辐射效应机理
抗辐射加固技术

物理、核物理、微电子

070205-凝聚态物理
082703-核技术及应用
080901-物理电子学

电子器件辐射效应机理及加固技术

2015-09--2020-07   中国科学院近代物理研究所   理学博士学位

博士研究生

理学博士

   

2022-11~2023-07,中国科学院近代物理研究所, 副研究员
2020-08~2022-11,中国科学院近代物理研究所, 助理研究员

   

（ 1 ） 提高主动延迟滤波器件抗单粒子翻转效应的方法和系统, 专利授权, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115356609A

（ 2 ） 一种倒封装器件单粒子效应测试方法、系统、设备和介质, 专利授权, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115356610A

（ 3 ） 一种宽范围LET值测量标定系统及方法, 专利授权, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115356608A

（ 4 ） 一种重离子束流均匀度测试系统和方法, 发明专利, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN111366968B

（ 5 ） 一种FPGA内部资源甄别与定位方法及系统, 专利授权, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN110347595A

   

（1） Heavy Ion Displacement Damage Effect in Carbon Nanotube Field Effect Transistors, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2023, 第 3 作者
（2） The Effects of Total Ionizing Dose on the SEU Cross-Section of SOI SRAMs, ELECTRONICS, 2022, 通讯作者
（3） 重离子在SiC，GaN，Ga_（2）O_（3）宽禁带半导体材料及器件中的辐照效应研究, Irradiation Effects of Heavy Ions in SiC,GaN,Ga_(2)O_(3) Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, 现代应用物理, 2022, 第 5 作者
（4） 重离子辐照引起磁性隧道结功能失效类型及机理研究, Investigation of Types and Mechanisms of MTJ Function Failure Induced by Heavy Ion Irradiation, 原子核物理评论, 2021, 第 1 作者
（5） 22nm FD-SOI 静态随机存储器的可靠性研究, Reliability Study of 22 nm FD-SOI Static Random Access Memory, 微电子学, 2021, 第 4 作者
（6） Neutron-induced single event upset simulation in Geant4 for three-dimensional die-stacked SRAM, Neutron-induced single event upset simulation in Geant4 for three-dimensional die-stacked SRAM*, CHINESE PHYSICS B, 2021, 第 8 作者
（7） Geant4 simulation of proton-induced single event upset in three-dimensional die-stacked SRAM device, Geant4 simulation of proton-induced single event upset in three-dimensional die-stacked SRAM device, CHINESE PHYSICS B, 2020, 第 6 作者
（8） Evaluation Method of Heavy-Ion-Induced Single-Event Upset in 3D-Stacked SRAMs, ELECTRONICS, 2020, 第 1 作者
（9） Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 第 3 作者
（10） An investigation of FinFET single-event latch-up characteristic and mitigation method, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 第 5 作者
（11） SEU tolerance improvement in 22 nm UTBB FDSOI SRAM based on a simple 8T hardened cell, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 
（12） Critical Range of Heavy-ions in 3D Stacked SRAM Memory, Critical Range of Heavy-ions in 3D Stacked SRAM Memory, 中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版, 2019, 第 1 作者
（13） Heavy ion irradiation induced hard error in MTJ of the MRAM memory array, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 
（14） Heavy-ion and pulsed-laser single event effects in 130-nm CMOSbased thin/thick gate oxide anti-fuse PROMs, NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2019, 第 7 作者
（15） 总剂量和重离子协同作用下浮栅单元错误的退火特性研究, Annealing behavior study on floating gate errors induced byγfollowed by heavy ion irradiation, 核技术, 2019, 第 4 作者
（16） SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA, ELECTRONICS, 2019, 第 3 作者
（17） Heavy-Ion Induced Single Event Upsets in Advanced 65 nm Radiation Hardened FPGAs, ELECTRONICS, 2019, 第 7 作者
（18） Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 第 6 作者
（19） Heavy-ion and pulsed-laser single event effects in 130-nm CMOSbased thin/thick gate oxide anti-fuse PROMs, Heavy-ion and pulsed-laser single event effects in 130-nm CMOSbased thin/thick gate oxide anti-fuse PROMs, 核技术:英文版, 2019, 第 7 作者
（20） 电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响, Impact of Total Ionizing Dose on Single Event Upset Sensitivity of Nano-SRAMs Devices, 原子核物理评论, 2019, 第 6 作者
（21） Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 4 作者
（22） Anomalous annealing of floating gate errors due to heavy ion irradiation, NUCLEAR INST. AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH, B, 2018, 第 9 作者
（23） 重离子辐照带有ECC的65 nm SRAM器件“伪多位翻转”特性研究, Radiation-Induced "Fake MBU" by Heavy Ion in 65 nm SRAM with ECC, 原子核物理评论, 2018, 第 10 作者
（24） Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells, Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells, 中国物理B：英文版, 2018, 第 4 作者
（25） Anomalous annealing of floating gate errors due to heavy ion irradiation, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 第 9 作者

   

（ 1 ） 先进纳米FinFET器件超高能重离子单粒子效应研究, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12
（ 2 ） 先进封装器件超高能重离子辐照损伤机制及评估技术研究, 负责人, 中国科学院计划, 2021-10--2023-10
（ 3 ） 先进封装器件超高能重离子辐照损伤机制及评估技术研究, 负责人, 企业委托, 2021-06--2024-06
（ 4 ） 高速网络交换电路的单粒子误码率评估技术研究, 负责人, 企业委托, 2022-12--2024-06

（1）先进纳米器件单粒子效应研究   第二十四届全国可靠性物理年会   2023-03-08

   

国防科技大学

哈尔滨工业大学

中国科学院微电子所

航天微电子技术研究所