基本信息
汪韬  男  硕导  中国科学院西安光学精密机械研究所
电子邮件: wangtao@opt.ac.cn
通信地址: 西安光机所13-6-502
邮政编码: 710119

招生信息

   
招生专业
080901-物理电子学
招生方向
光电子

教育背景

1999-09--2003-03   中国科学院   博士
学历
中国科学院西安光学精密机械研究所 -- 研究生
学位
中国科学院西安光学精密机械研究所 -- 博士

工作经历

   
工作简历
2015-01~现在, 中国科学院西安光机所, 研究员
2003-03~2015-01,中国科学院西安光机所, 副研究员

教授课程

光电子技术

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种超小型干涉式超快X射线光纤探测器, 专利授权, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN110488340B

( 2 ) 用于ICF芯部自发光关键过程的全光固体超快成像系统及方法, 发明专利, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112649834A

( 3 ) 辐照条件下粘接界面状态的原位表征方法, 发明专利, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN112595696A

( 4 ) 预制裂纹铜合金聚氨酯粘结结构拉伸扯离试件及制作方法, 发明专利, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN112525644A

( 5 ) 一种实时三维显微成像装置及方法, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112509111A

( 6 ) 一种半导体材料瞬态折射率超快检测装置, 外观设计, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN212364068U

( 7 ) 一种X射线超快检测装置, 外观设计, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN212229183U

( 8 ) 高时间分辨、高灵敏度、多谱段响应的X射线测试系统, 发明专利, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111562608A

( 9 ) X射线全光固体超快探测芯片调制光栅的制备方法及光栅, 专利授权, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN109827981B

( 10 ) 一种半导体材料瞬态折射率超快检测装置及方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111443062A

( 11 ) 全光固体超快探测芯片和全光固体超快探测器, 实用新型, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN210243002U

( 12 ) 倒像式像增强型超快成像探测器, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110487757A

( 13 ) 全光固体超快探测芯片、全光固体超快探测器及其探测方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110398293A

( 14 ) 一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法, 发明专利, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109545681A

( 15 ) 像增强型全光固体超快成像探测器, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108254349A

( 16 ) 像增强型全光固体超快成像探测器, 实用新型, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN207894829U

( 17 ) 一种激光探测器性能检测系统, 实用新型, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN207113913U

( 18 ) 超快脉冲X射线源系统, 实用新型, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN205542693U

( 19 ) 超快脉冲X射线源系统, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105448629A

( 20 ) 全光固体条纹相机, 实用新型, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN202331004U

( 21 ) 全光固体条纹相机, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102364396A

( 22 ) 一种桥丝感应电流的测量方法及系统, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101750530A

出版信息

   
发表论文
[1] Wang, Xi, He, Kai, Chen, Xing, Li, Yang, Lin, Chun, Zhang, Qinyao, Ye, Zhenhua, Xin, Liwei, Gao, Guilong, Yan, Xin, Wang, Gang, Liu, Yiheng, Wang, Tao, Tian, Jinshou. Effect of annealing on the electrophysical properties of CdTe/HgCdTe passivation interface by the capacitance-voltage characteristics of the metal-insulator-semiconductor structures. AIP ADVANCES[J]. 2020, 10(10): https://doaj.org/article/08ac4155d3d049c3bbe731e057ef92eb.
[2] Yin Fei, Yang Qing, Wang Tao, Gao Guilong, He Kai, Yan Xin, Li Shaohui. Ultrafast Time-Response Characteristics of AlGaAs Materials. 9TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ADVANCED OPTICAL MANUFACTURING AND TESTING TECHNOLOGIES: OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES FOR SENSING AND IMAGING[J]. 2019, 10843: [3] Zhong ZiYuan, He Kai, Yuan Yun, Wang Tao, Gao GuiLong, Yan Xin, Li ShaoHui, Yin Fei, Tian JinShou. Photorefractive effect of low-temperature-grown aluminum gallium arsenide. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2019, 68(16): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000483384000028.
[4] Guo, Chunyan, Jiang, Zhi, Jiang, Dongwei, Wang, Guowei, Xu, Yingqiang, Wang, Tao, Tian, Jinshou, Wu, Zhaoxin, Niu, Zhichuan. Sulfide treatment passivation of mid-/long-wave dual-color infrared detectors based on type-II InAs/GaSb superlattices. OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS[J]. 2019, 51(3): http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31209.
[5] Guo, Chunyan, Sun, Yaoyao, Jia, Qingxuan, Jiang, Zhi, Jiang, Dongwei, Wang, Guowei, Xu, Yingqiang, Wang, Tao, Tian, Jinshou, Wu, Zhaoxin, Niu, Zhichuan. Wide spectrum responsivity detectors from visible to mid-infrared based on antimonide. INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY[J]. 2019, 96: 1-6, http://dx.doi.org/10.1016/j.infrared.2018.10.037.
[6] 钟梓源, 何凯, 苑云, 汪韬, 高贵龙, 闫欣, 李少辉, 尹飞, 田进寿. 低温生长铝镓砷光折变效应的研究. 物理学报[J]. 2019, 68(16): 326-334, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7002754439.
[7] Guo, Chunyan, Sun, Yaoyao, Jia, Zhe, Jiang, Zhi, Lv, Yuexi, Hao, Hongyue, Han, Xi, Dong, Yinan, Jiang, Dongwei, Wang, Guowei, Xu, Yingqiang, Wang, Tao, Tian, Jinshou, Wu, Zhaoxin, Niu, Zhichuan. Visible-extended mid-infrared wide spectrum detector based on InAs/GaSb type-II superlattices (T2SL). INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY[J]. 2018, 89: 147-153, http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30808.
[8] Zhang MinRui, He ZhengQuan, Wang Tao, Tian JinShou. Analysis of the influence of diattenuation on optical imaging system by using the theory of vector plane wave spectrum. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2017, 66(8): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1464935.
[9] Guo ChunYan, Xu JianXing, Peng HongLing, Ni HaiQiao, Wang Tao, Tian JinShou, Niu ZhiChuan, Wu ZhaoXin, Zuo Jian, Zhang CunLin. Transfer process of LT-GaAs epitaxial films for on-chip terahertz antenna integrated device. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2017, 36(2): 220-+, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1465007.
[10] Zhang MinRui, He ZhengQuan, Wang Tao, Tian JinShou. Analysis of the influence of diattenuation on optical imaging system by using the theory of vector plane wave spectrum. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2017, 66(8): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1464935.
[11] Gao, Guilong, He, Kai, Tian, Jinshou, Zhang, Chunmin, Zhang, Jun, Wang, Tao, Chen, Shaorong, Jia, Hui, Yuan, Fenfang, Liang, Lingliang, Yan, Xin, Li, Shaohui, Wang, Chao, Yin, Fei. Ultrafast all-optical solid-state framing camera with picosecond temporal resolution. OPTICS EXPRESS[J]. 2017, 25(8): 8721-8729, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1184844.
[12] Liang, Lingliang, Tian, Jinshou, Wang, Tao, Wu, Shengli, Li, Fuli, Gao, Guilong. Depth profiling of the refractive index from probe beam deflections induced by a serrated pump illumination on GaAs. JOURNAL OF MODERN OPTICS[J]. 2017, 64(5): 431-438, http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/28744.
[13] Tian, Jinshou, Hui, Dandan, Luo, Duan, Wang, Tao, Zhang, Jun, Chen, Shaorong, Jia, Hui. Small-size streak tube for imaging lidar. Selected papers from the 31st international congress on high-speed imaging and photonicsnull. 2017, 10328: http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1179946.
[14] Guo ChunYan, Xu JianXing, Peng HongLing, Ni HaiQiao, Wang Tao, Tian JinShou, Niu ZhiChuan, Wu ZhaoXin, Zuo Jian, Zhang CunLin. Transfer process of LT-GaAs epitaxial films for on-chip terahertz antenna integrated device. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2017, 36(2): 220-+, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1465007.
[15] Gao, Guilong, Tian, Jinshou, Wang, Tao, He, Kai, Zhang, Chunmin, Zhang, Jun, Chen, Shaorong, Jia, Hui, Yuan, Fenfang, Liang, Lingliang, Yan, Xin, Li, Shaohui, Wang, Chao, Yin, Fei. Ultrafast all-optical imaging technique using low-temperature grown GaAs/AlxGa1-xAs multiple-quantum-well semiconductor. PHYSICS LETTERS A[J]. 2017, 381(41): 3594-3598, http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2017.08.064.
[16] Guo, Zhaolong, Zhao, Haixin, Zhao, Wei, Wang, Tao, Kong, Depeng, Chen, Taojing, Zhang, Xiaoyan. High-Quality Hollow Closed-Pore Silica Antireflection Coatings Based on Styrene-Acrylate Emulsion @ Organic-Inorganic Silica Precursor. ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES[J]. 2016, 8(18): 11796-11805, http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/28133.
[17] Liang, Lingliang, Tian, Jinshou, Wang, Tao, Wu, Shengli, Li, Fuli, Wang, Junfeng, Gao, Guilong. Ultrafast optical beam deflection in a pump probe configuration. CHINESE PHYSICS B[J]. 2016, 25(9): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1095591.
[18] Liang, Lingliang, Tian, Jinshou, Wang, Tao, Wu, Shengli, Li, Fuli, Gao, Guilong. Measurement of excited layer thickness in highly photo-excited GaAs. Optical measurement technology and instrumentationnull. 2016, 10155: http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1158055.
[19] 尹飞, 倪海桥, 牛智川, 辛丽伟, 田进寿, 闫欣, 汪韬. 低暗电流InGaAs-MSM光电探测器. 光子学报[J]. 2015, 44(6): 0604002-1, [20] 张敏睿, 贺正权, 田进寿, 汪韬. 基于电吸收调制器的深度成像系统误差分析. 光学学报[J]. 2015, 35(6): 0611004-1, [21] 徐庆安, 邵逸恺, 汪韬, 尹飞, 闫欣, 辛丽伟, 王警卫. InAsSb材料的LP-MOCVD生长. 半导体光电[J]. 2015, 36(5): 733-735+740, http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/27452.
[22] Liang LingLiang, Tian JinShou, Wang Tao, Li FuLi, Gao GuiLong, Wang JunFeng, Wang Chao, Lu Yu, Xu XiangYan, Cao XiBin, Wen WenLong, Xin LiWei, Liu HuLin, Wang Xing. Theoretical and static experiment research on all optical solid state streak camera. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2014, 63(6): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/958909.
[23] 王超, 田进寿, 康轶凡, 汪韬. 时间分辨条纹相机技术的发展及相关研究展望. 真空科学与技术学报. 2012, 32(7): 653-660, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=42879708.
[24] 张立臣, 汪韬, 尹飞, 杨瑾, 胡雅楠. 红外光纤双波段法对桥丝温度的测量. 光电工程. 2011, 38(8): 107-111, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=38882445.
[25] Wang Tao, Yang Jin, Yin Fei, Wang JingWei, Hu YaNan, Zhang LiChen, Yin JingZhi. Growth of short-period InAs/GaSb superlattices for infrared sensing. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2011, 30(6): 511-+, http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/25328.
[26] 胡雅楠, 汪韬, 尹飞, 杨瑾, 王警卫, 张立臣, 殷景致. 利用红外光纤传像束测量桥丝感应电流. 光电子.激光. 2011, 22(5): 733-735, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=37583539.
[27] 汪韬, 杨瑾, 尹飞, 王警卫, 胡雅楠, 张立臣, 殷景致. 用于红外探测的短周期InAs/GaSb超晶格材料的生长. 红外与毫米波学报[J]. 2011, 30(6): 511-513,550,555, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=40378861.
[28] 汪韬. InAs/GaSb superlattices growth by LP-MOCVD for 10um wavelength infrared range. Infrared Physics and Technology. 2011, [29] Xin, Liwei, Wang, Tao, Yang, Jin, Wang, Jingwei, Yin, Fei, Hu, Yanan, Jiao, Guohua, Zhang, Lichen, Yin, Jingzhi, Song, Zhenyu. InAs/GaSb type-II superlattice grown by MOCVD for long-wavelength infrared detection. OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS[J]. 2011, 5(9): 1017-1020, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/780196.
[30] 张立臣, 汪韬, 尹飞, 杨瑾, 胡雅楠. 高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件. 激光与红外. 2011, 41(8): 925-928, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=38934609.
[31] Yan JunFeng, Wang Tao, Wang JingWei, Zhang ZhiYong, Zhao Wu. Growth and characterization of InAsSb alloys by metalorganic chemical vapour deposition. CHINESE PHYSICS B[J]. 2009, 18(1): 320-323, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=29290846.
[32] 尹飞, 梅书刚, 汪韬, 贺俊芳, 阮驰, 吴雷学, 赵团, 封青梅. 桥丝式电点火头感应电流的测试研究. 光子学报. 2009, 38(6): 1494-1497, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=30794404.
[33] 吴雷学, 汪韬, 王警卫, 李晓婷, 景争, 梅书刚, 尹飞. 低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响. 光子学报. 2009, 38(8): 1937-1941, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=31405116.
[34] 景争, 汪韬, 阮驰, 杨宏春, 王警卫, 吴雷学. GaAs光导开关飞秒激光点触发实验及分析. 光子学报. 2008, 37(12): 2383-2386, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=29110163.
[35] 李晓婷, 赛小锋, 汪韬, 曹希斌, 石刚. 过渡层对Ge衬底GaAs外延层晶体质量的影响. 激光与光电子学进展[J]. 2007, 44(6): 58-61, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=24792115.
[36] 李晓婷, 汪韬, 赛小锋, 张志勇. Ge衬底上GaInP2材料的生长研究. 光子学报. 2005, 34(6): 909-911, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=16112282.
[37] 李晓婷, 汪韬, 王警卫, 王一丁, 殷景致, 赛小锋, 高鸿楷, 张志勇. GaSb衬底上InAsxSb1-x合金的低压MOCVD生长和表征. 半导体学报. 2005, 26(12): 2298-2302, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=20936153.
[38] 李晓婷, 王一丁, 汪韬, 殷景致, 王警卫, 赛小锋, 高鸿楷, 张志勇. GaSb衬底上外延InAsxSb1-x材料的LP-MOCVD研究. 光子学报. 2005, 34(9): 1363-1366, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=20203967.
[39] 李晓婷, 汪韬, 赛小锋, 王警卫. GaAs/Ge太阳能电池电极银镀层结合力的研究. 激光与光电子学进展[J]. 2004, 41(12): 31-33, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=11527142.
[40] 李晓婷, 汪韬, 赛小锋, 王警卫. GaAs/Ge太阳电池电极制作银镀层结合力研究. 激光光电子进展[J]. 2004, 33(12): 31-33, http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/5772.
[41] 李晓婷, 汪韬, 赛小锋, 高鸿楷. 高温处理工艺对低压MOCVD外延CaAs/Ge太阳电池的影响. 光子学报[J]. 2003, 32(8): 921-924, [42] 汪韬, 李晓婷, 李宝霞, 赛小锋, 高鸿楷. 新型菲涅尔线聚光太阳电池组件特性分析. 光子学报. 2003, 32(9): 1138-1141, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=8316553.
[43] 李宝霞, 汪韬. MOCVD生长GaAs高质量掺碳研究. 光子学报. 2003, 32(2): 249-252, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7560122.
[44] 李宝霞, 汪韬, 李晓锋, 赛小峰, 高鸿楷. MOVCD生长GaAs高质量掺碳研究. 光子学报[J]. 2003, 32(2): 249-252, [45] 李晓婷, 汪韬, 高鸿楷, 赛小锋. 高温处理工艺对低压MOCVD GaAs/Ge太阳电池的影响. 光子学报[J]. 2003, 32(8): 921-923, http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/5702.
[46] 李晓婷, 汪韬, 赛小锋, 高鸿楷. 高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs/Ge太阳电池的影响. 光子学报. 2003, 32(8): 921-924, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=8271895.
[47] 汪韬, 赛小锋, 李晓婷, 李宝霞, 高鸿楷. 新型菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件研究. 光子学报. 2003, 32(5): 625-627, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=8150982.
[48] 汪韬, 李宝霞, 李晓婷, 赛小锋, 高鸿楷. 生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响. 光子学报. 2002, 31(12): 1479-1482, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7226521.
[49] 李辉, 汪韬. CaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长. 光子学报. 2002, 31(2): 209-212, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=6016260.
[50] 李辉, 汪韬, 李宝霞, 赛晓峰, 高鸿楷. GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长. 光子学报[J]. 2002, 31(2): 209-212, [51] 汪韬, 李辉, 李宝霞, 赛小锋, 高鸿楷. 用于光伏系统新型菲涅耳线聚焦聚光透镜设计. 光子学报[J]. 2002, 31(2): 196-199, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=6016257.
[52] Gao Guilong, Yang Qing, Wang Tao, Yin Fei, Li Shaohui, Yan Xin, He Kai. Ultrafast time-response characteristics of AlGaAs materials. http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31300.

科研活动

   
科研项目
( 1 ) GaAs基InAsGaSb红外光电阴极材料研究, 负责人, 国家任务, 2011-12--2015-01
( 2 ) 全光固体条纹相机, 参与, 国家任务, 2012-12--2015-12

指导学生

已指导学生

景争  硕士研究生  080901-物理电子学  

尹飞  硕士研究生  080901-物理电子学  

梅书刚  硕士研究生  080901-物理电子学  

辛丽伟  硕士研究生  080901-物理电子学  

胡雅楠  硕士研究生  080901-物理电子学  

杨瑾  硕士研究生  080901-物理电子学  

张立臣  硕士研究生  080901-物理电子学  

范森  硕士研究生  080901-物理电子学  

朱元涛  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

闫欣  硕士研究生  080901-物理电子学