基本信息
陈静  女  硕导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: jchen@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号
邮政编码: 200050

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向


教育背景

   
学历
-- 研究生
学位
-- 博士

专利与奖励

   
专利成果
[1] 任志鹏, 葛浩, 陈静, 吕迎欢, 谢甜甜. 变容二极管漏电电流的建模方法. CN: CN112699629A, 2021-04-23.

[2] 任志鹏, 葛浩, 陈静, 吕迎欢, 谢甜甜. 片上电容的建模方法. CN: CN112685983A, 2021-04-20.

[3] 陈静, 吕迎欢, 谢甜甜, 王青, 葛浩. 低功耗静态随机存储器单元以及存储器. CN: CN112687308A, 2021-04-20.

[4] 陈静, 葛浩, 吕迎欢, 谢甜甜, 王青. 阈值电压的测量方法以及晶圆测试机台. CN: CN112666440A, 2021-04-16.

[5] 陈静, 王青, 葛浩, 谢甜甜, 吕迎欢. 构造赝自旋的装置. CN: CN112650472A, 2021-04-13.

[6] 陈静, 吕迎欢, 葛浩, 谢甜甜, 王青. 静态随机存储器单元以及存储器. CN: CN112581988A, 2021-03-30.

[7] 陈静, 王青, 葛浩, 谢甜甜, 吕迎欢. 随机数发生单元以及随机数发生器. CN: CN112558925A, 2021-03-26.

[8] 陈静, 吕迎欢, 葛浩, 谢甜甜, 王青. 抗辐射的静态随机存储器单元以及存储器. CN: CN112562756A, 2021-03-26.

[9] 陈静, 葛浩, 田明, 商干兵, 卢剑萍. 全耗尽绝缘体上硅的背栅电压偏置电路. CN: CN112306140A, 2021-02-02.

[10] 陈静, 王硕, 王本艳, 柴展, 葛浩. SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法. CN: CN109509507B, 2021-01-05.

[11] 陈静, 黄建强, 罗杰馨, 柴展, 吕凯, 何伟伟. 一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法. CN: CN107305593B, 2020-12-01.

[12] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 一种SOI MOS器件及其制作方法. CN: CN106952954B, 2020-11-13.

[13] 陈静, 吕迎欢, 王硕, 葛浩, 谢甜甜. 一种新型静态存储单元. CN: CN111613262A, 2020-09-01.

[14] 陈静, 黄建强, 罗杰馨, 柴展, 吕凯, 何伟伟. 一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法. CN: CN106991201B, 2020-08-28.

[15] 陈静, 吕迎欢, 王硕, 葛浩, 谢甜甜. 存储单元、晶体管的制备方法及存储单元的制备方法. CN: CN111564167A, 2020-08-21.

[16] 王本艳, 陈静, 董业民. 基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路及方法. CN: CN111091855A, 2020-05-01.

[17] 陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 王曦. P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法. 中国: CN105870186B, 20190913.

[18] 陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 王曦. N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法. 中国: CN105742366B, 20190913.

[19] 陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 王曦. N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法. 中国: CN105895702B, 20190913.

[20] 陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 王曦. P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法. CN: CN105870186B, 2019-09-13.

[21] 陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 王曦. P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法. CN: CN105845734B, 2019-09-13.

[22] 陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 王曦. N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法. CN: CN105895703B, 2019-09-13.

[23] 陈静, 王硕, 王本艳, 葛浩, 柴展. 静态随机存储单元及其制作方法. CN: CN109461732A, 2019-03-12.

[24] 陈静, 何伟伟, 伍青青, 罗杰馨, 王曦. 一种SOI双端口SRAM单元及其制作方法. CN: CN105489608B, 2019-02-01.

[25] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 半刷新机制的单端口静态随机存储器单元. 中国: CN104795100B, 2018.09.25.

[26] 陈静, 吕凯, 罗杰馨, 何伟伟, 杨燕, 柴展, 王曦. 交叉栅结构MOSFET及多叉指栅结构MOSFET的版图设计. 中国: CN104899343B, 2018.07.20.

[27] 陈静, 何伟伟, 伍青青, 罗杰馨, 王曦. 一种SOI单端口SRAM单元及其制作方法. 中国: CN105551518B, 2018-09-25.

[28] 陈静, 许灵达, 柴展, 王硕. 用于电路辐射效应仿真的辐射模型嵌入方法及仿真方法. 中国: CN108536959A, 2018-09-14.

[29] 陈静, 许灵达, 柴展, 王硕. SOI NMOS总剂量辐射多偏置点电流模型建模方法. 中国: CN108388721A, 2018-08-10.

[30] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元. 中国: CN105321553B, 2018-06-26.

[31] 陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 林泽, 王曦. 一种电感屏蔽环. 中国: CN105845398B, 2018-04-17.

[32] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 半刷新机制的双端口静态随机存储器单元. 中国: CN104795101B, 2018-04-03.

[33] 陈静, 杨燕, 罗杰馨, 柴展. 双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法. 中国: CN104716191B, 2018-01-26.

[34] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 一种SOI单端口静态随机存储器单元及其制作方法. 中国: CN106952914A, 2017.07.14.

[35] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 一种SOI八晶体管静态随机存储器单元及其制作方法. 中国: CN106952915A, 2017.07.14.

[36] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 一种基于SOI的双端口SRAM单元及其制作方法. 中国: CN107516659A, 2017-12-26.

[37] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 一种基于SOI的MOS器件结构及其制作方法. 中国: CN107516676A, 2017-12-26.

[38] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 一种基于SOI的单端口SRAM单元及其制作方法. 中国: CN107516650A, 2017-12-26.

[39] 陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 王曦. 一种MOSFET的建模方法. 中国: CN104750923B, 2017-11-21.

[40] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 一种应用于静态随机存储器电路的高速电流灵敏放大器. 中国: CN104681055B, 2017-10-27.

[41] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 一种SOI六晶体管SRAM单元及其制作方法. 中国: CN106952917A, 2017-07-14.

[42] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 一种SOI六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法. 中国: CN106952913A, 2017-07-14.

[43] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 黄建强, 王曦. 一种抗总剂量效应的SOI MOS器件及其制作方法. 中国: CN106952953A, 2017-07-14.

[44] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 一种SOI双端口静态随机存储器单元及其制作方法. 中国: CN106952916A, 2017-07-14.

[45] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 一种SOI八晶体管SRAM单元及其制作方法. 中国: CN106952912A, 2017-07-14.

[46] 陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 王曦. SOI四端口网络及其模型拓扑结构. 中国: CN104750922A, 2015.07.01.

[47] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 一种应用于静态随机存储器电路的灵敏放大器. 中国: CN104681054A, 2015.06.03.

[48] 陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 王曦. 多叉指栅极结构MOSFET的版图设计. 中国: CN104409503A, 2015-03-11.

[49] 陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 王曦. SOI动态阈值晶体管. 中国: CN104362174A, 2015-02-18.

[50] 陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦. 表征随机存储器单元抗电流噪声容限的方法及测试结构. 中国: CN104200836A, 2014-12-10.

[51] 陈静, 伍青青, 罗杰馨, 柴展, 吕凯, 王曦. 一种八晶体管静态随机存储器单元. 中国: CN103325788A, 2013-09-25.

[52] 陈静, 伍青青, 罗杰馨, 柴展, 吕凯, 王曦. 一种六晶体管静态随机存储器单元. 中国: CN103311250A, 2013-09-18.

[53] 罗杰馨, 陈静, 伍青青, 柴展, 余涛, 吕凯, 王曦. 提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法. 中国: CN103094178A, 2013-05-08.

[54] 罗杰馨, 陈静, 伍青青, 柴展, 余涛, 吕凯, 王曦. 基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法. 中国: CN102916041A, 2013-02-06.

[55] 陈静, 余涛, 罗杰馨, 伍青青, 柴展. SiGe-HBT晶体管及其制备方法. 中国: CN102569069A, 2012.07.11.

[56] 柴展, 陈静, 罗杰馨, 伍青青, 王曦. 一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法. 中国: CN102800590A, 2012-11-28.

[57] 柴展, 陈静, 罗杰馨, 伍青青, 王曦. 一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法. 中国: CN102800589A, 2012-11-28.

[58] 陈静, 伍青青, 罗杰馨, 柴展, 余涛, 王曦. 一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法. 中国: CN102779837A, 2012-11-14.

[59] 盛振, 仇超, 甘甫烷, 武爱民, 杜骏杰, 陈静, 王曦, 邹世昌. 基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAs PIN光电探测器. 中国: CN102779892A, 2012-11-14.

[60] 陈静, 余涛, 罗杰馨, 伍青青, 柴展. 一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法. 中国: CN102683217A, 2012-09-19.

[61] 陈静, 余涛, 罗杰馨, 伍青青, 柴展. 一种基于SOI的纵向SiGe双极晶体管及其制备方法. 中国: CN102592998A, 2012-07-18.

[62] 陈静, 伍青青, 罗杰馨, 余涛, 柴展, 王曦. 一种无电容动态随机存储单元及其制作方法与存储方法. 中国: CN102427067A, 2012-04-25.

[63] 陈静, 余涛, 罗杰馨, 伍青青, 柴展. 双晶体管储存器. 中国: CN102360564A, 2012-02-22.

[64] 黄晓橹, 陈静, 张苗, 王曦. 一种SON结构MOSFET的制备方法. 中国: CN102339754A, 2012-02-01.

[65] 柴展, 陈静, 罗杰馨, 伍青青, 王曦. 一种SOI场效应晶体管的TCAD仿真校准方法. 中国: CN102184879A, 2011.09.14.

[66] 黄晓橹, 伍青青, 魏星, 陈静, 张苗, 王曦. 基于混合晶向SOI工艺的CMOS环形振荡器及制备方法. 中国: CN102098028A, 2011.06.15.

[67] 陈静, 伍青青, 罗杰馨, 柴展, 王曦. 一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法. 中国: CN102176215A, 2011-09-07.

[68] 陈静, 伍青青, 罗杰馨, 柴展, 王曦. 体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法. 中国: CN102147828A, 2011-08-10.

[69] 陈静, 罗杰馨, 伍青青, 周建华, 肖德元, 王曦. 一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法. 中国: CN102104063A, 2011-06-22.

[70] 陈静, 罗杰馨, 伍青青, 宁冰旭, 薛忠营, 肖德元, 王曦. 用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法. 中国: CN102104048A, 2011-06-22.

[71] 黄晓橹, 魏星, 程新红, 陈静, 张苗, 王曦. 一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法. 中国: CN102082144A, 2011-06-01.

[72] 黄晓橹, 陈静, 张苗, 王曦. 一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法. 中国: CN101996999A, 2011-03-30.

[73] 黄晓橹, 陈静, 张苗, 王曦. 一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法. 中国: CN101997000A, 2011-03-30.

[74] 肖德元, 王曦, 黄晓橹, 陈静. 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法. 中国: CN101986435A, 2011-03-16.

[75] 陈静, 伍青青, 罗杰馨, 柴展, 王曦. BSIMSOI4直流模型参数的确定方法. 中国: CN101976283A, 2011-02-16.

[76] 陈静, 伍青青, 罗杰馨, 肖德元, 王曦. 实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法. 中国: CN101950723A, 2011-01-19.

[77] 肖德元, 王曦, 陈静. 一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺. 中国: CN101771051A, 2010.07.07.

[78] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管. 中国: CN101719500A, 2010.06.02.

[79] 陈静, 伍青青, 罗杰馨, 肖德元, 王曦. 一种具有体接触结构的PD SOI器件. 中国: CN101931008A, 2010-12-29.

[80] 肖德元, 王曦, 黄晓橹, 陈静. 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法. 中国: CN101924138A, 2010-12-22.

[81] 陈静, 罗杰馨, 伍青青, 肖德元, 王曦. 具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法. 中国: CN101916776A, 2010-12-15.

[82] 陈静, 罗杰馨, 伍青青, 肖德元, 王曦. 抑制浮体效应的SOI MOS器件结构的制作方法. 中国: CN101916726A, 2010-12-15.

[83] 陈静, 罗杰馨, 伍青青, 肖德元, 王曦. 一种抑制SOI浮体效应的MOS结构及其制作方法. 中国: CN101872737A, 2010-10-27.

[84] 肖德元, 罗杰馨, 陈静, 伍青青, 王曦. 大角度离子注入抑制SOI MOS器件浮体效应的方法. 中国: CN101794712A, 2010-08-04.

[85] 肖德元, 王曦, 陈静. 一种白光LED芯片及其制造方法. 中国: CN101771028A, 2010-07-07.

[86] 肖德元, 王曦, 陈静. 一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺. 中国: CN101771052A, 2010-07-07.

[87] 陈静, 伍青青, 罗杰馨, 肖德元, 王曦. 宽度偏移量的确定方法. 中国: CN101726274A, 2010-06-09.

[88] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管. 中国: CN101719498A, 2010-06-02.

[89] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管. 中国: CN101719499A, 2010-06-02.

[90] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管. 中国: CN101719501A, 2010-06-02.

[91] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管. 中国: CN101710584, 2010-05-19.

[92] 肖德元, 王曦, 张苗, 陈静, 薛忠营. 混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管. 中国: CN101710585, 2010-05-19.

[93] 孙佳胤, 王曦, 陈静, 张恩霞. 一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法. 中国: CN100356182, 2007-12-19.

[94] 欧欣, 王曦, 陈静, 孙佳胤, 武爱民. 采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法. 中国: CN101005110, 2007-07-25.

[95] 董业民, 王曦, 陈猛, 陈静. 采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法. 中国: CN1261974, 2006-06-28.

[96] 董业民, 王曦, 陈猛, 陈静, 李志坚, 田立林, 何平, 林羲. 一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法. 中国: CN1261988, 2006-06-28.

[97] 张恩霞, 张正选, 王曦, 陈静, 孙佳胤. 抗辐射加固的特殊体接触绝缘体上硅场效应晶体管及制备方法. 中国: CN1779989, 2006-05-31.

[98] 董业民, 王曦, 陈猛, 陈静, 王湘. 准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法. 中国: CN1184697, 2005.01.12.

[99] 孙佳胤, 张正选, 王曦, 林成鲁, 陈静, 张恩霞. 一种绝缘体上硅的电学参数的表征方法. 中国: CN1687800, 2005-10-26.

[100] 董业民, 王曦, 陈猛, 陈静, 王湘, 张继华, 易万兵, 金波. 注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法. 中国: CN1199249, 2005-04-27.

[101] 董业民, 王曦, 陈猛, 陈静, 王湘. 降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法. 中国: CN1193432, 2005-03-16.

[102] 董业民, 王曦, 陈猛, 王湘, 陈静, 林梓鑫. 一种形成半导体衬底的方法. 中国: CN1193421, 2005-03-16.

[103] 董业民, 陈猛, 王曦, 王湘, 陈静. 场效应晶体管的制造方法. 中国: CN1193414, 2005-03-16.

[104] 陈猛, 王湘, 王曦, 陈静, 林梓鑫. 一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘体上硅的方法. 中国: CN1173386, 2004-10-27.

[105] 董业民, 陈猛, 王曦, 王湘, 陈静, 林梓鑫. 剂量-能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料. 中国: CN1424754, 2003-06-18.

出版信息

   
发表论文
[1] 陈静. Comparing the TID-induced RF performance degradation of floating body and body contacted 130 nm SOI NMOS transistors. Microelectronics Reliability. 2020, [2] 王硕, 常永伟, 陈静, 王本艳, 何伟伟, 葛浩. 新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应. 物理学报[J]. 2019, 68(16): 344-352, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7002754441.
[3] Chang, Yongwei, Luo, Jiexin, Chen, Jing, Xu, Lingda, Chai, Zhan, Wang, Shuo, Dong, Yemin, Wang, Xi. Compact Model for Tunnel Diode Body Contact SOI n-MOSFETs. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2019, 66(1): 249-254, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000454333500031.
[4] 许灵达, 罗杰馨, 陈静, 何伟伟, 吴伟. SOI NMOS侧壁晶体管总剂量辐射效应电流模型. 固体电子学研究与进展[J]. 2018, 38(1): 70-74, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674838693.
[5] 董业民. Compact Model for Tunnel Diode Body Contact (TDBC) SOI n-MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices. 2018, [6] 林泽, 陈静, 罗杰馨, 吕凯. 基于改进1-π拓扑结构的螺旋电感可扩展模型. 电子学报[J]. 2017, 45(9): 2190-2194, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=673352119.
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