基本信息
宋志棠 男 博导 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: ztsong@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号8号楼401室
邮政编码: 200050
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
相变材料,工艺,器件,模拟,电路设计与芯片制造化学机械抛光,集成电路用磨料
教育背景
1998-02--1999-11 中科院上海微系统所 博士后1994-09--1997-11 西安交通大学 工学博士1989-09--1992-07 西安交通大学 工学硕士1981-09--1985-07 山西大学物理系 理学学士
工作经历
工作简历
2013-04~现在, 上海微系统所, 超级973项目首席科学家2013-01~现在, 信息功能材料国家重点实验室, 主任2010-10~现在, 中科院上海微系统所 , 所长助理2006-01~2010-10,中科院上海微系统所纳米技研究室, 研究员 主任 博导2003-01~现在, 信息功能材料国家重点实验室, 副主任2002-10~2005-12,半导体薄膜国家工程技术研究中心 , 研究员 主任 博导2001-03~2002-10,中科院上海微系统所业务处, 处长2000-05~2001-03,香港理工大学应用物理系, R. F.(高级访问学者)R. A.(助理研究员)1999-12~2000-05,中科院上海微系统所, 副研究员1998-02~1999-11,中科院上海微系统所, 博士后1994-09~1997-11,西安交通大学, 工学博士1992-07~1994-08,榆次经纬纺织机械厂, 工程师1989-09~1992-07,西安交通大学, 工学硕士1985-07~1989-08,太原重型机械学院, 助教1981-09~1985-07,山西大学物理系, 理学学士
社会兼职
2018-02-28-今,信息功能材料国家重点实验室, 副主任
2014-01-14-2018-02-28,信息功能材料国家重点实验室, 主任
2012-06-05-今,上海市真空学会,
2010-04-15-今,全国纳米技术标准化技术委员纳米加工分委员会, 秘书长
2008-07-01-今,市(地级)政协委员,
2003-12-01-今,中国材料学会, 常务理事
2001-03-01-今,九三学社委员,
2014-01-14-2018-02-28,信息功能材料国家重点实验室, 主任
2012-06-05-今,上海市真空学会,
2010-04-15-今,全国纳米技术标准化技术委员纳米加工分委员会, 秘书长
2008-07-01-今,市(地级)政协委员,
2003-12-01-今,中国材料学会, 常务理事
2001-03-01-今,九三学社委员,
教授课程
相变存储器技术基础相变存储技术基础
专利与奖励
奖励信息
(1) 东方英才团队奖, 其他, 2023(2) 中国科学十大进展, 部委级, 2022(3) 中国科学院优秀导师, 院级, 2022(4) 中国科学院杰出科技成就奖, , 国家级, 2022(5) 华为奥林帕斯先锋奖, 一等奖, 其他, 2021(6) 上海市自然科学奖, 一等奖, 省级, 2020(7) 中国材料研究学会科学技术奖, 一等奖, 省级, 2019(8) 上海市技术发明奖, 二等奖, 省级, 2018(9) 中国电子学会科学技术奖, 三等奖, 专项, 2017(10) 上海市科学技术奖, 一等奖, 省级, 2016(11) 中国材料研究学会贡献奖, 省级, 2016(12) 中国科学院“朱李月华优秀教师”奖, 院级, 2013(13) 中国科学院“朱李月华优秀教师”奖, 院级, 2013(14) 中国科学院“朱李月华优秀教师”奖, 院级, 2013(15) 国务院特殊津贴, , 国家级, 2009(16) 上海市领军人才, , 省级, 2009(17) 新世纪百千万人才工程国家级人选, , 国家级, 2009(18) 中科院朱李月华优秀教师, , 研究所(学校), 2009(19) 中科院院长特别奖导师, 特等奖, 研究所(学校), 2009(20) 上海市纳米科技创新论坛“创新之星”银奖, 二等奖, 省级, 2008(21) 上海市长宁区先进工作者, , 省级, 2007(22) 国家科技进步一等奖, 一等奖, 国家级, 2006(23) 中科院研究生院优秀教师, , 研究所(学校), 2006(24) 上海市优秀学科带头人, , 省级, 2006(25) 上海市中长期科学发展规划纲要编制荣誉证书等称号与奖励, , 省级, 2006(26) 上海市科技进步一等奖, 一等奖, 省级, 2006(27) 第五届中国国际发明展览会银奖, 二等奖, 国家级, 2004(28) 上海新泰个人优秀奖, 特等奖, 省级, 2003(29) 上海市优秀博士后, , 省级, 1999(30) 上海市科技启明星, , 省级, 1999
专利成果
( 1 ) 一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: 202210551303.7( 2 ) 一种高密度相变存储材料、相变存储器及其制备方法, 2022, 第 5 作者, 专利号: 202210229678.1( 3 ) 一种多阻态非易失存储器件及其布尔逻辑实现方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: 202210167285.2( 4 ) 相变存储器及其制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113838886A( 5 ) 一种开关器件及存储器, 2021, 第 2 作者, 专利号: '202111512058.0( 6 ) 一种选通管材料及选通管单元, 2021, 第 4 作者, 专利号: 202111401334.6( 7 ) 一种高选择比的化学机械抛光液及其应用, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111662641B( 8 ) 一种用于电源管理芯片的软启动及漏电防护电路, 2021, 第 5 作者, 专利号: 202111190984.0( 9 ) 一种高性能相变存储器及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202111106532.X( 10 ) 一种相变材料、相变材料的制备方法和相变存储器, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110828664B( 11 ) 一种二氧化硅胶体及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113277521A( 12 ) 一种利用回收的硅溶胶抛光液制备硅酸的方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN108002393B( 13 ) 一种相变存储单元实现快速逻辑计算装置及数据检索方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: 202110779019.0( 14 ) 一种钴基材抛光液及其应用, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111635701B( 15 ) 一种实现存储器多级存储的方法及装置, 2021, 第 4 作者, 专利号: 202110754913.2( 16 ) 相变存储器, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113054098A( 17 ) 一种高度织构取向相变存储材料及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: 202110708610.7( 18 ) 一种化学机械抛光液, 2021, 专利号: CN113004802A( 19 ) 一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物及其使用方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112920716A( 20 ) 一种低压高精度带隙基准电路, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112859996A( 21 ) 相变存储单元及其制造方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112840460A( 22 ) 一种实现存储单元多级存储的方法及装置, 2021, 第 4 作者, 专利号: 202110471674.X( 23 ) 一种相变存储器件仿真模型, 2021, 第 4 作者, 专利号: 202110451730.3( 24 ) 一种以存代算在线学习预测芯片及方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112668180A( 25 ) 一种相变存储器单元及其制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112635667A( 26 ) 一种提高电阻一致性的低功耗相变存储器写驱动电路, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112614525A( 27 ) 一种三维智能微系统芯片, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112582371A( 28 ) 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112397644A( 29 ) 一种减少电容阵列的逐次逼近型模数转换器及其工作方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112350728A( 30 ) 非易失存储器超高速读出电路及读出方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: 202110142149.3( 31 ) 一种阶梯脉冲的确认方法、装置、电子设备和存储介质, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112311361A( 32 ) 一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112285519A( 33 ) 一种基于忆阻器的神经网络容错方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112199234A( 34 ) 一种高稳定性相变存储单元及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112133825A( 35 ) 一种选通管材料及包含选通管材料的选通管单元, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN112018232A( 36 ) 一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111948507A( 37 ) 一种碳酸钙/二氧化硅核壳型纳米复合磨料及其制备方法和应用, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111925731A( 38 ) 一种金属钴抛光液及其应用, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111748286A( 39 ) 一种SiC晶圆抛光液及其制备方法和应用, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111748287A( 40 ) 一种存储器装置的偏置方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111755046A( 41 ) 一种石墨烯-相变材料结构、存储器单元及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111725396A( 42 ) 一种相变材料结构、存储器单元及其制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111725397A( 43 ) 一种硅铝酸盐基复相发光材料及其制备方法和应用, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111621294A( 44 ) 钽-锑-碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111564553A( 45 ) 一种Ta-Ge-Sb-Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111463345A( 46 ) 一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111463346A( 47 ) 一种OTS材料、选通器单元及其制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111326651A( 48 ) 一种选通管材料、选通管单元以及其制作方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111129070A( 49 ) 一种1S1R单元读控制电路, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110890122A( 50 ) 一种碳掺杂相变存储材料靶材及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110846626A( 51 ) 一种三维异质集成芯片及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110854116A( 52 ) 一种双衬底三维异质集成芯片及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110854125A( 53 ) 一种相变材料、相变材料的制备方法和相变存储器, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110828664A( 54 ) 一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN110794673A( 55 ) 一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: 202010058952.4( 56 ) 一种突触电路、突触阵列及基于突触电路的数据处理方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN110619907A( 57 ) 一种突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN110619908A( 58 ) 多级相变存储器的读出电路及读出方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN110619906A( 59 ) 非易失存储器灵敏放大器及相变存储器, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN209843258U( 60 ) 一种阶梯脉冲确定方法、系统及存储介质, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110600068A( 61 ) 一种相变存储器及其制作方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110335942A( 62 ) 相变存储器的多级存储读写方法及系统, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN110335636A( 63 ) 非易失存储器读出电路及读出方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110289037A( 64 ) 非易失存储器灵敏放大器及相变存储器, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110164497A( 65 ) Al-Sc-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110148668A( 66 ) 一种C-Ti-Sb-Te相变材料, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110120453A( 67 ) 超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法, 2019, 第 10 作者, 专利号: CN110098832A( 68 ) C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110098322A( 69 ) 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110061131A( 70 ) 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110061131A( 71 ) 一种硅溶胶基磁流变金属抛光液及其制备方法和用途, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109988508A( 72 ) 一种疏水二氧化硅溶胶的制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109987609A( 73 ) 一种用于氧化锆陶瓷的化学机械抛光液及其制备方法和用途, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109988507A( 74 ) 基于链表和N-ary树结构实现快速回滚的文件系统管理方法、装置、终端、介质, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109933564A( 75 ) 相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109935688A( 76 ) 一种相变存储器的故障诊断方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109935270A( 77 ) 相变存储器的数据读出电路及方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109903801A( 78 ) 相变储存器控制装置、相变储存器控制方法、电子装置及存储介质, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109903800A( 79 ) 存储器片内自测试方法、装置和存储器, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109903805A( 80 ) 一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109839296A( 81 ) 多核心类脑芯片, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109754076A( 82 ) 一种氧化铝基化学机械抛光液, 2019, 专利号: CN109749631A( 83 ) 相变薄膜、相变存储单元及其制备方法及相变存储器, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109728162A( 84 ) 一种基于氧化物离子注入的选通材料、选通器单元及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109545964A( 85 ) 具有零静态功耗的上电复位/掉电检测电路及其实现方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109347464A( 86 ) 选通管材料、选通管单元及存储器件结构, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201811623426.7( 87 ) 相变存储器的高速数据读出电路及读出方法, 2018, 第 8 作者, 专利号: CN108922574A( 88 ) 相变存储器单元及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108666416A( 89 ) 一种氧化铝抛光液的制备方法, 2018, 专利号: CN108641602A( 90 ) 相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108648782A( 91 ) 优选相变存储器写操作电流的系统及方法, 2018, 第 8 作者, 专利号: CN108597558A( 92 ) 相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108520765A( 93 ) 自加热相变存储单元及自加热相变存储结构, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108461628A( 94 ) 一种氧化铝抛光液的制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN106010297B( 95 ) 一种Ge-Te-Al-As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108110026A( 96 ) 一种Al-Sb-Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108110135A( 97 ) 一种上电复位电路, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN107896099A( 98 ) 一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路, 2018, 第 8 作者, 专利号: CN107886993A( 99 ) 对等网络文件系统、访问控制/管理方法/系统、及终端, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN107864215A( 100 ) Y‑Sb‑Te 相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107768516A( 101 ) 三维垂直型存储器电路及位线与字线电压配置方法, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN107644664A( 102 ) 开关电源电感的电流过零检测电路, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN206948183U( 103 ) 三维垂直型存储器读出电路及其读出方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107622780A( 104 ) 一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法, 2018, 第 8 作者, 专利号: CN107591179A( 105 ) 电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN107591186A( 106 ) 相变存储器的制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107305924A( 107 ) 一种文件系统的控制方法、装置及终端, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN107180092A( 108 ) 开关电源电感的电流过零检测方法、电路及控制方法, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107147286A( 109 ) 一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107068198A( 110 ) 用于选通驱动器件的相变材料、选通驱动器件及其制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107068858A( 111 ) 文件访问方法及系统, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN103218312B( 112 ) 三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN106898371A( 113 ) 一种三维存储器读出电路及读出方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106875963A( 114 ) 相变存储器的整体擦除装置, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN106816172A( 115 ) 相变存储器, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN104779345B( 116 ) 一种OTS材料、选通管单元及其制作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106784309A( 117 ) 相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106711325A( 118 ) 相变材料层、相变存储器单元及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106654005A( 119 ) 用于相变存储器的相变材料及其制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106611814A( 120 ) Ge‑Se‑Al OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106601911A( 121 ) 一种选通管材料、选通管单元及其制作方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106601907A( 122 ) 具有温度跟随特性的相变存储器读电路, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN106601290A( 123 ) 增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106410773A( 124 ) 一种基于N‑ary树结构的随机访问的文件系统的实现方法, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN106354890A( 125 ) 相变存储器读出电路及其数据读取方法, 2017, 第 8 作者, 专利号: CN106356090A( 126 ) 基于索引树和数据链表的FPGA并行排序方法及系统, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106326421A( 127 ) Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106299113A( 128 ) 多态相变存储器单元器件及其制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN106299112A( 129 ) 一种相变存储器读出电路及读出方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN106205684A( 130 ) 相变存储单元及其制作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN106159085A( 131 ) 三维1D1R相变存储器单元及其制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN106098721A( 132 ) 多分散大粒径硅溶胶及其制备方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN106044786A( 133 ) 一种具有保持力测试功能的相变存储器, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN106024054A( 134 ) 一种相变存储器读出电路及方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105931665A( 135 ) 行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105913119A( 136 ) 相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105869671A( 137 ) 一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN105810242A( 138 ) 一种轻载降频模式控制系统, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105763051A( 139 ) 一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105742490A( 140 ) 一种成膜硅溶胶及其制备方法与应用, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105670350A( 141 ) 一种三维堆叠相变存储阵列器件及其制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105655368A( 142 ) 包含部分限定型相变材料结构的相变存储单元及制作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105633279A( 143 ) 存储阵列、存储对象逻辑关系的存储芯片及方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105632551A( 144 ) 一种存储器及其制作方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105322090A( 145 ) 相变存储器检测结构及其制备方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105280815A( 146 ) 一种Cr掺杂Ge 2 Sb 2 Te 5 相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN105047816A( 147 ) 一种含石墨烯层的相变存储器及其制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN105047815A( 148 ) 一种相变存储器及其恢复数据的方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN105023606A( 149 ) 用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104831235A( 150 ) 一种相变存储单元及其制作方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104779349A( 151 ) 一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104716260A( 152 ) 具有初始化功能的相变存储器写擦电路及其快速写擦方法, 2015, 第 11 作者, 专利号: CN104715792A( 153 ) 基于二极管选通的相变存储器读出电路及读出方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104616690A( 154 ) 一种含有石墨烯的化学机械抛光液, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104592897A( 155 ) 一种用于钛的化学机械抛光液, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104593776A( 156 ) 一种高纯硅酸的制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104591192A( 157 ) 一种改性二氧化硅胶体的制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104556061A( 158 ) 一种纳米二氧化硅的聚合方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104556059A( 159 ) 一种生产低粘度小粒径硅溶胶的方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104556058A( 160 ) 一种含复合磨料的化学机械抛光液, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104559799A( 161 ) 一种线状纳米二氧化硅溶胶及其制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104556060A( 162 ) 一种改性硅溶胶及其制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104559336A( 163 ) 一种含多孔二氧化硅磨料的抛光液及其制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104559927A( 164 ) 一种相变存储器器件单元的皮秒级脉冲测试系统, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN104575611A( 165 ) 一种支持逻辑电路快速查询的存储器装置及其访问方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104571946A( 166 ) 具有数据处理功能的文件系统及其使用方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104462602A( 167 ) 相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104409333A( 168 ) 一种相变材料、该相变材料制成的相变存储器及制备方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104409628A( 169 ) 一种包含双氧化剂的GST化学机械抛光液及其制备方法和用途, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104403570A( 170 ) 一种具有数据拆分加密功能的嵌入式系统的使用方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104392178A( 171 ) 外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104392058A( 172 ) 一种具有数据拆分加密功能的手持设备的使用方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104376275A( 173 ) 一种相变存储器的读出电路及读出方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104347113A( 174 ) 基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104318955A( 175 ) 存储设备及其数据读写方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104317753A( 176 ) 具有实时触发器状态保存功能的触发器电路, 2015, 第 10 作者, 专利号: CN104282332A( 177 ) 用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN104241527A( 178 ) 一种相变存储器单元的制作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN104124337A( 179 ) 分布式随机访问文件系统及其访问控制方法, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN104077084A( 180 ) 参考电阻优化的相变存储器读电路及参考电阻优选方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103943144A( 181 ) 一种开关电源的过零检测电路, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103929048A( 182 ) 一种废弃硅溶胶回收再利用的方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103910516A( 183 ) 一种非球形二氧化硅溶胶及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103896287A( 184 ) 一种稳定的改性硅溶胶及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103896290A( 185 ) 一种氧化铈复合颗粒及其制备方法和应用, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103896321A( 186 ) 一种GST中性化学机械抛光液, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103897603A( 187 ) 一种聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料的制备方法及其应用, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103897202A( 188 ) 一种计算机硬盘的化学机械抛光液, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103897604A( 189 ) 钨-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103898474A( 190 ) 相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103871463A( 191 ) 一种电荷泵电路及其输出电压自动调节方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103856044A( 192 ) 用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103855302A( 193 ) 多级电阻转换存储单元及存储器, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103855301A( 194 ) 相变存储器系统, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103824591A( 195 ) 一种SPI接口输出电路、相变存储器的读控制电路及方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103794245A( 196 ) 一种基于SPI接口的相变存储器读出电路及方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103794244A( 197 ) 一种相变存储器结构及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103682094A( 198 ) 高速、高密度、低功耗的相变存储器单元及制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103682089A( 199 ) 一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103646668A( 200 ) 一种低功耗相变存储器结构的制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103618045A( 201 ) 相变存储结构及制作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103560205A( 202 ) 一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103559909A( 203 ) 一种神经元器件及神经网络, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103530690A( 204 ) 一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103531710A( 205 ) 基于市电的开关功放电路, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103532400A( 206 ) 一种相变材料化学机械抛光方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103497688A( 207 ) 一种相变存储器电极结构的制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103500795A( 208 ) 一种水溶性聚苯乙烯-二氧化硅核壳型复合颗粒的制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103497340A( 209 ) 一种高性能水性无机涂料及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103483884A( 210 ) 一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103484024A( 211 ) 一种相变存储器, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103489478A( 212 ) 三明治型刀片状电极的相变存储结构及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103441215A( 213 ) 包含三明治型电极的相变存储结构及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103427022A( 214 ) 一种Ti-Sb 2 Te 3 相变存储材料, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102593355B( 215 ) 一种Ti-Sb 2 Te相变存储材料, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102569652B( 216 ) 一种用于相变存储器的钨掺杂改性的相变材料及其应用, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103367633A( 217 ) 相变存储单元及其制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103346258A( 218 ) BCH码检纠错方法、电路及容错存储器, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103269231A( 219 ) 基于单类型存储器的嵌入式系统的动态存储管理方法, 2013, 第 9 作者, 专利号: CN103246610A( 220 ) 用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103236495A( 221 ) 确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN103158057A( 222 ) 存储器的分块管理方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103123609A( 223 ) 内存分配方法及系统, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103106147A( 224 ) 相变合金材料的无损刻蚀方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103094476A( 225 ) 相变存储材料及其制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102157685B( 226 ) 用氧化铈化学机械抛光液抛光硫系化合物相变材料的方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN101372606B( 227 ) 用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103050624A( 228 ) 一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统, 2013, 第 10 作者, 专利号: CN103049397A( 229 ) 用于相变存储器的相变材料, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103050620A( 230 ) 用于相变存储器的相变材料, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103050621A( 231 ) 用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103035841A( 232 ) 基于PCRAM主存应用的内存管理方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103019955A( 233 ) 钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法, 2013, 第 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CN102832339A( 250 ) 一种限制结构相变存储器及其制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102832338A( 251 ) 一种相变存储器的读写转换系统及方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102831929A( 252 ) 一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102827549A( 253 ) 具有掉电数据保持功能的触发器, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102831931A( 254 ) 相变存储器的数据读出电路, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102820055A( 255 ) 相变存储器的数据读出电路, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102820056A( 256 ) 用于替代DRAM及FLASH的相变存储单元及其制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102810637A( 257 ) 具有类超晶格结构的相变存储单元及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102810636A( 258 ) 一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102800808A( 259 ) 三维非易失性存储器件及其制造方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102800695A( 260 ) 低功耗相变存储单元及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102779941A( 261 ) 一种嵌入式系统及其应用进程的休眠与唤醒方法, 2012, 第 8 作者, 专利号: CN102779072A( 262 ) Al衬底用化学机械抛光液, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102757732A( 263 ) 分析器件操作窗口与相变材料纳米尺寸效应的实验方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102759669A( 264 ) 一种具有配置电路的相变存储器芯片, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102750980A( 265 ) 基于硫系化合物的浪涌保护器件及其制备方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102751319A( 266 ) 相变存储材料及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102751435A( 267 ) 电可编程开关电路, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102750985A( 268 ) 一种相变存储器的擦操作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN101699562B( 269 ) 具有相变存储器的RFID标签, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102708398A( 270 ) 低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102664236A( 271 ) 低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102637823A( 272 ) 相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102623484A( 273 ) 用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102623632A( 274 ) 一种含石墨烯电极材料的相变存储器的制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102610753A( 275 ) 用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102610745A( 276 ) 一种具有纳米存储性能的相变存储器的制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102593357A( 277 ) 相变存储单元及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102593350A( 278 ) 用于相变存储器的Sb 2 Te y -Si 3 N 4 复合相变材料及制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102569644A( 279 ) 三维立体结构相变存储器芯片的电路及实现方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN101236780B( 280 ) 用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544362A( 281 ) 可用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544361A( 282 ) 一种微晶Si-Sb x Te 1-x 复合相变材料及制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102534479A( 283 ) 一种分析相变材料结晶速率和结晶温度的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102539467A( 284 ) 相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102544355A( 285 ) 一种改善相变材料抛光后表面质量的抛光液, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102516878A( 286 ) 一种抑制相变材料电化学腐蚀的抛光液, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102516879A( 287 ) 微控制器用低功耗嵌入式相变存储器及其相变存储材料与制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102509732A( 288 ) 超低功耗上电复位电路, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102497181A( 289 ) 用于相变存储器的Sb 2 Te x -SiO 2 纳米复合相变材料及制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102487119A( 290 ) 相变存储阵列的位线结构, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102456396A( 291 ) 碳化物复合相变存储材料及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102453823A( 292 ) 双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102412179A( 293 ) 相变材料的制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102386327A( 294 ) 有效抑制自掺杂效应的外延生长方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102386067A( 295 ) 用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102361063A( 296 ) 一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102347446A( 297 ) 一种DRAM相变存储单元及用于替代DRAM的相变存储器, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102339951A( 298 ) 具有侧壁加热电极与相变材料的存储器单元及制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102332530A( 299 ) 电荷泵及工作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102324840A( 300 ) 利用脉频和脉宽调制的软启动电路及软启动方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102280994A( 301 ) 一种Sb-Te-Ti相变存储材料, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102268738A( 302 ) 一种相变材料抛光后清洗液, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102268332A( 303 ) 可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102268224A( 304 ) 多层堆叠电阻转换存储器的制造方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102263041A( 305 ) 一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102255044A( 306 ) 一种电阻式随机存取存储器及其制造方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102254927A( 307 ) 一种相变存储器器件单元及制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102237488A( 308 ) 电荷泵及电荷泵工作方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102231597A( 309 ) 一种相变存储材料及其制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102227015A( 310 ) 相变存储材料及其制备方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102185106A( 311 ) 多层堆叠电阻转换存储器结构, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102185104A( 312 ) 纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102169958A( 313 ) 一种链式相变存储器结构, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102157197A( 314 ) Sb 2 Te 3 -HfO 2 纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102157681A( 315 ) 高速写入相变存储器及其高速写入方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101359504B( 316 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CN101931049A( 350 ) 用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101924180A( 351 ) 一种相变存储器编程驱动系统及驱动方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101923901A( 352 ) 一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101924069A( 353 ) 相变存储器的数据读出方法及读出电路, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101916590A( 354 ) 高密度相变存储器的结构与制备的工艺, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101232038B( 355 ) 制备复合材料的可组装靶材、其制造、修复和改装方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101892453A( 356 ) 多层堆叠电阻转换存储器的制造方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101894771A( 357 ) 纳米复合相变材料及其制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101299453B( 358 ) 肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101882617A( 359 ) 相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101572292B( 360 ) 用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101488558B( 361 ) 稳定阈值电压的低功耗相变存储器及其制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101872839A( 362 ) 用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101488557B( 363 ) 可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101866882A( 364 ) 一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101857774A( 365 ) 具有冗余存储单元的相变随机存储器系统, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101833992A( 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CN101777388A( 383 ) 一种快速表征相变材料及介质层的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101776718A( 384 ) 一种纳米结构压印硬模板, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101770164A( 385 ) 一种压印模板, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101770165A( 386 ) 一种去除冷压印残留胶层的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101770188A( 387 ) 相变存储器的写优化电路及其写优化方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101770807A( 388 ) 一种化学机械抛光液回收和重复利用的方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101758457A( 389 ) 一种相变存储器的模拟方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101763452A( 390 ) 具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101752312A( 391 ) 低功耗高稳定性的相变存储单元及制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101752497A( 392 ) 电荷泵及其工作方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101741242A( 393 ) 一种菱形片状氧化铈的制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101734706A( 394 ) 一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101694779A( 395 ) 使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101673755A( 396 ) 一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101671538A( 397 ) 制备相变材料的溅射靶材的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101665916A( 398 ) 相变存储单元器件的复合电极结构, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101661992A( 399 ) 一种复合相变材料靶材及其制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101660119A( 400 ) 一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101659850A( 401 ) 一种纳米复合相变材料及其制备与应用, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101660118A( 402 ) 一种不锈钢衬底的精密抛光方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101642893A( 403 ) 相变存储器存储单元底电极结构的改进及制作实施方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101640251A( 404 ) 一种开发和筛选相变存储材料的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101626061A( 405 ) 导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101615655A( 406 ) 蓝宝石衬底及抛光方法与应用, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101604666A( 407 ) 集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101593765A( 408 ) 一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101587905A( 409 ) 一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101572291A( 410 ) 相变存储器加热电极的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101567420A( 411 ) 柱状相变材料纳米阵列及其制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101567421A( 412 ) 相变存储单元的读写驱动电路, 2009, 第 4 作者, 专利号: CN101552603A( 413 ) 一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101546810A( 414 ) 一种纳米级柱状相变存储器单元阵列的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101546728A( 415 ) 一种纳米复合相变材料及其制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101521260A( 416 ) 以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101521177A( 417 ) 多态相变存储器单元器件及制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101510584A( 418 ) 具有新型电极结构的相变存储器的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101504969A( 419 ) 电阻转换存储器及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101504949A( 420 ) 低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101494196A( 421 ) 电阻转换存储器, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101488514A( 422 ) 高密度相变存储器的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101488556A( 423 ) 一种低功耗相变存储器的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101488555A( 424 ) 快速模拟出相变材料的方法及新型相变材料, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101487140A( 425 ) 一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100517743C( 426 ) 制备相变存储器的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101483220A( 427 ) 包含夹层的相变存储器及制作方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101478030A( 428 ) 三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101477987A( 429 ) 相变存储器单元器件的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN100508235C( 430 ) 一种水玻璃的制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101462728A( 431 ) 一种用作超纯硅溶胶生产原料的水玻璃的生产方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101462729A( 432 ) 实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101465324A( 433 ) 超纯硅溶胶生产原料用水玻璃的制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101462730A( 434 ) 肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101465383A( 435 ) 自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101459129A( 436 ) 电阻转换存储器及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101436607A( 437 ) 基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101436614A( 438 ) 一种电阻转换存储单元及其方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101430930A( 439 ) 一种电阻转换存储器单元, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101420013A( 440 ) 基于SiSb复合材料的相变存储器单元, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN101414481A( 441 ) 二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101388401A( 442 ) 含锑材料作为电阻转换存储材料的应用, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101383398A( 443 ) 电可再编程熔丝器件, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101364588A( 444 ) 一种纳米结构套刻的模板设计和实现方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101364043A( 445 ) 一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101364564A( 446 ) 一种纳米级相变存储单元阵列制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101364567A( 447 ) 一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101350360A( 448 ) 双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101339921A( 449 ) 一种可再编程的激光熔丝器件和连续调整熔丝电阻的方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101335258A( 450 ) 一种相变存储器器件单元结构及其制作方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101335328A( 451 ) 控制相变材料或相变存储单元体积变化的方法及相应结构, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101335327A( 452 ) 一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101335329A( 453 ) 非易失顺序模块式存储器、其数据存储及读取方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101329906A( 454 ) 一种新型存储系统, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101329894A( 455 ) 高速互补单元相变存储器, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101329908A( 456 ) 一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101329907A( 457 ) 混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101325154A( 458 ) 一种存储介质材料, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101315970A( 459 ) 动态相变存储器, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101315811A( 460 ) 一种三维互补金属氧化物半导体器件结构的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100440513C( 461 ) 一种纳米复合相变材料的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101299454A( 462 ) 相变存储器1R1T结构和所使用的驱动电路的设计方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101286364A( 463 ) 相变存储器驱动电路, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101286363A( 464 ) 相变内存读、写操作可调脉宽的控制电路的设计方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101281790A( 465 ) 三维互补金属氧化物半导体晶体管的制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100423265C( 466 ) 一种管状相变存储器单元结构及制作方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101267017A( 467 ) 相变存储器单元器件的结构的改进, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101267016A( 468 ) 双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101262004A( 469 ) 使用肖特基二极管为选通管的相变存储单元及制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101262005A( 470 ) 用于相变存储器的粘附层材料及制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101241967A( 471 ) 多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101232037A( 472 ) 用于降低相变存储器单元功耗的氧化物隔热层及实现方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101226990A( 473 ) 用于相变存储器的过渡层, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101226989A( 474 ) 一种减小相变存储器写入电流的单元结构及改进方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100397675C( 475 ) 以低介电常数为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101174640A( 476 ) 最小尺寸为纳米量级图形的印刻方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100373259C( 477 ) 降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN101110464A( 478 ) 相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101101961A( 479 ) 相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100356606C( 480 ) 一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101071843A( 481 ) 基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN101064360A( 482 ) 一种无碲存储材料、制备方法及应用, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101049934A( 483 ) 一种相变薄膜材料纳米线的制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100342562C( 484 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(1) Nanoscale Phase Change Material Array by Sub-Resolution Assist Feature for Storage Class Memory Application, NANOMATERIALS, 2023, 第 11 作者(2) Great Potential of Si-Te Ovonic Threshold Selector in Electrical Performance and Scalability, NANOMATERIALS, 2023, 第 5 作者(3) Toward the Speed Limit of Phase Change Memory, Advanced Materials, 2023, 第 11 作者(4) High Driving Current Selector Based on As-Implanted HfO2 Thin Film for 3D Phase Change Memory, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2022, 第 11 作者(5) Minimizing the Programming Power of Phase Change Memory by Using Graphene Nanoribbon Edge���Contact, ADVANCED SCIENCE, 2022, 第 11 作者(6) Effect of Acidic Hydrogen Peroxide and Lysine Slurry on Ovonic Threshold Switch Film in Chemical Mechanical Polishing, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 6 作者(7) WN coating of TiN electrode to improve the reliability of phase change memory, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2022, 第 5 作者(8) Screening Switching Materials with Low Leakage Current and High Thermal Stability for Neuromorphic Computing, ADVANCEDELECTRONICMATERIALS, 2022, 第 11 作者(9) Ultracompact High-Extinction-Ratio Nonvolatile On-Chip Switches Based on Structured Phase Change Materials, LASER & PHOTONICS REVIEWS, 2022, 第 11 作者(10) Robust thermal stability in DRAM-like Sb2Te-based phase change memory by Hafnium modified, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2022, 第 11 作者(11) The effect of slurry pH on the chemical mechanical planarization of a carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2022, 第 11 作者(12) Enhanced performance of phase change memory by grain size reduction, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2022, 第 11 作者(13) Study of Er-Sb and Er-Te parental alloys used in phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2022, 第 11 作者(14) In-Memory Realization of Eligibility Traces Based on Conductance Drift of Phase Change Memory for Energy-Efficient Reinforcement Learning, ADVANCED MATERIALS, 2022, 第 11 作者(15) A Synaptic Transistor Based on Monolayer Monocrystalline-MoS2 for Neuromorphic Applications, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2021, 第 9 作者(16) Phase Change Random Access Memory for Neuro-Inspired Computing, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 第 11 作者(17) Mechanism of titanium-nitride chemical mechanical polishing, Mechanism of titanium-nitride chemical mechanical polishing*, CHINESE PHYSICS B, 2021, 第 7 作者(18) Designing artificial carbon clusters using Ge2Sb2Te5/C superlattice-like structure for phase change applications, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 第 4 作者(19) The enhanced performance of a Si-As-Se ovonic threshold switching selector, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2021, 第 11 作者(20) Characteristic of As3Se4-based ovonic threshold switching device, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 第 11 作者(21) 连续性RESET/SET对相变存储器疲劳特性的影响, Impact of Continuous RESET/SET Operations on Endurance Characteristic of Phase Change Memory, 上海交通大学学报, 2021, 第 9 作者(22) AlSc Alloy Doped Sb2Te as High Speed Phase-Change Material with Excellent Thermal Stability and Ultralow Density Change, ECSJOURNALOFSOLIDSTATESCIENCEANDTECHNOLOGY, 2021, 第 4 作者(23) Microstructure and bending piezoelectric characteristics of AlN film for high-frequency flexible SAW devices, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2021, 第 10 作者(24) Phase change of Ge2Sb2Te5 under terahertz laser illumination, APL MATERIALS, 2021, 第 6 作者(25) Three-dimensional perovskite nanowire array-based ultrafast resistive RAM with ultralong data retention, SCIENCE ADVANCES, 2021, 第 9 作者(26) Extended endurance performance and reduced threshold voltage by doping Si in GeSe-based ovonic threshold switching selectors, THIN SOLID FILMS, 2021, 第 11 作者(27) 12-state multi-level cell storage implemented in a 128 Mb phase change memory chip, NANOSCALE, 2021, 第 11 作者(28) Reversible switching in bicontinuous structure for phase change random access memory application, NANOSCALE, 2021, 第 3 作者(29) Elemental electrical switch enabling phase segregation���free operation, Science, 2021, 第 11 作者(30) Phase-change memory based on matched Ge-Te, Sb-Te, and In-Te octahedrons: Improved electrical performances and robust thermal stability, INFOMAT, 2021, 第 11 作者(31) Wafer-scale MoS2 for P-type field effect transistor arrays and defects-related electrical characteristics, THIN SOLID FILMS, 2021, 第 8 作者(32) Ta-doped Ge5Sb95 phase change thin films for high speed and low power application, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2021, 第 5 作者(33) Improvement of Resistive Switching Performance in Sulfur-Doped HfOx-Based RRAM, MATERIALS, 2021, 第 6 作者(34) Linearity improvement of HfOx-based memristor with multilayer structure, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 第 6 作者(35) The "gene" of reversible phase transformation of phase change materials: Octahedral motif, NANO RESEARCH, 2021, 第 11 作者(36) 基于相位划分的下肢连续运动预测, Continuous kinematics prediction of lower limbs based on phase division, 浙江大学学报:工学版, 2021, 第 6 作者(37) Rhenium doped Sb2Te phase change material with ultrahigh thermal stability and high speed, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 第 5 作者(38) Valence Band Structure of Chalcogenide Obtained by X-Ray Photoelectron Spectroscopy and Etching Technique, PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2021, 第 6 作者(39) An Ultra-Low Quiescent Current Resistor-Less Power on Reset Circuit, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 第 10 作者(40) Ultrathin flexible InGaZnO transistor for implementing multiple functions with a very small circuit footprint (vol 14, pg 232, 2021), NANO RESEARCH, 2021, 第 11 作者(41) Ultrathin flexible InGaZnO transistor for implementing multiple functions with a very small circuit footprint, Ultrathin flexible InGaZnO transistor for implementing multiple functions with a very small circuit footprint, NANO RESEARCH, 2021, 第 11 作者(42) Crystallization characteristic and structure of hafnium addition in germanium antimony thin films for phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 第 6 作者(43) 12-state multi-level cell storage implemented in a 128 Mb phase change memory chip (Mar, 10.1039/d1nr00100k, 2021), NANOSCALE, 2021, 第 11 作者(44) Oxygen Vacancy-Dependent Synaptic Dynamic Behavior of TiOx-Based Transparent Memristor, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 8 作者(45) MPPT Circuit Using Time Exponential Rate Perturbation and Observation for Enhanced Tracking Efficiency for a Wide Resistance Range of Thermoelectric Generator, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 第 6 作者(46) Ta-Doped Sb2Te Allows Ultrafast Phase-Change Memory with Excellent High-Temperature Operation Characteristics, NANO-MICRO LETTERS, 2021, 第 11 作者(47) Scalability of Sulfur-Based Ovonic Threshold Selectors for 3D Stackable Memory Applications, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2021, 第 4 作者(48) Chemical Mechanical Polishing of TiN Film with Potassium Permanganate and L-Aspartic Acid in Alkaline Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 6 作者(49) Effect of Diethanolamine as Corrosion Inhibitor for the Chemical Mechanical Polishing of Cobalt in H2O2 Based Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 5 作者(50) High Thermal Stability and Fast Speed Phase Change Memory by Optimizing GeTe Alloys with Ru Doping, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 5 作者(51) Transparent HfOx-based memristor with robust flexibility and synapse characteristics by interfacial control of oxygen vacancies movement, NANOTECHNOLOGY, 2021, 第 8 作者(52) Rules of hierarchical melt and coordinate bond to design crystallization in doped phase change materials, NATURE COMMUNICATIONS, 2021, 第 11 作者(53) Universal memory based on phase-change materials:From phase-change random access memory to optoelectronic hybrid storage, Universal memory based on phase-change materials: From phase-change random access memory to optoelectronic hybrid storage*, CHINESE PHYSICS B, 2021, 第 8 作者(54) Two-Step Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC (0001) Wafer, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 3 作者(55) Ultrahigh drive current and large selectivity in GeS selector, NATURE COMMUNICATIONS, 2020, 第 11 作者(56) Phase change memory based on Ta���Sb���Te alloy ���Towards a universal memory, MATERIALS TODAY PHYSICS, 2020, 第 11 作者(57) Breakthrough in high ON-state current based on Ag-GeTe8 selectors, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2020, 第 11 作者(58) Microscopic Mechanism of Carbon-Dopant Manipulating Device Performance in CGeSbTe-Based Phase Change Random Access Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 11 作者(59) Review on modeling and application of chemical mechanical polishing, NANOTECHNOLOGY REVIEWS, 2020, 第 7 作者(60) Reliable resistive switching of epitaxial single crystalline cubic Y-HfO2 RRAMs with Si as bottom electrodes, NANOTECHNOLOGY, 2020, 第 9 作者(61) The effect of thickness on texture of Ge2Sb2Te5 phase-change films, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 9 作者(62) Dynamic evolution of thermally induced element distribution in nitrogen modified phase change materials, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 7 作者(63) An Optimized Fast Stair-case Set Pulse with Variable Width for Phase Change Random Access Memory, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 9 作者(64) A self-start circuit with asymmetric inductors reconfigurable technology for dual-output boost converter for energy harvesting, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2020, 第 10 作者(65) High thermal stability and fast operation speed phase-change memory devices containing Hf-doped Ge2Sb2Te5 films, MATERIALS LETTERS, 2020, 第 6 作者(66) Accelerated Local Training of CNNs by Optimized Direct Feedback Alignment Based on Stochasticity of 4 Mb C-doped Ge2Sb2Te5 PCM Chip in 40 nm Node, 2020 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2020, 第 11 作者(67) 3A New High Selectivity Acidic Slurry for Chemical Mechanical Planarizationof Carbon-Doped Ge(2)Sb(2)Te(5)Film, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 4 作者(68) Study on the Performance of Superlattice-Like Thin Film V2O5/Sb in Phase Change Memory, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 7 作者(69) Effect of V2O5 interlayers in V2O5/Ge8Sb92 superlattice-like film on thermal stability and size scaling, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2020, 第 7 作者(70) The crystallization mechanism of zirconium-doped Sb2Te3 material for phase-change random-access memory application, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 4 作者(71) Y-Doped Sb2Te3 Phase-Change Materials: Toward a Universal Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 7 作者(72) Fast and scalable phase change materials Ti-Sb-Te deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 3 作者(73) High Removal Rate Cobalt Slurry with Glutathione on Chemical Mechanical Polishing in Alkaline Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 5 作者(74) Investigation of crystallization behavior and structure of nanocomposite multilayer phase change thin films with zinc antimony and germanium antimony, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 第 6 作者(75) The etching process and mechanism analysis of Ta-Sb2Te3 film based on inductively coupled plasma, The etching process and mechanism analysis of Ta-Sb2Te3 film based on inductively coupled plasma, 半导体学报:英文版, 2020, 第 5 作者(76) Crystal-Like Glassy Structure in Sc-Doped BiSbTe Ensuring Excellent Speed and Power Efficiency in Phase Change Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 7 作者(77) BIST-Based Fault Diagnosis for PCM With Enhanced Test Scheme and Fault-Free Region Finding Algorithm, IEEETRANSACTIONSONVERYLARGESCALEINTEGRATIONVLSISYSTEMS, 2020, 第 9 作者(78) Endurance Improvement of Phase Change Memory Based on High and Narrow RESET Currents, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 0 作者(79) Chemical Mechanical Planarization of Carbon-Doped Amorphous Ge2Sb2Te5 Film with Hydrogen Peroxide as Oxidizer in Alkaline Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 4 作者(80) Investigation of Effect of L-Aspartic Acid and H2O2 for Cobalt Chemical Mechanical Polishing, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 6 作者(81) FPGA-Enhanced Data Processing System Using PCM Technology, FPGA-Enhanced Data Processing System Using PCM Technology, CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2020, 第 5 作者(82) The optimization effect of titanium on the phase change properties of SnSb4 thin films for phase change memory applications, CRYSTENGCOMM, 2020, 第 6 作者(83) Reversible phase-change characteristics and structural origin in Cr doped Ge2Sb2Te5 thin films, THIN SOLID FILMS, 2020, 第 4 作者(84) Toward a Reliable Synaptic Simulation Using Al-Doped HfO2 RRAM, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 第 10 作者(85) Optimization of driving current and crosstalk effect in epitaxial diode array for phase change memory application, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 9 作者(86) Improved thermal stability and fast phase change speed of Y-doped Sb7Se3 thin film for phase change memory applications, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 第 8 作者(87) Improving the performance of phase-change memory by grain refinement, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 第 11 作者(88) 硅溶胶的有机改性及应用, Organic modification and application of silica sol, 应用化工, 2020, 第 5 作者(89) 基于新型非易失内存的远程零拷贝文件系统, A novel remote zero-copy file system based on non-volatile memory, 国防科技大学学报, 2020, 第 7 作者(90) Designing High-Performance Storage in HfO2/BiFeO3 Memristor for Artificial Synapse Applications, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 第 10 作者(91) Thermally stable tungsten and titanium doped antimony tellurium films for phase change memory application, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 7 作者(92) Largely enhanced luminescence intensity and improved optical temperature sensing properties in CaWO 4 ���La 2 (WO 4 ) 3 : Er 3+ , Yb 3+ via regulating cations composition, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 4 作者(93) Reactive ion etching of Cr-doped Sb2Te3 phase change materials in CHF3/O2 gas, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2020, 第 8 作者(94) Zn-doped Sb70Se30 thin films with multiple phase transition for high storage density and low power consumption phase change memory applications, SCRIPTA MATERIALIA, 2020, 第 8 作者(95) Investigation on thermal stability of vanadium-doped Sb2Te phase change material, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 11 作者(96) Ultralow power switching of Ta2O5/AlO(X)bilayer synergistic resistive random access memory, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 第 7 作者(97) Transition Metal Doping of Phase Change Materials: Atomic Arrangement of Cr-Doped Ge2Sb2Te5, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2019, 第 6 作者(98) High thermal stability and fast speed phase change memory by optimizing GeSbTe with Scandium doping, SCRIPTA MATERIALIA, 2019, 第 10 作者(99) Subsequent set pulse impacts on set resistance distribution of phase change memory, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 10 作者(100) Flexible HfO2/Graphene Oxide Selector With Fast Switching and High Endurance, IEEEJOURNALOFTHEELECTRONDEVICESSOCIETY, 2019, 第 10 作者(101) The investigations of characteristics of GeSe thin films and selector devices for phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 第 11 作者(102) Ultra-Long Retention and Low Power Consumption of Superlattice-Like Ge50Te50/Ge Thin Films for Phase Change Memory Application, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 8 作者(103) Direct observation of partial disorder and zipperlike transition in crystalline phase change materials, PHYSICAL REVIEW MATERIALS, 2019, 第 7 作者(104) Direct atomic insight into the role of dopants in phase-change materials, NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 第 11 作者(105) RESET current optimization for phase change memory based on the sub-threshold slope, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 第 0 作者(106) Analysis and optimization of read/write reliability for 12F(2) cross-point ultra-fast phase change memory, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 10 作者(107) Investigation on the Scaling Performances of Carbon-Doped Ge2Sb2Te5 Thin Films for Phase Change Random Access Memory in a 40 nm Process, PHYSICASTATUSSOLIDIAAPPLICATIONSANDMATERIALSSCIENCE, 2019, 第 7 作者(108) Designing Multiple Crystallization in Superlattice-like Phase-Change Materials for Multilevel Phase-Change Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 第 11 作者(109) Insight into the role of nitrogen in the phase-change material Sb, JOURNALOFPHYSICSDAPPLIEDPHYSICS, 2019, 第 10 作者(110) Speeding Up the Write Operation for Multi-Level Cell Phase Change Memory with Programmable Ramp-Down Current Pulses, MICROMACHINES, 2019, 第 8 作者(111) 搭接率对送丝激光熔覆层的影响, Effect of Lapping Rate on Laser Cladding Layer of Wire Feeder, 现代制造技术与装备, 2019, 第 4 作者(112) Yttrium-doped Sb2Te as high speed phase-change materials with good thermal stability, MATERIALS LETTERS, 2019, 第 7 作者(113) The phase change memory features high-temperature characteristic based on Ge-Sb-Se-Te alloys, MATERIALS LETTERS, 2019, 第 8 作者(114) Thermal Barrier Phase Change Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 第 6 作者(115) Improvement of phase change speed and thermal stability in Ge5Sb95/ZnSb multilayer thin films for phase change memory application, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 8 作者(116) Dual-Functional Nonvolatile and Volatile Memory in Resistively Switching Indium Tin Oxide/HfOx Devices, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2019, 第 10 作者(117) Near-threshold SIDO DC-DC converter with a high-precision ZCD for phase change memory chip, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2019, 第 6 作者(118) Layer-Switching Mechanisms in Sb2Te3, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2019, 第 5 作者(119) Observation of van der Waals reconfiguration in superlattice phase change materials, NANOSCALE, 2019, 第 6 作者(120) In-situ investigation on the crystallization property and microstructure evolution induced by thermal annealing and electron beam irradiation of titanium antimony thin film, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 5 作者(121) 一种基于相变存储器的高速读出电路设计, A High-Speed Read Circuit for Phase-Change Random-Access Memory, 上海交通大学学报, 2019, 第 6 作者(122) High performance of multilevel-cell phase change memory device with good endurance reliability, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 10 作者(123) Interface-engineered reliable HfO2-based RRAM for synaptic simulation (vol 7, pg 12682, 2019), JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 第 0 作者(124) Reducing structural change in the phase transition of Ge-doped Bi0.5Sb1.5Te3 to enable high-speed and low-energy memory switching, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2019, 第 6 作者(125) Electrical switching properties and structural characteristics of GeSe-GeTe films, NANOSCALE, 2019, 第 11 作者(126) Enhancing the Performance of Phase Change Memory for Embedded Applications, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2019, 第 11 作者(127) Subsystem under 3D-Storage Class Memory on a chip, COMPUTERS & ELECTRICAL ENGINEERING, 2019, 第 6 作者(128) First Set Pulse Impacts on Set Resistance Distribution of Phase Change Random Access Memory, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 10 作者(129) Sb-rich CuSbTe material: A candidate for high-speed and high-density phase change memory application, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2019, 第 6 作者(130) The impact of vacancies on the stability of cubic phases in Sb-Te binary compounds, NPG ASIA MATERIALS, 2019, 第 11 作者(131) Direct atomic identification of cation migration induced gradual cubic-to-hexagonal phase transition in Ge2Sb2Te5, COMMUNICATIONS CHEMISTRY, 2019, 第 11 作者(132) Constructing reliable PCM and OTS devices with an interfacial carbon layer, 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different dispersed nanoparticles, JOURNAL OF MOLECULAR STRUCTURE, 2019, 第 7 作者(138) Atomic-Scale Observation of Carbon Distribution in High-Performance Carbon-Doped Ge2Sb2Te5 and Its Influence on Crystallization Behavior, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2019, 第 4 作者(139) Heterogeneous nucleus-induced crystallization for high-speed phase change memory applications, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 第 8 作者(140) Ovonic threshold switching selectors for three-dimensional stackable phase-change memory, MRS BULLETIN, 2019, 第 3 作者(141) Sc-Centered Octahedron Enables High-Speed Phase Change Memory with Improved Data Retention and Reduced Power Consumption, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 第 10 作者(142) The Influence of the Bitline Length on the Resistance Consistency in Phase Change Memory Array, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 9 作者(143) Structural Evolution and Phase Change Properties of C-Doped Ge2Sb2Te5 Films During Heating in Air, Structural Evolution and 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investigation of GOI material by using smart- cut technology, 功能材料与器件学报, 2007, 第 5 作者(694) 锗纳米晶浮栅存储器的电荷存储特性, Charge storage characteristics for Ge nanocrystal floating gate memory, 功能材料与器件学报, 2007, 第 2 作者(695) Te-free SiSb phase change material for high data retention phase change memory application, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 第 2 作者(696) 一种高精度CMOS带隙基准电压源设计, Design of High Precision CMOS Bandgap Voltage Reference, 半导体技术, 2007, 第 2 作者(697) Investigation of compositional gradient phase change SixSb2Te3 thin films, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 第 2 作者(698) Reactive ion etching of Ge2Sb2Te5 in CHF3/O-2 plasma for nonvolatile phase-change memory device, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2007, 第 3 作者(699) Remarkable resistance change in plasma oxidized TiOx/TiNx film for memory application, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 第 2 作者(700) Ceria concentration effect on chemical mechanical polishing 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Sn-Doped Ge2Sb2Te5 Films Used for Phase-Change Memory, 中国物理快报:英文版, 2005, 第 3 作者(722) 硅衬底超精密CMP中抛光液的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 3 作者(723) 半导体硅片双面超精密化学机械抛光的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 2 作者(724) 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟, Fabrication and Simulation of Silicon-on-Insulator Structure with Si3N4 as a Buried Insulator, 半导体学报, 2005, 第 5 作者(725) 制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 3 作者(726) 硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 2 作者(727) 硫系化合物随机存储器在军事及航空航天领域的应用前景, 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 1 作者(728) 等离子体键合和B+/H+共注实现低温SOI工艺的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 4 作者(729) 基于低温键合技术制备SOI材料的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 4 作者(730) 用于相变存储器多级存储的相变材料, 科技开发动态, 2005, 第 2 作者(731) 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟, Fabrication and Simulation of Silicon-on-Insulator Structure with Si3N4 as a Buried Insulator, 半导体学报, 2005, 第 5 作者(732) 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟(英文), 半导体学报, 2005, 第 5 作者(733) Ag—SiO2多层薄膜对光子带隙的影响, Effects of Multilayer Structure of Ag-SiO2 Films on the Photonic Band Gap, 光子学报, 2005, 第 1 作者(734) Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 5 作者(735) ULSI化学机械抛光的研究与展望, 微电子学, 2005, 第 2 作者(736) 硫系化合物随机存储器研究进展, 微纳电子技术, 2004, 第 2 作者(737) SOI在高压器件中的应用, 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ, 2004, 第 5 作者(738) 等离子束辅助沉积制备ZnO薄膜的特性研究, 四川大学学报:工程科学版, 2004, 第 4 作者(739) ULSI介质CMP用大粒径硅溶胶纳米研磨料的合成及应用研究, 电子器件, 2004, 第 2 作者(740) 硅材料加工工艺分析及相关化学品的研究, 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会论文集, 2004, 第 2 作者(741) 低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜, 功能材料, 2004, 第 6 作者(742) 准分子脉冲激光沉积法制备的ZrO2薄膜结构和电学性能的研究, 中国激光, 2003, 第 2 作者(743) 近红外波段光子晶体的微细加工方法研究进展, 功能材料, 2003, 第 4 作者(744) 新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征, 功能材料与器件学报, 2003, 第 2 作者(745) 近红外波段电子晶体的微细加工方法研究进展, Progress of microfabrication method of near infrared wavelength photonic crystals, 功能材料, 2003, 第 2 作者(746) 超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO2的性能, 半导体学报, 2003, 第 2 作者(747) 新型高k栅介质材料研究进展, 功能材料, 2002, 第 2 作者(748) 一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法, 2000, 第 4 作者(749) 不同气氛下制备的PLT铁电薄膜钉扎现象的研究, 压电与声光, 1999, 第 5 作者(750) 一种提高热释电红外探测器响应的方法, 1999, 第 1 作者(751) 富Pb的PZT铁电薄膜电性能异常, 功能材料与器件学报, 1999, 第 4 作者(752) 由过量Pb引起的PLT铁电薄膜钉扎现象, 材料研究学报, 1998, 第 4 作者(753) 39Reversible phase-change characteristics and structural origin in Cr doped Ge2Sb2Te5 thin films, THIN SOLID FILMS, 第 4 作者(754)
发表著作
( 1 ) 相变存储器, Phase Change Memory, 科学出版社, 2010-02, 第 1 作者( 2 ) 相变存储器与应用基础, Phase change memory and its application, 科学出版社, 2013-09, 第 1 作者( 3 ) 大辞海——材料科技卷, 上海辞书出版社, 2014-12, 第 其他 作者( 4 ) 2049年中国科技与社会愿景新材料与未来世界, 中国材料研究学会, 2020-04, 第 其他 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 高可靠大容量三维相变存储器件与集成技术, 负责人, 国家任务, 2023-12--2027-11( 2 ) 基于相变存储的模拟存内计算芯片, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12( 3 ) 相变存储器神经形态关键技术研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2023-12( 4 ) 新型存储的高密度集成, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12( 5 ) 基于多值相变存储的神经形态芯片研究, 负责人, 地方任务, 2019-11--2022-10( 6 ) 大容量三维相变存储器纳米存储阵列制备系统, 负责人, 中国科学院计划, 2018-01--2019-12( 7 ) 高密度交叉阵列结构的新型存储器件与集成, 负责人, 国家任务, 2017-06--2022-06( 8 ) 上海市半导体存储器制备与测试专业技术服务平台, 负责人, 地方任务, 2017-04--2020-03( 9 ) 45nm相变存储器工程化关键技术与应用, 负责人, 国家任务, 2009-01--2018-09
参与会议
(1)Phase Change Materials and Phase Change Mechanism 第二十届亚洲科学理事会大会 宋志棠 2021-05-13(2)The neuromorphic application of phase change materials 第三届IEEE未来计算国际研讨会 2019-12-14(3)Phase Change Memory:From Fundamental Research to Industrail Development 2019-09-16(4)High Endurance Phase Change Memory Chip Implemented based on Carbon-doped Ge2Sb2Te5 in 40nm Node for Embedded Application Song ZT,Cai DL,Li X,Wang L,Chen YF,Chen HP,Wang Q,Zhan YP,Ji MH 2018-12-05(5)From octahedral structure motif fo Sub-nanosecond phase transitions on 130 phase change materials for data storage 2018-10-23(6)Ti-Sb-Te Phase Change Material and Memory Chip 2017-08-31(7)世界相变存储器的最新研究进展 2016芯片存储技术发展与应用研讨会 2016-11-09(8)Phase Change Material Innovation and Device Integration by SIMIT and SMIC 亚洲材料大会先进微电子与光电子材料分会 2016-10-20(9)相变存储技术 中国材料大会2015 2015-07-11(10)Materials Engineering and Device Integration for Phase Change Random Access Memory 2012-10-22(11)Phase Change Random Access Memory:Materials and Device Intergration 2011-11-07(12)Phase Change Materials and Random Access Memory 宋志棠 2010-12-16(13)Phase Change Materials and Random Access Memory 宋志棠 2009-03-16(14)产研互动和自主创新并重的纳电子器件发展之路 中国材料研讨会纳米材料分会 宋志棠 2008-10-22(15)PCRAM材料与器件 第十二届全国电介质物理、材料与应用学术会议 宋志棠 2008-08-18