070205-凝聚态物理
080501-材料物理与化学

GaAs基、GaN基光电子/光伏材料MOCVD外延生长与器件技术研究
新型光电子/光伏器件工艺研究

1998-09--2001-06   中科院物理研究所   博士
1991-09--1994-01   电子部第十三研究所   硕士
1987-09--1991-06   西安交通大学   学士

   

2001-07~现在, 中科院物理所, 助研/副研/研究员
1998-09~2001-06,中科院物理研究所, 博士
1994-02~1998-08,电子部第十三研究所, 工程师
1991-09~1994-01,电子部第十三研究所, 硕士
1987-09~1991-06,西安交通大学, 学士

   

（1） GaN基蓝绿光LED的关键技术及产业化, 二等奖, 国家级, 2011

（ 1 ） 基于量子阱带间跃迁的光电探测器, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510404231.3

（ 2 ） 半导体器件及其制备方法和应用, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410553114.9

（ 3 ） 半导体器件及其制备方法和应用, 2014, 第 2 作者, 专利号: 201410553135.0

（ 4 ） 量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管, 2014, 第 2 作者, 专利号: 201410282794.5

（ 5 ） 一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN201310286462.X

（ 6 ） 一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: 201310201293.5

（ 7 ） 一种发光二极管外延结构, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN201310043789.4

（ 8 ） 高亮度发光二极管及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 201210452575.8

（ 9 ） 带有高反射率金属反射层的红光发光二极管及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 201210452581.3

（ 10 ） 用于薄膜生长的双模系统及其控制方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN201210414939.3

（ 11 ） 用于薄膜生长的双模系统及其控制方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN201210414939.3

（ 12 ） 一种基于中间能带的InSb量子点多色红外探测器, 2012, 第 4 作者, 专利号: 201210290330.X

（ 13 ） 一种发光二极管外延材料结构, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN201210120680.1

（ 14 ） 低极化效应的氮化镓基发光二极管芯片用外延材料及制法, 2009, 第 2 作者, 专利号: 200610089289

（ 15 ） 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200510011812

（ 16 ） 在特定的蓝宝石图形衬底上制备高质量GaN基材料的方法, 2004, 第 2 作者, 专利号: CN200410058574.0

（ 17 ） 一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法, 2004, 第 3 作者, 专利号: CN200410038260.4

   

（ 1 ） GaAs／InGaP双结薄膜太阳能电池工艺开发, 负责人, 地方任务, 2015-07--2017-08
（ 2 ） 高效半导体照明关键材料技术研发, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12
（ 3 ） 单芯片白光LED的发光机理研究, 负责人, 国家任务, 2009-01--2011-12