基本信息
陈涌海 男 博导 半导体研究所
电子邮件:yhchen@semi.ac.cn 
电        话:010-82304627
通信地址:北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码:100083
部门/实验室:材料科学重点实验室

教育背景

   
学历
1990年在北京大学获得学士学位,1993年在北京科技大学获得硕士学位,1998年在中科院半导体所获得博士学位,多次前往香港科技大学进行合作研究。
学位
-- 博士

出版信息

   
部分发表论文
(1) Circular photogalvanic effect induced by near-infrared radiation in InAs quantum wires patterned quasi-two-dimensional electron system,APPLIED PHYSICS LETTERS,2011,通讯作者
(2) Abnormal temperature dependent photoluminescence of excited states of InAs/GaAs quantum dots: Carrier exchange between excited states and ground states,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2011,通讯作者
(3) Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2011,通讯作者
(4) Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2011,通讯作者
(5) Valence band offset of InN/BaTiO(3) heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy ,NANOSCALE RESEARCH LETTERS,2011,通讯作者
(6) Spin splitting modulated by uniaxial stress in InAs nanowires ,JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER,2011,通讯作者
(7) Observation of strong anisotropic forbidden transitions in (001) InGaAs/GaAs single-quantum well by reflectance-difference spectroscopy and its behavior under uniaxial strain ,NANOSCALE RESEARCH LETTERS,2011,通讯作者
(8) Photorefractive effects in ZnO nanorod doped liquid crystal cell ,APPLIED OPTICS,2011,通讯作者
(9) Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2011,通讯作者
(10) The transition from two-stage to three-stage evolution of wetting layer of InAs/GaAs quantum dots caused by postgrowth annealing ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2011,通讯作者
(11) Optical properties of InAsSb nanostructures embedded in InGaAsSb strain reducing layer ,PHYSICA E,2011,通讯作者
(12) Optical identification of electronic state levels of an asymmetric InAs/InGaAs/GaAs dot-in-well structure ,NANOSCALE RESEARCH LETTERS,2011,通讯作者
发表著作
(1) 纳米半导体技术,Nanoscale semiconductor technique,化学工业出版社,2006-04,第2作者

科研活动

   
科研项目
(1) 中科院百人计划项目,主持,部委级,2012-01--2014-12
(2) 量子输运中的自旋轨道耦合效应及其调控,主持,国家级,2011-11--2016-08
(3) 半导体量子结构自旋分裂效应及其调控,主持,国家级,2010-01--2013-12

指导学生

已指导学生

周立  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

丁飞  博士研究生  080501-材料物理与化学  

郝国栋  博士研究生  080501-材料物理与化学  

刘根华  博士研究生  080501-材料物理与化学  

贾彩虹  博士研究生  080501-材料物理与化学  

郭玉冰  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

周晓龙  博士研究生  080501-材料物理与化学  

周冠宇  博士研究生  080501-材料物理与化学  

现指导学生

杨昊  博士研究生  080501-材料物理与化学  

蒋崇云  博士研究生  080501-材料物理与化学  

俞金玲  博士研究生  080501-材料物理与化学  

朱来攀  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

秦旭东  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

马惠  博士研究生  080501-材料物理与化学  

武树杰  博士研究生  080501-材料物理与化学  

李远  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

高寒松  博士研究生  080501-材料物理与化学  

张宏毅  博士研究生  080501-材料物理与化学  

研究领域

1)半导体低维结构材料和纳米材料研究,主要包括应变自组织半导体量子点(线)材料、纳米线材料、纳米颗粒等材料的光学性质研究,以及新型光电器件探索;
2 )半导体材料的光学偏振特性研究,主要利用反射差分谱等偏振调制光谱技术,研究半导体材料、量子结构材料的光学各向异性及其物理机制;
3)新型半导体光谱技术及应用,主要包括反射差分谱、微区光谱、时间分辨光谱等光谱技术在半导体材料和物理研究中的应用;
4)半导体自旋电子学研究,主要采用圆偏振自旋光电流等技术研究半导体材料中自旋轨道耦合相关的自旋性质,半导体材料中的自旋操控等。

成果与奖励

先后主持了国家重点基础规划项目和课题、国家自然科学基金重大项目和面上项目、中科院重点项目等十余个科研项目。在国际知名学术刊物上发表SCI论文百余篇,获得国家授权发明专利十余项。曾获2004年国家重点基础研究计划(973)先进个人称号、2006年度杰出青年基金获得者、2009年新世纪百千万人才工程国家级人选、2011年度中科院百人计划入选者等奖励和荣誉。
主要学术成绩
1)在半导体低维结构的光学各向异性研究方面,将反射差分谱应用于半导体界面性质研究,揭示了界面原子偏析、界面结构和应变对量子阱光学偏振性质的重要影响;基于反射差分谱(RDS)技术,提出了一种测量量子阱激子各向异性交换分裂的方法,并演示了应变对激子精细分裂的调控作用; 基于RDS技术,建立了半导体衬底材料表面亚损伤和内应力分布的新型表征技术,可用于我国晶片材料相关高技术企业的产品检测。
2)在半导体纳米材料研究方面,提出并证实了组份调制表面上量子线生长的新模型;创新采用反射差分谱技术,观察到了InAs量子点生长演化中的新现象,揭示了应变自组织生长的物理机制;发现液滴外延生长中的临界现象,提出了浸润层耗尽生长的液滴外延生长模型;针对量子点发光行为,提出了多模尺寸分布量子点载流子通道数学模型、以及考虑了量子点隧穿效应的速率方程模型等。
3)在半导体自旋电子学研究方面,利用单轴应变下的圆偏振自旋光电流(CPGE)技术,首次得到AlGaN/GaN异质结构2DEG体系中自旋轨道耦合系数,首次在常温和宏观尺度下观察到AlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs异质结构中由二维电子气(2DEG)自旋流产生的横向霍尔电流(逆自旋霍尔效应),提出了一种测量净自旋流的光电流方法等。

招生信息

下面写的招生专业是“材料物理与化学”,是这网站系统自动生成的,其实我很想把它改成 “凝聚态物理”。然而更重要的是,不管是你是什么专业,如果你有独立钻研精神,实验动手能力或者理论计算能力强,对物理研究感兴趣,计划以科研为未来职业,欢迎你加入我的研究团队 ^_^ 

招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
半导体材料,半导体光谱技术,半导体自旋电子学