基本信息
姜海涛  男  硕导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： h.t.jiang@mail.sim.ac.cn
通信地址： 长宁路865号
邮政编码：

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
晶圆级新型二维材料制备及射频器件的研制与应用，柔性电子器件的研究

教育背景

2006-09--2010-05   同济大学   博士研究生

工作经历

   
工作简历
2020-08~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 高级工程师
2017-07~2020-07,东华大学, 助理研究员
2012-09~2017-06,中国科学院上海应用物理研究所, 助理研究员
2010-07~2012-08,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士后
2006-09~2010-05,同济大学, 博士研究生

教授课程

大学物理
传感器原理与技术

专利与奖励

   
奖励信息
（1） 中国科学院王宽诚博士后工作奖, 其他, 2010
专利成果
（ 1 ） 一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103187248A

（ 2 ） 一种制备GOI的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103165511A

（ 3 ） 一种超薄绝缘体上半导体材料及其制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103165512A

（ 4 ） 一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103065932A

（ 5 ） 一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN103065933A

（ 6 ） 一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103065931A

（ 7 ） 一种具有周期结构的半导体及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102693900A

（ 8 ） 一种绝缘体上半导体及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102683178A

（ 9 ） 一种光子晶体及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102662212A

（ 10 ） 一种薄GOI晶片及其制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102290369A

科研活动

   
科研项目
（ 1 ） 集成电路用SOI材料, 参与, 国家任务, 2020-01--2024-12