080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息

先进SOI材料与器件可靠性表征与建模
模拟集成电路设计
可靠性集成电路设计

2011-09--2015-09   法国格勒诺布尔-阿尔卑斯大学   研究生，博士
2008-10--2010-12   国防科技大学   研究生，硕士
2004-09--2008-06   四川大学   本科，学士

   

2021-11~2023-03,中国科学院微电子研究所, 副研究员，青年研究员
2019-12~2021-11,中国科学院微电子研究所, 副研究员，特别科研助理，博士后
2015-12~2019-12,北京高技术研究所, 助理研究员
2011-09~2015-09,法国格勒诺布尔-阿尔卑斯大学, 研究生，博士
2008-10~2010-12,国防科技大学, 研究生，硕士
2004-09~2008-06,四川大学, 本科，学士

   

（1） 中国科学院青年创新促进会, 院级, 2021
（2） 第四届辐射物理年会优秀墙报, 其他, 2021

（ 1 ） 一种半导体器件及其制造方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN113224167A

（ 2 ） 一种基于背栅结构的SRAM存储单元、SRAM存储器以及上电方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112992221A

（ 3 ） 一种SRAM存储单元、存储器及SRAM存储单元的读写方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112992224A

（ 4 ） 一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112885391A

   

（1） Transient Measurement of Radiation-induced Interface Traps under the effect of Total dose effect, 2022 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC2021), 2022, 第 1 作者
（2） Single Event Induced Crosstalk of Monolithic 3D Circuits Based on a 22 nm FD-SOI Technology, 2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2022, 第 1 作者
（3） Ultra-High-Energy Heavy Ion Induced Single Event Effect of TSV-Based 3D Integrated SOI SRAM Circuits, 2022 22rd European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems(RADECS), 2022, 第 1 作者
（4） Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-mu m DSOI CMOS Technology, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 通讯作者
（5） Pseudo-MOSFET transient behavior: Experiments, model, substrate and temperature effect, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2021, 
（6） Layout-based mitigation of single-event transient for monolithic 3D CMOS integrated circuits, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 通讯作者
（7） A current model for FOI FinFETs with back-gate bias modulation, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2021, 
（8） Comparison of Total Ionizing Dose Effects in SOI FinFETs between RT and High Temperature, 2021 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC2021), 2021, 第 1 作者
（9） 基于TSV转接板的3D SRAM单粒子多位翻转效应, Single Event Multiple Bit Upset Effect of 3D SRAM Based on TSV Interposer, 半导体技术, 2021, 第 4 作者
（10） Radiation Hardening Using Back-gate Bias in Double-SOI Structure, NSREC国际会议, 2021, 
（11） Revisited parasitic bipolar effect in FDSOI MOSFETs: Mechanism, gain extraction and circuit applications, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2021, 
（12） X-ray Irradiation Induced Degradation in Hf0.5Zr0.5O2 FDSOI nMOSFETs, Rare Metals, 2020, 
（13） The Current Model for FOI FinFETs with Back-Gate Bias, 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon(EUROSOI-ULIS), 2020, 第 1 作者
（14） FinFET器件总剂量效应研究进展, 微电子学, 2020, 第 3 作者
（15） Pseudo-MOSFET transient behavior: experiments, model and substrate effect, 2020 Joint International EUROSOI Workshop andInternational Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2020, 第 1 作者
（16） FinFET器件总剂量效应研究进展, A Review of Total Ionizing Dose Effects in FinFETs, 微电子学, 2020, 第 3 作者
（17） Revisited parasitic bipolar effect in FDSOI MOSFETs: Mechanism, current gain extraction and its circuit applications, 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon(EUROSOI-ULIS), 2020, 第 1 作者
（18） Single event upset for monolithic 3-D integrated 6T SRAM based on a 22 nm FD-SOI technology: Effects of channel size and temperature, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 通讯作者
（19） 考虑背栅偏置的FOI FinFET电流模型, Current Model of FOI FinFETs with Back-Gate Bias, 半导体技术, 2020, 第 2 作者
（20） A radiation electrostatic potential model for FOI FinFET, 2020 20th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems(RADECS), 2020, 第 1 作者
（21） Dependency of Temperature and Back-gate Bias on Single Event Upset Induced by Heavy Ion in a 0.2 μm DSOI CMOS Technology, 2020 20th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems(RADECS), 2020, 第 1 作者

   

（ 1 ） 兆级抗辐射应用的特种绝缘体上硅晶圆及新型器件研究, 负责人, 国家任务, 2022-11--2026-11

（1）Radiation Hardening Using Back-gate Bias in Double-SOI Structure   2021-07-19