基本信息
马英杰  男  硕导  中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: mayingjie@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海市玉田路500号
邮政编码:

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
0805Z2-半导体材料与器件
080901-物理电子学
招生方向
半导体物理;半导体材料
半导体光电器件;半导体工艺
红外探测器;焦平面探测器

教育背景

2009-09--2014-06   复旦大学   博士
2005-09--2009-06   华东理工大学   本科

工作经历

   
工作简历
2018-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2016-07~2018-03,美国加州大学洛杉矶分校, 访问学者
2014-07~2018-08,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员/副研究员

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 2-3 微米波段InP 基无锑量子阱激光器材料、器件及应用, 三等奖, 省级, 2015
专利成果
( 1 ) 一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层生长方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201611153882.0
( 2 ) 一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201510947270.8
( 3 ) 一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201610847176.X
( 4 ) 一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201410729324.9
( 5 ) 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: ZL201510952593.6
( 6 ) 一种宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器及其制造方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910246107.7
( 7 ) 一种InGaAs雪崩焦平面探测器的串扰抑制结构, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910246111.3
( 8 ) 一种高均匀性单光子面光源的产生装置, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201911125208.5

出版信息

   
发表论文
(1) Surface Leakage Behaviors of 2.6 μm In0.83Ga0.17As Photodetectors as a Function of Mesa Etching Depth, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2020, 通讯作者
(2) 短波红外InGaAs 焦平面探测器研究进展, Developments of short-wave infrared InGaAs focal plane detectors, 红外与激光工程, 2020, 第 9 作者
(3) Towards Surface Leakage Free High Fill-Factor Extended Wavelength InGaAs Focal-Plane Arrays, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2019, 第 1 作者
(4) Broadband high quantum efficiency InGaAs/InP focal plane arrays via high precision plasma thinning, Optics Letters, 2019, 第 3 作者
(5) Improved performances of 2. 6 μm In0. 83 Ga0. 17 As /InP photodetectors on digitally-graded metamorphic pseudo-substrates, J. Infrared Millim. Waves, 2019, 第 3 作者
(6) Deep levels analysis in wavelength extended InGaAsBi photodetector, Semicond. Sci. Technol., 2019, 第 5 作者
(7) Monolithically grown 2.5μmInGaAs photodetector structures on GaP and GaP/Si (001) substrates, Mater. Res. Express, 2019, 第 4 作者
(8) Mid-infrared type-I InAs/In0.83Al0.17As quantum wells grown on GaP and InP by gas source molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2019, 第 7 作者
(9) Optimization of In0.6Ga0.4As/InAs electron barrier for In0.74Ga0.26As detectors grown by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2019, 第 3 作者
(10) Growth mechanisms for InAs/GaAs QDs with and without Bi surfactants, Mater. Res. Express, 2019, 第 3 作者
(11) Electron-initiated low noise 1064 nm InGaAsP/InAlAs avalanche photodetectors, Optics Express, 2018, 第 1 作者
(12) A versatile digitally-graded buffer structure for metamorphic device applications, Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 第 1 作者
(13) InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化, Optimization of growth temperatures for InAlAs metamorphic buffers and high indium InGaAs on InP substrate, J. Infrared Millim. Waves, 2018, 第 8 作者
(14) Correction of FTIR acquired photodetector response spectra from midinfrared to visible bands using onsite measured instrument function, Infrared Physics & Technology, 2018, 第 6 作者
(15) IGA-rule 17 for performance estimation of wavelength-extended InGaAs photodetectors: validity and limitations, Applied Optics, 2018, 第 4 作者
(16) Improved performance of In0.83Ga0.17As/InP photodetectors through modifying the position of In0.66Ga0.34As/InAs superlattice electron barrier, Infrared Physics & Technology, 2018, 第 3 作者
(17) Growth temperature optimization of GaAs-based In0.83Ga0.17As on InxAl1-xAs buffers, Journal of Crystal Growth, 2018, 第 3 作者
(18) 3 μm InAs quantum well lasers at room temperature on InP, Appl. Phys. Lett., 2018, 第 4 作者
(19) Mid-infrared emissions from In(Ga)As quantum wells grown on GaP/Si(001) substrates, AIP Advances, 2018, 第 5 作者
(20) Improved performance of high indium InGaAs photodetectors with InAlAs barrier, Jpn. J. Appl. Phys., 2018, 第 4 作者
(21) Enhanced Carrier Multiplication in InAs Quantum Dots for Bulk Avalanche Photodetector Applications, Advanced Optical Materials, 2017, 第 1 作者
(22) 2.25 μm Avalanche Photodiodes Using Metamorphic Absorber and Lattice-Matched Multiplier on InP, IEEE Photonics Technology Letters, 2017, 第 1 作者
(23) Study on the performance of 2.6 mm In0.83Ga0.17As detector with different etch gases, Infrared Physics & Technology, 2017, 第 6 作者
(24) InP-based pseudomorphic InAs/InGaAs triangular quantum well lasers with bismuth surfactant, Applied Optics, 2017, 第 4 作者
(25) Metamorphic InAs quantum well lasers on InP substrates with different well shapes and waveguides, Journal of Crystal Growth, 2017, 第 4 作者
(26) Anisotropic strain relaxation of Si-doped metamorphic InAlAs graded buffers on InP, J. Phys. D: Appl. Phys., 2017, 第 4 作者
(27) Impact of etching on the surface leakage generation in mesa-type InGaAs/InAlAs avalanche photodetectors, Optics Express, 2016, 第 1 作者
(28) Bi2Te3 photoconductive detectors on Si, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 4 作者
(29) Metamorphic InAs1-xBix/In0.83Al0.17As quantum well structures on InP for midinfrared emission, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 4 作者
(30) Nearly lattice-matched short-wave infrared InGaAsBi detectors on InP, Applied Physics Letters, 2016, 第 4 作者
发表著作
(1) 半导体光谱测试方法与技术, 科学出版社(北京), 2016-01, 第 3 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于高铟异变结构的铟镓砷红外APD波长扩展研究, 主持, 国家级, 2017-01--2019-12
( 2 ) 航天激光三维成像近红外APD研究, 参与, 国家级, 2017-01--2020-12
( 3 ) Design of waveguide InGaAs/InAlAs APDs towards 50-GHz bandwidth and beyond, 主持, 院级, 2017-12--2019-09
( 4 ) 波长扩展InGaAs大面积高性能探测材料及器件研究, 参与, 国家级, 2016-07--2020-12

合作情况