基本信息
刘卫丽 女 博导 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: rabbitlwl@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号
邮政编码: 200050
电子邮件: rabbitlwl@mail.sim.ac.cn
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学080501-材料物理与化学
招生方向
纳米电子材料与器件
教育背景
1999-03--2002-07 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 博士1996-09--1999-02 浙江大学 硕士学位1992-09--1996-07 浙江大学 学士学位
工作经历
工作简历
2006-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员2004-07~2005-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员2004-03~2004-07,香港理工大学, 访问学者2002-08~2004-06,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员2001-07~2002-07,香港城市大学, 研究助理1999-03~2002-07,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士1996-09~1999-02,浙江大学, 硕士学位1992-09~1996-07,浙江大学, 学士学位
社会兼职
2019-01-09-2027-01-08,集成电路材料产业技术创新联盟, 理事
2017-08-29-2025-08-29,上海市稀土协会标准化技术委员会, 委员
2016-03-31-今,上海市真空协会真空电子与显示专业委员会, 副主任
2013-04-29-2017-04-29,中国机械工程学会摩擦学分会第一届微纳制造摩擦学专业委员会, 常务委员
2006-11-21-2014-12-30,全国纳米标准化委员会微纳加工工作组副秘书长, 副秘书长
-今,
2017-08-29-2025-08-29,上海市稀土协会标准化技术委员会, 委员
2016-03-31-今,上海市真空协会真空电子与显示专业委员会, 副主任
2013-04-29-2017-04-29,中国机械工程学会摩擦学分会第一届微纳制造摩擦学专业委员会, 常务委员
2006-11-21-2014-12-30,全国纳米标准化委员会微纳加工工作组副秘书长, 副秘书长
-今,
专利与奖励
奖励信息
(1) 中科院杰出科技成就奖, 院级, 2023(2) 万人计划创新领军人才, 国家级, 2021(3) 人才推进计划中青年创新领军人才, 国家级, 2020(4) 八面体基元理论指导发现新型相变存储材料及其在128Mb储存芯片中的应用, 一等奖, 部委级, 2019(5) 相变存储芯片制造核心技术及嵌入式应用, 二等奖, 省级, 2019(6) 中国科协求是杰出青年成果转化奖, 部委级, 2017(7) 上海市技术发明一等奖, 一等奖, 省级, 2016(8) 上海市优秀技术带头人, , 省级, 2014(9) 第四届上海市五一巾帼创新奖, , 省级, 2011(10) 第六届“上海市巾帼创新提, , 其他, 2010(11) 上海市新长征突击手, , 其他, 2009(12) 第十届上海市杰出青年岗位, , 其他, 2009(13) 上海市科教系统三八红旗手, , 其他, 2009(14) 第二届“上海市科教党委系, , 其他, 2008(15) 上海市青年科技启明星跟踪计划”, , 其他, 2007(16) 上海市青年科技启明星计划, , 其他, 2004
专利成果
( 1 ) 一种相变存储器及其制备方法, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN202310052013.2( 2 ) 一种用于锗硒及其掺杂合金的化学机械抛光组合物, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN116103657A( 3 ) 一种高密度相变存储器的制备方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN115275001A( 4 ) 一种制备胶体二氧化硅的装置, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN215842853U( 5 ) 一种抛光液及其制备方法和应用, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN202210101644.4( 6 ) 一种胶体二氧化硅制备装置, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN214810843U( 7 ) 一种高选择比的化学机械抛光液及其应用, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111662641B( 8 ) 一种二氧化硅胶体及其制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113277521A( 9 ) 一种利用回收的硅溶胶抛光液制备硅酸的方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN108002393B( 10 ) 一种钴基材抛光液及其应用, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111635701B( 11 ) 一种用于氮化钛化学机械抛光的组合物及其使用方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112920716A( 12 ) 一种胶体二氧化硅的制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202110531736 .1( 13 ) 一种胶体二氧化硅制备装置, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202121017496.5( 14 ) 一种磺酸基改性硅溶胶及其制备方法和用途, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112429741A( 15 ) 一种碳酸钙/二氧化硅核壳型纳米复合磨料及其制备方法和应用, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111925731A( 16 ) 一种金属钴抛光液及其应用, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111748286A( 17 ) 一种SiC晶圆抛光液及其制备方法和应用, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111748287A( 18 ) 一种存储器装置的偏置方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111755046A( 19 ) 超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法, 2019, 第 9 作者, 专利号: CN110098832A( 20 ) 一种硅溶胶基磁流变金属抛光液及其制备方法和用途, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109988508A( 21 ) 一种疏水二氧化硅溶胶的制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109987609A( 22 ) 一种用于氧化锆陶瓷的化学机械抛光液及其制备方法和用途, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109988507A( 23 ) 一种氧化铝抛光液的制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN106010297B( 24 ) 多分散大粒径硅溶胶及其制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN106044786A( 25 ) 一种氧化铝抛光液的制备方法, 2016, 专利号: CN106010297A( 26 ) 一种成膜硅溶胶及其制备方法与应用, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105670350A( 27 ) 用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104831235A( 28 ) 一种含有石墨烯的化学机械抛光液, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104592897A( 29 ) 一种用于钛的化学机械抛光液, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104593776A( 30 ) 一种高纯硅酸的制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104591192A( 31 ) 一种改性二氧化硅胶体的制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104556061A( 32 ) 一种纳米二氧化硅的聚合方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104556059A( 33 ) 一种生产低粘度小粒径硅溶胶的方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104556058A( 34 ) 一种含复合磨料的化学机械抛光液, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104559799A( 35 ) 一种线状纳米二氧化硅溶胶及其制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104556060A( 36 ) 一种改性硅溶胶及其制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104559336A( 37 ) 一种多孔二氧化硅的制备方法及其应用, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104556071A( 38 ) 一种含多孔二氧化硅磨料的抛光液及其制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104559927A( 39 ) 一种氧化铝基化学机械抛光液, 2015, 专利号: CN104559798A( 40 ) 一种包含双氧化剂的GST化学机械抛光液及其制备方法和用途, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104403570A( 41 ) 一种废弃硅溶胶回收再利用的方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103910516A( 42 ) 一种非球形二氧化硅溶胶及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103896287A( 43 ) 一种稳定的改性硅溶胶及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103896290A( 44 ) 一种氧化铈复合颗粒及其制备方法和应用, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103896321A( 45 ) 一种GST中性化学机械抛光液, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103897603A( 46 ) 一种聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料的制备方法及其应用, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103897202A( 47 ) 一种计算机硬盘的化学机械抛光液, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103897604A( 48 ) 一种相变存储器结构及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103682094A( 49 ) 一种低功耗相变存储器结构的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103618045A( 50 ) 一种相变材料化学机械抛光方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103497688A( 51 ) 一种相变存储器电极结构的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103500795A( 52 ) 一种水溶性聚苯乙烯-二氧化硅核壳型复合颗粒的制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103497340A( 53 ) 一种高性能水性无机涂料及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103483884A( 54 ) 一种二氧化硅介电材料用化学机械抛光液及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103484024A( 55 ) 确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103158057A( 56 ) 一种中空纤维高温膜组件的封装结构及中空纤维膜组件, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN202666703U( 57 ) 一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102827549A( 58 ) Al衬底用化学机械抛光液, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102757732A( 59 ) 化学机械抛光液, 2012, 专利号: CN102690604A( 60 ) 三维立体结构相变存储器芯片的电路及实现方法, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN101236780B( 61 ) 一种改善相变材料抛光后表面质量的抛光液, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102516878A( 62 ) 一种抑制相变材料电化学腐蚀的抛光液, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102516879A( 63 ) 一种相变材料抛光后清洗液, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102268332A( 64 ) 可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102268224A( 65 ) 一种相变存储材料及其制备方法, 2011, 第 7 作者, 专利号: CN102142518A( 66 ) 三维电阻转换存储芯片制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102122636A( 67 ) 一种化学机械抛光用磨料及其制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN101372560B( 68 ) 三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102064134A( 69 ) 一种硅溶胶晶种的制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101597066B( 70 ) 硫系化合物相变材料抛光后清洗液, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN101935596A( 71 ) 一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101924069A( 72 ) 高密度相变存储器的结构与制备的工艺, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101232038B( 73 ) 纳米复合相变材料及其制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101299453B( 74 ) 一种提高硅衬底化学机械抛光速率的抛光组合物及其应用, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101857774A( 75 ) 一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101834273A( 76 ) 氧化硅-氧化铈核壳复合磨料颗粒及其制备和应用, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101818047A( 77 ) 一种化学机械抛光液回收和重复利用的方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101758457A( 78 ) 一种菱形片状氧化铈的制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101734706A( 79 ) 一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101671538A( 80 ) 一种改性的纳米氧化铈及其制备与应用, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101659850A( 81 ) 一种不锈钢衬底的精密抛光方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101642893A( 82 ) 蓝宝石衬底及抛光方法与应用, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101604666A( 83 ) 一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100517743C( 84 ) 一种水玻璃的制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101462728A( 85 ) 一种用作超纯硅溶胶生产原料的水玻璃的生产方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101462729A( 86 ) 实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: CN101465324A( 87 ) 超纯硅溶胶生产原料用水玻璃的制造方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101462730A( 88 ) 混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101325154A( 89 ) 一种三维互补金属氧化物半导体器件结构的制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100440513C( 90 ) 一种纳米复合相变材料的制备方法, 2008, 第 4 作者, 专利号: CN101299454A( 91 ) 三维互补金属氧化物半导体晶体管的制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: CN100423265C( 92 ) 用于相变存储器的粘附层材料及制备方法, 2008, 第 4 作者, 专利号: CN101241967A( 93 ) 多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法, 2008, 第 6 作者, 专利号: CN101232037A( 94 ) 以低介电常数为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其方法, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN101174640A( 95 ) 一种无碲存储材料、制备方法及应用, 2007, 第 4 作者, 专利号: CN101049934A( 96 ) 一种应用于生物微质量检测的硅基压电薄膜传感器及制作方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101046457A( 97 ) 一种绝缘层上硅结构的制备方法, 2007, 第 4 作者, 专利号: CN1315155C( 98 ) 化学机械抛光液, 2007, 第 3 作者, 专利号: CN1900146A( 99 ) 可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法, 2006, 第 5 作者, 专利号: CN1722462A( 100 ) 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用, 2005, 第 4 作者, 专利号: CN1616572A( 101 ) 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1610127A( 102 ) 一种三维互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1610113A( 103 ) 一种三维多层平面互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1610114A( 104 ) 三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1588642A( 105 ) 一种纳电子相变存储器的制备方法, 2005, 第 3 作者, 专利号: CN1588637A( 106 ) 一种绝缘层上硅结构及制备方法, 2005, 第 4 作者, 专利号: CN1564308A( 107 ) 一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法, 2002, 第 3 作者, 专利号: CN1385906A( 108 ) 一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法, 2002, 第 4 作者, 专利号: CN1359158A
出版信息
发表论文
(1) Effect of Particle Size Distribution, pH, and Na+ Concentration on the Chemical Mechanical Polishing of Sapphire and 4H-SiC (0001), ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 11 作者(2) Effect of Acidic Hydrogen Peroxide and Lysine Slurry on Ovonic Threshold Switch Film in Chemical Mechanical Polishing, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 3 作者(3) Effect of Neotame and pH on LiTaO3 Chemical Mechanical Polishing, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 11 作者(4) Effect of Particle Size and pH Value of Slurry on Chemical Mechanical Polishing of SiO2 Film, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 5 作者(5) Effect of Ferric Nitrate on Semi-Insulating 4H-SiC (0001) Chemical Mechanical Polishing, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 第 2 作者(6) The effect of slurry pH on the chemical mechanical planarization of a carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2022, 第 4 作者(7) Mechanism of titanium-nitride chemical mechanical polishing, Mechanism of titanium-nitride chemical mechanical polishing*, CHINESE PHYSICS B, 2021, 第 11 作者(8) An Ultra-Low Quiescent Current Resistor-Less Power on Reset Circuit, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 第 9 作者(9) MPPT Circuit Using Time Exponential Rate Perturbation and Observation for Enhanced Tracking Efficiency for a Wide Resistance Range of Thermoelectric Generator, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 第 5 作者(10) Chemical Mechanical Polishing of TiN Film with Potassium Permanganate and L-Aspartic Acid in Alkaline Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 5 作者(11) Effect of Diethanolamine as Corrosion Inhibitor for the Chemical Mechanical Polishing of Cobalt in H2O2 Based Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 11 作者(12) Two-Step Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC (0001) Wafer, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 第 2 作者(13) Investigation of Effect of L-Aspartic Acid and H2O2 for Cobalt Chemical Mechanical Polishing, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 11 作者(14) Optimization of driving current and crosstalk effect in epitaxial diode array for phase change memory application, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 8 作者(15) 硅溶胶的有机改性及应用, Organic modification and application of silica sol, 应用化工, 2020, 第 3 作者(16) Review on modeling and application of chemical mechanical polishing, NANOTECHNOLOGY REVIEWS, 2020, 第 11 作者(17) A self-start circuit with asymmetric inductors reconfigurable technology for dual-output boost converter for energy harvesting, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2020, 第 9 作者(18) 3A New High Selectivity Acidic Slurry for Chemical Mechanical Planarizationof Carbon-Doped Ge(2)Sb(2)Te(5)Film, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 11 作者(19) High Removal Rate Cobalt Slurry with Glutathione on Chemical Mechanical Polishing in Alkaline Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 11 作者(20) Chemical Mechanical Planarization of Carbon-Doped Amorphous Ge2Sb2Te5 Film with Hydrogen Peroxide as Oxidizer in Alkaline Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 第 11 作者(21) Near-threshold SIDO DC-DC converter with a high-precision ZCD for phase change memory chip, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2019, 第 5 作者(22) Preparation of Non-spherical Colloidal Silica Nanoparticle and Its Application on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, Preparation of Non-spherical Colloidal Silica Nanoparticle and Its Application on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY-MATERIALS SCIENCE EDITION, 2019, 第 11 作者(23) Structure-induced superhydrophilicity of silica membranes through hybridization and self-assembly of different dispersed nanoparticles, JOURNAL OF MOLECULAR STRUCTURE, 2019, 第 11 作者(24) 一种非球形纳米二氧化硅颗粒制备新方法, An Innovative Preparation Methodology of Non-spherical Nanosize Silica Particle, 材料导报, 2018, 第 2 作者(25) A facile one-step approach to superhydrophilic silica film with hierarchical structure using fluoroalkylsilane, COLLOIDS AND SURFACES A-PHYSICOCHEMICAL AND ENGINEERING ASPECTS, 2018, 第 11 作者(26) 化学机械抛光工艺参数对氧化锆陶瓷抛光速率的影响, Effects of Chemical-mechanical Polishing Parameters on Material Removal Rate of Zirconia Ceramic, 表面技术, 2018, 第 2 作者(27) preparation of Co-doped silica sol and its application in sapphire (1120) polishing, suface technology, 2017, 第 11 作者(28) preparation of nano-spherical colloidal silica nanoparticle and its application on the chemical mechanical polishing of sapphire, 武汉理工大学学报-材料科学版, 2017, 第 11 作者(29) surface modification alumina particles and their chemical mechanical polishing (CMP) behavior on C-plane (0001) sapphire substrate, 无机材料学报, 2017, 第 11 作者(30) Surface Energy Driven Cubic-to-Hexagonal Grain Growth of Ge 2 Sb 2 Te 5 Thin Film, SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 第 9 作者(31) 一种非球形纳米二氧化硅颗粒制备方法研究, 材料导报, 2017, 第 11 作者(32) 新型硅基抛光磨料的研究进展, Research progress of novel silica abrasives, 应用化工, 2017, 第 3 作者(33) Chemical mechanical polishing of Ge2Sb2Te5 in alkaline slurry, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2017, 第 6 作者(34) 氧化铝颗粒的表面改性及其在C平面(0001)蓝宝石衬底上的化学机械抛光(CMP)性质, Surface Modified Alumina Particles and Their Chemical Mechanical Polishing (CMP) Behavior on C-plane (0001) Sapphire Substrate, JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2017, 第 11 作者(35) Fractal nature of non-spherical silica particles via facile synthesis for the abrasive particles in chemical mechanical polishing, COLLOIDS AND SURFACES A-PHYSICOCHEMICAL AND ENGINEERING ASPECTS, 2016, 第 11 作者(36) Species turnover of wetland vegetation in northeastern China: Disentangling the relative effects of geographic distance, climate, and hydro-geomorphology, FLORA, 2016, 第 1 作者(37) Poly disperse spherical colloidal silica particles: Preparation and application, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 11 作者(38) Material Removal Mechanism of Ti0.4Sb2Te3 Film during Chemical Mechanical Polishing in Acidic Permanganate-Based Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 第 2 作者(39) Development and application of a new CMP slurry for phase change memory, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 11 作者(40) A nano-scale mirror-like surface of Ti���6Al���4V attained by chemical mechanical polishing, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 11 作者(41) A candidate Zr-doped Sb2Te alloy for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 8 作者(42) Direct observation of metastable face-centered cubic Sb_2Te_3 crystal, NANO RESEARCH, 2016, 第 6 作者(43) Synthesis of colloid silica coated with ceria nano-particles with the assistance of PVP, CHINESE CHEMICAL LETTERS, 2015, 第 11 作者(44) Effect of Abrasive Concentration on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, Effect of Abrasive Concentration on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, 中国物理快报:英文版, 2015, 第 4 作者(45) 氧化铝抛光液磨料制备及其稳定性研究进展, Research Progress on the Preparation and Stability of Alumina Abrasive Suspensions, 上海第二工业大学学报, 2015, 第 2 作者(46) Effect of Abrasive Concentration on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 11 作者(47) 核壳型多孔氧化硅制备过程中表面活性剂的浓度调控及作用机理, Effect Mechanism of Surfactant Concentration on the Synthesis of Core-shell Mesoporous Silica, 硅酸盐通报, 2015, 第 2 作者(48) The Effect of pH on Sapphire Chemical Mechanical Polishing, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 第 4 作者(49) Effect of the Hydrogen Peroxide on the Ti0.4Sb2Te3 Chemical Mechanical Polishing in Acidic Slurry, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2014, 第 2 作者(50) Chemical mechanical planarization of Ge_2Sb_2Te_5 using IC1010 and Politex reg pads in acidic slurry, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 5 作者(51) Study on the stability of modified colloidal silica with polymer in aqueous environment, COLLOID AND POLYMER SCIENCE, 2014, 第 4 作者(52) Iron trichloride as oxidizer in acid slurry for chemical mechanical polishing of Ge_2Sb_2Te_5, CHINESE PHYSICS B, 2014, 第 4 作者(53) Non-spherical colloidal silica particles���Preparation, application and model, COLLOIDS AND SURFACES A-PHYSICOCHEMICAL AND ENGINEERING ASPECTS, 2014, 第 3 作者(54) Role of the Lysine as a Complexing Agent in Ge2Sb2Te5 Chemical Mechanical PolishingSlurries, ELECTROCHIMICA ACTA, 2014, 第 3 作者(55) 纳米SiO2抛光液的制备及在蓝宝石抛光中的应用, Preparation of Silica-based Slurry and Its Polishing Performance on Sapphire Substrate, 润滑与密封, 2013, 第 4 作者(56) 三维相变存储阵列驱动二极管的制备研究, 功能材料与器件学报, 2013, 第 3 作者(57) 蓝宝石化学机械抛光液作用机制研究, Mechanism of Sapphire Chemical Mechanical Polishing bySi0O Particles, 上海第二工业大学学报, 2013, 第 3 作者(58) Endpoint detection of Ge2Sb2Te5 during chemical mechanical planarization, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2013, 第 4 作者(59) Chemical Mechanical Planarization of Amorphous Ge2Sb2Te5 using KClO4 as oxidizer in Acidic Slurry, 2012 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION STORAGE AND NINTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2013, 第 5 作者(60) Effect of Cations on the Chemical Mechanical Polishing of SiO_(2) Film, Effect of Cations on the Chemical Mechanical Polishing of SiO_2 Film, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者(61) Scaling properties of phase-change line memory, CHINESE PHYSICS B, 2012, 第 4 作者(62) 不同碱和分散剂对蓝宝石基片研磨的影响, Effects of Different Alkaline Agents and Dispersant on the Lapping of Sapphire Substrate, 半导体技术, 2012, 第 2 作者(63) 一种制备单分散超小粒径氧化硅颗粒的新方法, A novel method to prepare monodisperse ultrafine silica particles, 功能材料与器件学报, 2012, 第 2 作者(64) Mechanism of Ge2Sb2Te5 chemical mechanical polishing, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2012, 第 4 作者(65) Chemical mechanical polishing of stainless steel foil as flexible substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2012, 第 3 作者(66) Evaluation of hydrogen peroxide on chemical mechanical polishing of amorphous GST, CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE 2012 (CSTIC 2012), 2012, 第 3 作者(67) Local atomic structure in molten Si 3Sb 2Te 3 phase change material, SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2012, 第 5 作者(68) Chemical Mechanical Polishing of Ge2Sb2Te5 Using Abrasive-Free Solutions of Iron Trichloride, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 6 作者(69) Modified native cellulose fibers���A novel efficient adsorbent for both fluoride and arsenic, JOURNAL OF HAZARDOUS MATERIALS, 2011, 第 6 作者(70) Influence of pH and abrasive concentration on polishing rate of amorphous Ge(2)Sb(2)Te(5) film in chemical mechanical polishing, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2011, 第 2 作者(71) Single-Crystalline CeOHCO3 with Rhombic Morphology: Synthesis and Thermal Conversion to CeO2, CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY, 2011, 第 11 作者(72) 一种新型复合磨料对铜的化学机械抛光研究, Performance of a novel composite abrasive in Cu chemical mechanical polishing, 功能材料与器件学报, 2011, 第 5 作者(73) Phase Change Line Memory Cell Based on Ge2Sb2Te5 Fabricated Using Focused Ion Beam, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 4 作者(74) Effect of hydrogen peroxide concentration on surface micro- roughness of silicon wafer after final polishing, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2011, 第 11 作者(75) Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid, CHINESE PHYSICS B, 2011, 第 4 作者(76) Instability of nitrogen doped Sb2Te3 for phase change memory application, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 5 作者(77) Experimental and theoretical study of silicon-doped Sb2Te3 thin films: Structure and phase stability, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 第 5 作者(78) Ab initio study of Sb 2Se xTe 3��� x ( x=0, 1, 2) phase change materials, SOLID STATE SCIENCES, 2011, 第 6 作者(79) Effect of mechanical process parameters on friction behavior and material removal during sapphire chemical mechanical polishing, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2011, 第 4 作者(80) Experimental and theoretical study of silicon-doped Sb2Te3 thin ?lms: Structure and phase stability, Applied Surface Science, 2011, 第 11 作者(81) UV irradiation gradient induced banded texture in photo-polymerized ethyl-cyanoethyl cellulose/poly(acrylic acid) cholesteric liquid crystalline films and patterns fabrication thereof, COLLOID AND POLYMER SCIENCE, 2011, 第 4 作者(82) 单晶菱形CeOHCO3片状物的制备及其向CeO2的热转换, Single-Crystalline CeOHCO_3 with Rhombic Morphology:Synthesis and Thermal Conversion to CeO_2, 无机化学学报, 2011, 第 3 作者(83) Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid, Origin of high oxide to nitride polishing selectivity of ceria-based slurry in the presence of picolinic acid, 中国物理B, 2011, 第 4 作者(84) Preparation of monodisperse polystyrene/silica core���shell nano-composite abrasive with controllable size and its chemical mechanical polishing performance on copper, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 第 11 作者(85) Complexing Between Additives and Ceria Abrasives Used for Polishing Silicon Dioxide and Silicon Nitride Films, ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2011, 第 4 作者(86) 单晶菱形CeOHCO_3片状物的制备及其向CeO_2的热转换(英文), 无机化学学报, 2011, 第 3 作者(87) Effect of ammonium molybdate concentration on chemical mechanical polishing of glass substrate, Effect of ammonium molybdate concentration on chemical mechanical polishing of glass substrate, 半导体学报, 2010, 第 2 作者(88) Two-Step Chemical Mechanical Polishing of Sapphire Substrate, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 第 2 作者(89) Strain relaxation in nano-patterned strained-Si/SiGe heterostructure on Insulator, INEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2, 2010, 第 11 作者(90) Strain relaxation in nano-patterned strained-Si/SiGe heterostructure on insulator, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 第 11 作者(91) Effect of ammonium molybdate concentration on chemical mechanical polishing of glass substrate, Effect of ammonium molybdate concentration on chemical mechanical polishing of glass substrate, 半导体学报, 2010, 第 2 作者(92) Hierarchical mesoporous silica prepared from ethyl-cyanoethyl cellulose cholesteric liquid crystalline phase, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2010, 第 3 作者(93) Effect of pH and Abrasive Concentration on Chemical Mechanical Polishing of Ge2Sb2Te5, CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE 2010 (CSTIC 2010), 2010, (94) Synthesis, characterization of ceria-coated silica particles and their chemical mechanical polishing performance on glass substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 第 2 作者(95) Strain Stability and Carrier Mobility Enhancement in Strained Si on Relaxed SiGe-on-Insulator, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 第 2 作者(96) Au-197 irradiation study of phase-change memory cell with GeSbTe alloy, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2010, 第 8 作者(97) Investigation on the controllable growth of monodisperse silica colloid abrasives for the chemical mechanical polishing application, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2010, 第 4 作者(98) Effect of abrasive particle concentration on preliminary chemical mechanical polishing of glass substrate, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2010, 第 11 作者(99) Surface modification of ceria nanoparticles and their chemical mechanical polishing behavior on glass substrate, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 第 11 作者(100) 工艺条件对蓝宝石化学机械抛光的影响, Process conditions affected chemical mechanical polishing (CMP) on sapphire, 功能材料与器件学报, 2010, 第 3 作者(101) Modified postannealing of the Ge condensation process for better-strained Si material and devices, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 第 4 作者(102) Germanium surface hydrophilicity and low-temperature Ge layer transfer by Ge-SiO(2) bonding, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 第 2 作者(103) Particle size and surfactant effects on chemical mechanical polishing of glass using silica-based slurry, APPLIED OPTICS, 2010, 第 2 作者(104) Study of the Ge Wafer Surface Hydrophilicity after Low-Temperature Plasma Activation, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2009, 第 3 作者(105) Enhanced surface blistering of germanium with B+/H+ coimplantation, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2009, 第 11 作者(106) Planarization machining of sapphire wafers with boron carbide and colloidal silica as abrasives, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 第 4 作者(107) N+ plasma-assisted wafer bonding between silicon and chemical vapor deposition oxide at low temperature, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2009, 第 11 作者(108) 水玻璃为原料制备纳米氧化硅磨料及应用于硅片抛光(英文), 2009国际粉体技术与应用论坛论文集, 2009, 第 4 作者(109) Tailoring nanowire network morphology and charge carrier mobility of poly(3-hexylthiophene)/c-60 films, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2009, 第 1 作者(110) Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding, Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 第 8 作者(111) Growth of High Quality Strained-Si on Ultra-Thin SiGe-on-Insulator Substrate, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 第 2 作者(112) Fabrication of high Ge content SiGe-on-insulator with low dislocation density by modified Ge condensation, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 第 11 作者(113) Fabrication of single-crystalline LiTaO3 film on silicon substrate using thin film transfer technology, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2008, 第 11 作者(114) Defect Analysis of Silicon-Silicide-on-Insulator Substrates, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2008, 第 2 作者(115) Investigation of SOI Substrates Incorporated with Buried MoSi2 for High Frequency SiGe HBTs, Investigation of SOI Substrates Incorporated with Buried MoSi2 for High Frequency SiGe HBTs, 中国物理快报:英文版, 2008, 第 2 作者(116) Investigation of SOI substrates incorporated with buried MOSi2 for high frequency SiGeHBTs, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 2 作者(117) Material and device properties of ZnO-based film bulk acoustic resonator for mass sensing applications, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2007, 第 3 作者(118) 用smart-cut方法制备GOI材料及研究, Preparation and investigation of GOI material by using smart- cut technology, 功能材料与器件学报, 2007, 第 3 作者(119) 纳米技术时代的高端硅基材料-SOI,sSOI和GOI, SOI,sSOI and GOI������advanced silicon-based materials for the nanotechnology era, 功能材料与器件学报, 2007, 第 2 作者(120) Oxidation of silicon electrochemically etched microchannels Arrays, 2006 1ST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, VOLS 1-3, 2006, 第 5 作者(121) 改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 3 作者(122) SOI在射频电路中的应用, 微电子学, 2005, 第 2 作者(123) 半导体硅片双面超精密化学机械抛光的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 5 作者(124) 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟, Fabrication and Simulation of Silicon-on-Insulator Structure with Si3N4 as a Buried Insulator, 半导体学报, 2005, 第 3 作者(125) 等离子体键合和B+/H+共注实现低温SOI工艺的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 3 作者(126) 基于低温键合技术制备SOI材料的研究, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 3 作者(127) 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟, Fabrication and Simulation of Silicon-on-Insulator Structure with Si3N4 as a Buried Insulator, 半导体学报, 2005, 第 3 作者(128) 以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟(英文), 半导体学报, 2005, 第 3 作者(129) Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理, 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集, 2005, 第 1 作者(130) 硫系化合物随机存储器研究进展, 微纳电子技术, 2004, 第 4 作者(131) SOI在高压器件中的应用, 第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ, 2004, 第 2 作者(132) SOI在射频电路中的应用, 上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会论文集, 2004, 第 2 作者(133) SOI材料和器件及其应用的新进展, 核技术, 2003, 第 3 作者(134) SOI材料中Cu杂质的纳米孔吸杂研究, 中国科学E辑:技术科学, 2003, 第 3 作者(135) SiGe-On-Insulator新结构的SIMOX制备, 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会论文集, 2003, 第 2 作者(136) SOIM新结构与自加热效益, 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集, 2003, 第 3 作者(137) 多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构, 半导体学报, 2003, 第 2 作者(138) SOIM新结构的制备及其性能的研究, 物理学报, 2003, 第 4 作者(139) 高阻SOI在射频电路中的应用优势, 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集, 2003, 第 2 作者(140) H<;'+>;注入对LiTaO<;,3>;单晶结构的影响, 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会论文集, 2003, 第 1 作者(141) 超薄SOI上应变锗硅材料的生长, 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会论文集, 2003, 第 6 作者(142) 一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法, 2002, 第 5 作者(143) 一种器件转移技术, 2001, 第 2 作者(144) 一种改进型微净化室晶片键合装置, 2000, 第 4 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 衬底平坦化核心材料, 负责人, 中国科学院计划, 2023-09--2028-08( 2 ) 高效碳化硅抛光液的研究与应用, 负责人, 地方任务, 2022-06--2024-06( 3 ) 集成电路纳米抛光材料关键技术研发及产业化, 负责人, 地方任务, 2022-01--2023-12( 4 ) 12英寸半导体硅片的抛光液耗材研究, 负责人, 地方任务, 2020-08--2022-07( 5 ) 集成电路用电子级二氧化硅磨料和抛光液研究, 负责人, 国家任务, 2020-08--2022-07( 6 ) 碳化硅晶圆化学机械抛光液的摩擦磨损过程及机理研究, 负责人, 研究所自主部署, 2020-05--2022-04( 7 ) 纳米二氧化硅材料快速生长装置的研制, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2021-12( 8 ) 纳米电子材料产学研联合实验室能力提升, 负责人, 地方任务, 2016-01--2017-12( 9 ) 电子级二氧化硅纳米材料制备新工艺开发及产品应用研究, 负责人, 境内委托项目, 2015-06--2019-05( 10 ) 上海市优秀技术带头人, 负责人, 地方任务, 2014-07--2017-06( 11 ) 面向LED蓝宝石衬底的抛光液与抛光工艺示范线, 负责人, 地方任务, 2011-12--2014-09( 12 ) 45-28nm集成电路用纳米磨料和相变材料抛光液的研究与产业化, 负责人, 国家任务, 2011-01--2013-12( 13 ) 电子级纳米磨料产业化研究及其在IC抛光液中的应用, 负责人, 国家任务, 2009-01--2011-12
参与会议
(1)超平坦硅材料的抛光研究 2024年中国平坦化技术大会暨海峡两岸平坦化技术论坛 刘卫丽 2024-05-28(2)Research on Surface Planarization Technology for Silicon Wafers Weili Liu 2023-06-26(3)碳化硅晶圆高效CMP加工技术 中国5G材料产业创新大会 刘卫丽 2022-03-10(4)CMP纳米磨料和抛光液的制备及应用研究 第五届材料微结构与性能学术会议 2021-04-27(5)The Investigation of SiC CMP with High Efficiency Weili Liu 2021-03-15(6)硬脆性材料的化学机械抛光研究 2018海峽兩岸暨亞太先進基板研磨加工技術研讨会 刘卫丽 2018-05-30(7)氧化锆陶瓷的化学机械抛光 2017上海国际先进陶瓷技术研讨会 刘卫丽 2017-06-07(8)The CMP of sapphire for mobile electronics Weili Liu 2016-05-24(9)Chemical Mechanical Polishing Slurry for Amorphous Ge2Sb2Te5 刘卫丽,王良咏,宋志棠 2013-10-30(10)Overview of CMP Research in China and SIMIT Liu Weili 2013-05-30(11)纳米磨料的研究及其在化学机械抛光上的应用 2012 海峡两岸先进基板研磨加工论坛 刘卫丽 2012-09-13(12)Nano Particles for Chemical Mechanical Planarization Weili Liu, Lei Zhang , Zhitang Song 2011-11-09(13)Nano Particles for Chemical Mechanical Planarization Weili Liu, Zhitang Song 2011-10-31(14)High Purity Nano Abrasive for Chemical Planarization Application Weili Liu 2010-01-04