基本信息
朱雷 男 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： leizhu@mail.sim.ac.cn
通信地址： 长宁区长宁路865号
邮政编码：
电子邮件： leizhu@mail.sim.ac.cn
通信地址： 长宁区长宁路865号
邮政编码：
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
集成电路材料，集成电路材料基因组
教育背景
2013-09--2018-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 博士
工作经历
工作简历
2020-08~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 高级工程师
2018-07~2020-07,上海新微技术研发中心有限公司, 工程师
2013-09~2018-06,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士
2018-07~2020-07,上海新微技术研发中心有限公司, 工程师
2013-09~2018-06,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士
专利与奖励
奖励信息
（1） 中国科学院科技促进发展奖, 三等奖, 院级, 2023
专利成果
（ 1 ） 氮化铝压电薄膜、制备方法及应用, 2023, 第 4 作者, 专利号: CN115697021A
（ 2 ） 含碳双掺杂氮化铝压电薄膜、制备方法及应用, 2023, 专利号: CN115679275A
（ 3 ） 一种高通量薄膜压电性能综合表征装置及方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114878605A
（ 4 ） 自旋劈裂-铁磁性耦合材料及其应用, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114156407A
（ 5 ） 高通量薄膜沉积设备及薄膜沉积方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113862625A
（ 2 ） 含碳双掺杂氮化铝压电薄膜、制备方法及应用, 2023, 专利号: CN115679275A
（ 3 ） 一种高通量薄膜压电性能综合表征装置及方法, 2022, 第 3 作者, 专利号: CN114878605A
（ 4 ） 自旋劈裂-铁磁性耦合材料及其应用, 2022, 第 5 作者, 专利号: CN114156407A
（ 5 ） 高通量薄膜沉积设备及薄膜沉积方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113862625A
出版信息
发表论文
（1） DFT Exploration of Metal Ion���Ligand Binding: Toward Rational Design of Chelating Agent in Semiconductor Manufacturing, MOLECULES, 2024, 第 4 作者
（2） Mechanism Exploration of the Effect of Polyamines on the Polishing Rate of Silicon Chemical Mechanical Polishing: A Study Combining Simulations and Experiments, NANOMATERIALS, 2024, 第 4 作者 通讯作者
（3） Doping Engineering for Optimizing Piezoelectric and Elastic Performance of AlN, MATERIALS, 2023, 第 2 作者
（4） In Situ Synchrotron XRD Characterization of Piezoelectric Al1-xScxN Thin Films for MEMS Applications, MATERIALS, 2023, 第 2 作者
（5） High-throughput screening giant bulk spin-split materials, RESULTS IN PHYSICS, 2023, 第 8 作者 通讯作者
（6） Comparative Investigation on Bias Dependent RF Performance of SOI Substrates, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 3 作者
（7） Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates, Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates, Chinese Physics Letters, 2018, 第 1 作者
（8） RF Characteristics of Two Generations of RFeSI HR-SOI Substrates Over Temperature, IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS, 2018, 第 1 作者 通讯作者
（9） Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates, Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates, 中国物理快报英文版, 2018, 第 1 作者
（10） Effects of Low Boron Concentration on Electrical Properties of Commercial Trap-Rich High Resistivity SOI Substrate, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 1 作者
（11） Fabrication of high quality GaAs-on-insulator via ion-cut of epitaxial GaAs/Ge heterostructure, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 第 6 作者
（12） High performance strained si0.5ge0.5 quantum-well p-mosfets fabricated using a high-kappa/metal-gate last process, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 第 7 作者
（2） Mechanism Exploration of the Effect of Polyamines on the Polishing Rate of Silicon Chemical Mechanical Polishing: A Study Combining Simulations and Experiments, NANOMATERIALS, 2024, 第 4 作者 通讯作者
（3） Doping Engineering for Optimizing Piezoelectric and Elastic Performance of AlN, MATERIALS, 2023, 第 2 作者
（4） In Situ Synchrotron XRD Characterization of Piezoelectric Al1-xScxN Thin Films for MEMS Applications, MATERIALS, 2023, 第 2 作者
（5） High-throughput screening giant bulk spin-split materials, RESULTS IN PHYSICS, 2023, 第 8 作者 通讯作者
（6） Comparative Investigation on Bias Dependent RF Performance of SOI Substrates, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 第 3 作者
（7） Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates, Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates, Chinese Physics Letters, 2018, 第 1 作者
（8） RF Characteristics of Two Generations of RFeSI HR-SOI Substrates Over Temperature, IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS, 2018, 第 1 作者 通讯作者
（9） Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates, Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates, 中国物理快报英文版, 2018, 第 1 作者
（10） Effects of Low Boron Concentration on Electrical Properties of Commercial Trap-Rich High Resistivity SOI Substrate, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 1 作者
（11） Fabrication of high quality GaAs-on-insulator via ion-cut of epitaxial GaAs/Ge heterostructure, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 第 6 作者
（12） High performance strained si0.5ge0.5 quantum-well p-mosfets fabricated using a high-kappa/metal-gate last process, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 第 7 作者
发表著作
（ 1 ） 集成电路材料基因组技术, 电子工业出版社, 2022-01, 第 3 作者
科研活动
科研项目
（ 1 ） IGBT 用硅晶圆化学机械抛 光技术研究, 负责人, 中国科学院计划, 2023-06--2025-05
（ 2 ） LY2, 参与, 国家任务, 2022-01--2024-12
（ 2 ） LY2, 参与, 国家任务, 2022-01--2024-12