底上制备多级台阶的方法, 2015, 第 8 作者, 专利号: CN104445051A

( 101 ) 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法, 2015, 第 9 作者, 专利号: CN104465748A

( 102 ) 采用晶圆级封装的MEMS器件, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104401930A

( 103 ) 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法, 2015, 第 9 作者, 专利号: CN104393045A

( 104 ) 一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN104091835A

( 105 ) 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN104051623A

( 106 ) 一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN104035158A

( 107 ) 基于纳米线的平面热电器件的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103904209A

( 108 ) 提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103887385A

( 109 ) 半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103811590A

( 110 ) 半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103811589A

( 111 ) 基于埋层的垂直结构存储器的制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103779497A

( 112 ) 具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103762248A

( 113 ) 一种频率可切换的微机械谐振器及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103762956A

( 114 ) 一种低量程高灵敏度MEMS压力传感器及其制作方法, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103644999A

( 115 ) 一种制备图形化多孔硅结构的方法, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103641063A

( 116 ) 基于核壳结构的热电器件制备方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103647016A

( 117 ) 一种氮化镓系发光器件, 2014, 第 7 作者, 专利号: CN103633218A

( 118 ) 阵列型微机电可变光衰减器, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103576243A

( 119 ) 一种无结晶体管的电阻测试方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103575998A

( 120 ) 一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103576242A

( 121 ) 一种挡光式微机电可变光衰减器, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103576241A

( 122 ) 用于肝癌早诊的便携式传感系统及其功能化修饰方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103543081A

( 123 ) 面向片上集成的热电器件制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103515524A

( 124 ) 氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法, 2013, 第 8 作者, 专利号: CN103474536A

( 125 ) 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103346070A

( 126 ) 频率可调的MEMS谐振器, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103338022A

( 127 ) 频率可切换的微机械谐振器, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103326691A

( 128 ) 基于谐振式微悬臂梁结构的高灵敏生化传感器的制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103303862A

( 129 ) 硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103311305A

( 130 ) 一种微机械谐振器及其制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103281048A

( 131 ) ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103258730A

( 132 ) MEMS振荡器, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103227612A

( 133 ) 纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103219411A

( 134 ) 环形垂直结构相变存储器的制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103219462A

( 135 ) 具有角度调节功能的样品托, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103198997A

( 136 ) 用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103166105A

( 137 ) 谐振式微机电系统机翼风力传感器及其制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103115719A

( 138 ) 一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103105325A

( 139 ) 一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102916048A

( 140 ) 基于谐振式微悬臂梁结构的高灵敏生化传感器, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102735564A

( 141 ) 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102723357A

( 142 ) 一种快速射频微机械开关, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102623253A

( 143 ) 通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102623307A

( 144 ) 通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102602880A

( 145 ) 聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池及其制备方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102610665A

( 146 ) 与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102593356A

( 147 ) 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102502481A

( 148 ) 一种将柔性薄膜材料粘附在玻璃基底上的方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102496562A

( 149 ) 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102433529A

( 150 ) SiO 2 /SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102437182A

( 151 ) SiO 2 /SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102437182A

( 152 ) 用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102363520A

( 153 ) 一种提高光刻胶曝光精度的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102354087A

( 154 ) 半导体晶体管结构及其制造方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102280454A

( 155 ) 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102201483A

( 156 ) 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102157361A

( 157 ) 一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102136492A

( 158 ) 基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102130026A

( 159 ) 基于差分方法的MEMS器件信号检测电路, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102062826A

( 160 ) 纳流体测试器件的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102050427A

( 161 ) 纳流体晶体管的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102054691A

( 162 ) 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102051179A

( 163 ) 一种平面相变存储器的制备方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102054934A

( 164 ) 平面相变存储器的制备方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102034929A

( 165 ) 利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102005378A

( 166 ) 平面相变存储器的制备方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102005535A

( 167 ) 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN101997029A

( 168 ) 应用于导电桥存储器的纳米金属插塞电极阵列的制作方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN101996935A

( 169 ) 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN101997538A

( 170 ) 一种纳米尺寸金属插塞电极阵列的制备方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN101996944A

( 171 ) 基于谐振原理工作的MEMS滤波器模块, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN101984557A

( 172 ) 相变存储器的制作方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN101976726A

( 173 ) 垂直相变存储器及制备方法, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN101937971A

( 174 ) 制作纳米管道的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101920931A

( 175 ) 制作纳米尺寸间距的电极的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101920932A

( 176 ) 垂直相变存储器及制备方法, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101924119A

( 177 ) 具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101916393A

( 178 ) 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101905858A

( 179 ) 大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101905857A

( 180 ) 采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101863447A

( 181 ) 一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101860357A

( 182 ) 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101852893A

( 183 ) 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101850944A

( 184 ) 一种超高真空多功能综合测试系统, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101846635A

( 185 ) 一种相变存储器的制作方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101826596A

( 186 ) 微机电系统机械组元可靠性评估的测试装置及方法, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101813590A

( 187 ) 一种高密度相变存储器的制备方法, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101814579A

( 188 ) 垂直相变存储器的制备方法, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101794862A

( 189 ) 一种平面相变存储器的制备方法, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN101789492A

( 190 ) 一种制备硅纳米结构的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101759140A

( 191 ) 一种纳米尺寸相变存储器的制作方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101764196A

( 192 ) 一种制作纳米尺寸相变存储器的方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101764197A

( 193 ) 一种制作纳米尺寸相变存储器的方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101764195A

( 194 ) 纳流体测试器件的制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101759142A

( 195 ) 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101723312A

( 196 ) 一种复合膜片压力传感器结构, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101726384A

( 197 ) Fabrication method of GaN power LEDs with electrodes formed by composite optical coatings, 2010, 第 5 作者, 专利号: US7704764(B2)

( 198 ) 在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101673675A

( 199 ) 基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101645709A

( 200 ) 适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片, 2010, 第 6 作者, 专利号: CN201383013Y

( 201 ) InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101552304A

( 202 ) 微机电系统薄膜材料力学性能与可靠性测试方法和装置, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101520385A

( 203 ) InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法, 2009, 第 4 作者, 专利号: CN101515568

( 204 ) 环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: CN101470347A

( 205 ) 共振隧穿二极管D触发器, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101453200A

( 206 ) 一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101424878A

( 207 ) 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法, 2009, 第 4 作者, 专利号: CN101373734A

( 208 ) 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: CN101355118A

( 209 ) 通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管, 2008, 第 4 作者, 专利号: CN100409454C

( 210 ) 一种生长二氧化硅薄膜的方法, 2008, 第 4 作者, 专利号: CN101211780A

( 211 ) 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101064275A

( 212 ) 光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法, 2007, 第 4 作者, 专利号: CN101055397A

( 213 ) 基于微分负阻器件与CMOS电路的纳米流水线乘法器, 2007, 第 3 作者, 专利号: CN1983812A

( 214 ) 通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法, 2007, 第 4 作者, 专利号: CN1953205A

( 215 ) 光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法, 2007, 第 3 作者, 专利号: CN1917161A

( 216 ) 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法, 2006, 第 5 作者, 专利号: CN1866465A

( 217 ) 一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1832208A

( 218 ) 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法, 2006, 第 5 作者, 专利号: CN1815213A

( 219 ) 半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法, 2006, 第 3 作者, 专利号: CN1812068A

( 220 ) 一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元, 2006, 第 3 作者, 专利号: CN1812139A

( 221 ) 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1808707A

( 222 ) 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1796604A

( 223 ) 单光子探测装置的结构, 2005, 第 2 作者, 专利号: CN1621791A

( 224 ) 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法, 2002, 第 3 作者, 专利号: CN1372360A

( 225 ) 一种平面微腔增强型探测器及其使用方法, 2001, 第 2 作者, 专利号: CN1318741A

( 226 ) 密闭容器上的插取机构, 1987, 第 4 作者, 专利号: CN87203805U

出版信息

   
发表论文
(1) A Novel Extensional Bulk Mode Resonator with Low Bias Voltages, ELECTRONICS, 2022, 第 6 作者
(2) Characteristics of Activation Rate and Damage of Ion-Implanted Phosphorous in 4H-SiC after Different Annealing by Optical Absorption, MICROMACHINES, 2022, 第 7 作者
(3) Study of Vertical Capacitance in an n-Type 4H-SiC Stepped Thick-Oxide Trench MOS Structure, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 第 11 作者
(4) Modulating thermally activated hole transport in a multi-channel silicon nanowire transistor by single acceptor-induced traps, IEEE 16th International Conference on Solid-State &Integrated Circuit Technology, 2022, 第 11 作者
(5) Bias-dependent hole transport through a multi-channel silicon nanowire transistor with single-acceptor-induced quantum dots, NANOSCALE, 2022, 第 11 作者
(6) Suppression Method of Optical Noises in Resonator-Integrated Optic Gyroscopes, SENSORS, 2022, 第 3 作者
(7) A High-Performance MEMS Accelerometer with an Improved TGV Process of Low Cost, MICROMACHINES, 2022, 第 7 作者
(8) A novel piezoelectric RF-MEMS resonator with enhanced quality factor, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2022, 第 6 作者
(9) Fabrication of black GaAs by maskless inductively coupled plasma etching in Cl-2/BCl3/O-2/Ar chemistry, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2022, 第 6 作者
(10) Plasma-activated GaAs/Si wafer bonding with high mechanical strength and electrical, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2022, 第 4 作者
(11) Design and Fabrication of a Novel Poly-Si Microhotplate with Heat Compensation Structure, Micromachines, 2022, 第 11 作者
(12) Observation of source/drain bias-controlled quantum transport spectrum in junctionless silicon nanowire transistor, Observation of source/drain bias-controlled quantum transport spectrum in junctionless silicon nanowire transistor, CHINESE PHYSICS B, 2022, 第 11 作者
(13) Transport spectroscopy from Hubbard bands of dopant-induced quantum dot array to one-dimensional conduction subband, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2022, 第 11 作者
(14) Hermetic and Bioresorbable Packaging Materials for MEMS Implantable Pressure Sensors: A Review, IEEE SENSORS JOURNAL, 2022, 第 4 作者
(15) High-Responsivity, Low-Leakage Current, Ultra-Fast Terahertz Detectors Based on a GaN High-Electron-Mobility Transistor with Integrated Bowtie Antennas, SENSORS, 2022, 第 5 作者
(16) Optimization and Fabrication of MEMS suspended structures for nanoscale thermoelectric devices, NANOTECHNOLOGY, 2022, 第 7 作者
(17) Recent Applications of Antireflection Coatings in Solar Cells, Photonics, 2022, 第 7 作者
(18) MEMS thermal-piezoresistive resonators, thermal-piezoresistive oscillators, and sensors, MICROSYSTEM TECHNOLOGIES-MICRO-AND NANOSYSTEMS-INFORMATION STORAGE AND PROCESSING SYSTEMS, 2022, 第 5 作者
(19) Design of a novel MEMS implantable blood pressure sensor and stress distribution of parylene-based coatings, 2022 IEEE 16th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2022, 第 4 作者
(20) Active Modulation of an All-Dielectric Metasurface Analogue of Electromagnetically Induced Transparency in Terahertz, ACS OMEGA, 2021, 第 8 作者
(21) Gold nanoparticles amplified microcantilever biosensor for detecting protein biomarkers with high sensitivity, SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL, 2021, 第 9 作者
(22) Novel Broadband Slot-Spiral Antenna for Terahertz Applications, PHOTONICS, 2021, 第 4 作者
(23) A Real-Time Circuit Phase Delay Correction System for MEMS Vibratory Gyroscopes, MICROMACHINES, 2021, 第 11 作者
(24) Heterogeneous integration of InP and Si3N4 waveguides based on interlayer coupling for an integrated optical gyroscope, APPLIED OPTICS, 2021, 第 11 作者
(25) Si微/纳米带的制备与热电性能, Fabrication and thermoelectric properties of Si micro/nanobelts, 物理学报, 2021, 第 7 作者
(26) Methodology of teasting thermoelectric properties of low-dimensional nanomaterials, ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 第 6 作者
(27) Research progress of Cu2Se thin film thermoelectric properties, ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 第 6 作者
(28) 硒化亚铜薄膜热电性能研究进展, Research progress of Cu_(2)Se thin film thermoelectric properties, 物理学报, 2021, 第 6 作者
(29) The Recent Progress of MEMS/NEMS Resonators, MICROMACHINES, 2021, 第 8 作者
(30) Review of experimental approaches for improving zT of thermoelectric materials, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 8 作者
(31) 三维封装TSV结构热失效性分析, Thermal Failure Analysis of Three Dimensional Packaging Through Silicon Via Structure, 电子与封装, 2021, 第 7 作者
(32) Manipulating EIT and EIA Effects by Tuning the Gain Assisted Dark Mode, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2021, 第 6 作者
(33) Fabrication and Characterization of Black GaAs Nanoarrays via ICP Etching, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2021, 第 7 作者
(34) Novel Broadband Slot-Spiral Antenna for Terahertz Application, Photonics, 2021, 第 1 作者
(35) Novel narrowband radio frequency microelectromechanical systems filters, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2021, 第 10 作者
(36) Thermoelectric Properties of Cu2Se Nano-Thin Film by Magnetron Sputtering, MATERIALS, 2021, 第 7 作者
(37) Highly sensitive biosensor based on a microcantilever and alternating current electrothermal technology, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2021, 第 9 作者
(38) A Novel Fabrication Method for a Capacitive MEMS Accelerometer Based on Glass-Silicon Composite Wafers, MICROMACHINES, 2021, 第 6 作者
(39) A Novel Lam & eacute; Mode RF-MEMS resonator with high quality factor, INTERNATIONAL JOURNAL OF MECHANICAL SCIENCES, 2021, 第 7 作者
(40) Extraction of the Trench Sidewall Capacitances in an n-Type 4H-SiC Trench Metal-Oxide-Semiconductor Structure, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 11 作者
(41) 平面天线在场效应晶体管太赫兹探测器中的应用, Application of planar antenna in field-effect transistor terahertz detectors, 中国光学, 2020, 第 6 作者
(42) 铁电负电容场效应晶体管研究进展, Recent research progress of ferroelectric negative capacitance field effect transistors*, 物理学报, 2020, 第 7 作者
(43) Review of current high-ZT thermoelectric materials, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2020, 第 7 作者
(44) Si-grating-assisted SPR sensor with high figure of merit based on Fabry-Perot cavity, OPTICS COMMUNICATIONS, 2020, 第 5 作者
(45) A Switchable High-Performance RF-MEMS Resonator with Flexible Frequency Generations, SCIENTIFIC REPORTS, 2020, 第 6 作者
(46) 相变材料Ge2Sb2Te5的性质及其面向新型数据存储的应用, Properties of Phase Change Material Ge2Sb2Te5 and Its Application for Novel Data Storage, 微纳电子技术, 2020, 第 6 作者
(47) The Characteristics and Locking Process of Nonlinear MEMS Gyroscopes, MICROMACHINES, 2020, 第 11 作者
(48) 基于ITO掩膜的键合片深硅刻蚀, Deep Silicon Etching of Bonded Wafer Based on ITO Mask, 微纳电子技术, 2020, 第 5 作者
(49) Batch Fabrication of Silicon Nanometer Tip Using Isotropic Inductively Coupled Plasma Etching, MICROMACHINES, 2020, 第 7 作者
(50) Recent Progress of Miniature MEMS Pressure Sensors, MICROMACHINES, 2020, 第 8 作者
(51) Manipulating the critical gain level of spectral singularity in active hybridized metamaterials, OPTICS EXPRESS, 2020, 第 5 作者
(52) A Novel HighQLame-Mode Bulk Resonator with Low Bias Voltage, MICROMACHINES, 2020, 第 6 作者
(53) 瓦里安300XP离子注入机改造及功能开发, Reformation and Function Development of Varian 300XP Ion Implanter, 分析测试技术与仪器, 2020, 第 5 作者
(54) Progress of Waveguide Ring Resonators Used in Micro-Optical Gyroscopes, PHOTONICS, 2020, 第 4 作者
(55) A Double-Step Unscented Kalman Filter and HMM-Based Zero-Velocity Update for Pedestrian Dead Reckoning Using MEMS Sensors, IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRIAL ELECTRONICS, 2020, 第 11 作者
(56) Dominant Loss Mechanisms of Whispering Gallery Mode RF-MEMS Resonators with Wide Frequency Coverage, SENSORS, 2020, 第 7 作者
(57) Recent research progress of ferroelectric negative capacitance field effect transistors, ACTA PHYSICA SINICA, 2020, 第 11 作者
(58) Si-grating-assisted SPR sensor with high figure of merit based on Fabry���P��rot cavity, OPTICS COMMUNICATIONS, 2020, 第 5 作者
(59) Coulomb blockade and hopping transport behaviors of donor-induced quantum dots in junctionless transistors, Coulomb blockade and hopping transport behaviors of donor-induced quantum dots in junctionless transistors*, CHINESE PHYSICS B, 2020, 第 11 作者
(60) Metamaterials absorber based on doped semiconductor for thz and fir frequency ranges, JOURNAL OF OPTICS, 2019, 第 6 作者
(61) Observation of hopping transitions for delocalized electrons by temperature-dependent conductance in silicon junctionless nanowire transistors, 中国物理B, 2019, 第 7 作者
(62) 3D-encapsulated VHF MEMS resonator with high frequency stability and low vibration sensitivity, SENSORS & ACTUATORS: A. PHYSICAL, 2019, 第 7 作者
(63) Temperature-dependent subband mobility characteristics in n-doped silicon junctionless nanowire transistor, CHINESE PHYSICS B, 2019, 第 7 作者
(64) Discrete energy states induced broadband emission from self-assembly InGaN quantum dots, OPTICAL MATERIALS, 2019, 第 6 作者
(65) Si-grating-assistedSPRsensorwithhighfigureofmeritbasedonFabry���P��rot cavity, Optics Communications, 2019, 第 1 作者
(66) Research on a 3D Encapsulation Technique for Capacitive MEMS Sensors Based on Through Silicon Via, SENSORS, 2019, 第 5 作者
(67) Asymmetry Analysis of the Resonance Curve in Resonant Integrated Optical Gyroscopes, SENSORS, 2019, 第 2 作者
(68) A T-Shape Aluminum Nitride Thin-Film Piezoelectric MEMS Resonant Accelerometer, JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, 2019, 第 6 作者
(69) Observation of hopping transitions for delocalized electrons by temperature-dependent conductance in silicon junctionless nanowire transistors, CHINESE PHYSICS B, 2019, 第 7 作者
(70) The Fabrication of Micro/Nano Structures by Laser Machining, NANOMATERIALS, 2019, 第 9 作者
(71) A NovelMultiple-Frequency RF-MEMS Resonator Based on the Whispering Gallery Modes, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 第 6 作者
(72) A Decoupling Design with T-Shape Structure for the Aluminum Nitride Gyroscope, MICROMACHINES, 2019, 第 7 作者
(73) Rapidly fabricating a large area nanotip microstructure for high-sensitivity SERS applications, NANOSCALE, 2019, 第 6 作者
(74) 谐振式集成光学陀螺系统中用于抑制背散射噪声的相位调制技术, Phase modulation techniques for suppressing backscattering noise in resonator integrated optic gyroscopes, 中国光学, 2019, 第 2 作者
(75) Enhanced Binding Efficiency of Microcantilever Biosensor for the Detection of Yersinia, SENSORS, 2019, 第 6 作者
(76) Single-electron transport through single and coupling dopant atoms in silicon junctionless nanowire transistor, CHINESE PHYSICS B, 2019, 第 8 作者
(77) 硅纳米结构晶体管中与杂质量子点相关的量子输运, Quantum transport relating to impurity quantum dots in silicon nanostructure transistor, 物理学报, 2019, 第 3 作者
(78) Enhancing oxidation rate of 4H-SiC by oxygen ion implantation, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2019, 第 11 作者
(79) 3D-encapsulated VHF MEMS resonator with high frequency stability and low vibration sensitivity, SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL, 2019, 第 7 作者
(80) A Resonant Z-Axis Aluminum Nitride Thin-Film Piezoelectric MEMS Accelerometer, MICROMACHINES, 2019, 第 8 作者
(81) Reliability testing of a 3D encapsulated VHF MEMS resonator, Reliability testing of a 3D encapsulated VHF MEMS resonator, 半导体学报:英文版, 2018, 第 7 作者
(82) 端面反射和超模损耗对波导环形谐振腔输出谱线的影响, Effect of Backreflection and Normal Mode Loss on the Transmission of Waveguide Ring Resonator, 中国激光, 2018, 第 3 作者
(83) Research on Wafer-Level MEMS Packaging with Through-Glass Vias, MICROMACHINES, 2018, 第 6 作者
(84) Backreflections in resonant micro-optic gyroscope, JOURNAL OF PHYSICS COMMUNICATIONS, 2018, 第 4 作者
(85) PSPICE Hybrid Modeling and Simulation of Capacitive Micro-Gyroscopes, SENSORS, 2018, 第 11 作者
(86) Analysis of resonance asymmetry phenomenon in resonator integrated optic gyro, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 4 作者
(87) 硅纳米线界面态的化学钝化方法概述, Summarization on Chemical Passivation Methods for Interface States of Silicon Nanowires, 半导体技术, 2018, 第 3 作者
(88) Analysis of resonance asymmetry phenomenon in resonator integrated optic gyro, Analysis of resonance asymmetry phenomenon in resonator integrated optic gyro, 中国物理B:英文版, 2018, 第 4 作者
(89) Adaptive EKF Based on HMM Recognizer for Attitude Estimation Using MEMS MARG Sensors, IEEE SENSORS JOURNAL, 2018, 第 11 作者
(90) Transport spectroscopy through dopant atom array in silicon junctionless nanowire transistors, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 11 作者
(91) Amorphous-InGaZnO Thin-Film Transistors Operating Beyond 1 GHz Achieved by Optimizing the Channel and Gate Dimensions, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 第 12 作者
(92) 基于场效应晶体管的太赫兹探测器中天线设计的一种有效方法, An effective method for antenna design in field effect transistor terahertz detectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 11 作者
(93) Coulomb Interaction in One Dimensional Transport of Silicon Junctionless Nanowire Transistor, 2018 14TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2018, 第 11 作者
(94) Transport spectroscopy through dopant atom array in silicon junctionless nanowire transistors, Transport spectroscopy through dopant atom array in silicon junctionless nanowire transistors, 中国物理B, 2018, 第 5 作者
(95) Influence of dopant concentration on electrical quantum transport behaviors in junctionless nanowire transistors, Influence of dopant concentration on electrical quantum transport behaviors in junctionless nanowire transistors, 中国物理B, 2018, 第 6 作者
(96) 量子定位导航技术研究与发展现状, Research and Development Status of Quantum Navigation Technology, 激光与光电子学进展, 2018, 第 8 作者
(97) 基于场效应晶体管的太赫兹探测器中天线设计的一种有效方法, An effective method for antenna design in field effect transistor terahertz detectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 11 作者
(98) A Thin Film Flexible Supercapacitor Based on Oblique Angle Deposited Ni/NiO Nanowire Arrays, NANOMATERIALS, 2018, 第 6 作者
(99) Design and Simulation of A Novel Piezoelectric AlN-Si Cantilever Gyroscope, MICROMACHINES, 2018, 第 6 作者
(100) A novel scanning force microscopy probe with thermal-electrical actuation and piezo-resistive sensing, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2018, 第 7 作者
(101) Temperature-dependent mobility characteristics in one-dimension transport in junctionless nanowire transistor, 2018 14TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2018, 第 11 作者
(102) Reliability testing of a 3D encapsulated VHF MEMS resonator, Reliability testing of a 3D encapsulated VHF MEMS resonator, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2018, 第 7 作者
(103) Absorption enhancement in thin film solar cells with bilayer silver nanoparticle arrays, JOURNAL OF PHYSICS COMMUNICATIONS, 2018, 第 7 作者
(104) A Novel Nanocone Cluster Microstructure with Anti-reflection and Superhydrophobic Properties for Photovoltaic Devices, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2018, 第 8 作者
(105) 基于场效应晶体管的太赫兹探测器中天线设计的一种有效方法, An effective method for antenna design in field effect transistor terahertz detectors, 红外与毫米波学报, 2018, 第 21 作者
(106) Dopant atoms as quantum components in silicon nanoscale devices, Dopant atoms as quantum components in silicon nanoscale devices, 半导体学报(英文版), 2018, 第 8 作者
(107) Heavily Boron-Doped Silicon Layer for the Fabrication of Nanoscale Thermoelectric Devices, NANOMATERIALS, 2018, 第 10 作者
(108) Effect of Backreflection and Normal Mode Loss on the Transmission of Waveguide Ring Resonator, CHINESE JOURNAL OF LASERS-ZHONGGUO JIGUANG, 2018, 第 3 作者
(109) Influence of dopant concentration on electrical quantum transport behaviors in junctionless nanowire transistors, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 11 作者
(110) 陷光结构在GaAs薄膜太阳电池中的应用, Applying Light Trapping Structure to GaAs Thin Film Solar Cells:A State-of-the-Art Review, 材料导报, 2017, 第 4 作者
(111) Design of the low-loss waveguide coil for interferometric integrated optic gyroscopes, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2017, 第 11 作者
(112) Resonance frequency tracking and measuring system for micro-electromechanical cantilever array sensors, MICROSYSTEM TECHNOLOGIES-MICRO-AND NANOSYSTEMS-INFORMATION STORAGE AND PROCESSING SYSTEMS, 2017, 第 7 作者
(113) A novel digitally tunable RF-MEMS disk resonator, MICROSYSTEM TECHNOLOGIES-MICRO-AND NANOSYSTEMS-INFORMATION STORAGE AND PROCESSING SYSTEMS, 2017, 第 8 作者
(114) Analysis of Substrate Effect in Field Effect Transistor Terahertz Detectors, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2017, 第 5 作者
(115) High-efficiency photon capturing in ultrathin silicon solar cells with double-sided skewed nanopyramid arrays, JOURNAL OF OPTICS, 2017, 第 7 作者
(116) Single photon emission from deep-level defects in monolayer WSe2, PHYSICAL REVIEW B, 2017, 第 6 作者
(117) A low feed-through 3D vacuum packaging technique with silicon vias for RF MEMS resonators, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2017, 第 5 作者
(118) Design and characterization of a 3D encapsulation with silicon vias for radio frequency micro-electromechanical system resonator, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 9 作者
(119) Silicon tip sharpening based on thermal oxidation technology, MICROSYSTEM TECHNOLOGIES-MICRO-AND NANOSYSTEMS-INFORMATION STORAGE AND PROCESSING SYSTEMS, 2017, 第 4 作者
(120) 固体纳秒激光器应用于非晶硅薄膜结晶的研究, Application of 532 nm solid nanosecond laser in crystallization of amorphous silicon thin films, 激光与红外, 2017, 第 6 作者
(121) Horizontal InAs nanowire transistors grown on patterned silicon-on-insulator substrate, CHINESE PHYSICS B, 2017, 第 11 作者
(122) Fluorescence Intermittency in Monolayer WSe_2, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017, 第 4 作者
(123) 激光退火形成Ni /4H-SiC 欧姆接触, Ni /4H-SiC Ohmic Contact Formed by Laser Annealing, 半导体技术, 2016, 第 6 作者
(124) A zero-level vacuum encapsulation technique with less parasitic effect for VHF MEMS resonators, SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL, 2016, 第 6 作者
(125) Disorder Improves Light Absorption in Thin Film Silicon Solar Cells with Hybrid Light Trapping Structure, INTERNATIONAL JOURNAL OF OPTICS, 2016, 第 3 作者
(126) The study of the contribution of the surface and bulk traps to the dynamic Rdson in AlGaN/GaN HEMT by light illumination, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 6 作者
(127) Investigation and solution of low yield problem for phase change memory with lateral fully-confined structure, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 5 作者
(128) 干涉型与谐振型集成光学陀螺的比较, Comparison Between Interferometric and Resonant Integrated Optic Gyroscopes, 激光与光电子学进展, 2016, 第 7 作者
(129) A high accuracy cantilever array sensor for early liver cancer diagnosis, BIOMEDICAL MICRODEVICES, 2016, 第 8 作者
(130) Optical absorption enhancement in slanted silicon nanocone hole arrays for solar photovoltaics, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 7 作者
(131) Measuring methods for thermoelectric properties of one-dimensional nanostructural materials, RSC ADVANCES, 2016, 第 4 作者
(132) 锑化物二类超晶格热电材料:能带结构、热电性能、制备与测试, Thermoelectric Material of Antimonide ��� Superlattice:Band Structure, Thermoelectric Properties,Fabrication and Measurement, 材料导报, 2016, 第 5 作者
(133) A zero-level vacuum encapsulation technique with less parasitic effect for VHF MEMS resonators, SENSORS & ACTUATORS: A. PHYSICAL, 2016, 第 6 作者
(134) Electronic transport properties of silicon junctionless nanowire transistors fabricated by femtosecond laser direct writing, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 11 作者
(135) Tailoring of Energy Band in Electron-Blocking Structure Enhancing the Efficiency of AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2016, 第 8 作者
(136) 基于MEMS VOA阵列的红外场景生成器, IR Scene Generator Based on MEMS VOA Array, 航空兵器, 2016, 第 5 作者
(137) Pressure-induced K����� crossing in monolayer WSe2���, NANOSCALE, 2016, 第 5 作者
(138) A High Throughput Cantilever Array Sensor for Multiple Liver Cancer Biomarkers Detection, IEEE SENSORS JOURNAL, 2016, 第 6 作者
(139) 基于浓硼扩散层的硅纳米线谐振子制备, Fabrication of Silicon Nanowires Resonators with Silicon Layer Doped by High Concentration Boron, 影像科学与光化学, 2016, 第 5 作者
(140) A high accuracy cantilever array sensor for early liver cancer diagnosis, BIOMED MICRODEVICES, 2016, 第 8 作者
(141) Si-based Horizontal InAs Nanowire Transistors, 2016 13TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2016, 第 5 作者
(142) Pressure-induced K-Lambda crossing in monolayer WSe2, NANOSCALE, 2016, 第 5 作者
(143) Charge trapping in surface accumulation layer of heavily doped junctionless nanowire transistors, CHINESE PHYSICS B, 2015, 第 5 作者
(144) Observation of Degenerate One-Dimensional Subbands in Single n-Channel Junctionless Nanowire Transistors, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 第 5 作者
(145) Beam multiplexing of diode laser arrays, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 4 作者
(146) Electron transport behaviors through donor-induced quantum dot array in heavily n-doped junctionless nanowire transistors, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 第 7 作者
(147) Electron transport behaviors through donor-induced quantum dot array in heavily n-doped junctionless nanowire transistors, J. APPL. PHYS, 2015, 第 7 作者
(148) A novel MEMS electromagnetic actuator with large displacement, SENSORS & ACTUATORS: A. PHYSICAL, 2015, 第 6 作者
(149) Investigation of mobility enhancement of junctionless nanowire transistor at low temperatures, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2015, 第 5 作者
(150) Interface engineering of electronic properties of graphene/boron nitride lateral heterostructures, 2D MATERIALS, 2015, 第 3 作者
(151) The Cu Based AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode, The Cu Based AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode, 中国物理快报:英文版, 2015, 第 6 作者
(152) Grown Low-Temperature Microcrystalline Silicon Thin Film by VHF PECVD for Thin Films Solar Cell, JOURNAL OF NANOMATERIALS, 2015, 第 3 作者
(153) A novel MEMS actuator with large lateral stroke driven by Lorentz force, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2015, 第 5 作者
(154) Fermi level pinning effects at gate���dielectric interfaces influenced by interface state densities, CHINESEPHYSICSB, 2015, 第 5 作者
(155) Frequency stability of an RF oscillator with an MEMS-based encapsulated resonator, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2015, 第 6 作者
(156) The Cu Based AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 6 作者
(157) Light-absorption enhancement in thin-film silicon solar cells with front grating and rear-located nanoparticle grating, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2015, 第 5 作者
(158) A novel MEMS electromagnetic actuator with large displacement, SENSORS & ACTUATORS: A. PHYSICAL, 2015, 
(159) Observation of Degenerate One-Dimensional Subbands in-Single n-Channel Junctionless Nanowire Transistors, IEEE ELECTRON DEVICE LETTER, 2015, 第 5 作者
(160) Frequency Stability of RF-MEMS Disk Resonators, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 第 6 作者
(161) A novel MEMS electromagnetic actuator with large displacement, SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL, 2015, 第 6 作者
(162) Light-absorption enhancement in thin-film silicon solar cells with front grating and rear-located nanoparticle grating, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2015, 第 5 作者
(163) Low-temperature study of array of dopant atoms on transport behaviors in silicon junctionless nanowire transistor, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 第 5 作者
(164) Hybrid light trapping structures in thin-film silicon solar cells, JOURNAL OF OPTICS, 2014, 第 5 作者
(165) Magnetic field controllable nonvolatile resistive switching effect in silicon device, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 7 作者
(166) Current-voltage spectroscopy of dopant-induced quantum-dots in heavily n-doped junctionless nanowire transistors, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 6 作者
(167) Extraordinary optical absorption based on diffraction grating and rear-located bilayer silver nanoparticles, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2014, 第 6 作者
(168) Impact of CHF3 Plasma Treatment on AlGaN/GaN HEMTs Identified by Low-Temperature Measurement, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 第 4 作者
(169) Quantum transport characteristics in single and multiple N-channel junctionless nanowire transistors at low temperatures, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 5 作者
(170) Damage of Cr film by oxygen plasma, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 第 4 作者
(171) The thermal stability study and improvement of 4H-SiC ohmic contact, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 17 作者
(172) 基于LT3496的可调光大功率LED照明电路, High power LED driver with PWM dimming based on LT3496, 电源技术, 2014, 第 5 作者
(173) Efficiency improvement by polarization-reversed electron blocking structure in GaN-based light-emitting diodes, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 3 作者
(174) 新型硅薄膜太阳能电池混合陷光结构, New Hybrid Light Trapping Structure in Silicon Thin Film Solar Cells, 光子学报, 2014, 第 5 作者
(175) A Wafer-Level Sn-Rich Au-Sn Bonding Technique and Its Application in Surface Plasmon Resonance Sensors, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 第 7 作者
(176) AlGaN/GaN Schottky Diode Fabricated by Au Free Process, ELECTRON DEVICE LETTERS, IEEE, 2013, 第 7 作者
(177) Low-temperature electron mobility in heavily n-doped junctionless nanowire, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 
(178) A lithography-independent and fully confined fabrication process of phase-change materials in metal electrode nanogap with 16-mu A threshold current and 80-mV SET voltage, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2013, 第 11 作者
(179) Recent progress in organic-inorganic hybrid solar cells, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2013, 第 4 作者
(180) Temperature dependence of electronic behaviors in n-type multiplechannel, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 5 作者
(181) Low-temperature electron mobility in heavily n-doped junctionless nanowire transistor, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 7 作者
(182) High-performance 4H-SiC junction barrier Schottky diodes with double resistive termination extensions, CHINESE PHYSICS B, 2013, 第 13 作者
(183) Double-layer anti-reflection coating containing a nanoporous anodic aluminum oxide layer for GaAs solar cells, OPTICS EXPRESS, 2013, 第 11 作者
(184) Low-Temperature Quantum Transport Characteristics in Single n-ChannelJunctionless Nanowire Transistors, ELECTRON DEVICE LETTERS, IEEE, 2013, 第 6 作者
(185) Enhanced optical absorption in nanohole-textured silicon thin-film solar cells with rear-located metal particles, OPTICSLETTERS, 2013, 第 3 作者
(186) Multilayer silver nanoparticles for light trapping in thin film solar cells, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 6 作者
(187) Sn-rich Au-Sn hermetic packaging at wafer level and its application in SPR sensor, NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS (NEMS), 2013 8TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON, 2013, 第 6 作者
(188) Feed-through cancellation of a MEMS filter using the difference method and analysis of the induced notch, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 7 作者
(189) Low-Temperature Quantum Transport Characteristics in Single n-Channel Junctionless Nanowire Transistors, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 第 6 作者
(190) Optimization for MEMS filter to reduce feed-through and an analysis method based on polar diagram, ADVANCED MATERIALS RESEARCH, 2013, 第 6 作者
(191) Temperature dependence of electronic behaviors in n-type multiple-channel junctionless transistors, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 5 作者
(192) Thermoelectric devices based on one-dimensional nanostructures, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY A, 2013, 第 4 作者
(193) Long-range-ordered Ag nanodot arrays grown on GaAs substrate using nanoporous alumina mask, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2013, 第 7 作者
(194) Fabrication and characterization of an SOI MEMS gyroscope, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 5 作者
(195) A Processing Window for Fabricating Heavily Doped Silicon Nanowires by Metal-Assisted Chemical Etching, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2013, 第 4 作者
(196) Recent progress in organic-inorganic hybrid solar cells, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY A, 2013, 第 4 作者
(197) A lithography-independent and fully confined fabrication process of phase-change materials in metal electrode nanogap with 16-��A threshold current and 80-mV SET voltage, APPLIED PHYSICS A: MATERIALS SCIENCE AND PROCESSING, 2013, 
(198) A wafer-level Sn-rich Au���Sn intermediate bonding technique with high strength, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2013, 第 4 作者
(199) Improvement of fabrication and characterization methods for micromechanical disk resonators, Improvement of fabrication and characterization methods for micromechanical disk resonators, 中国物理B:英文版, 2012, 第 5 作者
(200) Influence of the light trapping induced by surface plasmons and antireflection film in crystalline silicon solar cells, OPTICS EXPRESS, 2012, 第 6 作者
(201) Two new methods to improve the lithography precision for SU-8 photoresist on glass substrate, PROCEEDINGS OF THE IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS (MEMS), 2012, 第 4 作者
(202) Optimization of the Dielectric Layer Thickness for Surface-Plasmon-Induced Light Absorption for Silicon Solar Cells, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 7 作者
(203) An effective approach for restraining electrochemical corrosion of polycrystalline silicon caused by an HF-based solution and its application for mass production of MEMS devices, JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2012, 第 7 作者
(204) 光伏电池MPPT扰动观察法的研究现状, Research of Perturbation and Observation Method for MPPT of PV Arrays, 半导体光电, 2012, 第 5 作者
(205) Improvement of fabrication and characterization methods for micromechanical disk resonators, CHINESE PHYSICS B, 2012, 第 5 作者
(206) 侧墙技术在相变存储器中的应用, Application of the Spacer Technology in the PCRAM, 微纳电子技术, 2012, 第 7 作者
(207) Analysis of the ohmic contacts of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMTs by the multi-step annealing process, Analysis of the ohmic contacts of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMTs by the multi-step annealing process, 半导体学报, 2012, 第 5 作者
(208) Anomalous temperature dependence of photoluminescence in self-assembled InGaN quantum dots, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 0 作者
(209) Femtosecond laser lithography technique for submicron T-gate fabrication on positive photoresist, OPTICAL ENGINEERING, 2012, 第 7 作者
(210) Understanding of Thermal Engineering for Vertical Nanowire Phase-Change Random Access Memory Partially Wrapped by Low-Conductivity Layer, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 9 作者
(211) 硅基太阳电池的表面纳米织构及制备, Surface Nanostructures of Silicon Solar Cells and Their Preparations, 微纳电子技术, 2012, 第 7 作者
(212) Dielectric layer-dependent surface plasmon effect of metallic nanoparticles on silicon substrate, CHINESE PHYSICS B, 2012, 第 7 作者
(213) Fast and controllable fabrication of suspended graphene nanopore devices, NANOTECHNOLOGY, 2012, 第 6 作者
(214) Dielectric layer-dependent metallic nanoparticles surface plasmon effect of on silicon substrate, Dielectric layer-dependent metallic nanoparticles surface plasmon effect of on silicon substrate, 中国物理:英文版, 2012, 第 7 作者
(215) 纳米MOSFET的多栅结构和应变硅纳米线结构, Multi-Gate Structure and Strain Silicon Nanowires Structure of Nanoscale MOSFETs, 微纳电子技术, 2011, 第 5 作者
(216) Surface plasmon enhanced gaas thin film solar cells, SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2011, 第 5 作者
(217) Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation, Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation, 半导体学报, 2011, 第 4 作者
(218) Enhancing the curie temperature of ferromagnetic semiconductor (ga,mn)as to 200 k via nanostructure engineering, NANO LETTERS, 2011, 第 3 作者
(219) Highly reproducible nanolithography by dynamic plough of an atomic-force microscope tip and thermal-annealing treatment, IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2011, 第 3 作者
(220) 一种脉冲编码CMOS神经元电路的设计与实现, A Design of Pulse Coded CMOS Neuron Circuit, 电子器件, 2011, 第 4 作者
(221) Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation, Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation, 半导体学报, 2011, 第 4 作者
(222) An Effective Approach for Restraining Galvanic Corrosion of Polycrystalline Silicon by Hydrofluoric-Acid-Based Solutions, JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, 2011, 第 5 作者
(223) 增强型AIGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展, Research Progress of Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs, 半导体技术, 2011, 第 7 作者
(224) 突破衍射极限的表面等离子体激元, Surface Plasmonics Polaritons beyond Diffraction Limit, 光电技术应用, 2011, 第 5 作者
(225) Stability of Mechanical Properties for Submicrometer Single-Crystal Silicon Cantilever Under Cyclic Load, JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, 2011, 第 5 作者
(226) AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展, Research Progress on the Process of AlGaN/GaN HEMTs, 微纳电子技术, 2011, 第 5 作者
(227) Drive current of accumulation-mode p-channel SOI-based wrap-gated Fin-FETs, Drive current of accumulation-mode p-channel SOI-based wrap-gated Fin-FETs, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2011, 第 6 作者
(228) A self-aligned process for phase-change material nanowire confined within metal electrode nanogap, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 11 作者
(229) Drive current of accumulation-mode p-channel SOI-based wrap-gated Fin-FETs, Drive current of accumulation-mode p-channel SOI-based wrap-gated Fin-FETs, 半导体学报, 2011, 第 6 作者
(230) 增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展, Research Progress of Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs, 半导体技术, 2011, 第 7 作者
(231) An efficient dose-compensation method for proximity effect correction, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2010, 第 6 作者
(232) 内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究, Electrical investigation of field-effect-transistors with embedded self-assembled InAs quantum dots, 功能材料与器件学报, 2010, 第 5 作者
(233) Luminescence distribution and hole transport in asymmetric InGaN multiple-quantum well light-emitting diodes, Luminescence distribution and hole transport in asymmetric InGaN multiple-quantum well light-emitting diodes, 半导体学报, 2010, 第 2 作者
(234) 纳米二氧化钒薄膜的电学与光学相变特性, Electrical and Optical Phase Transition Properties of Nano Vanadium Dioxide Thin Films, 光谱学与光谱分析, 2010, 第 7 作者
(235) An efficient dose-compensation method for proximity effect correction, An efficient dose-compensation method for proximity effect correction, 半导体学报, 2010, 第 6 作者
(236) 近红外单光子探测, Near infrared single-photon detection, 物理, 2010, 第 2 作者
(237) Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications, Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications, 半导体学报, 2009, 第 5 作者
(238) A voltage-controlled ring oscillator using InP full enhancement-mode HEMT logic, A voltage-controlled ring oscillator using InP full enhancement-mode HEMT logic, 半导体学报, 2009, 第 4 作者
(239) A voltage-controlled ring oscillator using InP full enhancement-mode HEMT logic, A voltage-controlled ring oscillator using InP full enhancement-mode HEMT logic, 半导体学报, 2009, 第 4 作者
(240) 纳米二氧化钒薄膜的制备及红外光学性能, Fabrication and Infrared Optical Properties of Nano Vanadium Dioxide Thin Films, 物理化学学报, 2009, 第 6 作者
(241) Bulge testing and fracture properties of plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films, THIN SOLID FILMS, 2009, 第 5 作者
(242) Fabrication and infrared optical properties of nano vanadium dioxide thin films, ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA, 2009, 第 6 作者
(243) Reduction of proximity effect in fabricating nanometer-spaced nanopillars by two-step exposure, Reduction of proximity effect in fabricating nanometer-spaced nanopillars by two-step exposure, 半导体学报, 2009, 第 8 作者
(244) Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film, Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film, 半导体学报, 2009, 第 8 作者
(245) Size dependence of biexciton binding energy in single InAs/GaAs quantum dots, CHINESE PHYSICS B, 2009, 第 6 作者
(246) Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film, Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film, 半导体学报, 2009, 第 8 作者
(247) Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications, Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications, 半导体学报, 2009, 第 5 作者
(248) Size dependence of biexciton binding energy in single InAs/GaAs quantum dots, Size dependence of biexciton binding energy in single InAs/GaAs quantum dots, 中国物理:英文版, 2009, 第 6 作者
(249) Si纳米线场效应晶体管研究进展, Progress in Silicon Nanowire Field Effect Transistors, 微纳电子技术, 2009, 第 5 作者
(250) Lithography-independent and large scale fabrication of a metal electrode nanogap, Lithography-independent and large scale fabrication of a metal electrode nanogap, 半导体学报, 2009, 第 6 作者
(251) Finite element beam propagation method for analysis of plasmonic waveguide, Finite element beam propagation method for analysis of plasmonic waveguide, 中国光学快报:英文版, 2008, 第 4 作者
(252) Simulation and fabrication of the SiC-based clamped-clamped filter, 2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4, 2008, 第 10 作者
(253) Design of a Frequency Divider with Reduced Complexity Based on a Resonant Tunneling Diode, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
(254) 利用电子束光刻制备晶面依赖的硅纳米结构, Fabrication of Silicon Crystal-Facet-Dependent Nanostructures by Electron-Beam Lithography, 半导体学报, 2008, 第 5 作者
(255) 具有抑制边缘击穿的层叠结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管的设计, A Planar InGaAs/InP Geiger Mode Avalanche Photodiode with Cascade Edge Breakdown Suppression, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
(256) 利用电子束光刻制备晶面依赖的硅纳米结构(英文), 半导体学报, 2008, 第 5 作者
(257) A High Performance AlGaN/GaN HEMT with a New Method for T-Gate Layout Design, 半导体学报, 2008, 第 5 作者
(258) Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 第 4 作者
(259) Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD, MICROELECTRONICS JOURNAL, 2008, 第 10 作者
(260) Transmission properties of electron in quantum rings, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 第 2 作者
(261) InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管仿真设计, Simulation and Design of InGaAs/InAIAs Avalanche Photodiode, 激光与光电子学进展, 2008, 第 3 作者
(262) 具有抑制边缘击穿的层叠结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管的设计, A Planar InGaAs/InP Geiger Mode Avalanche Photodiode with Cascade Edge Breakdown Suppression, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
(263) Fracture properties of silicon carbide thin films by bulge test of long rectangular membrane, JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, 2008, 第 5 作者
(264) Electronic states of InAs/GaAs tyre-shape quantum ring, CHINESE PHYSICS B, 2008, 第 2 作者
(265) 一种利用共振隧穿二极管简化电路的分频器设计, Design of a Frequency Divider Resonant with Reduced Complexity Based on a Tunneling Diode, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
(266) RTD与HEMT在InP衬底上的单片集成, Monolithic Integration of Resonant Tunneling Diodes and High Electron Mobility Transistors on InP Substrates, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
(267) 一种基于RTD和HEMT的单片集成逻辑电路, A Monolithic Integrated Logic Circuit of Resonant Tunneling Diodes and a HEMT, 半导体学报, 2007, 第 5 作者
(268) Compact universal logic gates realized using quantization of current in nanodevices, NANOTECHNOLOGY, 2007, 第 3 作者
(269) 高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析, Fabrication and Device Simulation of High Performance InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes on InP Substrates, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
(270) 纳米电子器件-高峰值峰谷电流比InP基共振隧穿二极管的实现, Realization of Nanoelectronic Devices-Resonant Tunneling Diodes Grown on InP Substrates with High Peak to Valley Current Ratio, 半导体学报, 2007, 第 7 作者
(271) Temperature dependence of the raman-active modes in the nonpolar a-plane gan film, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2007, 第 5 作者
(272) Coherent Tunnelling in Coupled Quantum Wells under a Uniform Magnetic Field, Coherent Tunnelling in Coupled Quantum Wells under a Uniform Magnetic Field, 中国物理快报:英文版, 2007, 第 2 作者
(273) A Monolithic Integrated Logic Circuit of Resonant Tunneling Diodes and a HEMT, 半导体学报, 2007, 第 5 作者
(274) A proposal for low cross-talk square-lattice photonic crystal waveguide intersection utilizing the symmetry of waveguide modes, OPTICS COMMUNICATIONS, 2007, 第 4 作者
(275) Fabrication of nanoscale metallic air-bridges by introducing a SiO 2 sacrificial layer, MATERIALSSCIENCEINSEMICONDUCTORPROCESSING, 2007, 第 4 作者
(276) Geometrical-confinement effects on two electrons in elliptical quantum dots, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2007, 第 2 作者
(277) Effect of disorder on self-collimated beam in photonic crystal, PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2006, 第 5 作者
(278) 微纳加工技术在光电子领域的应用, Application of nanofabrication to optoelectronics, 物理, 2006, 第 3 作者
(279) A New Method to Investigate InGaAsP Single-Photon Avalanche Diodes Using a Digital Sampling Oscilloscope, 半导体学报, 2006, 第 2 作者
(280) Optical and electrical investigation of low dimensional self-assembled InAs quantum dot field effect transistors, INTERNATIONAL JOURNAL OF NANOSCIENCE丛书标题: INTERNATIONAL JOURNAL OF NANOSCIENCE SERIES, 2006, 
(281) Line defect splitters for self-collimated beams in photonic crystals, OPTICS COMMUNICATIONS, 2006, 第 4 作者
(282) A small signal equivalent circuit model for resonant tunnelling diode, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 第 5 作者
(283) 用于高速电路的InP基共振隧穿二极管制作, Fabrication of an AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs Resonant Tunneling Diode on InP Substrate for High-Speed Circuit Applications, 半导体学报, 2006, 第 5 作者
(284) Optical and electrical investigation of low dimensional self-assembled InAs quantum dot field effect transistors, INTERNATIONAL JOURNAL OF NANOSCIENCE, VOL 5, NO 6, 2006, 第 3 作者
(285) 高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法, Fabrication of a High Quality Etching Mask for Two-Dimensional Photonic Crystal Structures, 半导体学报, 2006, 第 6 作者
(286) 硅基单电子晶体管的制备, Fabrication of Silicon Single Electron Transistors, 微纳电子技术, 2006, 第 3 作者
(287) A bistable, self-latching inverter by the monolithic integration of resonant tunnelling diode and high electron mobility transistor, CHINESE PHYSICS, 2006, 第 4 作者
(288) 基于RTD与CMOS的新型数字电路设计, 固体电子学研究与进展, 2006, 第 4 作者
(289) 基于共振隧穿二极管的集成电路研究, 电子器件, 2006, 第 2 作者
(290) RTD基高速多值量化器的设计, Design of RTD-Based High Speed Multiple Value Quantizer, 电子学报, 2005, 第 3 作者
(291) 低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响, Enhancement of Ferromagnetic Transition Temperature in (Ga, Mn) As by Post-Growth Annealing, 半导体学报, 2005, 第 5 作者
(292) RTD与PHEMT集成的几个关键工艺, 半导体学报, 2005, 第 5 作者
(293) 一种新材料结构的RTD器件的设计及实现, 半导体学报, 2005, 第 5 作者
(294) 内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性, Optical and Electrical Investigation of Embedded Self-Assembled InAs Quantum Dot Modulation Doped Field-Effect-Transistors, 半导体学报, 2005, 第 3 作者
(295) 一种新材料结构的RTD器件的设计及实现, Design and Realization of Resonant Tunneling Diodes with New Material Structure, 半导体学报, 2005, 第 1 作者
(296) p型掺杂Si/Ge量子点的电子拉曼散射, Electronic Raman Scattering in p-doped Self-Assembled Si/Ge Quantum Dots, 光散射学报, 2004, 第 7 作者
(297) 能级填充对量子阱光学性质的影响, 物理学报, 2004, 第 6 作者
(298) 小尺寸Si/Ge量子点内应变和组分的拉曼光谱表征, 光散射学报, 2004, 第 3 作者
(299) p型掺杂Si/Ge量子点的电子拉曼散射, Electronic Raman Scattering in p-doped Self-Assembled Si/Ge Quantum Dots, 光散射学报, 2004, 第 3 作者
(300) 静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究, 光谱学与光谱分析, 2003, 第 6 作者
(301) 三势垒隧穿结构中由外加垂直磁场引入的高子带非热占据, 光谱学与光谱分析, 2003, 第 1 作者
(302) 横向点间耦合对双量子点Aharonov—Bohm结构输运性质的影响, Influence of Transverse Interdot Coupling on Electron Transport Properties in a Double-Quantum-Dot Aharonov-Bohm Structure, 半导体学报, 2003, 第 3 作者
(303) Storage of Photoexcited Electron-Hole Pairs in an AlAs/GaAs Heterostructure Created by Electron Transfer in Real and k Spaces, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2002, 第 3 作者
(304) A Novel Contactless Method for Characterization of Semiconductors:Surface Electron Bean Induced Voltage in Scanning Electron Microscopy, A Novel Contactless Method for Characterization of Semiconductors:Surface Electron Bean Induced Voltage in Scanning Electron Microscopy, 中国物理快报:英文版, 2002, 第 3 作者
(305) 利用г—X混合在AlAs/GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储, 人工晶体学报, 2002, 第 5 作者
(306) 非共振激发条件下微腔中激子自发辐射的时间分辨光谱, 发光学报, 2000, 第 5 作者
(307) 磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Γ—X电子态混合, 红外与毫米波学报, 1996, 第 5 作者
(308) 不对称双势垒结构中的非世振磁隧穿现象, 半导体学报, 1990, 第 3 作者
(309) GaAs/P型AlxGa(1-x)As异质结界面二维空穴的量子输运特性, 半导体学报, 1989, 第 3 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于光子束调制的跨尺度微纳结构加工与器件应用研究, 参与, 国家任务, 2016-07--2021-06
( 2 ) MEMS器件的研发, 负责人, 境内委托项目, 2016-01--2020-12