140100-集成电路科学与工程

高可靠性集成电路与器件工艺研究

   

（ 1 ） 绝缘栅双极晶体管及其制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102891082A

（ 2 ） 微穿通型IGBT器件及其制作方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102856353A

（ 3 ） IGBT器件及其制作方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN102856193A

（ 4 ） 沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102842604A

（ 5 ） 快恢复二极管制造方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102832121A

   

（1） 硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响, Thin Film Thickness Effect on 0.1��m Dimension SOI Groove Gate Device Characteristics, 微电子学与计算机, 2006, 第 4 作者
（2） 0.1μm SOI槽栅CMOS特性仿真, 电子工业专用设备, 2005, 第 3 作者
（3） 0．1μm槽栅CMOS器件及相关特性, 半导体学报, 2005, 第 5 作者
（4） 高速双极晶体管工艺条件的优化研究, 微电子学, 2005, 第 3 作者
（5） 0．1μmSOI槽栅pMOS器件特性, Characteristics of a 0. 11��m SOI Grooved Gate pMOSFET, 半导体学报, 2005, 第 2 作者
（6） 0．5μm高速BiCMOS的工艺研究, 微电子学与计算机, 2005, 第 2 作者

   

（ 1 ） 压点纳米探针台操作技术及极端环境应用验证, 负责人, 国家任务, 2023-12--2026-11
（ 2 ） 新型SOI器件及工艺集成, 参与, 国家任务, 2022-11--2026-10
（ 3 ） SOI高压BCD工艺技术, 参与, 其他, 2019-12--2022-12
（ 4 ） 75瓦P沟道场效应管, 参与, 其他, 2018-06--2019-06
（ 5 ） mos型场效应晶体管, 参与, 其他, 2016-11--2021-06
（ 6 ） FDS6690A VDMOS晶体管, 负责人, 其他国际合作项目, 2009-10--2012-12
（ 7 ） FDS4435 VDMOS 晶体管, 负责人, 其他国际合作项目, 2009-10--2012-12
（ 8 ） MD3250 VDMOS晶体管, 参与, 其他国际合作项目, 2009-10--2011-12
（ 9 ） MOSFET系列晶体管, 参与, 其他国际合作项目, 2008-12--2011-12