080903-微电子学与固体电子学

固体辐射物理；抗辐射加固

2013-09--2016-06   中国科学院新疆理化技术研究所   博士学位
2010-09--2013-07   中国科学院新疆理化技术研究所   硕士学位
2005-09--2009-07   中国科学院新疆理化技术研究所   学士学位

   

2023-11~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员
2016-07~2023-11,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员

   

（1） 纳米集成电路辐射XXXX及应用, 一等奖, 省级, 2021

（ 1 ） 一种含有长期低剂量率辐照的复合环境试验加速方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115113012A

（ 2 ） 一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114779035A

（ 3 ） 一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114217199A

（ 4 ） 一种基于脉冲激光的模拟电路单粒子瞬态等效方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113156301A

（ 5 ） 一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113156302A

（ 6 ） 基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN104133974A

（ 7 ） 用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103926518A

（ 8 ） 一种用于横向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103926519A

（ 9 ） 基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法, 发明专利, 2014, 第 12 作者, 专利号: CN103645430A

   

（1） Effect of Total Ionizing Dose on Low Frequency Noise Characteristics in SiGe HBT, 2023 5th ICREED, 2024, 第 1 作者
（2） Degradation Mechanisms of Gate Leakage in GaN-Based HEMT at low dose rate irradiation, IEEE Access, 2024, 第 2 作者  通讯作者
（3） 基于锗硅异质结双极晶体管的低噪声放大器及其反模结构的单粒子瞬态数值仿真研究, 物理学报, 2024, 第 3 作者
（4） 三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应, Three-dimensional simulation of total ionizing dose effect on SiGe heterojunction bipolor transistor, 物理学报, 2022, 第 2 作者
（5） 双极运算放大器LM158电离总剂量与重离子协同辐射效应研究, Synergistic effect of total ionization dose and single event transient in bipolar operational amplifier LM158, 核技术, 2021, 第 5 作者
（6） 模拟数字转换器AD574总剂量和单粒子翻转的协合效应, Synergistic effect of total ionizing dose and single-event upset in the analog/digital converterAD 574, 辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 第 6 作者
（7） 不同温度辐照下栅控双极晶体管的总剂量效应参数退化研究, Investigation of Ionization-induced Parameter Degradation in GLPNP Bipolar Transistors at Different Temperatures, 原子能科学技术, 2021, 第 4 作者
（8） 双极电压比较器LM311电离总剂量与单粒子瞬态协同效应研究, Synergistic Effect of Ionization Total Dose and Single Particle Transient in Bipolar Voltage Comparator LM311, 电子学报, 2020, 第 4 作者
（9） Synergistic effect of enhanced low-dose-rate sensitivity and single event transient in bipolar voltage comparator LM139, JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 4 作者
（10） Using a Temperature-Switching Approach to Evaluate Low-Dose-Rate Ionizing Radiation Effects on SET in Linear Bipolar Circuits, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 第 7 作者
（11） 双极器件ELDRS效应研究进展, Progress in ELDRS Effect of Bipolar Devices, 原子核物理评论, 2019, 第 4 作者
（12） Mechanism of Degradation Rate on the Irradiated Double-Polysilicon Self-Aligned Bipolar Transistor, ELECTRONICS, 2019, 第 4 作者
（13） Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by 60 Co γ irradiation under different biases, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 第 6 作者
（14） Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 第 6 作者
（15） 国产双极晶体管不同温度辐照下界面陷阱演化机制, Evolution Mechanism of Interface Traps of Domestic Bipolar Transistors at Different Temperatures Irradiation, 环境技术, 2018, 第 6 作者
（16） Accelerated Test of ELDRS at Ultra-Low Dose Rates for Bipolar Devices, 2018 RADECS, 2018, 第 1 作者
（17） Use of Temperature-Switching Approach to Evaluate the ELDRS of Bipolar Devices, 2016 16TH EUROPEAN CONFERENCE ON RADIATION AND ITS EFFECTS ON COMPONENTS AND SYSTEMS (RADECS), 2016, 第 4 作者
（18） Impact of Bias Conditions on Total Ionizing Dose Effects of Co-60 gamma in SiGe HBT, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2016, 第 6 作者
（19） Total ionizing dose effects of domestic SiGe HBTs under different dose rates, CHINESE PHYSICS C, 2016, 第 4 作者
（20） Radiation Resistance of Fluorine-Implanted PNP Using Gated-Controlled Lateral PNP Transistor Structure, CHIN. PHYS. LETT., 2016, 第 1 作者
（21） 质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性, Irradiation Effect and Annealing Character of PNP Input Bipolar Operational Amplifier in Proton Radiation Environment, 原子能科学技术, 2015, 第 6 作者
（22） 3-D simulation study of single event effects of SiGe heterojunction bipolar transistor in extreme environment, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2015, 第 7 作者
（23） 0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究, Total Dose Effect on Mismatch Performance of 0.18 μm MOS Differential Pair Transistors, 原子能科学技术, 2014, 第 3 作者
（24） 变温恒剂量率辐照加速评估方法在双极线性稳压器LM317上的应用, Application of Accelerated Evaluation Method of Alteration Temperature and Constant Dose Rate Irradiation on Bipolar Linear Regulator LM317, 原子能科学技术, 2014, 第 6 作者
（25） 深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究, 物理学报, 2014, 第 1 作者
（26） Total ionizing dose effect on 0.18 μm narrow-channel NMOS transistors, WULI XUEBAO/ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 
（27） Total ionizing dose effects on 12-bit CBCMOS digital-to-analog converters, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 1 作者
（28） 12位LC~2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应, Total Ionizing Dose Effect on 12-bit LC2MOS Digital-to-analog Converter, 原子能科学技术, 2013, 第 1 作者
（29） 锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟, Influencing factors of SiGe heterojunction bipolar transistor single-event effect in laser microbeam simulation test, 强激光与粒子束, 2013, 第 9 作者

   

（ 1 ） SiGe 工艺微波器件极端温度下的辐射效应及损伤机制研究, 负责人, 地方任务, 2023-09--2026-08
（ 2 ） 空间科学实验器件及产品评估国际标准研制, 负责人, 国家任务, 2023-03--2025-11
（ 3 ） 高总剂量辐射加固双极集成电路成套工艺技术, 负责人, 国家任务, 2023-01--2025-12
（ 4 ） 面向国产高精度BIFET双极工艺线的抗辐射加固工艺优化筛选, 负责人, 境内委托项目, 2023-01--2024-12
（ 5 ） 青促会, 负责人, 中国科学院计划, 2022-01--2025-11
（ 6 ） SiGe器件与系统总剂量效应敏感性及加固方法研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2023-12
（ 7 ） 极低剂量率下BJT基区隔离氧化层电离辐射感生缺陷的演化机制, 负责人, 国家任务, 2019-01--2021-12
（ 8 ） 基于数值模拟研究低剂量率环境下Si/SiO2界面陷阱微观响应特性, 负责人, 中国科学院计划, 2016-09--2020-08

（1）先进集成技术发展趋势下的系统辐射效应评估及加固技术   第五届光电材料与器件战略论坛   王信   2023-12-22
（2）双极器件ELDRS的快速鉴别及加速评估   王信   2023-05-24