基本信息
刘卫丽  女  博导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: rabbitlwl@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号
邮政编码: 200050

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080501-材料物理与化学
招生方向
纳米电子材料与器件

教育背景

1999-03--2002-07   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士
1996-09--1999-02   浙江大学   硕士学位
1992-09--1996-07   浙江大学   学士学位

工作经历

   
工作简历
2006-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
2004-07~2005-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2004-03~2004-07,香港理工大学, 访问学者
2002-08~2004-06,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员
2001-07~2002-07,香港城市大学, 研究助理
1999-03~2002-07,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士
1996-09~1999-02,浙江大学, 硕士学位
1992-09~1996-07,浙江大学, 学士学位
社会兼职
2019-01-11-2023-01-10,集成电路材料产业技术创新联盟, 理事
2017-08-31-2021-08-31,上海市稀土协会标准化技术委员会, 委员
2016-04-01-今,上海市真空协会真空电子与显示专业委员会, 副主任
2013-04-30-2017-04-30,中国机械工程学会摩擦学分会第一届微纳制造摩擦学专业委员会, 常务委员
2006-11-22-2014-12-31,全国纳米标准化委员会微纳加工工作组副秘书长, 副秘书长
-今,

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 万人计划创新领军人才, 国家级, 2021
(2) 人才推进计划中青年创新领军人才, 国家级, 2020
(3) 相变存储芯片制造核心技术及嵌入式应用, 二等奖, 省级, 2019
(4) 八面体基元理论指导发现新型相变存储材料及其在128Mb储存芯片中的应用, 一等奖, 部委级, 2019
(5) 中国科协求是杰出青年成果转化奖, 部委级, 2017
(6) 上海市技术发明一等奖, 一等奖, 省级, 2016
(7) 上海市优秀技术带头人, , 省级, 2014
(8) 第四届上海市五一巾帼创新奖, , 省级, 2011
(9) 第六届“上海市巾帼创新提, , 其他, 2010
(10) 上海市科教系统三八红旗手, , 其他, 2009
(11) 第十届上海市杰出青年岗位, , 其他, 2009
(12) 上海市新长征突击手, , 其他, 2009
(13) 第二届“上海市科教党委系, , 其他, 2008
(14) 上海市青年科技启明星跟踪计划”, , 其他, 2007
(15) 上海市青年科技启明星计划, , 其他, 2004
专利成果
( 1 ) 一种胶体二氧化硅制备装置, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN214810843U

( 2 ) 一种高选择比的化学机械抛光液及其应用, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111662641B

( 3 ) 一种二氧化硅胶体及其制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113277521A

( 4 ) 一种利用回收的硅溶胶抛光液制备硅酸的方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN108002393B

( 5 ) 一种钴基材抛光液及其应用, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111635701B

( 6 ) 一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物及其使用方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112920716A

( 7 ) 一种胶体二氧化硅的制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202110531736 .1

( 8 ) 一种胶体二氧化硅制备装置, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202121017496.5

( 9 ) 一种磺酸基改性硅溶胶及其制备方法和用途, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112429741A

( 10 ) 一种碳酸钙/二氧化硅核壳型纳米复合磨料及其制备方法和应用, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111925731A

( 11 ) 一种金属钴抛光液及其应用, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111748286A

( 12 ) 一种SiC晶圆抛光液及其制备方法和应用, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111748287A

( 13 ) 一种存储器装置的偏置方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111755046A

( 14 ) 超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN110098832B

( 15 ) 一种硅溶胶基磁流变金属抛光液及其制备方法和用途, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109988508A

( 16 ) 一种疏水二氧化硅溶胶的制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109987609A

( 17 ) 一种用于氧化锆陶瓷的化学机械抛光液及其制备方法和用途, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109988507A

( 18 ) 多分散大粒径硅溶胶及其制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN106044786B

( 19 ) 一种氧化铝抛光液的制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN106010297B

( 20 ) 一种用于钛的化学机械抛光液, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN104593776B

( 21 ) 一种改善相变材料抛光后表面质量的抛光液, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN102516878B

( 22 ) 一种成膜硅溶胶及其制备方法与应用, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105670350A

( 23 ) 用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104831235A

( 24 ) 一种含有石墨烯的化学机械抛光液, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104592897A

( 25 ) 一种化学机械抛光液, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104592896A

( 26 ) 一种高纯硅酸的制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104591192A

( 27 ) 一种改性二氧化硅胶体的制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104556061A

( 28 ) 一种纳米二氧化硅的聚合方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104556059A

( 29 ) 一种生产低粘度小粒径硅溶胶的方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104556058A

( 30 ) 一种含复合磨料的化学机械抛光液, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104559799A

( 31 ) 一种线状纳米二氧化硅溶胶及其制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104556060A

( 32 ) 一种化学机械抛光液, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104559800A

( 33 ) 一种改性硅溶胶及其制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104559336A

( 34 ) 一种多孔二氧化硅的制备方法及其应用, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104556071A

( 35 ) 一种含多孔二氧化硅磨料的抛光液及其制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104559927A

( 36 ) 一种氧化铝基化学机械抛光液, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104559798A

( 37 ) 一种包含双氧化剂的GST化学机械抛光液及其制备方法和用途, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104403570A

( 38 ) 一种GST中性化学机械抛光液, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103897603A

( 39 ) 一种相变存储器电极结构的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103500795A

( 40 ) 一种废弃硅溶胶回收再利用的方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103910516A

( 41 ) 一种非球形二氧化硅溶胶及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103896287A

( 42 ) 一种稳定的改性硅溶胶及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103896290A

( 43 ) 一种氧化铈复合颗粒及其制备方法和应用, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103896321A

( 44 ) 一种聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料的制备方法及其应用, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103897202A

( 45 ) 一种计算机硬盘的化学机械抛光液, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103897604A

( 46 ) 一种相变存储器结构及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103682094A

( 47 ) 一种低功耗相变存储器结构的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103618045A

( 48 ) 一种氧化铝抛光液的制备方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103589344A

( 49 ) 一种相变材料化学机械抛光方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103497688A

( 50 ) 一种水溶性聚苯乙烯-二氧化硅核壳型复合颗粒的制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103497340A

( 51 ) 一种高性能水性无机涂料及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103483884A

( 52 ) 一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103484024A

( 53 ) 确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103158057A

( 54 ) 一种中空纤维高温膜组件的封装结构及中空纤维膜组件, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN202666703U

( 55 ) 化学机械抛光液, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102690604A

( 56 ) 一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102827549A

( 57 ) Al衬底用化学机械抛光液, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102757732A

( 58 ) 一种抑制相变材料电化学腐蚀的抛光液, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102516879A

( 59 ) 三维电阻转换存储芯片制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102122636A

( 60 ) 一种相变材料抛光后清洗液, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102268332A

( 61 ) 可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102268224A

( 62 ) 一种相变存储材料及其制备方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102142518A

( 63 ) 三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102064134A

( 64 ) 硫系化合物相变材料抛光后清洗液, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101935596A

( 65 ) 一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101924069A

( 66 ) 一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101857774A

( 67 ) 一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101834273A

( 68 ) 氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101818047A

( 69 ) 一种化学机械抛光液回收和重复利用的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101758457A

( 70 ) 一种菱形片状氧化铈的制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101734706A

( 71 ) 一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101671538

( 72 ) 一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101659850

( 73 ) 一种不锈钢衬底的精密抛光方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101642893

( 74 ) 蓝宝石衬底及抛光方法与应用, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101604666

( 75 ) 一种硅溶胶晶种的制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101597066

( 76 ) 一种应用于生物微质量检测的硅基压电薄膜传感器及制作方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN100547396

( 77 ) 一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100517743

( 78 ) 一种水玻璃的制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101462728

( 79 ) 一种用作超纯硅溶胶生产原料的水玻璃的生产方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101462729

( 80 ) 实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101465324

( 81 ) 超纯硅溶胶生产原料用水玻璃的制造方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101462730

( 82 ) 一种化学机械抛光用磨料及其制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101372560

( 83 ) 一种纳米复合相变材料的制备方法, 2008, 第 4 作者, 专利号: CN101299454

( 84 ) 用于相变存储器的粘附层材料及制备方法, 2008, 第 4 作者, 专利号: CN101241967

( 85 ) 以低介电常数为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101174640

( 86 ) 混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101325154

( 87 ) 可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法, 2008, 第 5 作者, 专利号: CN100440535

( 88 ) 一种三维互补金属氧化物半导体器件结构的制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100440513

( 89 ) 纳米复合相变材料及其制备方法, 2008, 第 4 作者, 专利号: CN101299453

( 90 ) 三维互补金属氧化物半导体晶体管的制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100423265

( 91 ) 三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法, 2008, 第 6 作者, 专利号: CN101236780

( 92 ) 多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法, 2008, 第 6 作者, 专利号: CN101232037

( 93 ) 高密度相变存储器的结构与制备的工艺, 2008, 第 5 作者, 专利号: CN101232038

( 94 ) 一种无碲存储材料、制备方法及应用, 2007, 第 4 作者, 专利号: CN101049934

( 95 ) 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: CN100342550

( 96 ) 一种绝缘层上硅结构的制备方法, 2007, 第 4 作者, 专利号: CN1315155

( 97 ) 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用, 2007, 第 4 作者, 专利号: CN1300271

( 98 ) 一种纳电子相变存储器的制备方法, 2007, 第 3 作者, 专利号: CN1300839

( 99 ) 一种三维多层平面互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1610114

( 100 ) 一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法, 2002, 第 3 作者, 专利号: CN1385906

( 101 ) 一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法, 2002, 第 4 作者, 专利号: CN1359158

出版信息

   
发表论文
(1) Mechanism of titanium-nitride chemical mechanical polishing, Mechanism of titanium-nitride chemical mechanical polishing*, CHINESE PHYSICS B, 2021, 通讯作者
(2) An Ultra-Low Quiescent Current Resistor-Less Power on Reset Circuit, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 第 9 作者
(3) MPPT Circuit Using Time Exponential Rate Perturbation and Observation for Enhanced Tracking Efficiency for a Wide Resistance Range of Thermoelectric Generator, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 第 5 作者
(4) Chemical Mechanical Polishing of TiN Film with Potassium Permanganate and L-Aspartic Acid in Alkaline Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 5 作者
(5) Effect of Diethanolamine as Corrosion Inhibitor for the Chemical Mechanical Polishing of Cobalt in H2O2 Based Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 通讯作者
(6) Two-Step Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC (0001) Wafer, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 2 作者
(7) Investigation of Effect of L-Aspartic Acid and H2O2 for Cobalt Chemical Mechanical Polishing, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 通讯作者
(8) 硅溶胶的有机改性及应用, Organic modification and application of silica sol, 应用化工, 2020, 第 3 作者
(9) Review on modeling and application of chemical mechanical polishing, NANOTECHNOLOGY REVIEWS, 2020, 通讯作者
(10) 3A New High Selectivity Acidic Slurry for Chemical Mechanical Planarizationof Carbon-Doped Ge(2)Sb(2)Te(5)Film, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 通讯作者
(11) High Removal Rate Cobalt Slurry with Glutathione on Chemical Mechanical Polishing in Alkaline Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 通讯作者
(12) Chemical Mechanical Planarization of Carbon-Doped Amorphous Ge2Sb2Te5 Film with Hydrogen Peroxide as Oxidizer in Alkaline Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 通讯作者
(13) Near-threshold SIDO DC-DC converter with a high-precision ZCD for phase change memory chip, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2019, 第 5 作者
(14) Structure-induced superhydrophilicity of silica membranes through hybridization and self-assembly of different dispersed nanoparticles, JOURNAL OF MOLECULAR STRUCTURE, 2019, 通讯作者
(15) Preparation of Non-spherical Colloidal Silica Nanoparticle and Its Application on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, Preparation of Non-spherical Colloidal Silica Nanoparticle and Its Application on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY-MATERIALS SCIENCE EDITION, 2019, 通讯作者
(16) 一种非球形纳米二氧化硅颗粒制备新方法, An Innovative Preparation Methodology of Non-spherical Nanosize Silica Particle, 材料导报, 2018, 第 2 作者
(17) A facile one-step approach to superhydrophilic silica film with hierarchical structure using fluoroalkylsilane, COLLOIDS AND SURFACES A-PHYSICOCHEMICAL AND ENGINEERING ASPECTS, 2018, 通讯作者
(18) 化学机械抛光工艺参数对氧化锆陶瓷抛光速率的影响, Effects of Chemical-mechanical Polishing Parameters on Material Removal Rate of Zirconia Ceramic, 表面技术, 2018, 第 2 作者
(19) preparation of Co-doped silica sol and its application in sapphire (1120) polishing, suface technology, 2017, 通讯作者
(20) preparation of nano-spherical colloidal silica nanoparticle and its application on the chemical mechanical polishing of sapphire, 武汉理工大学学报-材料科学版, 2017, 通讯作者
(21) surface modification alumina particles and their chemical mechanical polishing (CMP) behavior on C-plane (0001) sapphire substrate, 无机材料学报, 2017, 通讯作者
(22) Surface Energy Driven Cubic-to-Hexagonal Grain Growth of Ge 2 Sb 2 Te 5 Thin Film, SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 第 9 作者
(23) 一种非球形纳米二氧化硅颗粒制备方法研究, 材料导报, 2017, 通讯作者
(24) 新型硅基抛光磨料的研究进展, Research progress of novel silica abrasives, 应用化工, 2017, 第 3 作者
(25) Fractal nature of non-spherical silica particles via facile synthesis for the abrasive particles in chemical mechanical polishing, COLLOIDS AND SURFACES A-PHYSICOCHEMICAL AND ENGINEERING ASPECTS, 2016, 通讯作者
(26) Poly disperse spherical colloidal silica particles: Preparation and application, CHINESE PHYSICS B, 2016, 通讯作者
(27) Material Removal Mechanism of Ti0.4Sb2Te3 Film during Chemical Mechanical Polishing in Acidic Permanganate-Based Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 2 作者
(28) Development and application of a new CMP slurry for phase change memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 
(29) A nano-scale mirror-like surface of Ti–6Al–4V attained by chemical mechanical polishing, CHINESE PHYSICS B, 2016, 通讯作者
(30) Direct observation of metastable face-centered cubic Sb_2Te_3 crystal, NANO RESEARCH, 2016, 第 6 作者
(31) Synthesis of colloid silica coated with ceria nano-particles with the assistance of PVP, CHINESE CHEMICAL LETTERS, 2015, 通讯作者
(32) Effect of Abrasive Concentration on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, Effect of Abrasive Concentration on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, 中国物理快报:英文版, 2015, 第 4 作者
(33) 氧化铝抛光液磨料制备及其稳定性研究进展, Research Progress on the Preparation and Stability of Alumina Abrasive Suspensions, 上海第二工业大学学报, 2015, 第 2 作者
(34) Effect of Abrasive Concentration on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 通讯作者
(35) 核壳型多孔氧化硅制备过程中表面活性剂的浓度调控及作用机理, Effect Mechanism of Surfactant Concentration on the Synthesis of Core-shell Mesoporous Silica, 硅酸盐通报, 2015, 第 2 作者
(36) The Effect of pH on Sapphire Chemical Mechanical Polishing, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 第 4 作者
(37) Non-spherical colloidal silica particles—Preparation, application and model, COLLOIDS AND SURFACES A-PHYSICOCHEMICAL AND ENGINEERING ASPECTS, 2014, 第 3 作者
(38) Role of the Lysine as a Complexing Agent in Ge2Sb2Te5 Chemical Mechanical PolishingSlurries, ELECTROCHIMICA ACTA, 2014, 第 3 作者
(39) 纳米SiO2抛光液的制备及在蓝宝石抛光中的应用, Preparation of Silica-based Slurry and Its Polishing Performance on Sapphire Substrate, 润滑与密封, 2013, 第 4 作者
(40) 三维相变存储阵列驱动二极管的制备研究, 功能材料与器件学报, 2013, 第 3 作者
(41) 蓝宝石化学机械抛光液作用机制研究, Mechanism of Sapphire Chemical Mechanical Polishing bySi0O Particles, 上海第二工业大学学报, 2013, 第 3 作者
(42) Endpoint detection of Ge2Sb2Te5 during chemical mechanical planarization, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2013, 第 4 作者
(43) Effect of Cations on the Chemical Mechanical Polishing of SiO_(2) Film, Effect of Cations on the Chemical Mechanical Polishing of SiO_2 Film, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
(44) 不同碱和分散剂对蓝宝石基片研磨的影响, Effects of Different Alkaline Agents and Dispersant on the Lapping of Sapphire Substrate, 半导体技术, 2012, 第 2 作者
(45) 一种制备单分散超小粒径氧化硅颗粒的新方法, A novel method to prepare monodisperse ultrafine silica particles, 功能材料与器件学报, 2012, 第 2 作者
(46) Mechanism of Ge2Sb2Te5 chemical mechanical polishing, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2012, 第 4 作者
(47) Chemical mechanical polishing of stainless steel foil as flexible substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2012, 第 3 作者
(48) Evaluation of hydrogen peroxide on chemical mechanical polishing of amorphous GST, CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE 2012 (CSTIC 2012), 2012, 
(49) Local atomic structure in molten Si 3Sb 2Te 3 phase change material, SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2012, 第 5 作者
(50) Chemical Mechanical Polishing of Ge2Sb2Te5 Using Abrasive-Free Solutions of Iron Trichloride, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 6 作者
(51) Single-Crystalline CeOHCO3 with Rhombic Morphology: Synthesis and Thermal Conversion to CeO2, CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY, 2011, 通讯作者
(52) Influence of pH and abrasive concentration on polishing rate of amorphous Ge(2)Sb(2)Te(5) film in chemical mechanical polishing, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2011, 第 2 作者
(53) 一种新型复合磨料对铜的化学机械抛光研究, Performance of a novel composite abrasive in Cu chemical mechanical polishing, 功能材料与器件学报, 2011, 第 5 作者
(54) Phase Change Line Memory Cell Based on Ge2Sb2Te5 Fabricated Using Focused Ion Beam, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 4 作者
(55) Effect of hydrogen peroxide concentration on surface micro- roughness of silicon wafer after final polishing, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2011, 通讯作者
(56) Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid, CHINESE PHYSICS B, 2011, 第 4 作者
(57) Instability of nitrogen doped Sb2Te3 for phase change memory application, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 5 作者
(58) Effect of mechanical process parameters on friction behavior and material removal during sapphire chemical mechanical polishing, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2011, 第 4 作者
(59) Experimental and theoretical study of silicon-doped Sb2Te3 thin ?lms: Structure and phase stability, Applied Surface Science, 2011, 通讯作者
(60) 单晶菱形CeOHCO3片状物的制备及其向CeO2的热转换, Single-Crystalline CeOHCO_3 with Rhombic Morphology:Synthesis and Thermal Conversion to CeO_2, 无机化学学报, 2011, 第 3 作者
(61) Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid, Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid, 中国物理B, 2011, 
(62) Preparation of monodisperse polystyrene/silica core–shell nano-composite abrasive with controllable size and its chemical mechanical polishing performance on copper, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 通讯作者
(63) Complexing Between Additives and Ceria Abrasives Used for Polishing Silicon Dioxide and Silicon Nitride Films, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2011, 第 4 作者
(64) 单晶菱形CeOHCO_3片状物的制备及其向CeO_2的热转换(英文), 无机化学学报, 2011, 第 3 作者
(65) Two-Step Chemical Mechanical Polishing of Sapphire Substrate, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 第 2 作者
(66) Strain relaxation in nano-patterned strained-Si/SiGe heterostructure on Insulator, INEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2, 2010, 
(67) Effect of ammonium molybdate concentration on chemical mechanical polishing of glass substrate, Effect of ammonium molybdate concentration on chemical mechanical polishing of glass substrate, 半导体学报, 2010, 第 2 作者
(68) Strain relaxation in nano-patterned strained-Si/SiGe heterostructure on insulator, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 通讯作者
(69) Effect of ammonium molybdate concentration on chemical mechanical polishing of glass substrate, Effect of ammonium molybdate concentration on chemical mechanical polishing of glass substrate, 半导体学报, 2010, 第 2 作者
(70) Effect of pH and Abrasive Concentration on Chemical Mechanical Polishing of Ge2Sb2Te5, CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE 2010 (CSTIC 2010), 2010, 
(71) Synthesis, characterization of ceria-coated silica particles and their chemical mechanical polishing performance on glass substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 第 2 作者
(72) Strain Stability and Carrier Mobility Enhancement in Strained Si on Relaxed SiGe-on-Insulator, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 第 2 作者
(73) Au-197 irradiation study of phase-change memory cell with GeSbTe alloy, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2010, 第 8 作者
(74) Effect of abrasive particle concentration on preliminary chemical mechanical polishing of glass substrate, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2010, 通讯作者
(75) Germanium surface hydrophilicity and low-temperature Ge layer transfer by Ge-SiO(2) bonding, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 第 2 作者
(76) Surface modification of ceria nanoparticles and their chemical mechanical polishing behavior on glass substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 通讯作者
(77) 工艺条件对蓝宝石化学机械抛光的影响, Process conditions affected chemical mechanical polishing (CMP) on sapphire, 功能材料与器件学报, 2010, 第 3 作者
(78) Modified postannealing of the Ge condensation process for better-strained Si material and devices, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 第 4 作者
(79) Particle size and surfactant effects on chemical mechanical polishing of glass using silica-based slurry, APPLIED OPTICS, 2010, 第 2 作者
(80) Study of the Ge Wafer Surface Hydrophilicity after Low-Temperature Plasma Activation, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2009, 第 3 作者
(81) Enhanced surface blistering of germanium with B+/H+ coimplantation, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2009, 通讯作者
(82) N+ plasma-assisted wafer bonding between silicon and chemical vapor deposition oxide at low temperature, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2009, 通讯作者
(83) 水玻璃为原料制备纳米氧化硅磨料及应用于硅片抛光(英文), 2009国际粉体技术与应用论坛论文集, 2009, 第 4 作者
(84) Fabrication of high Ge content SiGe-on-insulator with low dislocation density by modified Ge condensation, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 通讯作者
(85) Fabrication of single-crystalline LiTaO3 film on silicon substrate using thin film transfer technology, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2008, 通讯作者
(86) Investigation of SOI Substrates Incorporated with Buried MoSi2 for High Frequency SiGe HBTs, Investigation of SOI Substrates Incorporated with Buried MoSi2 for High Frequency SiGe HBTs, 中国物理快报:英文版, 2008, 第 2 作者
(87) 用smart-cut方法制备GOI材料及研究, Preparation and investigation of GOI material by using smart- cut technology, 功能材料与器件学报, 2007, 第 3 作者
(88) 纳米技术时代的高端硅基材料-SOI,sSOI和GOI, SOI,sSOI and GOI——advanced silicon-based materials for the nanotechnology era, 功能材料与器件学报, 2007, 第 2 作者
(89) Oxidation of silicon electrochemically etched microchannels Arrays, 2006 1ST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, VOLS 1-3, 2006, 
(90) 改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 3 作者
(91) SOI在射频电路中的应用, 微电子学, 2005, 第 2 作者
(92) 半导体硅片双面超精密化学机械抛光的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 5 作者
(93) 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟, Fabrication and Simulation of Silicon-on-Insulator Structure with Si3N4 as a Buried Insulator, 半导体学报, 2005, 第 3 作者
(94) 等离子体键合和B+/H+共注实现低温SOI工艺的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 3 作者
(95) 基于低温键合技术制备SOI材料的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 3 作者
(96) 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟, Fabrication and Simulation of Silicon-on-Insulator Structure with Si3N4 as a Buried Insulator, 半导体学报, 2005, 第 3 作者
(97) 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟(英文), 半导体学报, 2005, 第 3 作者
(98) Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 1 作者
(99) 硫系化合物随机存储器研究进展, 微纳电子技术, 2004, 第 4 作者
(100) SOI在高压器件中的应用, 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ, 2004, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 电子级纳米磨料产业化研究及其在IC抛光液中的应用, 负责人, 国家任务, 2009-01--2011-12
( 2 ) 45-28nm集成电路用纳米磨料和相变材料抛光液的研究与产业化, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12
( 3 ) 面向LED蓝宝石衬底的抛光液与抛光工艺示范线, 负责人, 地方任务, 2011-12--2014-09
( 4 ) 上海市优秀技术带头人, 负责人, 地方任务, 2014-07--2017-06
( 5 ) 纳米电子材料产学研联合实验室能力提升, 负责人, 地方任务, 2016-01--2017-12
( 6 ) 电子级二氧化硅纳米材料制备新工艺开发及产品应用研究, 负责人, 企业委托, 2015-06--2019-05
( 7 ) 纳米二氧化硅材料快速生长装置的研制, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2021-12
( 8 ) 碳化硅晶圆化学机械抛光液的摩擦磨损过程及机理研究, 负责人, 研究所自选, 2020-05--2022-04
( 9 ) 12英寸半导体硅片的抛光液耗材研究, 负责人, 地方任务, 2020-08--2022-07
( 10 ) 集成电路用电子级二氧化硅磨料和抛光液研究, 负责人, 国家任务, 2020-08--2022-07
参与会议
(1)CMP纳米磨料和抛光液的制备及应用研究   第五届材料微结构与性能学术会议   2021-04-27
(2)The Investigation of SiC CMP with High Efficiency   Weili Liu   2021-03-15
(3)硬脆性材料的化学机械抛光研究   2018海峽兩岸暨亞太先進基板研磨加工技術研讨会   刘卫丽   2018-05-30
(4)氧化锆陶瓷的化学机械抛光   2017上海国际先进陶瓷技术研讨会   刘卫丽   2017-06-07
(5)The CMP of sapphire for mobile electronics   Weili Liu   2016-05-24
(6)Chemical Mechanical Polishing Slurry for Amorphous Ge2Sb2Te5   刘卫丽,王良咏,宋志棠   2013-10-30
(7)Overview of CMP Research in China and SIMIT   Liu Weili   2013-05-30
(8)纳米磨料的研究及其在化学机械抛光上的应用   2012 海峡两岸先进基板研磨加工论坛   刘卫丽   2012-09-13
(9)Nano Particles for Chemical Mechanical Planarization   Weili Liu, Lei Zhang , Zhitang Song   2011-11-09
(10)Nano Particles for Chemical Mechanical Planarization   Weili Liu, Zhitang Song   2011-10-31
(11)High Purity Nano Abrasive for Chemical Planarization Application   Weili Liu   2010-01-04