宽禁带半导体器件及电路研发

招收有兴趣在宽禁带半导体器件及电路等领域开展设计、工艺、可靠性等研究的研究生

080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
080902-电路与系统

宽禁带半导体器件及电路研发
半导体缺陷工程

2016-09--2020-01   中国科学院大学   工学博士
2007-09--2010-06   北京工业大学   工学硕士
2003-09--2007-06   湖南师范大学   学士

博士研究生

工学博士

   

2023-01~现在, 中国科学院微电子研究所, 青年研究员
2020-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2013-10~2020-07,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2010-07~2013-10,中国科学院微电子研究所, 研究实习员

   

（1） 高电流密度SiC电力电子器件关键技术及应用, 二等奖, 省级, 2019
（2） SiC电力电子器件关键技术及应用, 省级, 2018

（ 1 ） SEMICONDUCTOR DEVICE AND PREPARATION METHOD THERE OF, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: US 11,508,809

（ 2 ） 半导体器件及其制备方法, 专利授权, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN109216436B

（ 3 ） SiC氧化中SiC-SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法, 专利授权, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN109540969B

（ 4 ） 一种SiC功率MOSFET器件, 发明专利, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN112103345A

（ 5 ） Method for manufacturing grooved MOSFET device based on two-step microwave plasma oxidation, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: US10763105(B2)

（ 6 ） Microwave plasma generating device for plasma oxidation of SiC, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: US10734199(B2)

（ 7 ） 一种沟槽型MOSFET结构及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111403486A

（ 8 ） Silicon carbide MOSFET device and method for manufacturing the same, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: US10680067(B2)

（ 9 ） 微波等离子体装置及等离子体激发方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110049614A

（ 10 ） 一种双沟槽SS-SiC MOSFET结构, 发明专利, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109768091A

（ 11 ） 一种4H-SiC MOSFET功率器件及其制造方法, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109616523A

（ 12 ） 一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109545855A

（ 13 ） SiC氧化中SiC-SiO 2 界面碳杂质类型与位置分布的测定方法, 发明专利, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109540969A

（ 14 ） 基于交流电压下微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件制造方法, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109545687A

（ 15 ） 基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法, 专利授权, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109494147A

（ 16 ） 一种环形温度传感器, 专利授权, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN109341880A

（ 17 ） 紫外探测器及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109301007A

（ 18 ） 紫外探测器及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109301007A

（ 19 ） SiC氧化中SiC-SiO 2 界面碳残留浓度的测定方法及其应用, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109283298A

（ 20 ） 具有微孔微纳结构双耦合谐振腔的微波等离子体发生装置, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108770174A

（ 21 ） 基于两步微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108766887A

（ 22 ） 用于微波等离子体发生装置的微孔微纳结构双耦合谐振腔, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108770175A

（ 23 ） 基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108735607A

（ 24 ） 基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108735607A

（ 25 ） 用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108735570A

（ 26 ） 基于两步微波等离子体氧化的碳化硅氧化方法, 专利授权, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108666206A

（ 27 ） RC-IGBT器件及其制备方法, 专利授权, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN108649068A

（ 28 ） 基于微波等离子体的碳化硅氧化方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108584963A

（ 29 ） 具有CSL输运层的SiC沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法, 专利授权, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108346688A

（ 30 ） 超级结肖特基二极管与其制作方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108336129A

（ 31 ） SiC衬底的图形化方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN108063088A

（ 32 ） 一种碳化硅功率器件终端结构及其制作方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107731905A

（ 33 ） 一种碳化硅器件及其制作方法, 发明专利, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN107658215A

（ 34 ） 一种碳化硅功率器件终端及其制作方法, 发明专利, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN107658213A

（ 35 ） 一种碳化硅器件终端及其制作方法, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107507859A

（ 36 ） 一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法, 专利授权, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107331616A

（ 37 ） 碳化硅功率器件终端及其制作方法, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN107293599A

（ 38 ） 一种基于台面多区复合JTE终端结构的器件及其制作方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107275382A

（ 39 ） 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管, 发明专利, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN104409501B

（ 40 ） 碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法, 专利授权, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN106206323A

（ 41 ） 一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN106158985A

（ 42 ） 一种碳化硅双极结型晶体管, 专利授权, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105957886A

（ 43 ） 一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法, 发明专利, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105225943A

（ 44 ） 一种沟道自对准的碳化硅MOSFET结构及其制造方法, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN105185831A

（ 45 ） 碳化硅MOSFET器件及其制作方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN105161539A

（ 46 ） 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN105070663A

（ 47 ） 一种场限环结终端结构的优化设计方法, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104409477A

（ 48 ） 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管, 实用新型, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104409501A

（ 49 ） 一种插入层复合结构及其制作方法, 发明专利, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104393031A

（ 50 ） 一种宽禁带功率器件场板的制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103606515A

（ 51 ） 一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103578960A

（ 52 ） 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103579375A

（ 53 ） 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103578942A

（ 54 ） 一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103560078A

（ 55 ） 防止钝化层过刻蚀的方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103021840A

（ 56 ） 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103000697A

（ 57 ） 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103000698A

（ 58 ） 一种测量高Al组分AlGaN材料刻蚀诱生界面态参数的方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102944588A

（ 59 ） 一种具有增益的紫外探测器结构及其制备方法, 发明专利, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102931272A

（ 60 ） 一种实现P型SiC材料低温欧姆合金退火的方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102931054A

（ 61 ） 用于P-SiC欧姆接触的界面过渡层复合结构及其制备方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102931224A

（ 62 ） 一种TiO 2 光催化消解装置及其制备方法, 发明专利, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102824902A

（ 63 ） 一种TiO 2 光催化消解装置及其制备方法, 发明专利, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102824902A

（ 64 ） 一种在SiC材料上生长SiO 2 钝化层的方法, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102810465A

（ 65 ） 一种在SiC材料上生长SiO 2 钝化层的方法, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102810465A

（ 66 ） 一种三层复合离子注入阻挡层及其制备、去除方法, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102496559A

（ 67 ） 多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102446721A

（ 68 ） SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102437201A

（ 69 ） SiC肖特基二极管及其制作方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102376779A

   

（1） Deep-Learning-Enhanced Single-Spin Readout in Silicon Carbide at Room Temperature, PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2022, 第 9 作者
（2） A 1200 V SiC Trench MOSFET with a Laterally Widened P-Shield Region to Enhance the Short-Circuit Ruggedness, ELECTRONICS, 2022, 第 7 作者
（3） Analysis of Defects and Electrical Characteristics of Variable-Temperature Proton-Irradiated 4H-SiC JBS Diodes, ELECTRONICS, 2022, 通讯作者
（4） Bias Temperature Instability of 4H-SiC p- and n-Channel MOSFETs Induced by Negative Stress at 200 degrees C, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 第 5 作者
（5） Schottky Barrier Characteristic Analysis on 4H-SiC Schottky Barrier Diodes With Heavy Ion-Induced Degradation, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 第 6 作者
（6） Analysis of Transient Surge Current Mechanism in SiC MPS Diode With the Transition Region, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 通讯作者
（7） A Novel 4H-SiC Trench MOSFET Integrated With Mesa-Sidewall SBD, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 9 作者
（8） Improved electrical properties of NO-nitrided SiC/SiO2 interface after electron irradiation, Improved electrical properties of NO-nitrided SiC/SiO(2)interface after electron irradiation*, CHINESE PHYSICS B, 2020, 第 5 作者
（9） High-mobility SiC MOSFET with low density of interface traps using high pressure microwave plasma oxidation, High-mobility SiC MOSFET with low density of interface traps using high pressure microwave plasma oxidation, CHINESE PHYSICS B, 2020, 第 5 作者
（10） Electro-thermal Analysis of 1.2kV-100A SiC JBS Diodes Under Surge Current Stress, 2019 16TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING & 2019 INTERNATIONAL FORUM ON WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS CHINA (SSLCHINA: IFWS), 2019, 通讯作者
（11） Defects and electrical properties in Al-implanted 4H-SiC after activation annealing, CHINESE PHYSICS B, 2019, 通讯作者
（12） Degradation in electrothermal characteristics of 4H-SiC junction barrier Schottky diodes under high temperature power cycling stress, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 通讯作者
（13） Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures, Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures, 中国物理B：英文版, 2018, 第 3 作者
（14） 1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制, Development of 1 200 V/100 A High Temperature High Current 4H-SiC JBS Diodes, 半导体技术, 2018, 第 1 作者
（15） Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 3 作者
（16） 不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析, Analysis of Interface Properities of Mo/4H-SiC Schottky Contacts at Different Annealing Temperatures, 半导体技术, 2018, 第 4 作者
（17） 4H-SiC沟槽结势垒二极管研制, Development of 4H-SiC trench junction barrier Schottky diodes, 电工电能新技术, 2018, 第 1 作者
（18） High temperature 1 MHz capacitance-voltage method for evaluation of border traps in 4H-SiC MOS system, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 4 作者
（19） 不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀及XRD分析, Analysis of the Inhomogeneous Barrier and XRD of Mo/4H-SiC Schottky Contacts Formed at Different Annealing Temperatures, 微纳电子技术, 2018, 第 4 作者

   

（ 1 ） 宽禁带SiC器件及电路研制及特性研究, 负责人, 国家任务, 2021-10--2026-12
（ 2 ） 中高压 SiC 超级结电荷平衡理论研究及器件研制, 负责人, 国家任务, 2021-12--2025-11
（ 3 ） 高功率密度SiC器件及模块热电特性及可靠性研究, 负责人, 地方任务, 2022-01--2024-12
（ 4 ） 轨道交通用SiC 器件/模块可靠性评估研究, 负责人, 地方任务, 2019-11--2023-06
（ 5 ） SiC SBD关键制造技术开发, 负责人, 国家任务, 2013-01--2019-12