0805Z2-半导体材料与器件
080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理

半导体紫外光电材料与器件

2014-09--2019-06   中国科学院长春光学精密机械与物理研究所   研究生/博士学位
2010-09--2014-06   厦门大学   本科/学士学位

   

2022-09~现在, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 副研究员
2019-07~2022-08,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 助理研究员
2014-09~2019-06,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 研究生/博士学位
2010-09~2014-06,厦门大学, 本科/学士学位

   

（1） 中国科学院青年创新促进会会员, , 院级, 2022
（2） 吉林省优秀青年基金项目, , 省级, 2022
（3） 中国半导体十大研究进展, , 国家级, 2021
（4） 中国科协青年人才托举工程项目, , 国家级, 2020
（5） 中国科学院院长特别奖, 特等奖, 院级, 2019

（ 1 ） SBD器件结构及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN111785785B

（ 2 ） 一种紫外LED和探测器同质集成芯片及其制备方法, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113948535A

（ 3 ） 一种三维结构高增益AlGaN日盲紫外探测器及其制备方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN113948604A

（ 4 ） 一种氮化物横向极性结及其制备方法、深紫外发光二极管, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113948543A

（ 5 ） 基于BN的光电导型同质集成紫外/红外双色探测器及其制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN111370508B

（ 6 ） 一种石墨烯优化宽禁带半导体辐射探测器, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113284959A

（ 7 ） 一种探测芯片及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113140652A

（ 8 ） 一种单光子探测器死时间设置与噪声滤除的系统, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112945379A

（ 9 ） 一种二维第三主族金属氮化物实现单光子发射的方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN112928187A

（ 10 ） 单片双波段集成式传感器及其制备方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN110797430B

（ 11 ） 一种基于DMD与AlGaN基多元紫外探测器的成像装置及成像方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112822351A

（ 12 ） 一种超薄量子阱结构AlGaN日盲紫外探测器及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111785797B

（ 13 ） 基于范德华外延的GaN基单片集成白光LED及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111816741B

（ 14 ） 单片集成氮化物发光波长可调节的白光LED及制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112802869A

（ 15 ） 一种N极性氮化物模板、N极性氮化物器件及其制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112786751A

（ 16 ） 一种紫外/红外双色探测器及其制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112670357A

（ 17 ） AlGaN基同质集成光电子芯片及其制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN110993737B

（ 18 ） 一种中子辐射探测器, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112599620A

（ 19 ） 一种低欧姆接触电阻的深紫外发光二极管及其制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112563381A

（ 20 ） 一种AlGaN单极载流子日盲紫外探测器及其制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112038448B

（ 21 ） 一种AlGaN单极载流子日盲紫外探测器及其制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112038448B

（ 22 ） 一种半导体辐射电池, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112489848A

（ 23 ） 一种喷淋头清洁装置, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112317196A

（ 24 ） 应力调控氮化镓基红外-紫外双色光探测器及制备方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN110797429B

（ 25 ） 一种基于氮化硼的紫外/红外双色探测器, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN110649108B

（ 26 ） 一种基于石墨烯电极的垂直结构深紫外LED及其制备方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112242469A

（ 27 ） 基于微图案化石墨烯的Micro-LED阵列及其制备方法、显示装置, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN112103305A

（ 28 ） 一种多色柔性光电探测器及其制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN112086529A

（ 29 ） 一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN112086343A

（ 30 ） 一种基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN112071965A

（ 31 ） 一种垂直量子阱结构AlGaN深紫外LED及其制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111987194A

（ 32 ） AlGaN基深紫外发光二极管及其AlGaN外延片和制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111987197A

（ 33 ） 一种具有石墨烯插入层的AlGaN基紫外探测器及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111370509B

（ 34 ） 一种光伏型紫外红外双色探测器及处理方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111952382A

（ 35 ） 一种360度超大广角紫外探测器, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111668336A

（ 36 ） 一种用于半导体材料外延生长设备中的托盘, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111455353A

（ 37 ） 单层石墨烯的双面掺杂及多层石墨烯的双侧掺杂方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111333058A

（ 38 ） 一种实现位错缺陷微区光电性能测评的方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111223788A

（ 39 ） 基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110963484A

（ 40 ） 一种制备同质集成光通信芯片的方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110600582A

（ 41 ） 一种实现氮化物可控成核的二维材料复合衬底制备系统, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110349840A

（ 42 ） 一种实现低电压下AlGaN探测器雪崩倍增的方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109378361A

（ 43 ） 一种集氮化物柔性衬底构建与外延的一体化系统, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109360798A

（ 44 ） 一种高迁移率高空穴浓度P型AlGaN材料及其生长方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109300980A

   

（1） AlGaN UV Detector with Largely Enhanced Heat Dissipation on Mo Substrate Enabled by van der Waals Epitaxy, CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2022, 第 5 作者
（2） Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 第 6 作者
（3） Quantum engineering of non-equilibrium efficient p-doping in ultra-wide band-gap nitrides, Quantum engineering of non-equilibrium efficient p-doping in ultra-wide band-gap nitrides, LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS, 2021, 第 1 作者
（4） Origination and evolution of point defects in AlN film annealed at high temperature, JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2021, 第 4 作者
（5） Improved performance of SiC radiation detector based on metal–insulator–semiconductor structures, NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 第 5 作者
（6） Improved performance of SiC radiation detectors due to optimized ohmic contact electrode by graphene insertion, DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 2021, 第 4 作者
（7） 2 Gbps free-space ultraviolet-C communication based on a high-bandwidth micro-LED achieved with pre-equalization, OPTICS LETTERS, 2021, 第 6 作者
（8） Growth of high-quality wafer-scale graphene on dielectric substrate for high-response ultraviolet photodetector, CARBON, 2021, 第 2 作者
（9） Multiple-quantum-well-induced unipolar carrier transport multiplication in AlGaN solar-blind ultraviolet photodiode, Multiple-quantum-well-induced unipolar carrier transport multiplication in AlGaN solar-blind ultraviolet photodiode, PHOTONICS RESEARCH, 2021, 通讯作者
（10） Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, 第 1 作者
（11） A high-response ultraviolet photodetector by integrating GaN nanoparticles with graphene, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 第 4 作者
（12） Characterization of carrier transport behavior of specific type dislocations in GaN by light assisted KPFM, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 第 4 作者
（13） Suppressing the luminescence of Vcation-related point-defect in AlGaN grown by MOCVD on HVPE-AlN, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 第 1 作者
（14） AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件, AlGaN Based Wide Bandgap Photoelectric Materials and Devices, 人工晶体学报, 2020, 第 3 作者
（15） Polarization-enhanced AlGaN solar-blind ultraviolet detectors, Polarization-enhanced AlGaN solar-blind ultraviolet detectors, PHOTONICS RESEARCH, 2020, 第 1 作者
（16） In situ fabrication of Al surface plasmon nanoparticles by metal-organic chemical vapor deposition for enhanced performance of AlGaN deep ultraviolet detectors, NANOSCALE ADVANCES, 2020, 第 5 作者
（17） Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 第 3 作者
（18） Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy (vol 117, 051601, 2020), APPLIED PHYSICS LETTERS, 2020, 第 3 作者
（19） Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characterized by ultraviolet light-assisted Kelvin probe force microscopy, SCIENCE CHINA. PHYSICS, MECHANICS & ASTRONOMY, 2019, 第 5 作者
（20） Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characterized by ultraviolet light-assisted Kelvin probe force microscopy, Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characterized by ultraviolet light-assisted Kelvin probe force microscopy, 中国科学:物理学、力学、天文学英文版, 2019, 第 5 作者
（21） Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps, CRYSTENGCOMM, 2019, 第 1 作者
（22） Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanoscale Strain Field, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 第 4 作者
（23） AlGaN photonics: recent advances in materials and ultraviolet devices, ADVANCES IN OPTICS AND PHOTONICS, 2018, 第 2 作者
（24） Defect evolution in AlN templates on PVD-AlN/sapphire substrates by thermal annealing, CRYSTENGCOMM, 2018, 第 4 作者
（25） Effect of V-Pits on the Property of GaN Epilayer Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 第 4 作者
（26） The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition, CRYSTENGCOMM, 2018, 第 1 作者
（27） Modulating the Surface State of SiC to Control Carrier Transport in Graphene/SiC, SMALL, 2018, 第 4 作者
（28） In situ growth of high-quality wafer-scale graphene on dielectric substrate for high-responsivity ultraviolet photodetector, CARBON, 第 2 作者

GaN-based photodetector, World Scientific, 2017-03, 第 其他 作者

   

（ 1 ） 掺杂自诱导增强Si基AlGaN深紫外LED研究, 负责人, 国家任务, 2021-01--2023-12
（ 2 ） 宽禁带半导体极紫外探测器关键技术, 负责人, 国家任务, 2022-11--2025-10
（ 3 ） XXX研究, 负责人, 国家任务, 2022-10--2025-10
（ 4 ） 石墨烯晶圆衬底上高品质氮化物的制备与生长机制研究, 负责人, 国家任务, 2020-06--2025-05
（ 5 ） 中国科学院青年创新促进会会员, 负责人, 中国科学院计划, 2023-01--2026-12
（ 6 ） 中国科学院特别研究助理项目, 负责人, 中国科学院计划, 2019-07--2022-07
（ 7 ） AlGaN基半导体紫外激光材料与器件研究, 负责人, 地方任务, 2023-01--2025-12
（ 8 ） 聚光人才计划项目, 负责人, 研究所自主部署, 2022-09--2025-08
（ 9 ） GaN基micro-LED日盲紫外光通信, 负责人, 研究所自主部署, 2020-10--2022-10
（ 10 ） AlGaN基日盲紫外同质集成芯片研究, 负责人, 研究所自主部署, 2022-01--2022-12