氮化物半导体材料与二维材料交叉领域

   

080903-微电子学与固体电子学

氮化物半导体材料
低维纳米材料
光电子器件

2014-09--2019-06   吉林大学   博士
2010-09--2014-06   吉林大学   学士

博士研究生

工学博士

   

2022-09~现在, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 副研究员
2019-07~2022-09,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 助理研究员

   

（1） 氮化物深紫外LED材料与器件关键技术研究, , 研究所（学校）, 2021
（2） 长春光机所“曙光”人才, 研究所（学校）, 2021

（ 1 ） 一种多色探测器及制备方法, 发明专利, 2023, 第 9 作者, 专利号: CN202310064034.6

（ 2 ） 一种二维纳米图形化衬底及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN202211646649.1

（ 3 ） 基于双层金属微纳和石墨烯复合结构的半导体外延结构及其制备方法和应用, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN202211646640.0

（ 4 ） 一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN202211646481.4

（ 5 ） 一种图形化h-BN薄膜及MIS半导体器件的制备方法, 发明专利, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN202211646481.4

（ 6 ） 一种反应腔系统及其实现AlGaN组分调制的方法, 专利授权, 2022, 第 7 作者, 专利号: CN114395805A

（ 7 ） 一种基于金属衬底的氮化物模板及其制备方法和应用, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN202210241364.3

（ 8 ） 一种氮化物横向极性结及其制备方法、深紫外发光二极管, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN113948543A

（ 9 ） 一种探测芯片及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113140652A

（ 10 ） 一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置及成像方法, 发明专利, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN112822351A

（ 11 ） 基于范德华外延的GaN基单片集成白光LED及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN111816741B

（ 12 ） 单片集成氮化物发光波长可调节的白光LED及制备方法, 发明专利, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN112802869A

（ 13 ） 一种N极性氮化物模板、N极性氮化物器件及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112786751A

（ 14 ） 一种中子辐射探测器, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112599620A

（ 15 ） 一种低欧姆接触电阻的深紫外发光二极管及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112563381A

（ 16 ） 一种AlGaN单极载流子日盲紫外探测器及其制备方法, 专利授权, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112038448B

（ 17 ） 一种喷淋头清洁装置, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112317196A

（ 18 ） 一种基于氮化硼的紫外/红外双色探测器, 专利授权, 2021, 第 7 作者, 专利号: CN110649108B

（ 19 ） 一种基于石墨烯电极的垂直结构深紫外LED及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112242469A

（ 20 ） 基于微图案化石墨烯的Micro-LED阵列及其制备方法、显示装置, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN112103305A

（ 21 ） 一种深紫外LEDs制备方法及深紫外LEDs, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202011610434.5

（ 22 ） 一种垂直量子阱结构AlGaN深紫外LED及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111987194A

（ 23 ） 一种具有石墨烯插入层的AlGaN基紫外探测器及其制备方法, 专利授权, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111370509B

（ 24 ） 一种360度超大广角紫外探测器, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111668336A

（ 25 ） 一种用于半导体材料外延生长设备中的托盘, 发明专利, 2020, 第 7 作者, 专利号: CN111455353A

（ 26 ） 单层石墨烯的双面掺杂及多层石墨烯的双侧掺杂方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111333058A

（ 27 ） 基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110963484A

（ 28 ） 一种制备同质集成光通信芯片的方法, 发明专利, 2019, 第 8 作者, 专利号: CN110600582A

（ 29 ） 利用光刻胶支撑层无损转移并图案化石墨烯的方法及应用, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN108428794B

   

（1） Improved Optical and Electrical Characteristics of GaN-Based Micro-LEDs by Optimized Sidewall Passivation, MICROMACHINES, 2023, 第 5 作者
（2） Plasmonic-enhanced efficiency of AlGaN-based deep ultraviolet LED by graphene/Al nanoparticles/graphene hybrid structure, Optics Letters, 2023, 通讯作者
（3） Tunable piezoelectric and ferroelectric responses of Al1-xScxN: The role of atomic arrangement, 中国科学 物理学 力学 天文学, 2023, 第 6 作者
（4） Growth mechanism and electronic properties of stacking mismatch boundaries in wurtzite III-nitride material, Physical Review B, 2023, 第 4 作者
（5） Wafer-Scale Fabrication of Graphene-Based Plasmonic Photodetector with Polarization-Sensitive, Broadband, and Enhanced Response, Advanced Optical Materials, 2023, 通讯作者
（6） Gallium Nitride Blue/Green Micro-LEDs for High Brightness and Transparency Display, Ieee Electron Device Letters, 2023, 第 8 作者
（7） AlGaN UV Detector with Largely Enhanced Heat Dissipation on Mo Substrate Enabled by van der Waals Epitaxy, CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2022, 第 1 作者
（8） Grain boundary-driven magnetism in aluminum nitride, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2022, 第 6 作者
（9） Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 第 1 作者
（10） The van der Waals Epitaxy of High-Quality N-Polar Gallium Nitride for High-Response Ultraviolet Photodetectors with Polarization Electric Field Modulation, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2022, 第 1 作者
（11） Many-particle induced band renormalization processes in few- and mono-layer MoS2, NANOTECHNOLOGY, 2021, 第 5 作者
（12） Review on the Progress of AlGaN-based Ultraviolet Light-Emitting Diodes, FUNDAMENTAL RESEARCH, 2021, 第 5 作者
（13） 高温热处理a面AlN表面形貌演变机理, Mechanism of a-AlN Surface Morphology Evolution by High Temperature Annealing, 发光学报, 2021, 第 7 作者
（14） Cation Vacancy in Wide Bandgap III-Nitrides as Single-Photon Emitter: A First-Principles Investigation, ADVANCED SCIENCE, 2021, 第 4 作者
（15） Point Defects in Monolayer h-AlN as Candidates for Single-Photon Emission, ACS APPLIED MATERIALS AND INTERFACES, 2021, 第 5 作者
（16） Growth of high-quality wafer-scale graphene on dielectric substrate for high-response ultraviolet photodetector, CARBON, 2021, 第 1 作者
（17） Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, 第 6 作者
（18） A high-response ultraviolet photodetector by integrating GaN nanoparticles with graphene, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 第 1 作者
（19） Van der Waals Epitaxy: A new way for growth of III-nitrides, SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2020, 第 1 作者
（20） Elimination of the internal electrostatic field in two-dimensional GaN-based semiconductors, NPJ 2D MATERIALS AND APPLICATIONS, 2020, 第 6 作者
（21） Suppressing the luminescence of Vcation-related point-defect in AlGaN grown by MOCVD on HVPE-AlN, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 第 6 作者
（22） AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件, AlGaN Based Wide Bandgap Photoelectric Materials and Devices, 人工晶体学报, 2020, 第 4 作者
（23） Polarization-enhanced AlGaN solar-blind ultraviolet detectors, Polarization-enhanced AlGaN solar-blind ultraviolet detectors, PHOTONICS RESEARCH, 2020, 第 8 作者
（24） Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 第 1 作者
（25） Thermally-induced wrinkles on PH1000/graphene composite electrode for enhanced efficiency of organic solar cells, SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2019, 
（26） Graphene as a Transparent and Conductive Electrode for Organic Optoelectronic Devices, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 第 1 作者
（27） Flexible and transparent supercapacitor based on ultrathin Au/graphene composite electrodes, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 第 1 作者
（28） A simple method for the preparation of patterned graphene electrodes and its application in organic light-emitting diodes array, MATERIALS LETTERS, 2019, 第 2 作者
（29） Microscale-Patterned Graphene Electrodes for Organic Light-Emitting Devices by a Simple Patterning Strategy, ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2018, 第 1 作者
（30） Fluorescence evolution processes of visible/ultraviolet photo-reduced graphene oxide, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2017, 第 2 作者
（31） Surface plasmon-enhanced amplified spontaneous emission from organic single crystals by integrating graphene/copper nanoparticle hybrid nanostructures, NANOSCALE, 2017, 第 7 作者
（32） Ultrathin and ultrasmooth Au films as transparent electrodes in ITO-free organic light-emitting device, Nanoscale, 2016, 第 4 作者
（33） As-grown graphene/copper nanoparticles hybrid nanostructures for enhanced intensity and stability of surface plasmon resonance, SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 第 3 作者
（34） A two-step thermal annealing and HNO3 doping treatment for graphene electrode and its application in small-molecule organic solar cells, ORGANIC ELECTRONICS, 2016, 第 1 作者
（35） Dual-periodic-corrugation-induced broadband light absorption enhancement in organic solar cells, ORGANIC ELECTRONICS, 2015, 第 3 作者
（36） Surface Plasmon-Polariton Mediated Red Emission from Organic Light-Emitting Devices Based on Metallic Electrodes Integrated with Dual-Periodic Corrugation, SCIENTIFIC REPORTS, 2014, 第 5 作者

   

（ 1 ） 金属衬底上的AlGaN范德华外延生长研究, 负责人, 国家任务, 2021-01--2023-12
（ 2 ） 基于氮化物半导体的纳米像元发光器件研究, 负责人, 国家任务, 2021-12--2025-11
（ 3 ） 高质量氮化镓单晶材料制备及关键技术研究, 负责人, 地方任务, 2019-12--2023-12
（ 4 ） 基于二维纳米图形化衬底的高质量AlN模板外延研究, 负责人, 地方任务, 2023-01--2025-12
（ 5 ） 长春光机所“曙光”人才项目, 负责人, 研究所自选, 2021-07--2024-07
（ 6 ） 高质量GaN的范德华外延生长研究, 负责人, 研究所自选, 2020-01--2020-12
（ 7 ） 基于AlN衬底模板的高质量AlGaN范德华同质外延研究, 负责人, 研究所自选, 2021-01--2021-12