基本信息
王军喜  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: jxwang@semi.ac.cn
通信地址: 北京912信箱
邮政编码: 100083
部门/实验室:半导体照明研发中心

研究领域

半导体光电子材料与器件

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
080903-微电子学与固体电子学
085204-材料工程
招生方向
氮化物材料制备技术研究,深紫外LED材料生长和器件制备技术
大功率白光LED器件制备技术,氮化物光电子器件
GaN基光电子材料和器件

教育背景

2000-09--2003-06   中国科学院半导体研究所   博士
1998-09--2000-06   西北大学   硕士
1994-09--1998-06   西北大学   学士
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2003-07~现在, 中国科学院半导体研究所, 助研/副研究员/研究员
社会兼职
2016-06-01-今,中国照明学会农业照明专业委员会, 副主任委员
2016-04-16-今,中国材料研究学会, 理事
2014-11-01-今,国家半导体照明研发及产业联盟, 副秘书长
2014-07-01-今,北京市第三代半导体材料及应用工程技术研究中心, 主任
2010-12-06-今,中国科学院半导体照明研发中心, 副主任

教授课程

宽禁带半导体发光材料
材料科学与工程讲座

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术, 二等奖, 国家级, 2015
(2) 低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术, 二等奖, 国家级, 2014
(3) 高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术, 一等奖, 省级, 2012
(4) 高性能GaN外延材料, 二等奖, 省级, 2012
专利成果
( 1 ) 氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法, 发明, 2016, 第 5 作者, 专利号: 201610373179.4
( 2 ) GaN基肖特基二极管整流器, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: 15/039,701
( 3 ) 一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备方法, 发明, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201610318436.4
( 4 ) 氮化镓基微纳米锥结构发光二极管及其制备方法, 发明, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201610108576.9
( 5 ) 一种光色可调发光二极管及其制备方法, 发明, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201610085664.1
( 6 ) Packaging structure of light emitting diode and method of manufacture the same, 发明, 2016, 第 4 作者, 专利号: US9246052B2
( 7 ) 用于测试LED阵列光源性能的夹具及夹具组件, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: ZL. 201310432177.4
( 8 ) 表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: ZL. 201310193912.0
( 9 ) 半导体发光器件或模组在线多功能测试系统及方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: 201310296013.3
( 10 ) 全光谱LED光源模组, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: 201520341707.9
( 11 ) 测试可见光通信系统中光源性能的装置, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: 201210579519.0
( 12 ) 紫外发光二极管结构, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: 201310057268.4
( 13 ) 包含P型超晶格的增强型高电子迁移率晶体管及制备方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201710548788.3
( 14 ) 一种微LED器件阵列单元的制作方法, 发明, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201710520669.7
( 15 ) 芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法, 发明, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201710399111.8
( 16 ) 一种催化CVD法自生长石墨烯透明导电薄膜的方法, 发明, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201710247244.3
( 17 ) 完全植入式光学医疗器械, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201710158704.5
( 18 ) 光刺激及信号采集探针, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201710158896.X
( 19 ) 无衬底GaN基LED单颗晶粒及其制备方法, 发明, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201710148171.2
( 20 ) 采用变温PL谱获取半导体材料杂质电离能的无损测量方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201710122157.5
( 21 ) 在MOCVD中测量半导体薄膜杂质电离能的无损测量方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201710122173.4
( 22 ) 一种匀化白光光源及其匀化方法, 发明, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201710094643.0
( 23 ) 一种增强型氮化物场效应晶体管及其制备方法, 发明, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201710091485.3
( 24 ) 高光出射效率的LED芯片及其制备方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201710037478.5
( 25 ) 同时用于照明与通信的激光光源装置, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201710016967.2
( 26 ) 三基色激光器实现均光照明的系统, 发明, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201710017047.2
( 27 ) 一种LED芯片的图形化基板结构及其制备方法, 发明, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201611234219.3
( 28 ) 一种杀菌消毒的装置, 发明, 2016, 第 5 作者, 专利号: 201611216944.8
( 29 ) 一种杀菌消毒的装置, 实用新型, 2016, 第 5 作者, 专利号: 201621432428.4
( 30 ) 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表, 发明, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201611164611.5
( 31 ) 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201621376010.6
( 32 ) 紫外发光二极管器件的制备方法, 发明, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201611114395.3
( 33 ) 一种LED芯片的图形化基板及其制备方法, 发明, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201611052405.5
( 34 ) LED倒装基板的结构, 实用新型, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201621273609.7
( 35 ) 非平面硅衬底LED器件及其制作方法, 发明, 2016, 第 5 作者, 专利号: 201611027044.9
( 36 ) 单晶体声波器件及制备方法, 发明, 2016, 第 5 作者, 专利号: 201611001710.1
( 37 ) 隐形切割制备正、倒和倒梯形台状衬底的LED芯片的方法, 发明, 2016, 第 5 作者, 专利号: 201610825825.6

出版信息

   
发表论文
(1) Ultrafast growth of horizontal GaN nanowires by HVPE through flipping the substrate, nanoscale, 2018, 第 10 作者
(2) Crystallographic orientation control and optical properties of GaN nanowires, The Royal Society of Chemistry, 2018, 第 8 作者
(3) Highly Uniform White Light-Based Visible Light Communication Using Red, Green, and Blue Laser Diodes, IEEE Photonics Journal, 2018, 第 7 作者
(4) Composite degradation model and corresponding failure mechanism for mid-power GaN-based white LEDs, AIP Advances, 2018, 第 7 作者
(5) Exploration of photosensitive polyimide as the modification layer in thin film microcircuit, journal of semiconductors, 2018, 第 5 作者
(6) 71-Mbit/s ultraviolet-B LED communication link based on 8-QAM-OFDM modulation, optics express, 2017, 第 10 作者
(7) AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes on sputter-deposited AlN templates with epitaxial AlN/AlGaN superlattices, Superlattices and Microstructures, 2017, 第 9 作者
(8) Aluminum nitride-on-sapphire platform for integrated high-Q microresonators, optics express, 2017, 第 10 作者
(9) Characteristics of III-nitride based laser diode employed for short range underwater wireless optical communications, Optics Communications, 2017, 第 6 作者
(10) Deep-ultraviolet stimulated emission from AlGaN/AlN multiple-quantum-wells on nano-patterned AlN/sapphire templates with reduced threshold power density, Journal of Alloys and Compounds, 2017, 第 6 作者
(11) Effects of etching conditions on surface morphology of periodic inverted trapezoidal patterned Si(100) substrate, OPTOELECTRONICS LETTERS, 2017, 第 8 作者
(12) Enhancing light coupling and emission efficiencies of AlGaN thin film and AlGaN/GaN Multiple Quantum Wells with periodicity-wavelength matched nanostructure array, Nanoscale, 2017, 第 6 作者
(13) Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/ sapphire substrate by metal–organic chemical vapor deposition, CrystEngComm, 2017, 第 10 作者
(14) Influence of lateral growth on the optical properties of GaN nanowires grown by hydride vapor phase epitaxy, Shaoteng Wu, Liancheng Wang, Xiaoyan Yi, Zhiqiang Liu, Tongbo Wei, Guodong Yuan, Junxi Wang, and Jinmin Li, 2017, 第 8 作者
(15) Integrated continuous-wave aluminum nitride Raman laser, optica, 2017, 第 10 作者
(16) Light extraction enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by substrate sidewall roughening, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 通讯作者
(17) Nanostructure nitride light emitting diodes via the Talbot effect using improved colloidal photolithography, Nanoscale, 2017, 第 7 作者
(18) Optically pumped lasing with a Q-factor exceeding 6000 from wet-etched GaN micro-pyramids, optics letters, 2017, 第 9 作者
(19) Research on phosphor-conversion laser-based white light used as optical source of VLC and illumination, Opt Quant Electron, 2017, 第 4 作者
(20) Sapphire substrate sidewall shaping of deep ultraviolet light-emitting diodes by picosecond laser multiple scribing, Applied Physics Express, 2017, 通讯作者
(21) Selective-area growth of periodic nanopyramid light-emitting diode arrays on GaN/sapphire templates patterned by multiple-exposure colloidal lithography, Nanotechnology, 2017, 第 9 作者
(22) The effect of AlN/AlGaN superlattices on crystal and optical properties of AlGaN epitaxial layers, Journal of Semiconductors, 2017, 第 6 作者
(23) Ultraviolet Wavelength Identification Using Energy Distribution of Hot Electrons, ACS OMEGA, 2017, 第 4 作者
(24) Van der Waals epitaxy of GaN-based light-emitting diodes on wet-transferred multilayer graphene film, Japanese Journal of Applied Physics, 2017, 第 10 作者
(25) Recombination Dynamics of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells With Different Well Thickness, MRS Advances, 2016, 第 4 作者
(26) Analysis of Photoluminescence Thermal Quenching: Guidance for the Design of Highly Effective p-type Doping of Nitrides, Scientific Reports, 2016, 第 6 作者
(27) Selective Area Growth and Characterization of GaN Nanorods Fabricated by Adjusting the Hydrogen Flow Rate and Growth Temperature with Metal Organic Chemical Vapor Deposition, CHIN. PHYS. LETT., 2016, 第 8 作者
(28) 氮化物深紫外LED研究新进展, SCIENTIA SINICA Physica, Mechanica & Astronomica, 2015, 第 1 作者
(29) Enhancement of the modulation bandwidth for GaN-based light-emitting diode by surface plasmons, Optics Express, 2015, 第 4 作者
(30) Multiple-exposure colloidal lithography for enhancing light output of GaN-based light-emitting diodes by patterning Ni/Au electrodes, Optics Express, 2015, 第 4 作者
(31) AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on High-quality AlN template using MOVPE, Journal of Crystal Growth, 2015, 第 2 作者
(32) Efficiency improvementofInGaNlightemittingdiodeswithembedded, Journal of Crystal Growth, 2015, 第 3 作者
(33) The improvement of GaN-based light-emitting diodes using nanopatterned sapphire substrate with small pattern spacing, AIP ADVANCES, 2014, 第 3 作者
(34) Investigation of Efficiency and Droop, IEEE Photonics, 2014, 第 4 作者
(35) Characterization of nitride-based LED materials, Surf. Interface Anal., 2014, 第 3 作者
(36) Enhanced light extraction of InGaN emitting diodes with photonic crystal selectively grown on p-GaN using nanospherical-lens lithography, J. Semicond., 2013, 第 3 作者
(37) Ferromagnetism and its stability in n-type Gd-doped GaN: First-principles calculation, Appl. Phys. Lett. , 2012, 通讯作者
(38) Ultraviolet electroluminescence from ordered ZnO nanorod array/p-GaN light emitting diodes, Appl. Phys. Lett., 2012, 第 4 作者
(39) Localized surface plasmon-enhanced electroluminescence from ZnO-based heterojunction light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. , 2011, 第 4 作者
(40) 
发表著作
(1) LED器件与工艺技术, 电子工业出版社, 2015-09, 第 2 作者
(2) III族氮化物发光二极管技术及其应用, 科学出版社, 2016-03, 第 2 作者
(3) 半导体照明概论, 电子工业出版社, 2016-05, 第 5 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 深紫外LED制备和应用技术研究, 参与, 国家级, 2011-01--2013-12
( 2 ) 高效氮化镓基绿光LEDs的研究, 主持, 国家级, 2014-01--2018-12
( 3 ) 第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术, 主持, 国家级, 2016-07--2021-06
参与会议
(1)Research Progress on AlGaN-based Ultraviolet   2017-09-18
(2)深紫外发光二极管的研究现状及发展趋势   第二届全国宽禁带半导体学术会议   2017-08-10
(3)Al-rich Nitride-Based UV Emitters with Micro-nano Fabrication Techniques   第三届中韩纳米材料及光电应用研讨会   2016-11-24

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生

已指导学生

贠利君  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

张宁  博士研究生  080501-材料物理与化学  

羊建坤  博士研究生  080501-材料物理与化学  

冯向旭  博士研究生  080501-材料物理与化学  

董鹏  博士研究生  080501-材料物理与化学  

付丙磊  博士研究生  080501-材料物理与化学  

张勇辉  博士研究生  080501-材料物理与化学  

朱邵歆  博士研究生  080501-材料物理与化学  

黄宇亮  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

任鹏  博士研究生  080501-材料物理与化学  

赵云  博士研究生  080501-材料物理与化学  

张硕  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

郭亚楠  博士研究生  080501-材料物理与化学  

熊卓  博士研究生  080501-材料物理与化学  

现指导学生

吴卓辉  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵捷  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

冯梁森  博士研究生  080501-材料物理与化学  

张翔  博士研究生  080501-材料物理与化学  

梁冬冬  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

杨帅  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨宇铭  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张亮  博士研究生  080501-材料物理与化学  

王大地  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

王新维  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学