080903-微电子学与固体电子学

光电探测材料与器件，半导体材料与器件，铁电物理

2011-09--2018-06   湘潭大学   博士研究生

   

2011-09~2018-06,湘潭大学, 博士研究生

   

（ 1 ） 碲镉汞-黑磷范德华异质结红外偏振探测器及制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN113013279B

（ 2 ） 一种用于红外焦平面器件的铁电单晶薄膜制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN111584644B

（ 3 ） 一种铁电畴定义的串联二维光伏电池, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN213905369U

（ 4 ） 一种碲镉汞范德华异质结红外偏振探测器及制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113013279A

（ 5 ） 一种铁电畴定义的MoTe 2 面内PN结, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN211670218U

（ 6 ） 一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN211208468U

（ 7 ） 一种铁电畴定义的串联二维光伏电池及制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111312832A

（ 8 ） 一种铁电畴定义的MoTe 2 面内PN结及制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111192967A

（ 9 ） 一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110808309A

（ 10 ） 一种基于二硒化铂半导体的场效应管阵列, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN209929312U

（ 11 ） 一种铁电场调控的二维材料PN结光电探测器, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN209929345U

（ 12 ） 一种铁电畴调控的光读出模式存储器, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN209691401U

（ 13 ） 一种基于二硒化铂半导体的场效应管阵列及制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110212025A

（ 14 ） 一种铁电畴调控的MoTe 2 面内PN结及制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110010474A

（ 15 ） 一种铁电畴调控的光读出模式存储器及制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109949843A

（ 16 ） 一种铁电场调控的二维材料PN结光电探测器及制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109950403A

（ 17 ） 一种二维半导体和铁电材料功能互补型超宽光谱探测器, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109449244A

（ 18 ） 一种二维范德华异质结光电探测器, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN207529954U

（ 19 ） 一种二维范德华异质结光电探测器及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN107749433A

（ 20 ） 一种极化电场调控二维半导体能带结构, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN207009481U

（ 21 ） 一种二维半导体负电容场效应管, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN206789549U

（ 22 ） 一种二维半导体负电容场效应管及制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107195681A

（ 23 ） 一种极化电场调控二维半导体能带结构及制备方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107170893A

（ 24 ） 一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN205723636U

（ 25 ） 一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器及制备方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105762281A

（ 26 ） 一种基于二硫化钼薄膜的PVDF基铁电场效应管的制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN104362252A

   

（1） Ferroelectric field effect transistors for electronics and optoelectronics, APPLIED PHYSICS REVIEWS, 2023, 第 2 作者
（2） HgCdTe/black phosphorus van der Waals heterojunction for high-performance polarization-sensitive midwave infrared photodetector, SCIENCE ADVANCES, 2022, 第 2 作者  通讯作者
（3） Ultra-sensitive polarization-resolved black phosphorus homojunction photodetector defined by ferroelectric domains, NATURE COMMUNICATIONS, 2022, 第 3 作者  通讯作者
（4） Gate-Tunable Photodiodes Based on Mixed-Dimensional Te/MoTe2 Van der Waals Heterojunctions, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 第 4 作者  通讯作者
（5） Fabrication and optoelectronic characterization of suspended In2O3 nanowire transistors, CHINESE OPTICS, 2021, 第 3 作者
（6） End-Bonded Contacts of Tellurium Transistors, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 第 2 作者  通讯作者
（7） 悬空氧化铟纳米线晶体管制备与光电性能表征, Fabrication and optoelectronic characterization of suspended In_(2)O_(3) nanowire transistors, 中国光学, 2021, 第 3 作者
（8） Interface engineering of ferroelectric-gated MoS2 phototransistor, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2021, 第 2 作者  通讯作者
（9） Ferroelectric-tuned van der Waals heterojunction with band alignment evolution, NATURE COMMUNICATIONS, 2021, 第 2 作者
（10） Ultrabroadband Photodetectors up to 10.6 mu m Based on 2D Fe3O4 Nanosheets, ADVANCED MATERIALS, 2020, 第 4 作者
（11） Highly Sensitive InSb Nanosheets Infrared Photodetector Passivated by Ferroelectric Polymer, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2020, 第 3 作者
（12） Ferroelectric Enhanced Performance of a GeSn/Ge Dual-Nanowire Photodetector, NANO LETTERS, 2020, 第 2 作者
（13） MoTe2 p-n Homojunctions Defined by Ferroelectric Polarization, ADVANCED MATERIALS, 2020, 第 2 作者
（14） High-performance beta-Ga2O3 thickness dependent solar blind photodetector, OPTICS EXPRESS, 2020, 第 3 作者
（15） Ultrasensitive negative capacitance phototransistors, NATURE COMMUNICATIONS, 2020, 第 3 作者
（16） Two-dimensional series connected photovoltaic cells defined by ferroelectric domains, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 第 2 作者
（17） Programmable transition metal dichalcogenide homojunctions controlled by nonvolatile ferroelectric domains, NATURE ELECTRONICS, 2020, 第 6 作者
（18） A versatile photodetector assisted by photovoltaic and bolometric effects, LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS, 2020, 第 5 作者
（19） Multifunctional MoS2 Transistors with Electrolyte Gel Gating, SMALL, 2020, 第 2 作者
（20） Ultrahigh���Detectivity Photodetectors with Van der Waals Epitaxial CdTe Single���Crystalline Films, Small, 2019, 第 3 作者
（21） A study on ionic gated MoS2 phototransistors, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2019, 第 2 作者
（22） Multimechanism Synergistic Photodetectors with Ultrabroad Spectrum Response from 375 nm to 10 mu m, ADVANCED SCIENCE, 2019, 第 1 作者
（23） Multimode Signal Processor Unit Based on the Ambipolar WSe2-Cr Schottky Junction, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 第 3 作者
（24） Large-area high quality PtSe2 thin film with versatile polarity, Large-area high quality PtSe2 thin film with versatile polarity, INFOMAT, 2019, 第 2 作者
（25） Controlled Doping of Wafer-Scale PtSe2 Films for Device Application, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2019, 第 8 作者
（26） A gate-free MoS2 phototransistor assisted by ferroelectrics, A gate-free MoS2 phototransistor assisted by ferroelectrics, 半导体学报:英文版, 2019, 第 3 作者
（27） Ultrasensitive Hybrid MoS2-ZnCdSe Quantum Dot Photodetectors with High Gain, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 第 2 作者
（28） A gate-free MoS2 phototransistor assisted by ferroelectrics, A gate-free MoS2 phototransistor assisted by ferroelectrics, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2019, 第 3 作者
（29） Ferroelectric properties of gradient doped Y2O3:HfO2 thin films grown by pulsed laser deposition, APPLIEDPHYSICSLETTERS, 2019, 第 2 作者
（30） Ultrahigh photoresponsivity MoS2 photodetector with tunable photocurrent generation mechanism, NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 2 作者
（31） The ambipolar evolution of a high-erformance wse2 transistor assisted by a ferroelectric polymer, NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 2 作者
（32） High-Performance Photovoltaic Detector Based on MoTe2/MoS2 Van der Waals Heterostructure, SMALL, 2018, 第 2 作者
（33） Graphene Dirac point tuned by ferroelectric polarization field, NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 1 作者
（34） High-performance lead-free two-dimensional perovskite photo transistors assisted by ferroelectric dielectrics, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2018, 第 4 作者
（35） A ferroelectric relaxor polymer-enhanced p-type WSe2 transistor, NANOSCALE, 2018, 第 2 作者
（36） Ferroelectric localized field-enhanced zno nanosheet ultraviolet photodetector with high sensitivity and low dark current., SMALL, 2018, 第 6 作者
（37） Ferroelectric Negative Capacitance Field Effect Transistor, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 第 2 作者
（38） Two-dimensional negative capacitance transistor with polyvinylidene fluoride-based ferroelectric polymer gating, NPJ 2D MATERIALS AND APPLICATIONS, 2017, 第 1 作者
（39） Electrical characterization of MoS2 field-effect transistors with different dielectric polymer gate, AIP ADVANCES, 2017, 第 2 作者
（40） Recent Progress on Localized Field Enhanced Two-dimensional Material Photodetectors from Ultraviolet-Visible to Infrared, SMALL, 2017, 第 3 作者
（41） Interfacial memristors in Al-LaNiO3 heterostructures, PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2017, 第 5 作者
（42） High performance top-gated ferroelectric field effect transistors based on two-dimensional ZnO nanosheets, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 2 作者
（43） Ferroelectric FET for nonvolatile memory application with two-dimensional MoSe2 channels, 2D MATERIALS, 2017, 第 1 作者
（44） Visible to short wavelength infrared In2Se3-nanoflake photodetector gated by a ferroelectric polymer, NANOTECHNOLOGY, 2016, 第 2 作者
（45） When Nanowires Meet Ultrahigh Ferroelectric Field-High-Performance Full-Depleted Nanowire Photodetectors., NANO LETTERS, 2016, 第 9 作者
（46） Optoelectronic Properties of Few-Layer MoS2 FET Gated by Ferroelectric Relaxor Polymer, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 第 2 作者
（47） Flexible graphene field effect transistor with ferroelectric polymer gate, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2016, 第 1 作者
（48） Highly sensitive visible to infrared MoTe2 photodetectors enhanced by the photogating effect., NANOTECHNOLOGY, 2016, 第 6 作者
（49） Ferroelectric polymer tuned two dimensional layered MoTe2 photodetector, RSC ADVANCES, 2016, 第 2 作者
（50） Highly sensitive phototransistor based on GaSe nanosheets, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 4 作者
（51） High temperature coefficient of resistance for a ferroelectric tunnel junction, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 第 5 作者
（52） Ferroelectric control of magnetism in P(VDF-TrFE)/Co heterostructure, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2015, 第 5 作者
（53） Ultrasensitive and Broadband MoS2 Photodetector Driven by Ferroelectrics, ADVANCED MATERIALS, 2015, 第 1 作者

   

（ 1 ） 定制化铁电畴增强的红外偏振探测机理与器件研究, 负责人, 地方任务, 2023-04--2026-03
（ 2 ） 局域场增强的光电探测器, 负责人, 国家任务, 2023-01--2025-12
（ 3 ） 新型高性能红外探测器件, 负责人, 中国科学院计划, 2022-01--2024-12
（ 4 ） 新型极化材料及低维半导体的可控制备与性能调控, 负责人, 国家任务, 2021-12--2026-11
（ 5 ） 碲镉汞/二维材料多色偏振红外探测技术研究, 负责人, 中国科学院计划, 2019-09--2024-08