基本信息
郭旗  男  博导  中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件: guoqi@ms.xjb.ac.cn
通信地址: 乌鲁木齐北京南路40号附1号
邮政编码: 830011

研究领域

半导体器件的空间辐射效应、损伤机理、模拟试验技术、加固方法及空间辐射环境在轨测量技术等研究。

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085204-材料工程
招生方向
半导体器件的辐射效应
电子材料辐射技术与应用

工作经历

   
工作简历
2008-12--2011-07 中国科学院新疆理化技术研究所 研究员
2002-03--2008-11 中国科学院新疆理化技术研究所 副研究员
1999-01--2002-01 中国科学院新疆物理研究所 副研究员
1993-09--1998-12 中国科学院新疆物理研究所 工程师
1987-09--1993-08 中国科学院新疆物理研究所 助理工程师

专利与奖励

   
专利成果
(1) 对管式差分输出PMOS辐射剂量计,发明,2007,第1作者,专利号:200410094862.1

出版信息

   
发表论文
[1] Cai, YuLong, Guo, Qi, Li, YuDong, Wen, Lin, Zhou, Dong, Feng, Jie, Ma, LinDong, Zhang, Xiang, Wang, TianHui. Heavy ion-induced single event effects in active pixel sensor array. SOLID-STATE ELECTRONICS[J]. 2019, 152(2): 93-99, http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5645.
[2] Zheng, QiWen, Cui, JiangWei, Wei, Ying, Yu, XueFeng, Lu, Wu, Ren, Diyuan, Guo, Qi. Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2018, 35(4): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675544671.
[3] 张兴尧, 郭旗, 李豫东, 文林. 不同偏置下铁电存储器总剂量辐射损伤效应. 太赫兹科学与电子信息学报. 2018, 16(1): 181-185, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000638996.
[4] Zhou, Shuxing, Ai, Likun, Qi, Ming, Wang, Shumin, Xu, Anhuai, Guo, Qi. Bi-induced highly n-type carbon-doped InGaAsBi films grown by molecular beam epitaxy. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE[J]. 2018, 53(5): 3537-3543, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000417731300035.
[5] Zhou, Dong, Wu, Liangcai, Wen, Lin, Ma, Liya, Zhang, Xingyao, Li, Yudong, Guo, Qi, Song, Zhitang. Electron-beam-irradiation-induced crystallization of amorphous solid phase change materials. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS[J]. 2018, 57(4): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000427883300001.
[6] Li, XiaoLong, Lu, Wu, Wang, Xin, Yu, Xin, Guo, Qi, Sun, Jing, Liu, MoHan, Yao, Shuai, Wei, XinYu, He, ChengFa. Estimation of enhanced low dose rate sensitivity mechanisms using temperature switching irradiation on gate-controlled lateral PNP transistor. CHINESE PHYSICS B[J]. 2018, 27(3): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674810698.
[7] 李小龙, 贾金成, 陆妩, 吴雪, 张培健, 孙静, 刘元, 郭旗, 刘默寒, 王信. 双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究. 微电子学. 2018, 48(1): 120-125, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674825010.
[8] Zheng, Qiwen, Cui, Jiangwei, Yu, Xuefeng, Lu, Wu, He, Chengfa, Ma, Teng, Zhao, Jinghao, Ren, Diyuan, Guo, Qi. Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE[J]. 2018, 65(2): 691-697, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000427694700003.
[9] 姚帅, 李小龙, 陆妩, 王信, 郭旗, 何承发, 孙静, 于新, 刘默寒, 贾金成, 魏昕宇. 典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估. 物理学报[J]. 2018, 67(9): 202-209, [10] Ma, Teng, Yu, Xuefeng, Cui, Jiangwei, Zheng, Qiwen, Zhou, Hang, Su, Dandan, Guo, Qi. Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices. MICROELECTRONICS RELIABILITY[J]. 2018, 81(2): 112-116, http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2017.12.016.
[11] 郭旗, 孙静, 冯婕, 曾俊哲, 马林东, 张翔, 王田珲, 文林, 李豫东, 刘元, 何承发. 质子辐射导致CCD热像素产生的机制研究. 微电子学. 2018, 48(1): 115-119, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674825009.
[12] Li, Pei, He, Chaohui, Guo, Hongxia, Guo, Qi, Zhang, Jinxin, Liu, Mohan. An Investigation of ELDRS in Different SiGe Processes. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE[J]. 2017, 64(5): 1137-1141, http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4816.
[13] 冯婕, 李豫东, 文林, 郭旗. CMOS传感器辐射损伤对视觉位姿测量系统性能的影响机制. 红外与激光工程. 2017, 46(0S1): 69-73, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=WD72878974717167504849559049484950.
[14] Ma, Teng, Zheng, QiWen, Cui, JiangWei, Zhou, Hang, Su, DanDan, Yu, XueFeng, Guo, Qi. An Increase in TDDB Lifetime of Partially Depleted SOI Devices Induced by Proton Irradiation. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2017, 34(7): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=673063620.
[15] 李占行, 艾尔肯阿不都瓦衣提, 玛丽娅黑尼, 方亮, 高伟, 高慧, 孟宪松, 郭旗. 1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究. 发光学报. 2017, 38(4): 463-469, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=671846089.
[16] Dai, Pan, Ji, Lian, Tan, Ming, Uchida, Shiro, Wu, Yuanyuan, Abuduwayiti, Aierken, Heini, Maliya, Guo, Qi, Bian, Lifeng, Lu, Shulong, Yang, Hui. Electron irradiation study of room-temperature wafer-bonded four junction solar cell grown by MBE. SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS[J]. 2017, 171(11): 118-122, http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2017.06.046.
[17] Ma, Lindong, Li, Yudong, Guo, Qi, Wen, Lin, Zhou, Dong, Feng, Jie, Liu, Yuan, Zeng, Junzhe, Zhang, Xiang, Wang, Tianhui. Analysis of proton and gamma-ray radiation effects on CMOS active pixel sensors. CHINESE PHYSICS B[J]. 2017, 26(11): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000415072400012.
[18] 荀明珠, 李豫东, 郭旗, 何承发, 于新, 于钢, 文林, 张兴尧. 基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现. 发光学报. 2017, 38(6): 828-834, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=672500589.
[19] 玛丽娅, 郭旗, 艾尔肯, 李豫东, 李占行, 文林, 周东. In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究. 光学学报[J]. 2017, 37(2): 0216002-1, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1146158.
[20] 玛丽娅, 李豫东, 郭旗, 刘昌举, 文林, 汪波. CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究. 发光学报. 2017, 38(2): 182-187, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=671328861.
[21] 崔江维, 郑齐文, 余徳昭, 周航, 苏丹丹, 马腾, 郭旗, 余学峰. 纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法. 固体电子学研究与进展. 2017, 433-437, VIP_JournalArticle.
[22] Zheng, Qiwen, Cui, Jiangwei, Liu, Mengxin, Su, Dandan, Zhou, Hang, Ma, Teng, Yu, Xuefeng, Lu, Wu, Guo, Qi, Zhao, Fazhan. Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin. CHINESE PHYSICS B[J]. 2017, 26(9): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000409471400003.
[23] Sun Jing, Guo Qi, Yu Xin, He ChengFa, Shi WeiLei, Zhang XingYao. Characteristics of p-i-n diodes basing on displacement damage detector. RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY[J]. 2017, 139(10): 11-16, http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5783.
[24] 汪波, 李豫东, 郭旗, 汪朝敏, 文林. 电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应. 发光学报. 2016, 44-49, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=667808190.
[25] 王帆, 李豫东, 郭旗, 汪波, 张兴尧. 温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响. 发光学报. 2016, 332-337, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=668150542.
[26] Yu Dezhao, Zheng Qiwen, Cui Jiangwei, Zhou Hang, Yu Xuefeng, Guo Qi. Total dose responses and reliability issues of 65 nm NMOSFETs. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS[J]. 2016, 37(6): 064016-1-064016-7, [27] 武大猷, 文林, 汪朝敏, 何承发, 郭旗, 李豫东, 曾俊哲, 汪波, 刘元. 电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究. 发光学报. 2016, 711-719, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=669109433.
[28] Zheng, QiWen, Cui, JiangWei, Zhou, Hang, Yu, DeZhao, Yu, XueFeng, Guo, Qi. Hot-Carrier Effects on Total Dose Irradiated 65 nm n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2016, 33(7): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=669386622.
[29] Wang, Xin, Lu, Wu, Ma, WuYing, Guo, Qi, Wang, ZhiKuan, He, ChengFa, Liu, MoHan, Li, XiaoLong, Jia, JinCheng. Radiation Resistance of Fluorine-Implanted PNP Using Gated-Controlled Lateral PNP Transistor Structure. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2016, 33(8): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=669760630.
[30] 王帆, 李豫东, 郭旗, 汪波, 张兴尧, 文林, 何承发. 基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究. 物理学报[J]. 2016, 65(2): 024212-1, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1034276.
[31] 荀明珠, 何承发, 陆妩, 郭旗, 孙静, 刘默寒, 曾骏哲, 王信. 高能56Fe离子入射屏蔽材料的次级粒子模拟分析. 核技术[J]. 2016, 39(6): 32-38, http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4613.
[32] 周航, 崔江维, 郑齐文, 郭旗, 任迪远, 余学峰. 电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究. 物理学报[J]. 2015, 64(8): 250-256, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/956389.
[33] Li Pei, Guo HongXia, Guo Qi, Zhang JinXin, Xiao Yao, Wei Ying, Cui JiangWei, Wen Lin, Liu MoHan, Wang Xin. Single-event response of the SiGe HBT in TCAD simulations and laser microbeam experiment. CHINESE PHYSICS B[J]. 2015, 24(8): http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4890.
[34] 汪波, 李豫东, 郭旗, 刘昌举, 文林, 孙静, 玛丽娅. 0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应. 发光学报. 2015, 242-248, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=70718866504849534850485051.
[35] 郭旗. 质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究. 物理学报 2015年03期. 2015, [36] 郭旗. In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1MeV电子束辐照光致发光谱研究. 物理学报,Vol.64,No.15(2015). 2015, [37] Wang HaiJiao, Li YuDong, Guo Qi, Ma LiYa, Wen Lin, Wang Bo. Room-Temperature Annealing of 1 MeV Electron Irradiated Lattice Matched In0.53Ga0.47As/InP Multiple Quantum Wells. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2015, 32(5): 99-102, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=664786886.
[38] 郭旗. 质子辐射环境下PNP输入型双极运算放大器辐射效应与退火特性. 原子能科学技术,Vol.49,No.11(2015). 2015, [39] 汪波, 李豫东, 郭旗, 文林, 孙静, 王帆, 张兴尧, 玛丽娅. CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应. 强激光与粒子束. 2015, 27(9): 202-206, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=666253927.
[40] 郭旗. 电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析. 物理学报 2015年04期. 2015, [41] 郭旗. Laser-induced Single Event Transients in LOCOS and DTI SiGe HBTs CHIN. PHYS. LETT,Vol. 32, No. 8 (2015). 2015, [42] 郭旗. 锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真. 物理学报,Vol. 64, No. 11(2015). 2015, [43] 陆妩. 12位LC2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应. 原子能科学技术. 2014, [44] 汪波, 李豫东, 郭旗, 刘昌举, 文林, 玛丽娅, 孙静, 王海娇, 丛忠超, 马武英. 60Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究. 物理学报[J]. 2014, 63(5): 313-319, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/902457.
[45] 吴雪, 陆妩, 王信, 郭旗, 张兴尧, 于新. 0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究. 原子能科学技术[J]. 2014, 48(10): 1886-1890, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=662998154.
[46] Zheng Qiwen, Cui Jiangwei, Yu Xuefeng, Guo Qi, Zhou Hang, Ren Diyuan. Enhanced Total Ionizing Dose Hardness of Deep Sub-Micron Partially Depleted Silicon-on-Insulator n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors by Applying Larger Back-Gate Voltage Stress. 中国物理快报:英文版. 2014, 82-84, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=663123537.
[47] Zhang Jinxin, Guo Hongxia, Wen Lin, Guo Qi, Cui Jiangwei, Wang Xin, Deng Wei, Zheng Qiwen, Fan Xue. 3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon–germanium heterojunction bipolar transistors. 半导体学报(英文版). 2014, [48] Zheng QiWen, Yu XueFeng, Cui JiangWei, Guo Qi, Ren DiYuan, Cong ZhongChao, Zhou Hang. Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiation. CHINESE PHYSICS B[J]. 2014, 23(10): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/902523.
[49] Wu Xue, Lu Wu, Guo Qi, Wang Xin, Zhang Xingyao, Yu Xin, Ma Wuying. The total ionizing dose effect in 12-bit, 125 MSPS analog-to-digital converters. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS[J]. 2014, 044008-1, [50] 郭旗. 双极电压比较器电离辐射损伤及剂量率效应分析. 物理学报,2014年02期. 2014, [51] 郭旗. 质子辐照导致科学级CCD电离效应和位移效应分析. 物理学报. 2014, [52] 邓伟, 陆妩, 郭旗, 何承发, 吴雪, 王信, 郑齐文, 张孝富, 郑齐文, 马武英. 变温恒剂量率辐照加速评估方法在双极线性稳压器LM317上的应用. 原子能科学技术. 2014, 48(4): 727-733, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=49359392.
[53] 郑齐文, 余学峰, 崔江维, 郭旗, 任迪远, 丛忠超. 总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究. 物理学报[J]. 2013, 62(11): 378-384, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/735345.
[54] 李豫东, 汪波, 郭旗, 玛丽娅, 任建伟. CCD与CMOS图像传感器辐射效应测试系统. 光学精密工程. 2013, 21(11): 2778-2784, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=47762759.
[55] Wu Xue, Lu Wu, Wang Xin, Guo Qi, He Chengfa, Li Yudong, Xi Shanbin, Sun Jing, Wen Lin. Influence of channel length and layout on TID for 0.18 mu m NMOS transistors. NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES[J]. 2013, 24(6): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/902103.
[56] 王信, 陆妩, 郭旗, 吴雪, 席善斌, 邓伟, 崔江维, 张晋新. 12位LC~2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应. 原子能科学技术. 2013, 47(12): 2355-2360, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=48259027.
[57] 张孝富, 李豫东, 郭旗, 罗木昌, 何承发, 于新, 申志辉, 张兴尧, 邓伟, 吴正新. 60Coγ射线对高铝组分Al0.5Ga0.5N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响. 物理学报[J]. 2013, 62(7): 331-336, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/646703.
[58] 张孝富, 李豫东, 郭旗, 陆妩. Low-Dose 1 MeV Electron Irradiation-Induced Enhancement in the Photoluminescence Emission of Ga-Rich InGaN Multiple Quantum Wells. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2013, 30(7): 135-137, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/735373.
[59] 张兴尧, 郭旗, 陆妩, 张孝富, 郑齐文, 崔江维, 李豫东, 周东. 串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性. 物理学报[J]. 2013, 62(15): 347-352, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/735347.
[60] 郭旗. 重离子导致的锗硅异质结晶体管单粒子效应电荷收集三维数值模拟. 物理学报,2013,62(4). 2013, [61] 张兴尧, 郭旗, 张乐情, 卢健, 吴雪, 于新. Flash存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性. 核技术[J]. 2013, 36(8): 080201-1, [62] 张晋新, 郭红霞, 文林, 郭旗, 崔江维, 范雪, 肖尧, 席善斌, 王信, 邓伟. 锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟. 强激光与粒子束. 2013, 25(9): 2433-2438, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=47114152.
[63] 周东, 郭旗, 任迪远, 李豫东, 席善斌, 孙静, 文林. 大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法. 强激光与粒子束. 2013, 25(2): 485-489, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=44498965.
[64] 郭旗. PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性. Acta Physica Sinica. 2013, [65] Zheng Qiwen, Yu Xuefeng, Cui Jiangwei, Guo Qi, Cong Zhongchao, Zhang Xingyao, Deng Wei, Zhang Xiaofu, Wu Zhengxin. Degradation of the front and back channels in a deep submicron partially depleted SOI NMOSFET under off-state stress. 半导体学报(英文版). 2013, [66] 张乐情, 郭旗, 李豫东, 卢健, 张兴尧, 胥佳灵, 于新. 应用于辐照实验的通用CCD测试电路设计. 半导体技术. 2012, 37(7): 562-566, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=42508695.
[67] 周东, 郭旗, 李豫东, 李明, 席善斌, 许发月, 王飞. 大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法研究. 原子能科学技术. 2012, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=1001977470.
[68] 李豫东, 郭旗, 陆妩, 周东, 何承发, 余学峰. CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究. 原子能科学技术. 2012, 46(3): 346-350, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=41360158.
[69] Lan Bo, Guo Qi, Sun Jing, Cui Jiangwei, Li Maoshun, Chen Rui, Fei Wuxiong, Zhao Yun. Dose-rate effects of p-channel metal oxide semiconductor field-effect transistors at various biasing conditions. 半导体学报[J]. 2010, 054004-1, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=33803165.
[70] 兰博, 郭旗, 孙静, 崔江维, 李茂顺, 费武雄, 陈睿, 赵云. 不同型号PMOSFETS的剂量率效应研究. 核技术. 2010, 33(7): 543-546, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=34573629.
[71] 李鹏伟, 郭旗, 任迪远, 于跃, 兰博, 李茂顺. 电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应. 原子能科学技术. 2010, 44(5): 603-607, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=34112926.
[72] 李鹏伟, 郭旗, 任迪远, 于跃, 王义元, 高博. 电荷耦合器件的^60Coγ射线和电子辐射损伤效应. 原子能科学技术. 2010, 44(1): 124-128, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=33974429.
[73] 牛振红, 郭旗, 任迪远, 高嵩, 刘刚, 戴康. 多结太阳电池辐射损伤的电致发光研究. 固体电子学研究与进展. 2008, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=1000191375.
[74] 牛振红, 郭旗, 任迪远, 刘月, 高嵩. SiGe HBT与Si BJT的^60Coγ射线总剂量辐照效应比较. 固体电子学研究与进展. 2007, 27(3): 317-319, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=25434464.

科研活动

   
科研项目
(1) 应变自组织InGaAs 量子点光电材料的辐射损伤机理研究,主持,国家级,2013-01--2016-12
(2) 总剂量试验技术,主持,国家级,2011-01--2013-12
(3) 星用PMOS剂量计研制,主持,其他级,2010-01--2017-12

指导学生

已指导学生

李鹏伟  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

于跃  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵云  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张乐情  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张孝富  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

周东  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张兴尧  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

孙静  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王海娇  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

武大猷  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

玛丽娅·黑尼  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

马林东  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学